專(zhuān)利名稱(chēng)：晶圓級(jí)芯片尺寸封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種晶圓級(jí)芯片尺寸封裝 方法。
背景技術(shù)：
晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)集芯片尺寸封裝(CSP)和晶圓級(jí)封裝(WLP)于一 體，在晶圓封裝前道工序完成后，直接對(duì)晶圓進(jìn)行封裝、測(cè)試，然后切割分離成單個(gè)器件。該 技術(shù)不僅提高了封裝密度、封裝效率，降低了封裝成本，同時(shí)還提高了電路性能和品質(zhì)，大 大地降低了 I/O間的電感、電容和其他不希望的特性。隨著業(yè)界對(duì)封裝的尺寸、密度、成本 等要求的不斷提高，晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)必然會(huì)在芯片集成電路(IC)和晶圓級(jí)微機(jī) 電系統(tǒng)(MEMS)封裝方面得到越來(lái)越多的重視。傳統(tǒng)的WLCSP工藝流程中微孔的制作是通過(guò)光刻法和蝕刻法來(lái)實(shí)現(xiàn)的，然而這種 方法工藝繁雜需要花費(fèi)很多時(shí)間，而且還會(huì)排出光刻和蝕刻時(shí)產(chǎn)生的大量污染物。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷，本發(fā)明提供了一種晶圓級(jí)芯片尺寸封裝方法，可提高生產(chǎn)效 率、降低生產(chǎn)成本和改善生產(chǎn)環(huán)境。本發(fā)明為了解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種晶圓級(jí)芯片尺寸封裝方法，按如下步驟進(jìn)行a.在晶圓的正面固定覆蓋一層玻璃，通過(guò)研磨機(jī)將晶圓從背面研磨減薄至設(shè)定尺 寸厚度，再對(duì)晶圓背面進(jìn)行等離子蝕刻直至晶圓背面的表面光潔，使晶圓背面因研磨而粗 糙的表面回復(fù)光潔平整的同時(shí)，消除了晶圓因研磨而積聚的應(yīng)力；b.將晶圓背面用丙酮沖洗干凈，再用氣槍清除晶圓背面的殘余丙酮；c.通過(guò)激光打孔機(jī)在晶圓背面按設(shè)計(jì)要求進(jìn)行激光打孔，在晶圓背面按設(shè)計(jì)要求 形成若干微孔，該微孔將晶圓正面部分的可導(dǎo)通處外露于晶圓背面形成若干導(dǎo)通點(diǎn)；d.對(duì)晶圓背面按設(shè)計(jì)要求進(jìn)行電鍍形成與導(dǎo)通點(diǎn)數(shù)量對(duì)應(yīng)的金屬線，該金屬線連 通導(dǎo)通點(diǎn)和晶圓背面需植焊球的地方；e.按設(shè)計(jì)要求在晶圓背面需植焊球的地方植焊球，從而將晶圓內(nèi)各器件的對(duì)外連 接點(diǎn)從各導(dǎo)通點(diǎn)轉(zhuǎn)移至各焊球上；f.將晶圓沿切割線切割成單顆封裝好的器件。所述激光打孔采用的是紫外激光打孔技術(shù)，其激光波長(zhǎng)為1064nm，離子分凝系數(shù) (Nd濃度)為0. 6 1. Iat. % (即采用紫外NdiYAG激光打孔技術(shù))。所述微孔為孔徑小于等于50 μ m的孔。本發(fā)明的有益效果是晶圓研磨減薄后進(jìn)行等離子蝕刻直至晶圓背面的表面光潔，使晶圓背面因研磨而粗糙的表面回復(fù)光潔平整的同時(shí)，消除了晶圓因研磨而積聚的應(yīng) 力；利用紫外Nd:YAG激光打孔技術(shù)進(jìn)行微孔的制作，由于紫外Nd:YAG激光具有能量集中、高能量和波長(zhǎng)短的特點(diǎn)，被材料吸收后能很快地將材料的有機(jī)分子鍵和金屬鍵破壞掉而形 成懸浮顆粒、原子團(tuán)、分子團(tuán)、原子或分子而逸散分離出材料，形成精確的孔，此過(guò)程不存在 熱燒殘?jiān)?，加工出的孔質(zhì)量較優(yōu)且孔內(nèi)清潔，有效的提高了生產(chǎn)效率、降低了生產(chǎn)成本和改 善了生產(chǎn)環(huán)境。


圖1為本發(fā)明步驟a后的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明步驟d后的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明步驟e后的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一種晶圓級(jí)芯片尺寸封裝方法，按如下步驟進(jìn)行a.在晶圓的正面固定覆蓋一層玻璃6，通過(guò)研磨機(jī)將晶圓從背面研磨減薄至設(shè)定 尺寸厚度，再對(duì)晶圓背面進(jìn)行等離子蝕刻直至晶圓背面的表面光潔，使晶圓背面因研磨而 粗糙的表面回復(fù)光潔平整的同時(shí)，消除了晶圓因研磨而積聚的應(yīng)力；b.將晶圓背面用丙酮沖洗干凈，再用氣槍清除晶圓背面的殘余丙酮；c.通過(guò)激光打孔機(jī)在晶圓背面按設(shè)計(jì)要求進(jìn)行激光打孔，在晶圓背面按設(shè)計(jì)要求 形成若干微孔3，該微孔3將晶圓正面部分的可導(dǎo)通處外露于晶圓背面形成若干導(dǎo)通點(diǎn)2 ；d.對(duì)晶圓背面按設(shè)計(jì)要求進(jìn)行電鍍形成與導(dǎo)通點(diǎn)2數(shù)量對(duì)應(yīng)的金屬線4，該金屬 線4連通導(dǎo)通點(diǎn)2和晶圓背面需植焊球的地方；e.按設(shè)計(jì)要求在晶圓背面需植焊球的地方植焊球5，從而將晶圓內(nèi)各器件的對(duì)外 連接點(diǎn)從各導(dǎo)通點(diǎn)2轉(zhuǎn)移至各焊球5上；f.將晶圓沿切割線7切割成單顆封裝好的器件8。所述激光打孔采用的是紫外激光打孔技術(shù)，其激光波長(zhǎng)為1064nm，離子分凝系數(shù) (Nd濃度)為0. 6 1. Iat. % (即采用紫外NdiYAG激光打孔技術(shù))。所述微孔3為孔徑小于等于50 μ m的孔。
權(quán)利要求
一種晶圓級(jí)芯片尺寸封裝方法，其特征在于按如下步驟進(jìn)行a.在晶圓的正面固定覆蓋一層玻璃(6)，通過(guò)研磨機(jī)將晶圓從背面研磨減薄至設(shè)定尺寸厚度，再對(duì)晶圓背面進(jìn)行等離子蝕刻直至晶圓背面的表面光潔；b.將晶圓背面用丙酮沖洗干凈，再用氣槍清除晶圓背面的殘余丙酮；c.通過(guò)激光打孔機(jī)在晶圓背面按設(shè)計(jì)要求進(jìn)行激光打孔，在晶圓背面按設(shè)計(jì)要求形成若干微孔(3)，該微孔將晶圓正面部分的可導(dǎo)通處外露于晶圓背面形成若干導(dǎo)通點(diǎn)(2)；d.對(duì)晶圓背面按設(shè)計(jì)要求進(jìn)行電鍍形成與導(dǎo)通點(diǎn)數(shù)量對(duì)應(yīng)的金屬線(4)，該金屬線連通導(dǎo)通點(diǎn)和晶圓背面需植焊球的地方；e.按設(shè)計(jì)要求在晶圓背面需植焊球的地方植焊球(5)；f.將晶圓沿切割線(7)切割成單顆封裝好的器件(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝方法，其特征在于所述激光打孔采用 的是紫外激光打孔技術(shù)，其激光波長(zhǎng)為1064nm，離子分凝系數(shù)為0. 6 1. Iat. %。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝方法，其特征在于所述微孔為孔徑小 于等于50 μ m的孔。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓級(jí)芯片尺寸封裝方法，按如下步驟進(jìn)行a.在晶圓的正面固定覆蓋一層玻璃，將晶圓從背面研磨減薄至設(shè)定尺寸厚度，再對(duì)晶圓背面進(jìn)行等離子蝕刻；b.將晶圓背面沖洗干凈；c.在晶圓背面按設(shè)計(jì)進(jìn)行激光打孔，在晶圓背面按設(shè)計(jì)形成若干微孔，微孔將晶圓正面部分的可導(dǎo)通處外露于晶圓背面形成若干導(dǎo)通點(diǎn)；d.對(duì)晶圓背面按設(shè)計(jì)進(jìn)行電鍍形成與導(dǎo)通點(diǎn)數(shù)量對(duì)應(yīng)的金屬線，金屬線連通導(dǎo)通點(diǎn)和晶圓背面需植焊球的地方；e.按設(shè)計(jì)在晶圓背面需植焊球的地方植焊球；f.將晶圓沿切割線切割成單顆封裝好的器件。利用激光打孔技術(shù)進(jìn)行微孔的制作，不存在熱燒殘?jiān)庸こ龅目踪|(zhì)量較優(yōu)且孔內(nèi)清潔，可有效提高生產(chǎn)效率、降低生產(chǎn)成本和改善生產(chǎn)環(huán)境。
文檔編號(hào)H01L21/56GK101840870SQ200910030159
公開(kāi)日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2009年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月20日
發(fā)明者張春艷 申請(qǐng)人:昆山西鈦微電子科技有限公司