專利名稱：陣列基板及其制造方法和寬視角液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和寬視角液晶顯不器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器的市場迅速成長，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴展，特別是大尺寸液晶電視的應(yīng)用， 要求液晶顯示器具有寬闊的視角范圍。液晶顯示器的主要部件液晶面板包括對盒設(shè)置的陣 列基板和彩膜基板，其間設(shè)置液晶層。液晶分子在電壓作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，通過控制電壓大小 即可控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)程度，從而實現(xiàn)調(diào)整透過率，即調(diào)整顯示灰度的目的。由于液晶分子的光學(xué)各向異性，液晶顯示器存在屏幕視角過窄的缺陷，為此現(xiàn) 有技術(shù)提出了多種顯示模式以克服視角過窄缺陷。常見的幾種顯示模式包括90°扭曲 向列型液晶加補償膜(Twisted Nematic+film;以下簡稱TN+film)模式、多疇垂直排 列(Multi-domain Vertical Alignment ；以下簡稱MVA)模式、像素電極圖形化垂直排 列(Patterned Vertical Alignment ；以下簡稱PVA)模式、平面驅(qū)動模式(In-Plane Switching ；以下簡稱IPS)模式以及利用邊緣場的平面驅(qū)動(Fringe Field Switching ； 以下簡稱FFS)模式等。雖然上述顯示模式先后被提出并逐漸實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但實際使用表明，上述顯示模 式仍存在相應(yīng)缺陷。TN+film模式對視角的改善十分有限，視角改善限制在水平140°、垂 直100°的范圍內(nèi)，一般只應(yīng)用于筆記本電腦和臺式機監(jiān)視器，不適于大尺寸液晶電視的 應(yīng)用；MVA模式需要在彩膜基板的彩色濾光片一側(cè)制造復(fù)雜的凸起結(jié)構(gòu)，增加了制造成本； PVA模式需要將像素電極制作成復(fù)雜的狹縫結(jié)構(gòu)，影響了光利用效率；而IPS模式要求工藝 控制精度高，制造工藝難度大。FFS模式也因其結(jié)構(gòu)特點存在著一定的缺陷。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種FFS模式液晶顯示器陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖 2為圖1中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1和圖2所示，F(xiàn)FS模式的陣列基板包括襯底 基板1、柵電極4、柵線2、公共電極線20、公共電極5、柵絕緣層6、半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層 8、源電極9、漏電極10、數(shù)據(jù)線3、鈍化層11和像素電極13，像素電極13通過鈍化層11上 的鈍化層過孔12與漏電極10連接。其中，柵電極4、半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、源電極9 和漏電極10可以統(tǒng)稱為薄膜晶體管(Thin Film Transistor ；以下簡稱TFT)開關(guān)，由柵絕 緣層6隔離絕緣，源電極9和漏電極10之間形成TFT溝道。FFS模式陣列基板的特點在于 每塊像素電極13的圖案上均具有多條縫隙，公共電極5的圖案對應(yīng)形成在像素電極13的 下方，且通常占據(jù)像素區(qū)域中間的整塊區(qū)域，具有較大面積，各塊公共電極5通過公共電極 線20相連。在FFS模式液晶顯示器工作時，可以在像素電極與公共電極之間形成水平電場。 因為像素電極與公共電極之間較大的重疊區(qū)域，所以其間形成的存儲電容過大，這種固有 的電場形成方式，導(dǎo)致該液晶顯示器易于出現(xiàn)殘像現(xiàn)象?，F(xiàn)有技術(shù)往往采用提高鈍化層厚 度的手段來減小存儲電容以減少不利影響。但鈍化層厚度的增加要求增加等離子增強化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition ；以下簡稱PECVD)設(shè)備和干法 刻蝕設(shè)備的數(shù)量，以保證生產(chǎn)線的工藝匹配，因此導(dǎo)致設(shè)備投資大幅增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法和寬視角液晶顯示器，以改善寬 視角液晶顯示器的顯示特性。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括襯底基板；所述襯底基板上形 成橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，所述數(shù)據(jù)線和柵線限定出矩陣形式排列的多個像素區(qū)域；每 個像素區(qū)域中包括公共電極線、公共電極、薄膜晶體管開關(guān)、鈍化層和像素電極，且各所述 像素區(qū)域中覆蓋有公共電極，且各塊公共電極通過所述公共電極線連通，所述像素電極的 圖案上具有多條縫隙，所述像素電極通過鈍化層上的鈍化層過孔與薄膜晶體管開關(guān)連接， 其中，還包括有機透明絕緣層，形成在所述鈍化層與所述像素電極之間。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的 圖案；在上述襯底基板上沉積鈍化層；在所述鈍化層上形成有機透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在所述有機透明絕緣層上 形成有機層過孔，在所述鈍化層上形成鈍化層過孔；在所述有機透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極 的圖案，所述像素電極的圖案上具有多條縫隙，且所述像素電極通過所述有機層過孔和所 述鈍化層上的鈍化層過孔與所述薄膜晶體管開關(guān)連接。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種包括本發(fā)明陣列基板的寬視角液晶顯示 器，其中還包括彩膜基板，所述彩膜基板與所述陣列基板對盒設(shè)置，其間填充有液晶層形 成液晶面板；所述液晶面板嵌設(shè)固定在框架之中。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明采用在像素電極和鈍化層之間增添有機透明絕緣層 的技術(shù)手段，增加了像素電極和公共電極之間的膜層厚度，能有效減小存儲電容，可以減少 圖像殘留現(xiàn)象的發(fā)生。由于無須增加制備較厚鈍化層所需的PECVD設(shè)備和干法腐蝕設(shè)備， 所以設(shè)備投資小，可以保持產(chǎn)品成本不變甚至降低成本。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種FFS模式液晶顯示器陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1中的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明第一實施例所提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明第二實施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖；圖5為本發(fā)明第三實施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖；圖6為本發(fā)明第三實施例所提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖一；圖7為圖6中的B-B向剖視結(jié)構(gòu)示 意圖一；圖8為本發(fā)明第三實施例所提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
圖9為圖8中的C-C向剖視結(jié)構(gòu)示意圖二 ；圖10為本發(fā)明第三實施例所提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖三；圖11為圖10中的D-D向剖視結(jié)構(gòu)示意圖三；圖12為本發(fā)明第三實施例所提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖四；圖13為本發(fā)明第三實施例所提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖五；圖14為本發(fā)明第四實施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖；圖15為本發(fā)明第五實施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖。
具體實施例方式下面通過具體實施例并結(jié)合附圖對本發(fā)明做進一步的詳細描述。第一實施例圖3為本發(fā)明第一實施例所提供的陣列基板的剖視結(jié)構(gòu)示意圖，其局部俯視結(jié)構(gòu) 示意圖可參見圖1所示(本文俯視圖中未示出柵絕緣層、鈍化層和有機透明絕緣層)。該陣 列基板具體為FFS模式液晶顯示器中的陣列基板，如圖3所示，其具體結(jié)構(gòu)包括一襯底基 板1，通常采用玻璃制成；該襯底基板1上形成橫縱交叉的多條數(shù)據(jù)線3和柵線2，數(shù)據(jù)線3 和柵線2限定出矩陣形式排列的多個像素區(qū)域；每個像素區(qū)域中包括公共電極線20、公共 電極5、TFT開關(guān)、鈍化層11和像素電極13，且每個像素區(qū)域中均覆蓋有整塊的公共電極5， 與像素電極13對應(yīng)，各塊公共電極5通過公共電極線20相連通。公共電極線20可以采用 金屬材料制成，與柵線2平行，可以從公共電極5的邊緣穿過以連通各塊公共電極5。像素 電極13的圖案上具有多條縫隙，像素電極13通過鈍化層11上的鈍化層過孔12與TFT開 關(guān)連接；還包括一有機透明絕緣層14，形成在鈍化層11與像素電極13之間。具體的，TFT開關(guān)可以包括柵電極4、半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、源電極9和漏電 極10，像素電極13通過鈍化層過孔12連接到漏電極10上。有機透明絕緣層14上可以形成有有機層過孔15，有機層過孔15與鈍化層過孔12 完全重疊，也可以是部分重疊，使像素電極13可以穿過有機層過孔15和鈍化層過孔12連 接到漏電極10上?；蛘撸袡C透明絕緣層的圖案也可以對應(yīng)像素電極的圖案形成，且露出鈍化層過 孔的位置。在本實施例中，在像素電極和鈍化層之間增添了有機透明絕緣層，相當于增加了 像素電極和公共電極之間的膜層厚度，即增大了距離。根據(jù)電容的形成原理，兩者之間的距 離增大，則相應(yīng)形成的電容減小，因此可以有效降低像素電極和公共電極間存儲電容的值， 因此可以降低對TFT開態(tài)電流的要求，進而可以設(shè)計較小的TFT，從而提高開口率。上述技 術(shù)方案還可以減少圖像殘留現(xiàn)象的發(fā)生。FFS模式液晶顯示器在具有周圍多個方向的寬視 角特性的同時，還可以克服殘像和高存儲電容的問題，改善了顯示特性。較佳的是形成0.5-2微米(ym)厚度的有機透明絕緣層，則鈍化層的厚度可以相 應(yīng)減小，較佳的是形成0.05-0. 2微米厚度的鈍化層。增加了有機透明絕緣層，可以不必制 備較厚的鈍化層，也就可以減少價格昂貴的PECVD設(shè)備和干法腐蝕設(shè)備的使用，從而達到 減少設(shè)備投資，保持成本不變甚至降低的目的。在本實施例中，有機透明絕緣層較佳的是采用有機感光材料制成，則有機透明絕緣層可以代替用于刻蝕鈍化層過孔的光刻膠來使用，在刻蝕鈍化層過孔之后，光刻膠本應(yīng) 灰化去除，但是制造本發(fā)明陣列基板時可以保留有機感光材料作為有機透明絕緣層，一方 面達到減小存儲電容的效果，另一方面也簡化了灰化去除的工序，提高了生產(chǎn)效率，能夠進 一步降低成本。本發(fā)明還提供了一種陣列基板的制造方法，可以用于制造FFS模式液晶顯示器中 的陣列基板，也適用于制造本發(fā)明的陣列基板，該方法包括如下步驟在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的 圖案；在上述襯底基板上沉積鈍化層；在鈍化層上形成有機透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在有機透明絕緣層上形成有機 層過孔，在鈍化層上形成鈍化層過孔；在有機透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極的圖 案，像素電極的圖案上具有多條縫隙，且像素電極通過有機層過孔和鈍化層上的鈍化層過 孔與薄膜晶體管開關(guān)連接。上述構(gòu)圖工藝通常包括涂覆光刻膠、曝光顯影、刻蝕、灰化去除光刻膠的操作。上 述具體流程按照構(gòu)圖工藝的順序和數(shù)量可以有多種實現(xiàn)方式，下面通過具體實施例詳細介 紹。第二實施例圖4為本發(fā)明第二實施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖，該方法具體包括 如下步驟步驟100、在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體 管開關(guān)的圖案；步驟200、在上述襯底基板上可以采用PECVD法沉積鈍化層；步驟300、在鈍化層上形成有機透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在有機透明絕緣層上 刻蝕形成有機層過孔，同時在鈍化層上刻蝕形成鈍化層過孔，該有機層過孔與鈍化層過孔
完全重疊；步驟400、在有機透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素 電極的圖案，像素電極的圖案上具有多條縫隙，且像素電極通過有機層過孔和鈍化層上的 鈍化層過孔與薄膜晶體管開關(guān)連接。采用本實施例的技術(shù)方案，在鈍化層上增加有機透明絕緣層，可以增加像素電極 與公共電極之間的膜層厚度，減小存儲電容，減少殘像現(xiàn)象發(fā)生，增加了有機透明絕緣層可 以不必制備較厚的鈍化層，因此可以減少PECVD和干法腐蝕等設(shè)備投資。第三實施例圖5為本發(fā)明第三實施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖，該方法具體包括 如下步驟步驟100、在襯底基板1上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極5、公共電極線20和薄 膜晶體管開關(guān)的圖案；步驟100的一種具體實現(xiàn)方式為步驟101a、在襯底基板1上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電極5的圖案，如圖6和圖7所示；步驟102a、在上述襯底基板1上沉積柵金屬層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電 極線20、柵線2和柵電極4的圖案，如圖8和圖9所示；步驟103a、在上述襯底基板1上沉積柵絕緣層6 ；步驟104a、在柵絕緣層6上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采 用構(gòu)圖工藝刻蝕形成半導(dǎo)體層7、摻雜半導(dǎo)體層8、數(shù)據(jù)線3、源電極9和漏電極10的圖案， 如圖10和圖11所示，具體可以采用半曝光方法來形成TFT溝道；步驟200、在上述襯底基板1上沉積鈍化層11 ；步驟300、在鈍化層11上形成有機透明絕緣層14，并采用構(gòu)圖工藝在有機透明絕 緣層14上刻蝕形成有機層過孔15 ；上述步驟300的一種具體實現(xiàn)形式為步驟301、在鈍化層11上涂覆有機感光材料作為有機透明絕緣層14 ；步驟302、采用掩模板對有機透明絕緣層14進行曝光顯影操作，形成完全去除區(qū) 域16和完全保留區(qū)域17，完全去除區(qū)域16對應(yīng)待形成的鈍化層過孔的位置，如圖12所示；步驟303、對鈍化層11進行刻蝕操作，刻蝕形成鈍化層過孔12，有機透明絕緣層14 上的完全去除區(qū)域16作為有機層過孔15 ；步驟400、在有機透明絕緣層14上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成 像素電極13的圖案，像素電極13的圖案上具有多條縫隙，且像素電極13通過有機層過孔 15和鈍化層11上的鈍化層過孔12與薄膜晶體管開關(guān)連接，具體與漏電極10相連，如圖13 所示。在本實施例中，采用有機感光材料的有機透明絕緣層作為光刻膠，一方面完成了 光刻膠本身的作用，即刻蝕鈍化層過孔，另一方面增加了有機透明絕緣層，加大了像素電極 和公共電極之間的膜層厚度，能夠減小存儲電容，減少殘像現(xiàn)象。同時，在工藝方面，減少了 將作為光刻膠的有機透明絕緣層灰化去除的步驟，因此可以簡化工藝，降低成本。在上述實施例的基礎(chǔ)上，鈍化層的厚度較佳的是為0. 05 0. 2微米，有機透明絕 緣層的厚度較佳的是0. 5 2微米，為使有機透明絕緣層的厚度達到優(yōu)選值，也可以在有機 透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層之前執(zhí)行下述操作干法灰化去除設(shè)定厚度的有機透明絕 緣層，進一步減薄有機透明絕緣層的厚度達到優(yōu)選范圍內(nèi)，獲得合適的存儲電容值。第四實施例圖14為本發(fā)明第四實施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖，該方法與上述 實施例的區(qū)別在于，步驟100具體包括如下步驟步驟101b、在襯底基板上沉積柵金屬層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電極線、柵 線和柵電極的圖案；步驟102b、在上述襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共 電極的圖案；步驟103b、在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；步驟104b、在柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用 構(gòu)圖工藝刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。本實施例具體采用了先制備公共電極線、柵線和柵電極的圖案，再制備公共電極
8圖案的工藝，后續(xù)仍形成有機透明絕緣層來降低存儲電容，簡化工藝流程。第五實施例圖15為本發(fā)明第五實施例所提供的陣列基板的制造方法流程圖，該方法與上述 實施例的區(qū)別在于，步驟100具體包括如下步驟步驟101c、在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，再沉積柵金屬層；步驟102c、在柵金屬層上涂覆光刻膠；步驟103c、采用灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板對光刻膠進行曝光顯影，形成完全 去除區(qū)域、半保留區(qū)域和完全保留區(qū)域，半保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電極的圖案，完全保留區(qū)域?qū)?應(yīng)公共電極線、柵電極和柵線的圖案，完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，半保留區(qū)域的光 刻膠保留部分厚度，完全保留區(qū)域的光刻膠完全保留；步驟104c、進行第一次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域的柵金屬層和透明導(dǎo)電膜層，形 成公共電極線、柵電極和柵線的圖案；步驟105c、灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠，完全保留區(qū)域的光刻膠去除掉部分厚 度；步驟106c、進行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域的柵金屬層，形成公共電極的圖 案；步驟107c、去除剩余的光刻膠；步驟108c、在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；步驟109c、在柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用 構(gòu)圖工藝刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。本實施例具體采用了半曝光法進行一次曝光顯影兩次刻蝕來形成柵線、柵電極、 公共電極線和公共電極的圖案，進一步簡化了工序，后續(xù)仍形成有機透明絕緣層來降低存 儲電容，改善顯示特性。本發(fā)明陣列基板的制造方法可以用于制造本發(fā)明的陣列基板，進一步可以采用有 機感光材料代替刻蝕鈍化層過孔的光刻膠，既增加了像素電極和公共電極之間的膜層厚 度，又省略了一次灰化去除光刻膠的工序，減少了設(shè)備和工序成本，提高了生產(chǎn)效率，并且 能夠減小存儲電容，減少殘像現(xiàn)象發(fā)生，改善FFS模式液晶顯示器的顯示特性。本發(fā)明實施例還提供了一種包括本發(fā)明任一實施例陣列基板的寬視角液晶顯示 器，還包括彩膜基板，彩膜基板與陣列基板對盒設(shè)置，其間填充有液晶層形成液晶面板；液 晶面板嵌設(shè)固定在框架之中。在框架之中還可以設(shè)置其他液晶顯示器所需配件，例如背光 模組、控制電路等。本發(fā)明的寬視角液晶顯示器具有周圍多個方向的寬視角，且存儲電容小，克服了 殘像問題，適用于幀反轉(zhuǎn)、行反轉(zhuǎn)、列反轉(zhuǎn)、點反轉(zhuǎn)等各種驅(qū)動模式的液晶顯示器，具有廣泛 的應(yīng)用前景。由于該顯示器的工序簡化、設(shè)備投資小，所以生產(chǎn)效率提高，成本降低。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡 管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解其依然 可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進行等同替 換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精 神和范圍。
權(quán)利要求
一種陣列基板，包括襯底基板；所述襯底基板上形成橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線，所述數(shù)據(jù)線和柵線限定出矩陣形式排列的多個像素區(qū)域；每個像素區(qū)域中包括公共電極線、公共電極、薄膜晶體管開關(guān)、鈍化層和像素電極，且各所述像素區(qū)域中覆蓋有公共電極，且各塊公共電極通過所述公共電極線連通，所述像素電極的圖案上具有多條縫隙，所述像素電極通過鈍化層上的鈍化層過孔與薄膜晶體管開關(guān)連接，其特征在于，還包括有機透明絕緣層，形成在所述鈍化層與所述像素電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述有機透明絕緣層采用有機感光 材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于所述有機透明絕緣層上形成有 有機層過孔，所述有機層過孔與所述鈍化層過孔完全重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于所述有機透明絕緣層的厚度為 0. 5-2微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于所述鈍化層的厚度為0.05-0. 2微米。
6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案；在上述襯底基板上沉積鈍化層；在所述鈍化層上形成有機透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在所述有機透明絕緣層上形成 有機層過孔，在所述鈍化層上形成鈍化層過孔；在所述有機透明絕緣層上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成像素電極的圖 案，所述像素電極的圖案上具有多條縫隙，且所述像素電極通過所述有機層過孔和所述鈍 化層上的鈍化層過孔與所述薄膜晶體管開關(guān)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述鈍化層上形成有 機透明絕緣層，并采用構(gòu)圖工藝在所述有機透明絕緣層上形成有機層過孔，在所述鈍化層 上形成鈍化層過孔包括在所述鈍化層上涂覆有機感光材料作為有機透明絕緣層；采用掩模板對所述有機透明絕緣層進行曝光顯影操作，形成完全去除區(qū)域和完全保留 區(qū)域，完全去除區(qū)域?qū)?yīng)鈍化層過孔的位置；對所述鈍化層進行刻蝕操作，刻蝕形成所述鈍化層過孔，有機透明絕緣層上的完全去 除區(qū)域作為有機層過孔。
8 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述有機透明絕緣層 上沉積透明導(dǎo)電膜層之前，還包括干法灰化去除設(shè)定厚度的有機透明絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上采用構(gòu) 圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案包括在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成所述公共電極的圖案； 在上述襯底基板上沉積柵金屬層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電極線、柵線和柵電 極的圖案；在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用構(gòu)圖工藝 刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上采用 構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案包括在襯底基板上沉積柵金屬層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成公共電極線、柵線和柵電極的 圖案；在上述襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，并采用構(gòu)圖工藝刻蝕形成所述公共電極的圖案；在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用構(gòu)圖工藝 刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上采用 構(gòu)圖工藝分別形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案包括在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電膜層，再沉積柵金屬層； 在所述柵金屬層上涂覆光刻膠；采用灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板對所述光刻膠進行曝光顯影，形成完全去除區(qū)域、 半保留區(qū)域和完全保留區(qū)域，半保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電極的圖案，完全保留區(qū)域?qū)?yīng)公共電 極線、柵電極和柵線的圖案；進行第一次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域的柵金屬層和透明導(dǎo)電膜層，形成公共電極線、 柵電極和柵線的圖案；灰化去除半保留區(qū)域的光刻膠；進行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域的柵金屬層，形成所述公共電極的圖案；去除剩余的光刻膠；在上述襯底基板上沉積柵絕緣層；在所述柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體膜層、摻雜半導(dǎo)體膜層和源漏金屬層，并采用構(gòu)圖工藝 刻蝕形成半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。
12.一種包括權(quán)利要求1 5任一所述的陣列基板的寬視角液晶顯示器，其特征在于 還包括彩膜基板，所述彩膜基板與所述陣列基板對盒設(shè)置，其間填充有液晶層形成液晶面 板；所述液晶面板嵌設(shè)固定在框架之中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法和寬視角液晶顯示器。該陣列基板包括襯底基板和多個像素區(qū)域，還包括有機透明絕緣層，形成在鈍化層與像素電極之間。該制造方法包括在襯底基板上形成公共電極、公共電極線和薄膜晶體管開關(guān)的圖案；沉積鈍化層；在鈍化層上形成有機透明絕緣層，并形成有機層過孔和鈍化層過孔；在有機透明絕緣層上形成像素電極的圖案，像素電極的圖案上具有多條縫隙，且像素電極通過有機層過孔和鈍化層過孔與薄膜晶體管開關(guān)連接。本發(fā)明的液晶顯示器包括本發(fā)明的陣列基板。本發(fā)明采用在像素電極和鈍化層之間增添有機透明絕緣層的技術(shù)手段，增加了像素電極和公共電極之間的膜層厚度，能有效減小存儲電容，減少殘像。
文檔編號H01L27/12GK101847641SQ20091008100
公開日2010年9月29日 申請日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者張麗蕾, 邵喜斌, 金哲雄, 齊悅 申請人:京東方科技集團股份有限公司