專利名稱：像素單元及陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于液晶顯示裝置領(lǐng)域，特別涉及液晶顯示裝置的像素單元及陣列基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱為IXD)是一種主要的平板顯示裝 置(Flat Panel Display，簡(jiǎn)稱為 FPD)。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)方向，液晶顯示裝置分為垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置和水平 電場(chǎng)型液晶顯示裝置。垂直電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括扭曲向列(Twist Nematic，簡(jiǎn)稱 為T(mén)N)型液晶顯示裝置；水平電場(chǎng)型液晶顯示裝置包括邊界電場(chǎng)切換(Fringe Field Switching，簡(jiǎn)稱為FFS)型液晶顯示裝置，共平面切換(In-Plane Switching，簡(jiǎn)稱為IPS) 型液晶顯示裝置。圖1為現(xiàn)有的像素單元示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有的像素單元包括像素電極11、 柵電極、源電極33、漏電極32和數(shù)據(jù)線31。其中，柵線21、源電極33和漏電極32構(gòu)成了薄 膜晶體管；源電極33與數(shù)據(jù)線31 —體相連；漏電極32與像素電極11通過(guò)過(guò)孔電連接，像 素電極11通過(guò)薄膜晶體管接收數(shù)據(jù)線31的信號(hào)。在制造液晶顯示裝置的時(shí)候，受到工藝條件的限制往往會(huì)出現(xiàn)各種不良，如薄膜 晶體管破損等。因此在形成薄膜晶體管時(shí)，需要同時(shí)形成輔助薄膜晶體管，使得在薄膜晶體 管破損時(shí)能夠?qū)ο袼貑卧M(jìn)行修復(fù)。為了能夠在薄膜晶體管出現(xiàn)破損時(shí)能夠?qū)ζ溥M(jìn)行修復(fù)，現(xiàn)有的像素單元形成與像 素電極電連接的輔助薄膜晶體管或者形成與數(shù)據(jù)線電連接的薄膜晶體管。其中，在輔助薄膜晶體管與像素電極電連接的技術(shù)方案中，會(huì)在漏電極部分形成 電容；在輔助薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線電連接的技術(shù)方案中，會(huì)在源電極部分形成電容，從而影 響了畫(huà)面質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種像素單元及陣列基板，以克服現(xiàn)有技術(shù)中形成輔助薄膜 晶體管時(shí)產(chǎn)生電容而導(dǎo)致的畫(huà)面質(zhì)量低下的缺陷。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素單元，包括橫向排列的柵線、豎向排列 的數(shù)據(jù)線、位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域的薄膜晶體管和像素電極，在所述柵線 上設(shè)有輔助薄膜晶體管，所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線；所述輔助薄膜晶體管 的源電極與所述數(shù)據(jù)線隔離；所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極隔離。其中，所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)有第一連接橋，所述第 一連接橋的一端位于所述輔助薄膜晶體管的源電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的源電 極隔離；所述第一連接橋的另一端位于所述數(shù)據(jù)線上方，并與所述數(shù)據(jù)線隔離。其中，所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極之間設(shè)有第二連接橋，所述 第二連接橋的一端位于所述輔助薄膜晶體管的漏電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的漏電極隔離；所述第二連接橋的另一端位于所述像素電極上方，并與所述像素電極隔離。其中，所述薄膜晶體管位于所述柵線上，所述薄膜晶體管的柵電極為所述柵線。其中，所述像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與所述薄膜晶體管的漏極一體相連。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括多個(gè)像素單元，每個(gè)所述 像素單元包括橫向排列的柵線、豎向排列的數(shù)據(jù)線、位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū) 域的薄膜晶體管和像素電極，其特征在于，在所述柵線上設(shè)有輔助薄膜晶體管，所述輔助薄 膜晶體管的柵電極為所述柵線；所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線隔離；所述輔 助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極隔離。其中，所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)有第一連接橋，所述第 一連接橋的一端位于所述輔助薄膜晶體管的源電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的源電 極隔離；所述第一連接橋的另一端位于所述數(shù)據(jù)線上方，并與所述數(shù)據(jù)線隔離。其中，所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極之間設(shè)有第二連接橋，所述 第二連接橋的一端位于所述輔助薄膜晶體管的漏電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的漏 電極隔離；所述第二連接橋的另一端位于所述像素電極上方，并與所述像素電極隔離。其中，所述薄膜晶體管位于所述柵線上，所述薄膜晶體管的柵電極為所述柵線。其中，所述像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與所述薄膜晶體管的漏極一體相連。本實(shí)施例發(fā)明的像素單元通過(guò)設(shè)置一個(gè)以柵線為柵電極的輔助薄膜晶體管的方 式，能夠在薄膜晶體管出現(xiàn)破損并無(wú)法使用時(shí)通過(guò)化學(xué)氣相沉積法將輔助薄膜晶體管的漏 電極與像素電極一體相連，同時(shí)將輔助薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線一體相連，使得數(shù)據(jù) 線上的信號(hào)通過(guò)輔助薄膜晶體管傳送到像素電極并形成畫(huà)面。本實(shí)施例發(fā)明的像素單元克 服了在現(xiàn)有技術(shù)中形成輔助薄膜晶體管時(shí)因在輔助薄膜晶體管上形成電容導(dǎo)致的畫(huà)面質(zhì) 量降低的缺陷。并且本發(fā)明的像素單元將輔助薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，因此對(duì)像素的 開(kāi)口率不影響的前提下使得對(duì)像素單元修復(fù)變?yōu)榭赡?，從而提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有的像素單元示意圖；圖2為本發(fā)明像素單元第一實(shí)施例的示意圖；圖3為本發(fā)明像素單元第二實(shí)施例的示意圖；圖4為本發(fā)明像素單元第三實(shí)施例的示意圖；圖5為本發(fā)明像素單元第四實(shí)施例的示意圖；圖6為本發(fā)明陣列基板第一實(shí)施例中一個(gè)像素單元的示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明11-像素電極；12-第一連接橋；13-第二連接橋；21-柵線； 31-數(shù)據(jù)線； 32-漏電極；33-源電極。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明像素單元第一實(shí) 施例
圖2為本發(fā)明像素單元第一實(shí)施例的示意圖。如圖2所示，本實(shí)施例的像素單元包括橫向排列的柵線21、豎向排列的數(shù)據(jù)線31、位于所述柵線21和所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū) 域的薄膜晶體管和像素電極11。其中，柵線21位于像素電極11的下側(cè)，數(shù)據(jù)線31位于像 素電極11的右側(cè)，薄膜晶體管位于柵線21和數(shù)據(jù)線31交叉處。另外，在所述柵線21上設(shè) 有輔助薄膜晶體管，所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線21 ；所述輔助薄膜晶體管的 源電極33與所述數(shù)據(jù)線31隔離；所述輔助薄膜晶體管的漏電極32與所述像素電極11隔 罔。本實(shí)施例的像素單元通過(guò)設(shè)置一個(gè)以柵線為柵電極的輔助薄膜晶體管的方式， 能夠在薄膜晶體管出現(xiàn)破損并無(wú)法使用時(shí)先將相應(yīng)的部分露出然后通過(guò)化學(xué)氣相沉積 (Chemical Vapor D印osition，簡(jiǎn)稱為CVD)法在輔助薄膜晶體管的漏電極與像素電極之 間沉積導(dǎo)電物質(zhì)以將輔助薄膜晶體管的漏電極與像素電極電連接，同時(shí)采用相同的方法將 輔助薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線電連接，使得數(shù)據(jù)線上的信號(hào)通過(guò)輔助薄膜晶體管傳送 到像素電極并形成畫(huà)面。本實(shí)施例的像素單元克服了在現(xiàn)有技術(shù)中形成輔助薄膜晶體管時(shí) 因在輔助薄膜晶體管上形成電容導(dǎo)致的畫(huà)面質(zhì)量降低的缺陷。并且本實(shí)施例的像素單元將 輔助薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，因此對(duì)像素的開(kāi)口率不影響的前提下使得對(duì)像素單元修 復(fù)變?yōu)榭赡?，從而提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。在本實(shí)施例的像素單元中，還可以將薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，從而可以進(jìn)一 步提高像素單元的開(kāi)口率。在本實(shí)施例的像素單元中，像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與薄膜晶體管的漏電極電連 接。本發(fā)明像素單元第二實(shí)施例圖3為本發(fā)明像素單元第二實(shí)施例的示意圖。如圖3所示，本實(shí)施例的像素單元 包括橫向排列的柵線21、豎向排列的數(shù)據(jù)線31、位于所述柵線21和所述數(shù)據(jù)線31交叉的 區(qū)域的薄膜晶體管和像素電極11。其中，柵線21位于像素電極11的下側(cè)，數(shù)據(jù)線31位于 像素電極11的右側(cè)，薄膜晶體管位于柵線21和數(shù)據(jù)線31交叉處。另外，在所述柵線21上 設(shè)有輔助薄膜晶體管，所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線21 ；所述輔助薄膜晶體管 的源電極33與所述數(shù)據(jù)線31隔離；所述輔助薄膜晶體管的漏電極32與所述像素電極11 隔離。并且，所述輔助薄膜晶體管的源電極33與所述數(shù)據(jù)線31之間設(shè)有用于電連接所述 輔助薄膜晶體管的源電極33和所述數(shù)據(jù)線31的第一連接橋12，所述第一連接橋12的一端 位于所述輔助薄膜晶體管的源電極33上方，并與所述輔助薄膜晶體管的源電極33隔離；所 述第一連接橋12的另一端位于所述數(shù)據(jù)線31上方，并與所述數(shù)據(jù)線31隔離。本實(shí)施例的像素單元通過(guò)設(shè)置一個(gè)以柵線為柵電極的輔助薄膜晶體管的方式，能 夠在薄膜晶體管出現(xiàn)破損并無(wú)法使用時(shí)先將相應(yīng)的部分露出然后通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在 薄膜晶體管的漏電極與像素電極之間沉積導(dǎo)電物質(zhì)以將輔助薄膜晶體管的漏電極與像素 電極電連接，同時(shí)通過(guò)激光熔接法將輔助薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線電連接，使得數(shù)據(jù) 線上的信號(hào)通過(guò)輔助薄膜晶體管傳送到像素電極并形成畫(huà)面。本實(shí)施例的像素單元克服了 在現(xiàn)有技術(shù)中形成輔助薄膜晶體管時(shí)因在輔助薄膜晶體管上形成電容導(dǎo)致的畫(huà)面質(zhì)量降 低的缺陷。并且本實(shí)施例的像素單元將輔助薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，因此對(duì)像素的開(kāi) 口率不影響的前提下使得對(duì)像素單元修復(fù)變?yōu)榭赡?，從而提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。
在本實(shí)施例的像素單元中，還可以將薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，從而可以進(jìn)一 步提高像素單元的開(kāi)口率。在本實(shí)施例的像素單元中，像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與薄膜晶體管的漏電極電連 接。 本發(fā)明像素單元第三實(shí)施例圖4為本發(fā)明像素單元第三實(shí)施例的示意圖。如圖4所示，本實(shí)施例的像素單元包括橫向排列的柵線21、豎向排列的數(shù)據(jù)線31、位于所述柵線21和所述數(shù)據(jù)線31交叉的 區(qū)域的薄膜晶體管和像素電極11。其中，柵線21位于像素電極11的下側(cè)，數(shù)據(jù)線31位于 像素電極11的右側(cè)，薄膜晶體管位于柵線21和數(shù)據(jù)線31交叉處。另外，在所述柵線21上 設(shè)有輔助薄膜晶體管，所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線21 ；所述輔助薄膜晶體管 的源電極33與所述數(shù)據(jù)線31隔離；所述輔助薄膜晶體管的漏電極32與所述像素電極11 隔離。并且，所述輔助薄膜晶體管的漏電極32與所述像素電極11之間設(shè)有用于電連接所 述輔助薄膜晶體管的漏電極32和所述像素電極11的第二連接橋13，所述第二連接橋13的 一端位于所述輔助薄膜晶體管的漏電極32上方，并與所述輔助薄膜晶體管的漏電極32隔 離；所述第二連接橋13的另一端位于所述像素電極11上方，并與所述像素電極11隔離。本實(shí)施例的像素單元通過(guò)設(shè)置一個(gè)以柵線為柵電極的輔助薄膜晶體管的方式，能 夠在薄膜晶體管出現(xiàn)破損并無(wú)法使用時(shí)先將相應(yīng)的部分露出然后通過(guò)化學(xué)氣相沉積法將 輔助薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線電連接，同時(shí)通過(guò)激光熔接法將輔助薄膜晶體管的漏電 極與像素電極電連接，使得數(shù)據(jù)線上的信號(hào)通過(guò)輔助薄膜晶體管傳送到像素電極并形成畫(huà) 面。本實(shí)施例的像素單元克服了在現(xiàn)有技術(shù)中形成輔助薄膜晶體管時(shí)因在輔助薄膜晶體管 上形成電容導(dǎo)致的畫(huà)面質(zhì)量降低的缺陷。并且本實(shí)施例的像素單元將輔助薄膜晶體管設(shè)置 在柵線上方，因此對(duì)像素的開(kāi)口率不影響的前提下使得對(duì)像素單元修復(fù)變?yōu)榭赡?，從而?高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。在本實(shí)施例的像素單元中，還可以將薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，從而可以進(jìn)一 步提高像素單元的開(kāi)口率。在本實(shí)施例的像素單元中，像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與薄膜晶體管的漏電極電連 接。本發(fā)明像素單元第四實(shí)施例圖5為本發(fā)明像素單元第四實(shí)施例的示意圖。如圖5所示，本實(shí)施例的像素單元 包括橫向排列的柵線21、豎向排列的數(shù)據(jù)線31、位于所述柵線21和所述數(shù)據(jù)線31交叉的 區(qū)域的薄膜晶體管和像素電極11。其中，柵線21位于像素電極11的下側(cè)，數(shù)據(jù)線31位于 像素電極11的右側(cè)，薄膜晶體管位于柵線21和數(shù)據(jù)線31交叉處。另外，在所述柵線21上 設(shè)有輔助薄膜晶體管，所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線21 ；所述輔助薄膜晶體管 的源電極33與所述數(shù)據(jù)線31隔離；所述輔助薄膜晶體管的漏電極32與所述像素電極11 隔離。并且，所述輔助薄膜晶體管的源電極33與所述數(shù)據(jù)線31之間設(shè)有用于電連接所述 輔助薄膜晶體管的源電極33和所述數(shù)據(jù)線31的第一連接橋12，所述第一連接橋12的一端 位于所述輔助薄膜晶體管的源電極33上方，并與所述輔助薄膜晶體管的源電極33隔離，所 述第一連接橋12的另一端位于所述數(shù)據(jù)線31上方，并與所述數(shù)據(jù)線31隔離；所述輔助薄 膜晶體管的漏電極32與所述像素電極11之間設(shè)有用于電連接所述輔助薄膜晶體管的漏電極32和所述像素電極11的第二連接橋13，所述第二連接橋13的一端位于所述輔助薄膜晶 體管的漏電極32上方，并與所述輔助薄膜晶體管的漏電極32隔離，所述第二連接橋13的 另一端位于所述像素電極11上方，并與所述像素電極11隔離。 本實(shí)施例的像素單元通過(guò)設(shè)置一個(gè)以柵線為柵電極的輔助薄膜晶體管的方式，能 夠在薄膜晶體管出現(xiàn)破損并無(wú)法使用時(shí)通過(guò)激光熔接法將輔助薄膜晶體管的源電極與數(shù) 據(jù)線電連接，同時(shí)將輔助薄膜晶體管的漏電極與像素電極電連接，使得數(shù)據(jù)線上的信號(hào)通 過(guò)輔助薄膜晶體管傳送到像素電極并形成畫(huà)面。本實(shí)施例的像素單元克服了在現(xiàn)有技術(shù)中 形成輔助薄膜晶體管時(shí)因在輔助薄膜晶體管上形成電容導(dǎo)致的畫(huà)面質(zhì)量降低的缺陷。并且 本實(shí)施例的像素單元將輔助薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，因此對(duì)像素的開(kāi)口率不影響的前 提下使得對(duì)像素單元修復(fù)變?yōu)榭赡?，從而提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。在本實(shí)施例的像素單元中，還可以將薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，從而可以進(jìn)一 步提高像素單元的開(kāi)口率。在本實(shí)施例的像素單元中，像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與薄膜晶體管的漏電極電連 接。 本發(fā)明陣列基板第一實(shí)施例圖6為本發(fā)明陣列基板第一實(shí)施例中一個(gè)像素單元的示意圖。圖6所述，本實(shí)施例 的陣列基板，包括多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括橫向排列的柵線21、豎向排列 的數(shù)據(jù)線31、位于所述柵線21和所述數(shù)據(jù)線31交叉的區(qū)域的薄膜晶體管和像素電極11， 在所述柵線21上設(shè)有輔助薄膜晶體管，所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線21 ；所述 輔助薄膜晶體管的源電極33與所述數(shù)據(jù)線31隔離；所述輔助薄膜晶體管的漏電極32與所 述像素電極11隔離。本實(shí)施例的陣列基板通過(guò)設(shè)置一個(gè)以柵線為柵電極的輔助薄膜晶體管的方式，能 夠在薄膜晶體管出現(xiàn)破損并無(wú)法使用時(shí)先將相應(yīng)的部分露出然后通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在 輔助薄膜晶體管的漏電極與像素電極之間沉積導(dǎo)電物質(zhì)以將輔助薄膜晶體管的漏電極與 像素電極電連接，同時(shí)采用相同的方法將輔助薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線電連接，使得 數(shù)據(jù)線上的信號(hào)通過(guò)輔助薄膜晶體管傳送到像素電極并形成畫(huà)面。本實(shí)施例的陣列基板 克服了在現(xiàn)有技術(shù)中形成輔助薄膜晶體管時(shí)因在輔助薄膜晶體管上形成電容導(dǎo)致的畫(huà)面 質(zhì)量降低的缺陷。并且本實(shí)施例的陣列基板將輔助薄膜晶體管設(shè)置在柵線上方，因此對(duì)像 素的開(kāi)口率不影響的前提下使得對(duì)像素單元修復(fù)變?yōu)榭赡?，從而提高了液晶顯示裝置的質(zhì) 量。在本實(shí)施例的陣列基板中，所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)有 用于電連接所述輔助薄膜晶體管的源電極和所述數(shù)據(jù)線的第一連接橋，所述第一連接橋的 一端位于所述輔助薄膜晶體管的源電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的源電極隔離；所 述第一連接橋的另一端位于所述數(shù)據(jù)線上方，并與所述數(shù)據(jù)線隔離。在本實(shí)施例的陣列基板中，所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極之間設(shè) 有用于電連接所述輔助薄膜晶體管的漏電極和所述像素電極的第二連接橋，所述第二連接 橋的一端位于所述輔助薄膜晶體管的漏電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的漏電極隔 離；所述第二連接橋的另一端位于所述像素電極上方，并與所述像素電極隔離。在本實(shí)施例的陣列基板中，所述薄膜晶體管位于所述柵線上，所述薄膜晶體管的柵電極為所述柵線。在本實(shí)施例的陣列基板中，所述像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與所述薄膜晶體管的漏 極電連接。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡 管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然 可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征 進(jìn)行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
一種像素單元，包括橫向排列的柵線、豎向排列的數(shù)據(jù)線、位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域的薄膜晶體管和像素電極，在所述柵線上設(shè)有輔助薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線；所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線隔離；所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)有第一連接橋，所述第一連接橋的 一端位于所述輔助薄膜晶體管的源電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的源電極隔離； 所述第一連接橋的另一端位于所述數(shù)據(jù)線上方，并與所述數(shù)據(jù)線隔離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極之間設(shè)有第二連接橋，所述第二連接橋 的一端位于所述輔助薄膜晶體管的漏電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的漏電極隔離； 所述第二連接橋的另一端位于所述像素電極上方，并與所述像素電極隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述薄膜晶體管位于所述柵線上，所 述薄膜晶體管的柵電極為所述柵線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與所 述薄膜晶體管的漏極電連接。
6.一種陣列基板，其特征在于，包括多個(gè)像素單元，每個(gè)所述像素單元包括橫向排 列的柵線、豎向排列的數(shù)據(jù)線、位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域的薄膜晶體管和像 素電極，在所述柵線上設(shè)有輔助薄膜晶體管，其特征在于， 所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線； 所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線隔離； 所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極隔離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)有用于電連接所述輔助薄膜晶體 管的源電極和所述數(shù)據(jù)線的第一連接橋，所述第一連接橋的一端位于所述輔助薄膜晶體管 的源電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的源電極隔離；所述第一連接橋的另一端位于所述數(shù)據(jù)線上方，并與所述數(shù)據(jù)線隔離。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極之間設(shè)有第二連接橋，所述第二連接橋 的一端位于所述輔助薄膜晶體管的漏電極上方，并與所述輔助薄膜晶體管的漏電極隔離； 所述第二連接橋的另一端位于所述像素電極上方，并與所述像素電極隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管位于所述柵線上，所 述薄膜晶體管的柵電極為所述柵線。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極通過(guò)鈍化層過(guò)孔與所 述薄膜晶體管的漏極電連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種像素單元及陣列基板，該像素單元包括橫向排列的柵線、豎向排列的數(shù)據(jù)線、位于所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉的區(qū)域的薄膜晶體管和像素電極，在所述柵線上設(shè)有輔助薄膜晶體管，所述輔助薄膜晶體管的柵電極為所述柵線；所述輔助薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線隔離；所述輔助薄膜晶體管的漏電極與所述像素電極隔離。本實(shí)施例發(fā)明的像素單元通過(guò)設(shè)置一個(gè)以柵線為柵電極的輔助薄膜晶體管的方式，能夠在薄膜晶體管出現(xiàn)破損并無(wú)法使用時(shí)通過(guò)修復(fù)，使得數(shù)據(jù)線上的信號(hào)通過(guò)輔助TFT傳送到像素電極并形成畫(huà)面。本實(shí)施例發(fā)明的像素單元克服了在現(xiàn)有技術(shù)中形成輔助TFT時(shí)因在輔助TFT上形成電容導(dǎo)致的畫(huà)面質(zhì)量降低的缺陷。
文檔編號(hào)H01L23/522GK101847642SQ20091008101
公開(kāi)日2010年9月29日 申請(qǐng)日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者林允植 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司