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酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝的制作方法

文檔序號(hào):7244256閱讀:270來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制作技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種酸堿結(jié)合的太陽(yáng) 電池制絨工藝。
背景技術(shù)
太陽(yáng)能電池是一種新型的能量轉(zhuǎn)換設(shè)備,其中太陽(yáng)能電池的核心 組件就是硅片,硅片對(duì)太陽(yáng)光的反射能力的強(qiáng)弱直接影響到太陽(yáng)能電 池的性能,而在太陽(yáng)能電池制作過(guò)程中直接影響硅片對(duì)太陽(yáng)光的反射 能力的過(guò)程是硅片制絨過(guò)程, 一般在硅片制絨前首先要對(duì)硅片進(jìn)行表 面處理,表面處理的目的是要降低硅片的表面復(fù)合率,現(xiàn)有的表面處 理手段主要是傳統(tǒng)方法一般是采用大量的化學(xué)試劑和水源進(jìn)行清洗, 這樣傳統(tǒng)方法中采用的大部分的化學(xué)試劑對(duì)操作者和環(huán)境都會(huì)帶來(lái)相 當(dāng)大污染和危險(xiǎn),還有一種比較常用的表面處理方法是采用化學(xué)試劑 對(duì)硅片進(jìn)行鈍化后在采用退火的處理方法,這種方法的缺點(diǎn)是提高了 生產(chǎn)成本的同時(shí)還增加工藝步驟,而這兩種表面處理方法對(duì)硅片的表 面復(fù)合率的降低并不是十分有效的。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺陷,本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有的制絨 工藝中硅片表面復(fù)合高影響太陽(yáng)能電池性能的問(wèn)題,提供一種酸堿結(jié) 合的太陽(yáng)電池制絨工藝
為了克服背景技術(shù)中存在的缺陷,本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用 一種酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝,其技術(shù)方案是具有以下兩個(gè)步驟a、 酸制絨硅片表面用HF和麗03的混合酸進(jìn)行淺制絨;
b、 堿制絨淺制絨的硅片進(jìn)行清洗后,使用氫氧化鉀溶液或氫氧 化鈉溶液進(jìn)行深制絨。
本發(fā)明中所述的步驟a酸制絨中HF和HN03的混合溶液中,HF
和HN03的混合比例為1: 1 1: 3,本發(fā)明中采用酸制絨在前不僅能
有效的降低硅片的表面復(fù)合度,而且可以有效的提高堿制絨過(guò)程中的 腐蝕深度,同時(shí)能而去除大多是的耐堿雜質(zhì),提高硅片的吸收光的能 力。
本發(fā)明中所述的步驟a酸制絨中制成的淺制絨的硅片的腐蝕深度 為1 3微米,為堿制絨提供較粗糙的表面基礎(chǔ),提高表面的堿制絨過(guò) 程中的腐蝕深度。
本發(fā)明中所述的步驟b堿制絨中氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液的 百分比濃度為1% 5%。
本發(fā)明中所述的步驟b堿制絨中制成的制絨硅片的腐蝕深度為4 10微米,在酸制絨的基礎(chǔ)再進(jìn)行堿制絨,在酸腐蝕的表面進(jìn)行二次腐 蝕,不僅可以有效地提高腐蝕的效果,在硅片的表面形成粗糙表面, 降低硅片表面的鏡面反射,增加漫反射,提高硅片對(duì)光的二次吸收。
本發(fā)明的有益效果本發(fā)明采用了酸制絨和堿制絨相結(jié)合的新型太 陽(yáng)電池制絨工藝,采用的酸制絨在先的工藝步驟,酸制絨的作用有兩 個(gè), 一是對(duì)硅片表面的清洗,二是對(duì)硅片表面進(jìn)行腐蝕制絨;本發(fā)明 能夠有效地降低硅片的表面復(fù)合度,同時(shí)也能降低硅片的反射率,提 高電池的光轉(zhuǎn)化效率,增強(qiáng)電池的性能。
具體實(shí)施例方式
硅片采用的P型硅片,電阻為0.2 30Qcm,
a、 酸制絨HF和HN03的混合酸中HF和HNOs的比例為l:l,對(duì)P 型硅片進(jìn)行酸制絨,酸制絨的溫度為2 7°C,最佳為5°C,腐蝕時(shí)間 為1 3分鐘,最佳為2分鐘后,將P型硅片取出,P型硅片的腐蝕深 度為2微米左右;
b、 堿制絨將經(jīng)過(guò)酸制絨的P型硅片進(jìn)行清洗,去除表面殘留的 酸液,避免酸液與堿液中和,影響到堿制絨的效果,堿液采用的百分 比濃度為5%的氫氧化鉀溶液,對(duì)經(jīng)過(guò)酸制絨的P型硅片進(jìn)行堿腐蝕, 氫氧化鉀溶液溫度為70 80°C,最佳為75'C左右,P型硅片在堿液中 腐蝕時(shí)間為3 5分鐘,最佳為4分鐘,形成制絨的硅片,P型硅片堿 腐蝕的深度為4 10微米。
以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示,通過(guò)上述的說(shuō)明內(nèi)容, 相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多 樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說(shuō)明書上的內(nèi) 容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來(lái)確定其技術(shù)性范圍。
權(quán)利要求
1、一種酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝,其特征在于具有以下兩個(gè)步驟a、酸制絨硅片表面用HF和HNO3的混合酸進(jìn)行淺制絨;b、堿制絨淺制絨的硅片進(jìn)行清洗后,使用氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液進(jìn)行深制絨。
2、 如權(quán)利要求1所述的酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝,其特征在于 所述的步驟a酸制絨中HF和HN03的混合溶液中,HF和HN03的混合比例為 1: 1 1: 3。
3、 如權(quán)利要求l所述的酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝,其特征在于所述的步驟a酸制絨中制成的淺制絨的硅片的腐蝕深度為i 3微米。
4、 如權(quán)利要求1所述的酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝,其特征在于所述的步驟b堿制絨中氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液的百分比濃度為 10/0 5%。
5、 如權(quán)利要求1所述的酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝,其特征在于所述的步驟b堿制絨中制成的制絨硅片的腐蝕深度為4 10微米。
全文摘要
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池制作技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種酸堿結(jié)合的太陽(yáng)電池制絨工藝,具有以下兩個(gè)步驟a、酸制絨硅片表面用HF和HNO<sub>3</sub>的混合酸進(jìn)行淺制絨;b、堿制絨淺制絨的硅片進(jìn)行清洗后,使用氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液進(jìn)行深制絨,完成硅片制絨,解決現(xiàn)有的制絨工藝中硅片表面復(fù)合高影響太陽(yáng)能電池性能的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101515611SQ20091002614
公開(kāi)日2009年8月26日 申請(qǐng)日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者軍 張 申請(qǐng)人:常州天合光能有限公司
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