專利名稱：利用傳輸電介質(zhì)的板化封裝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的實施方式涉及板化(panelized)封裝的領域。背景一種在工業(yè)中獲得認可的板化封裝的常用實施是扇出晶圓級封裝(WLP)，其中多個晶片單元被朝下放置在一個臨時的帶狀載體上。多個晶片單元和臨時的帶狀載體使用壓縮成型工藝以模塑料進行超模壓(overmolded)。在模壓之后,帶狀載體被去掉，留下暴露在 俗稱重組晶圓的結構上的多個晶片單元的有效表面。隨后，晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)積層(build-up)結構在重組晶圓的上部處形成。球柵陣列(BGA)的球狀物被附著到重組晶圓上，然后重組晶圓被鋸斷分割以形成單獨的封裝件。已觀察到晶片單元的放置和超模壓工藝可能會造成晶片單元的移位和/或旋轉(zhuǎn)，這導致了有缺陷的封裝件和產(chǎn)量損失。附圖簡述圖IA到圖IN示出一種根據(jù)本發(fā)明的實施方式的、形成扇出WLP的方法。圖2A到圖2L示出一種根據(jù)本發(fā)明的實施方式的、形成扇出WLP的方法。詳述本發(fā)明的實施方式公開了用以改進板化封裝(例如扇出WLCSP)的方法和結構。在以下描述中，關于單晶片應用描述了具體的實施方式。本發(fā)明的實施方式也可用在多晶片模塊中或者用在晶片和位于模塊內(nèi)的無源器件(如電容器、電感器或電阻器)和/或其他器件(如光學元件、連接器或其它電子器件)的一些組合當中。以下描述中，闡述了許多具體細節(jié)，如具體的配置、組成部分和工藝，等等，以便提供對本發(fā)明的透徹的理解。在其他情況下，為了不會不必要地使得本發(fā)明難以理解，眾所周知的工藝和制造技術未被特別詳細地描述。此外，應了解，附圖所示的各種實施方式是說明性的代表而且不必按比例繪制。在此使用的詞語“在以上”、“在中間”和“在上”指的是到一個層到其它層的相對位置。一個被沉積或布置在另外一個層以上或以下的層，其可直接接觸該另外的層或者可具有一個或多個中間層。一個被沉積或布置在一些層中間的層，其可直接接觸這些層或者可有一個或多個中間層。相比之下，在第二層“上”的第一層接觸該第二層。在一種實施方式中，板化封裝件通過將多個晶片單元朝下放置在介電薄膜上來創(chuàng)建，所述介電薄膜可被層壓在一個臨時的載體基板上。然后介電薄膜被固化(cured)用以將多個晶片單元固定在正確位置，致使介電薄膜非感光。固化期間，在介電薄膜材料中發(fā)生在分子水平上的改變，其中介電薄膜的力學性能實質(zhì)上完全形成而且晶片單元永久地附著在生成的剛性介電薄膜上。根據(jù)使用的特殊材料，固化可與交聯(lián)聯(lián)系在一起。然后多個晶片單元被密封在介電薄膜上。在一實施方式中，密封可通過超模壓工藝例如壓縮成型來實現(xiàn)。在一實施方式中，密封可通過層壓工藝例如真空層壓來執(zhí)行。因為在密封之前，多個晶片單元已被固定到位，所以密封期間，在由于個別晶片單元上所施加的壓力會導致個別晶片單元移位和/或旋轉(zhuǎn)的問題的位置處，可減少個別晶片單元的移位和/或旋轉(zhuǎn)。然后臨時的載體基板可被從介電薄膜中被釋放。然后包括剛性的、固化的、連續(xù)的介電薄膜的晶圓級晶片規(guī)模封裝(WLCSP)積層結構被形成，其中介電薄膜可利用無掩膜圖案化技術被圖案化。已觀察到，晶片單元的放置和傳統(tǒng)加工技術的密封過程可能會導致位于臨時帶狀載體上的多個晶片單元中任何一個的移位和/或方向旋轉(zhuǎn)。這可能是由于晶片單元未被牢固地附著在臨時帶狀載體上、由于帶狀載體的變形、以及由于密封材料固化期間密封材料的收縮。利用臨時帶狀載體的傳統(tǒng)方法的影響或者是歸因于第一過孔到晶片單元焊盤的不重合造成的產(chǎn)量損失，或者由于增加了中間形式的焊盤 ，所述中間形式的焊盤在原晶圓形式上重新選擇路徑(板化之前)以便以產(chǎn)生大的焊盤為目標來確保第一過孔形成連接而不管晶片單元是否移動。因此，傳統(tǒng)的加工工藝要求晶片單元上的焊盤比需要的大，以避免面板的產(chǎn)量損失，因而減少了 WLP技術的應用空間。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，連續(xù)的介電薄膜(比如層壓的環(huán)氧樹脂薄膜)可取代臨時的犧牲性的帶和積層結構中的第一介電層。這有可能降低成本和工藝步驟。在密封之前將多個晶片單元固定在連續(xù)的介電薄膜上的正確位置處可減少在面板或網(wǎng)狀晶圓內(nèi)的個別晶片單元的移位和/或方向旋轉(zhuǎn)，從而消除或減少由板化期間晶片單元的不重合所導致的封裝組件的產(chǎn)量損失而且允許在晶片單元上的較小的焊盤開口。環(huán)氧樹脂是一種適合用來形成介電薄膜的材料，因為它可被固化以將多個晶片單元固定到正確位置，還因為類似的環(huán)氧樹脂可被利用作為超模壓或者層壓密封的材料。根據(jù)本發(fā)明的實施方式其他具有合適的粘接性能用于固定到位的多個晶片單元的材料也可被考慮，例如但不限于，聚酰亞胺和硅樹脂。在另一個方面，本發(fā)明的實施方式公開了可利用層壓技術的板化封裝方法。例如，層壓可提供穿過臨時的載體基板的、相同厚度的層壓的介電薄膜。隨后，層壓的介電薄膜也可從臨時的載體基板上去除。在一特定的實施方式中，B階固化的介電薄膜材料例如B階固化的環(huán)氧樹脂材料被層壓到臨時的載體基板。B階固化的材料一般是在其中已發(fā)生了樹脂和固化劑之間的有限反應的材料，從而使得該材料處于一種帶有部分形成的網(wǎng)狀物的固體狀態(tài)(半固化)。在該狀態(tài)下，B階固化的材料仍可能是易熔的。B階固化的材料可被另外暴露到高溫和/或輻射下而最終固化，在此網(wǎng)狀物可變成是充分形成的(例如交聯(lián)的)、剛性的和非感光的。最終的固化也可能伴隨著中度流量(moderate flow)。這樣一個B階固化的介電薄膜材料可以保持粘附性能(粘性)，在介電薄膜上的多個晶片單元移位的時候此種粘附性能幫助保持該多個晶片單元的位置，并且在最終固化的時候只經(jīng)歷中度流量，以將多個晶片單元固定到正確位置。因此，由B階固化的材料制成的層壓介電薄膜在固化后整個面板可顯示出令人滿意的平面度。此外，由于在其上放置了多個晶片單元的介電薄膜表面的平面度，在毗鄰晶片單元邊緣的介電薄膜中不存在中斷。因此，晶片單元的有效表面和其上放置了晶片單元的介電薄膜表面都在相同的平面上，這對于設備的可靠性指標(比如在濕度敏感性測試期間的或者在安裝到主板或其他產(chǎn)品上時的脫層)是有益的。層壓也可被利用以密封在介電薄膜上的多個晶片單元。例如，真空封裝可被利用帶有與介電薄膜相似或相同成分的B階固化的環(huán)氧樹脂。因此，物理特性(比如熱膨脹系數(shù)(CTE)、硬度和彈性模量或在層壓密封材料層和介電薄膜中的填料的重量百分比)可以是近似匹配或完全相同的，從而改進了最終封裝件的完整性。此外，具有用于介電薄膜和密封材料的相似或相同成分的封裝件分割可與層之間減少的脫落或脫層相關聯(lián)。

圖1A-1N和圖2A-2L示出用于形成扇出WLCSP的方法，其中根據(jù)本發(fā)明的實施方式，永久性的介電薄膜在形成可供選擇的積層結構期間被圖案化。圖1A-1N示出一實施方式，其中積層結構的重分布層(RDL)走線被形成在介電薄膜以上。圖2A-2L示出一實施方式，其中積層結構的RDL走線被形成在介電薄膜以內(nèi)。可對所示特殊的積層結構做出的各種修改和變化，包括但不限于具有多個介電層和設備互連走線的積層結構，其可以或者不可以與RDL走線相關聯(lián)。這樣的多層積層結構可利用在單晶片封裝應用以及多設備模塊中。因此，圖1A-1N和圖2A-2L示出的具體的實施方式被認為是闡述性的而非限制性的。參照圖1A，在一實施方式中，過程以將介電薄膜102附著到臨時載體基板104上開始。在一實施方式中，介電薄膜102被層壓到臨時載體基板104。這樣一個被層壓的介電薄膜102可被均勻地應用到整個臨時載體基板104上而且在稍后的階段也可以很容易地從臨 時載體基板104釋放。例如，層壓可通過在高溫和壓力條件下滾動來執(zhí)行。也可考慮將介電薄膜102附著到臨時載體基板104上的其它方法，例如旋涂、印刷和噴涂。在一實施方式中，介電薄膜102由一種材料例如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺或硅樹脂形成，其中該材料的機械性能通過固化被基本上完全地形成。介電薄膜102可由印制電路板(PCB)聚酯膠片材料形成。例如，介電薄膜102可由被部分固化的、B階固化的環(huán)氧樹脂形成，而且可包括額外的填料。在一實施方式中，有可能在明顯低于所得完全固化的介電薄膜102的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的溫度對介電薄膜102進行層壓。例如，包括了具有大約140-190°C的產(chǎn)物薄膜Tg的B階固化的環(huán)氧樹脂的介電薄膜102，其可在大約100_130°C被真空層壓。介電薄膜102可以是不透明的，或者可選擇地至少部分半透明的。臨時載體基板104可由多種材料，例如但不限于鋼鐵、玻璃和藍寶石形成，這些材料有足夠剛性，在隨后的模壓操作期間不會移動，而且模壓操作之后可從介電薄膜102被釋放。在一實施方式中，介電薄膜有5到50微米厚，而臨時載體基板104有大約2mm厚。參照圖1B，多個晶片單元可被放置在介電薄膜102的表面上，例如通過利用拾放晶片粘接機，而且介電薄膜102可被固化用以將多個晶片單元固定到固化的、剛性的介電薄膜102上的正確位置，通過固化技術可使得介電薄膜102為非感光的。固化可在放置期間或之后被執(zhí)行，而且可通過各種方法例如熱、紫外線(UV)或微波的固化循環(huán)來執(zhí)行直到介電薄膜102是剛性的而且實質(zhì)上被交聯(lián)為止。在一實施方式中，介電薄膜102包括B階環(huán)氧樹脂材料，而且在足夠使材料充分交聯(lián)的溫度下被最終固化，所述溫度一般在最終固化的介電薄膜102的產(chǎn)物Tg以上。例如，包括具有大約140-160°C的最終固化Tg的B階環(huán)氧樹脂的介電薄膜可在大約170°C被固化。在一實施方式中，介電薄膜102具有大于或等于190°C的最終固化Tg。在一實施方式中，介電薄膜102包括按重量計算大于50%的顆粒狀陶瓷填料(例如二氧化硅)。在一實施方式中，介電薄膜102包括按重量計算60-90%的陶瓷填料。在一實施方式中，介電薄膜102可具有在室溫下ll_18ppm/°C的CTE，例如在室溫下大約12ppm/°C的CTE。在一實施方式中，固化實現(xiàn)了在介電薄膜102和多個晶片單元106之間足夠的粘附，以便滿足第一級封裝可靠性指標，例如在濕度敏感性檢測期間的或者在安裝到主板或其他產(chǎn)品上時的脫層。在固化介電薄膜102之后，介電薄膜102上的多個晶片單元106以圖IC所示的密封材料層108密封，從而使得多個晶片單元被密封材料層108以及介電薄膜102密封。在密封期間，臨時載體基板104防止固化的介電薄膜102彎曲或移動，而且固化的介電薄膜102將多個個別晶片單元保持在正確位置，從而改進了在板內(nèi)或者網(wǎng)狀晶圓內(nèi)的對齊。如圖IC所不，在一實施方式中，多個晶片單兀106的有效表面與介電薄膜102上的密封材料層108的表面實質(zhì)上是齊平的。在一實施方式中，密封通過超模壓工藝(例如壓縮成型)使用模塑料來執(zhí)行。模塑料可以是包括環(huán)氧樹脂和填料的粉末。例如，壓縮成型可在大約170°C被執(zhí)行，以便完全融化包括在密封材料層108內(nèi)的、具有大約140-160°C的最終Tg的粉末環(huán)氧樹脂。在一實施方式中，模塑料包括按重量計算大于50%的顆粒狀陶瓷填料(例如二氧化硅)。在一實施方式中，模塑料包括按重量計算60-90%的陶瓷填料。在一實施方式中，最終固化的模塑料可具有室溫下ll_18ppm/°C的CTE，例如室溫下大約12ppm/°C的CTE。還可預期的是，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的超模壓可使用其他方法例如液體環(huán)氧樹脂成型、傳遞模塑成型、絲網(wǎng)印刷、 注塑法來完成。在一實施方式中，密封通過真空層壓被執(zhí)行，其中最終固化可在層壓期間或者之后被執(zhí)行。與介電薄膜102類似，密封材料層108可包括B階固化的材料和額外的填料。在一實施方式中，介電薄膜102和密封材料層108可由相同的材料或者具有類似物理特性的材料制成。密封材料層108的層壓可考慮使用印制電路板(PCB)預浸潰處理材料片(prepreg material sheet),而且與注塑法材料相比可有相對低的成本。在高溫以及真空條件下執(zhí)行的層壓可利用B階固化材料的易熔(順從性的)特性以密封多個晶片單元106。另外，因為密封材料層108元件是B階固化的，所以在遠低于密封材料層108的最終固化Tg的溫度下進行密封是可能的，而且在密封材料層108被形成/成形在多個晶片單元106周圍之后執(zhí)行最終的固化是可能的。在一實施方式中，層壓可包括將半固化的密封材料薄膜(例如包括B階固化的環(huán)氧樹脂的密封材料薄膜)放置在位于固化的介電薄膜102上的多個晶片單元106以上，并且在真空條件下將熱量和壓力應用到半固化的密封材料薄膜上以形成/成形密封材料層108。例如，針對具有大約為140-215°C的最終固化Tg的密封材料層108，層壓可在大約130°C和30kg/cm2條件下執(zhí)行。在一實施方式中，被層壓的密封材料層108是由具有大于或等于190°C的最終固化Tg的材料制成的。在一實施方式中，層壓薄膜包括按重量計算，大于50%的(例如60-90%的)顆粒狀陶瓷材料(例如二氧化硅)。在一實施方式中，最終固化的層壓后的密封材料層108可具有在室溫下ll-18ppm/°C的CTE，例如在室溫下大約12ppm/°C的CTE。隨后，最終固化可在層壓之后在足夠充分交聯(lián)密封材料的溫度下執(zhí)行，該溫度通常在最終固化的密封材料層108的產(chǎn)物Tg之上。然后臨時載體基板104可從介電薄膜102被釋放，如圖ID所示，離開附著在包括多個晶片單元106和密封材料108的通常被稱為板或重組晶圓的介電薄膜102。釋放可通過多種技術例如紫外線照射、剝落(peeling)、激光釋放、蝕刻及研磨來完成。參照圖1E，第一級過孔110可隨后利用無掩膜圖案化技術例如激光燒蝕來形成在介電薄膜102內(nèi)。在一實施方式中，第一級過孔110的形成暴露出了形成在晶片單元106上的焊盤(未示出)。例如，第一級過孔110可具有約25至50微米的直徑。在一實施方式中，介電薄膜102是至少部分半透明的。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，在圖ID中的臨時載體基板104被去除之后并且在圖IE示出的第一級過孔110形成之前，光學檢測操作被可選擇地執(zhí)行以便測量任何的或全部的晶片單元106的實際位置。如果實際位置與名義上的參考位置不匹配，那么可為個別晶片單元中任何一個調(diào)整第一級過孔110的x-y位置和/或方向，或者調(diào)整積層結構中的任何其它特征，如共同待決的第12/876,915號美國專利申請所述，在此以引用方式將其并入。然后一屏障層和/或籽晶層112可被形成于整個表面上和第一級過孔110內(nèi)部，如圖IF所示。例如，層112可包括大約500到1500埃厚的Ti、Ti/W或者Ti/TiN雙層障礙層，以及大約1500到4000埃厚的銅籽晶層。在一實施方式中，層112可通過噴涂形成。參照圖1G，光阻層114隨后可通過合適的方法，如層壓或旋轉(zhuǎn)涂覆形成到層112上。光阻層114隨后可被圖案化以形成如圖IH所示的RDL走線圖形開口 116。隨后可電鍍，以使用第一級過孔金屬118和重分布層(RDL)走線120來填充開口 110、116，其分別可與晶片單兀106的有效表面電氣通信。在一實施方式中，第一級過孔金屬118和RDL走線 120是銅。例如，電鍍層可以是大于或等于2微米厚。圖案化的光阻層114和下層的部分屏障/籽晶層112隨后被去除，如圖IH所示。屏障/籽晶層112的去除也可稍微減少電鍍層的厚度。參照圖1J，第二聚合物層122被形成于圖案化的介電薄膜102和RDL走線120上。在一實施方式中，第二聚合物層122由感光材料例如聚酰亞胺、苯環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)等等制成。如圖IK所示，第二聚合物層122然后可被圖案化以形成開口 124以暴露RDL走線120。開口 126也可被形成以暴露出部分介電薄膜102以幫助分割。開口 124、126的圖案化可利用合適的光刻技術來執(zhí)行。層122不限于高分子材料而且可由其它具有合適的絕緣和密封性能的材料制成。如圖IL所示，焊球128接著可被應用到暴露出的部分RDL走線120上。參照圖1M，個別封裝件隨后可被分割。如圖IM所示，分割可包括在第二聚合物層122的外側邊緣未延伸到的位置處僅切割介電薄膜102和密封材料108，對于個別封裝件所述第二聚合物層122的外側邊緣與介電薄膜102和密封材料108的外側邊緣不是齊平的。在分割期間，這樣的結構可與層之間減少的脫落和/或脫層相關聯(lián)。在密封材料108和晶片粘接薄膜102均由環(huán)氧樹脂材料制成而且第二聚合物層122由聚酰亞胺制成的實施方式中，在分割期間，切割僅要求是透過由類似的組成、特點組成的層，并因此減少了脫落和/或脫層。應了解，在應用焊球128之前，可形成額外的層(例如球柵陣列捕獲墊)。例如，如圖IN所示，圖1G-1H的過程可在附著焊球128之前被重復以形成屏障/籽晶層132和球柵陣列捕獲墊134。參照圖2A-2L，在第二實施方式中，可形成供選擇的WLCSP積層結構。如圖2A-2D所示，介電薄膜202可被層壓到臨時載體基板上。多個晶片單元206被附著到介電薄膜202上。介電薄膜202然后被固化以將多個晶片單元206固定到正確位。多個晶片單元206隨后以密封材料208超模壓或者層壓。然后臨時載體基板204被去除。參照圖2E，第一級過孔210和RDL走線圖案211可利用無掩膜圖案化技術，例如激光燒蝕形成于介電薄膜202內(nèi)。在一實施方式中，介電薄膜202至少是部分半透明的。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，光學檢測操作可有選擇地被執(zhí)行以在圖2D中的臨時載體基板204去除之后和圖IE示出的第一級過孔210和RDL走線圖案211形成之前測量任何的或者全部的晶片單元206的實際位置。如果實際位置與名義上的參考位置不匹配，那么可為個別晶片單元中的任何一個調(diào)整第一級過孔210的x-y位置和/或方向，或者調(diào)整積層結構中的任何其它特征，如共同待決的第12/876，915號美國專利申請所述，在此以引用方式將其并入。接著屏障和/或籽晶層212可通過電鍍金屬層214例如銅來形成，其然后可被蝕刻以隔離如圖2F-2G所示的在介電薄膜202內(nèi)的第一級過孔218和RDL走線220。第二聚合物層222然后可利用合適的平版印刷技術形成和圖案化，以便形成如圖2H-2I所示的開口 224、226。如圖2J-2K所示，焊球228可被應用到開口 224內(nèi)覆蓋暴露的RDL走線220部分，而開口 226可幫助個別封裝件的分割。在圖2L所示的實施方式中，屏障或籽晶層232和球柵陣列捕獲墊234可以按照與圖IN所述類似的方式形成。在上述說明書中，本發(fā)明的各種實施方式已被描述。然而，明顯的是在不偏離如附加權利要求中所闡述的本發(fā)明的更廣泛的精神和范圍的情況下，可對本發(fā)明做出各種修改和改變。例如，對于CSP積層結構，各種結構性的替代品和工藝已被描述?？煽紤]，在介電 薄膜內(nèi)的第一級過孔形成之后，將多種的積層結構和工藝可利用無掩膜圖案化技術(例如激光燒蝕技術)來應用。因此，說明書和附圖被視為是闡述性意義而不是限制性意義。
權利要求
1.一種方法，其包括 將多個晶片單元放置在介電薄膜的表面上； 在將所述多個晶片單元放置到所述介電薄膜的表面上之后固化所述介電薄膜； 用密封材料密封固化的介電薄膜上的所述多個晶片單元；以及 利用無掩膜圖案化技術來圖案化所述固化的介電薄膜以暴露所述多個晶片單元中的每一個。
2.如權利要求I所述的方法，其中將所述多個晶片單元放置在所述介電薄膜的表面上包括將所述多個晶片單元放置在半固化的介電薄膜的表面上。
3.如權利要求2所述的方法，其中所述半固化的介電薄膜包括B階固化的環(huán)氧樹脂。
4.如權利要求I所述的方法，其中所述無掩膜圖案化技術包括激光燒蝕。
5.如權利要求2所述的方法，其中密封所述固化的介電薄膜上的所述多個晶片單元包括壓縮成型。
6.如權利要求2所述的方法，其中密封所述固化的介電薄膜上的所述多個晶片單元包括層壓。
7.如權利要求6所述的方法，其中層壓包括真空層壓。
8.如權利要求7所述的方法，其中真空層壓包括 在位于所述固化的介電薄膜上的所述多個晶片單元上放置半固化的密封薄膜；以及 在真空條件下將熱量和壓力應用到所述半固化的密封薄膜。
9.如權利要求I所述的方法，其中所述多個晶片單元被放置在所述介電薄膜的、與被層壓到載體基板的第二表面相反的表面上。
10.如權利要求9所述的方法，還包括在密封位于所述固化的介電薄膜上的所述多個晶片單元之后并且在圖案化所述固化的介電薄膜之前，從所述固化的介電薄膜釋放所述載體基板。
11.如權利要求I所述的方法，還包括 將感光聚合物層應用到圖案化的所述固化的介電薄膜上；以及 使用光刻圖案化技術在所述感光聚合物層中形成多個開口。
12.如權利要求11所述的方法，還包括 切割透過所述固化的介電薄膜和所述密封材料而不切割透過所述感光聚合物層。
13.如權利要求I所述的方法，還包括 在所述圖案化的固化的介電薄膜上形成籽晶層； 在所述籽晶層上形成圖案化的光阻層；以及 在所述圖案化的光阻層的開口和所述圖案化的固化的介電薄膜的開口內(nèi)進行電鍍，以便在所述圖案化的固化的介電薄膜內(nèi)形成第一級過孔以及在所述圖案化的固化的介電薄膜上形成重分布層(RDL)走線。
14.如權利要求13所述的方法，還包括 在電鍍后去除所述圖案化的光阻層以及所述圖案化的光阻層以下的所述籽晶層的一部分；以及 在所述圖案化的固化的晶片附加薄膜和RDL走線上形成感光聚合物層。
15.如權利要求14所述的方法，還包括圖案化所述感光聚合物層以暴露所述RDL走線。
16.如權利要求15所述的方法,還包括 分割所述多個晶片單元。
17.—種封裝件，包括 非感光介電薄膜； 附加到所述介電薄膜上的晶片單元的有效表面； 重分布層，其在所述介電薄膜上形成而且與所述晶片單元的有效表面電氣通信； 密封材料層，其包括環(huán)氧樹脂，所述密封材料層密封所述介電薄膜上的所述晶片單元; 其中，所述介電薄膜和所述密封材料層均包括按重量計算大于大約50%的陶瓷填料。
18.如權利要求17所述的封裝件，還包括 位于所述介電薄膜上的聚合物層； 在所述聚合物層內(nèi)形成的開口 ；以及 其中，所述密封材料層的外側邊緣和所述介電薄膜的外側邊緣實質(zhì)上是齊平的。
19.如權利要求18所述的封裝件，其中在所述聚合物層內(nèi)形成的開口暴露出重分布層(RDL)。
20.如權利要求19所述的封裝件，其中所述介電薄膜和密封材料層均具有大于或等于190°C的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度。全文摘要
描述了一種板化封裝方法，在該方法中多個晶片單元被放置在介電薄膜上。隨后，該介電薄膜被固化以將所述多個晶片單元固定在正確位置，然后這些晶片單元被密封。隨后，固化的介電薄膜利用無掩膜圖案化技術被圖案化。
文檔編號H01L21/56GK102754196SQ201180008475
公開日2012年10月24日 申請日期2011年2月16日 優(yōu)先權日2010年2月16日
發(fā)明者克里斯多佛·斯坎倫 申請人:賽普拉斯半導體公司