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發(fā)出輻射半導(dǎo)體構(gòu)件、用于發(fā)出輻射半導(dǎo)體構(gòu)件的容納件以及用于制造發(fā)出輻射半導(dǎo)體...的制作方法

文檔序號:6924290閱讀:247來源:國知局
專利名稱:發(fā)出輻射半導(dǎo)體構(gòu)件、用于發(fā)出輻射半導(dǎo)體構(gòu)件的容納件以及用于制造發(fā)出輻射半導(dǎo)體 ...的制作方法
發(fā)出輻射半導(dǎo)體構(gòu)件、用于發(fā)出輻射半導(dǎo)體構(gòu)件的容納件 以及用于制造發(fā)出輻射半導(dǎo)體構(gòu)件的方法基于半導(dǎo)體的構(gòu)件、用于基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的容納件以及用于制造基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的方法此專利申請要求德國專利申請102007046744. 5及102008005345. 7的優(yōu)先權(quán),其 公開內(nèi)容通過引用納入本文中。本申請涉及一種具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件、用于基于半導(dǎo)體的構(gòu) 件的容納件及用于制造基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的方法。具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件(例如發(fā)光二極管)大多如此構(gòu)造,使得 在由塑料金屬復(fù)合物制成的殼體或由陶瓷制成的殼體中安裝或嵌入具有發(fā)出輻射特性的 半導(dǎo)體元件。在此類基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的生產(chǎn)過程期間,通過焊接過程或粘合過程將半導(dǎo) 體元件安裝在殼體中。具有發(fā)出輻射特性的半導(dǎo)體元件(例如薄膜發(fā)光二極管)可分成電流垂直流過型 半導(dǎo)體元件或電流水平流過型半導(dǎo)體元件。在電流于垂直方向上流過的半導(dǎo)體元件中,基 于半導(dǎo)體的構(gòu)件的安裝面構(gòu)造為單獨的電接觸部。第二電接觸部設(shè)置在半導(dǎo)體元件的發(fā)出 輻射側(cè)。此接觸部通常利用接合線進(jìn)行接觸。具有水平電流的半導(dǎo)體元件如此構(gòu)造,使得 在半導(dǎo)體元件的安裝面上構(gòu)造兩個電接觸部。尤其在電流垂直流過型半導(dǎo)體元件中,第一及第二電接觸部在半導(dǎo)體元件的主延 伸平面的面法線方向上相繼。在電流水平流過型半導(dǎo)體元件中,第一及第二電接觸部或第 一及第二電接觸部的區(qū)域在俯視圖中在主延伸平面上并排設(shè)置。有利的是,電流尤其不只是垂直或水平的。而是,優(yōu)選在垂直電流流過型半導(dǎo)體元 件中具有橫向電流拓寬(Stromaufweitimg)。尤其是,在水平電流流過的半導(dǎo)體元件中,電 流在半導(dǎo)體元件內(nèi)至少部分地具有與主延伸平面上的面法線平行的分量。不依賴于半導(dǎo)體元件自身的構(gòu)造方式,在殼體中通過利用透明樹脂或另一封裝材 料澆鑄來額外保護(hù)半導(dǎo)體元件免受外部影響。通過殼體實現(xiàn)靜態(tài)穩(wěn)定性以及保護(hù)半導(dǎo)體元 件免受機(jī)械負(fù)荷,該殼體保護(hù)式、承載式地包圍半導(dǎo)體元件。通過包覆殼體來給出基于半導(dǎo) 體的發(fā)出輻射構(gòu)件的結(jié)構(gòu)尺寸,該結(jié)構(gòu)尺寸大大超過半導(dǎo)體元件自身的大小。這阻礙了構(gòu) 件的進(jìn)一步微型化的可能。因此,本發(fā)明的目的在于說明一種具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,該構(gòu) 件可進(jìn)一步微型化。此目的通過根據(jù)并列的權(quán)利要求的構(gòu)件、容納件及方法來實現(xiàn)。有利的設(shè)計及改 型在各個從屬權(quán)利要求中說明。權(quán)利要求的公開內(nèi)容明確地通過引用納入說明書中。說明一種具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其中設(shè)有玻璃襯底。具有發(fā)出 輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件具有發(fā)出輻射半導(dǎo)體元件,如光電半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體元件 尤其具有半導(dǎo)體層序列,例如外延半導(dǎo)體層序列,該半導(dǎo)體層序列包括為產(chǎn)生輻射而設(shè)有 的有源區(qū)。有利地,有源區(qū)包括用于產(chǎn)生輻射的pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)和/或量子阱結(jié)構(gòu)。玻璃襯底基本上具有兩個表面,該兩個表面設(shè)置成彼此相對并且尤其彼此平行。在玻璃襯底的第一表面上設(shè)置有半導(dǎo)體元件,該半導(dǎo)體元件具有發(fā)出輻射特性。半導(dǎo)體元件在此表面上如此設(shè)置,使得輻射方向指向玻璃襯底并進(jìn)一步指向該玻璃襯底中。在此,該 輻射方向尤其是指與半導(dǎo)體元件的主延伸平面垂直的方向,其中半導(dǎo)體元件在工作時發(fā)射 電磁輻射。有利的是,玻璃襯底構(gòu)造成半導(dǎo)體元件的承載元件。在一種設(shè)計中,基于半導(dǎo)體的構(gòu)件具有基本上正方形的基本形式。在一種改型中,其具有基本上3mm的邊長。在另一設(shè)計中,其具有基本上0.85mm的厚度。在其它設(shè)計中, 構(gòu)件的橫向尺寸與玻璃襯底的橫向尺寸相同。在一種設(shè)計中,半導(dǎo)體元件構(gòu)造為薄膜發(fā)光二極管。對于具有水平電流的半導(dǎo)體 元件,尤其是對于薄膜發(fā)光二極管,作為承載元件的玻璃襯底構(gòu)成主要優(yōu)點,因為尤其是在 薄膜發(fā)光二極管的情況下,在生產(chǎn)過程期間將生長襯底分離。此生長襯底在生產(chǎn)過程期間 構(gòu)成此半導(dǎo)體元件的承載元件。由于在生產(chǎn)過程期間分離生長襯底,需要具有承載特性的 備選元件。玻璃襯底不僅提供承載特性,而且保護(hù)半導(dǎo)體元件免受機(jī)械負(fù)荷。薄膜發(fā)光二極管的基本原理例如在出版物I. Schnitzer.等人,Appl. Phys. Lett. 63(16) 18. 1993年10月,第2174-2176頁中說明,該出版物的公開內(nèi)容通過引用納入 本文中。薄膜發(fā)光二極管芯片的示例在出版物EP 0905797A2及WO 02/13281A1中描述,該 出版物的公開內(nèi)容通過引用納入本文中。在一種設(shè)計中,薄膜發(fā)光二極管_無玻璃襯底-具有20 μ m或更小的厚度范圍,尤 其具有10 μ m或更小的厚度范圍;有利的是,其沒有生長襯底。在此,“沒有生長襯底”表示,將必要時用于生長薄膜 發(fā)光二極管的半導(dǎo)體層序列所使用的生長襯底從半導(dǎo)體層序列去除或至少大大變薄。其尤 其如此變薄,使得單單其自身或與半導(dǎo)體層序列一起不是無支撐的。尤其是,大大變薄的生 長襯底的保留的殘余部分不適于作為此類生長襯底的功能;以及在一種設(shè)計中,薄膜發(fā)光二極管包括具有至少一個面的至少一個半導(dǎo)體層,該至 少一個半導(dǎo)體層具有混合結(jié)構(gòu),該混合結(jié)構(gòu)在理想情況下導(dǎo)致在半導(dǎo)體層序列中光近似于 各態(tài)歷經(jīng)分布,也即,其具有最可能的各態(tài)歷經(jīng)隨機(jī)散射特性。在另一設(shè)計中,在薄膜發(fā)光二極管的產(chǎn)生輻射的半導(dǎo)體層序列(其中其尤其指產(chǎn) 生輻射的外延層序列)的背向玻璃襯底的主面上施加或構(gòu)造反射層,該反射層將在半導(dǎo)體 層序列中所產(chǎn)生的電磁輻射的至少一部分反射回半導(dǎo)體層序列并且在到玻璃襯底的方向 上反射。在構(gòu)件的一種設(shè)計中,朝向玻璃襯底的半導(dǎo)體元件的主面沒有電連接面(也稱為 接觸部或接觸面)。優(yōu)選地,為半導(dǎo)體元件的η側(cè)及為P側(cè)接觸而設(shè)有的兩個電連接面設(shè)置 在背向玻璃襯底的半導(dǎo)體元件側(cè)上。根據(jù)基于半導(dǎo)體的發(fā)出輻射構(gòu)件的改型,在玻璃襯底的第二表面上設(shè)置光學(xué)元 件。從而使得半導(dǎo)體元件所發(fā)出的輻射通過玻璃襯底并同樣通過光學(xué)元件發(fā)出。利用光學(xué) 元件,根據(jù)基于半導(dǎo)體的發(fā)出輻射構(gòu)件的應(yīng)用目的并依賴于光學(xué)元件的光學(xué)特性實現(xiàn)不同 的作用。利用例如構(gòu)造為透鏡的光學(xué)元件,可構(gòu)成成束的輻射。利用構(gòu)造為光漫射體的光 學(xué)元件可散射所發(fā)出的輻射。依賴于基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的各應(yīng)用可形成不同的特性。一種 這樣構(gòu)造的基于半導(dǎo)體的發(fā)出輻射構(gòu)件鑒于其大小可自由伸縮。所需要的寬度尺寸及高度 尺寸基本上取決于所希望的光學(xué)特性。
為了產(chǎn)生通過基于半導(dǎo)體的構(gòu)件所發(fā)出的輻射的預(yù)定光顏色或預(yù)定波長且尤其為了產(chǎn)生混色光,根據(jù)基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的一種改型,在發(fā)出輻射半導(dǎo)體元件及玻璃襯底 的第一表面之間設(shè)置轉(zhuǎn)換層。至少對于通過轉(zhuǎn)換層的輻射的一部分,轉(zhuǎn)換層改變這些輻射 的波長。因此構(gòu)成僅通過半導(dǎo)體元件發(fā)出的輻射不可產(chǎn)生的色調(diào)。從而可例如以簡單低成 本地方式產(chǎn)生白光,其中發(fā)出藍(lán)光的半導(dǎo)體元件與黃色轉(zhuǎn)換層組合。根據(jù)具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的改型,玻璃襯底鑒于其第一表面 構(gòu)造成大于為了容納半導(dǎo)體元件所需的大小并且其中額外設(shè)有至少一個安裝基座。安裝基 座具有與半導(dǎo)體元件的總厚度相同的材料厚度并且構(gòu)造成吸納作用于玻璃襯底或基于半 導(dǎo)體的構(gòu)件的機(jī)械負(fù)荷并將其引開到安裝位置。從而使得,在集成狀態(tài)下,在周圍保護(hù)半導(dǎo) 體元件免受機(jī)械負(fù)荷。此改型的其他優(yōu)點是,在非集成狀態(tài)下,也在一定程度上保護(hù)半導(dǎo)體 jti^^ki^M^ljiM (abrasivenBelastungen)。根據(jù)具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的一種改型,為避免散射光損失,未 由半導(dǎo)體元件覆蓋的面通過反射器覆蓋。在一種設(shè)計中,其直接施加在玻璃襯底的第一表 面上并且僅覆蓋未由半導(dǎo)體元件覆蓋的第一表面的區(qū)域。從而使得,除受制備技術(shù)限制之 夕卜,在玻璃襯底上構(gòu)造發(fā)出輻射面或反射輻射面。其中發(fā)出輻射面通過半導(dǎo)體元件構(gòu)成并 且反射輻射面通過反射器構(gòu)成。還提供了一種容納件單元(下文中簡稱容納件),其用于容納根據(jù)上述原理構(gòu)造 的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件。其中,該容納件具有實施成可接通的(beschaltbar)兩個電接觸部。從而使得電 信號或電能可輸送至由容納件容納的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件。在大小及面的結(jié)構(gòu)方面,在一種 設(shè)計中,電接觸部實施為與半導(dǎo)體元件的接觸元件相同。從而通過利用傳導(dǎo)的粘合材料的 粘合或通過焊接,可在半導(dǎo)體元件及容納件之間制造電接觸。利用至少一個基座容納件包 圍接觸元件,在該基座容納件上可容納至少一個安裝基座?;菁{件是電中性的并因此 構(gòu)成與電接觸部無電連接。還說明了用于制造基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的方法。該方法包括以下步驟。一個步驟包括提供玻璃襯底。隨后的第二步驟包括在玻璃襯底的第一表面上施加 半導(dǎo)體元件并在玻璃襯底的第二表面上施加光學(xué)元件。該方法允許同時應(yīng)用多個玻璃襯底,其中設(shè)有玻璃晶圓,在玻璃晶圓上平行構(gòu)成 多個基于半導(dǎo)體的構(gòu)件。然后,方法步驟包括分離整個玻璃晶圓的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件。該方法的一種改型是,制造具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其發(fā)出 預(yù)定波長的輻射或混色光,例如白光。例如為了產(chǎn)生單獨通過已知的半導(dǎo)體原料不可 產(chǎn)生的波長,根據(jù)一個改型,在施加半導(dǎo)體元件之前,在玻璃襯底的第一表面上施加 轉(zhuǎn)換層。其中,優(yōu)選地應(yīng)用絲網(wǎng)印刷方法(Siebdruckverfahren)或鏤空版印刷方法 (Schablonendruckverfahren)。對于其面的延伸小于玻璃襯底的第一表面的半導(dǎo)體元件,施加反射層,該反射層 借助由光照技術(shù)(fototechnisch)影響的濺射或氣相噴鍍方法來施加。其中,玻璃襯底的 第一表面用光照技術(shù),尤其通過光刻過程進(jìn)行預(yù)處理,使得僅未由半導(dǎo)體元件及可能要施 加的轉(zhuǎn)換層覆蓋的區(qū)域可通過濺射或氣相噴鍍方法處理。玻璃襯底的第二表面上,將光學(xué)元件引入抗老化及溫度穩(wěn)定的層(優(yōu)選地由硅樹脂制成)中。下面,借助于兩個實施示例以及利用12個附圖詳細(xì)說明本發(fā)明。其中

圖1示出了第一實施方式中基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的示意性截面圖,圖2示出了第二實施方式中基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的示意性透視圖,圖3示出了第一實施方式的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的示意性透視圖,圖4示出了第一實施方式的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的示意性透視圖,圖5示出了根據(jù)第一實施方式的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的容納件的部分的示意性透 視圖,圖6示出了容納件中根據(jù)第一實施方式的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的示意性透視圖,以 及圖7至圖12以示意性透視圖示出了用于制造第一實施方式的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件 的方法的實施示例的各個方法步驟。對于所有附圖,具有相同功能的元件利用相同的參考標(biāo)號表示。附圖及在附圖中 所示的元件之間的大小關(guān)系并非是按比例的。相反,為了更好地圖示和/或為了更好的理 解,可將單個元件放大圖示。圖1示出了根據(jù)上述原理的具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的實施示 例。其中設(shè)有作為承載元件的透明玻璃襯底1。此玻璃襯底1具有第一表面2及第二表面 3。在第一表面2上施加轉(zhuǎn)換層4,在該轉(zhuǎn)換層4上容納有半導(dǎo)體元件5。半導(dǎo)體元件5具 有發(fā)出輻射特性并且其在轉(zhuǎn)換層4上如此設(shè)置,使得輻射方向6被定向成通過轉(zhuǎn)換層4并 且同樣通過玻璃襯底1。優(yōu)選地,半導(dǎo)體元件5實施成薄膜發(fā)光二極管并且在背向玻璃襯底1的表面上包 括至少兩個導(dǎo)電接觸面7,通過該兩個導(dǎo)電接觸面7向半導(dǎo)體元件5供應(yīng)電能。在所示實 施示例中,半導(dǎo)體元件5并未覆蓋玻璃襯底1的整個第一表面2。玻璃襯底1的第一表面2 的其余區(qū)域利用反射器8來覆蓋。反射器8促使由于第一表面2方向上的反射而導(dǎo)回的散 射光部分9在反射器8上同樣再次導(dǎo)向輻射方向6并因而導(dǎo)向第二表面3的方向。從而降 低散射光損失。在第一表面2的外邊緣上構(gòu)造安裝基座10,通過該安裝基座10可將基于半導(dǎo)體的 構(gòu)件穩(wěn)固固定在容納件中。安裝基座10如此實施,使得整個基于半導(dǎo)體的構(gòu)件通過安裝基 座10承載在裝配位置上。從而避免半導(dǎo)體元件5上的機(jī)械負(fù)荷。在玻璃襯底1的第二表面3上容納有光學(xué)元件11。實施示例示出了菲涅爾透鏡形 式的光學(xué)元件11。通過菲涅爾透鏡形式的光學(xué)元件11可產(chǎn)生成束的輻射。然而,基于半導(dǎo) 體的構(gòu)件并不限于此實施示例,而是可應(yīng)用具有其它特性的光學(xué)元件,例如光漫射體。這僅 依賴于基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的應(yīng)用目的。圖2示出了第二實施方式的具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其中半導(dǎo) 體元件5幾乎占據(jù)玻璃襯底1的整個第一表面2。當(dāng)玻璃襯底1及在第一表面2上其面的 延伸幾乎相應(yīng)于半導(dǎo)體元件5的面延伸時,形成此實施方式。與圖1中的第一實施示例相 反,在此實施示例中不需設(shè)置安裝基座10或設(shè)置反射器8。圖3以透視圖示出了基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的第一實施示例。視向指向基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的第一表面2。在此表面上設(shè)置有半導(dǎo)體元件5、轉(zhuǎn)換層4、反射器8及安裝基座10。在玻璃襯底1的第一表面2上的中心處設(shè)置有環(huán)形形式的轉(zhuǎn)換層4,半導(dǎo)體元件5優(yōu)選中心地設(shè)置在該 轉(zhuǎn)換層4上。半導(dǎo)體元件5具有在其側(cè)上的導(dǎo)電接觸面7,該導(dǎo)電接觸面7設(shè)在裝配位置 處,以便向半導(dǎo)體元件5供應(yīng)電能。環(huán)形轉(zhuǎn)換層4的周圍施加反射器8,以避免散射光損失。優(yōu)選地,玻璃襯底1實施成正方形的基本形式并且玻璃襯底1的第一表面2的每 個邊角區(qū)包括至少一個安裝基座10。通過安裝基座10將基于半導(dǎo)體的構(gòu)件固定在裝配位 置處。其中,在裝配位置處,作用在基于半導(dǎo)體的構(gòu)件上的機(jī)械力通過安裝基座10引開,使 得半導(dǎo)體元件5免受機(jī)械負(fù)荷。在圖3所示的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件中,具有基本上正方形的 基本形式,基本上3mm的邊長及基本上0. 85mm的厚度。然而,上述原理并不限于此外部尺 寸。而是,有利的是,根據(jù)上述原理的單獨基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的大小僅通過光學(xué)特性的要求 來確定。圖4以透視圖示出圖1及圖3中也示出的第一實施示例。在此圖示中,視向指向 玻璃襯底1的第二表面3。在第二表面3上容納有光學(xué)元件11。在該實施示例中,基于透 鏡來實施光學(xué)元件11。實施示例示出了菲涅爾透鏡。圖5示出了用于根據(jù)圖1、3或4中實施示例的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的容納件的實施 示例,其中在印刷電路板12上設(shè)置有至少兩個導(dǎo)電接觸部13。此接觸部可通過饋送的印制 導(dǎo)線與電信號或電能接通。從而使得在基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的安裝狀態(tài)下,半導(dǎo)體元件5的 電接觸部7是可接通的?;诎雽?dǎo)體的構(gòu)件與容納件相互協(xié)調(diào),使得半導(dǎo)體元件5的電接 觸面7與電接觸部13共同作用。在容納件處設(shè)置有基座容納件14,該基座容納件14與基 于半導(dǎo)體的構(gòu)件的安裝基座10共同作用。因此,電接觸部13設(shè)置在容納件中心處并且由 基座容納件14包圍,使得每個安裝基座10可通過粘合過程或焊接過程或其它傳遞力的方 法而容納在基座容納件14上。圖6以透視圖示出了在容納件處設(shè)置的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件。如圖所示,每個安裝 基座10分別設(shè)置在基座容納件14上。圖7至12以單獨方法步驟示出了根據(jù)上述原理及上述第一實施示例單獨基于半 導(dǎo)體的構(gòu)件的制造示例方法。圖7中所示的透明玻璃襯底1具有正方形的基本形式。其已示出了單獨基于半導(dǎo) 體的構(gòu)件所具有的形式。構(gòu)件的橫向尺寸尤其與玻璃襯底的橫向尺寸相同。用于制造上述基于半導(dǎo)體的發(fā)出輻射構(gòu)件的優(yōu)化生產(chǎn)方法為,多個此種玻璃襯底 同時在玻璃晶圓上進(jìn)行加工。然后,玻璃晶圓在制造方法的預(yù)定部分步驟中分離,使得可以 構(gòu)成單獨元件。為了更好的理解制造方法,該方法借助于單個元件進(jìn)行圖示。從玻璃襯底1開始,如圖8所示,通過濺射過程或氣相噴鍍過程將用于構(gòu)成反射器 8的反射層施加在玻璃襯底1的第一表面2處。此過程首先使用光刻方法以定義表面區(qū)域, 該表面區(qū)域不應(yīng)包含反射涂層。接著,如圖9所示,在玻璃襯底1的第一表面2上,例如第一表面2的部分區(qū)域上 施加轉(zhuǎn)換層4。通過絲網(wǎng)印刷方法或鏤空版印刷方法施加轉(zhuǎn)換層4。當(dāng)前,將第一表面2的 未由反射器8覆蓋的中間區(qū)域利用轉(zhuǎn)換層4涂敷。當(dāng)前,反射器8未由轉(zhuǎn)換層8覆蓋。接著,如圖10所示,通過_例如支持光刻的_電鍍過程將安裝基座10分別施加在玻璃襯底1的邊角區(qū)。安裝基座8例如施加在反射器8的邊緣區(qū)域上。 在下述方法步驟中,如圖11所示,現(xiàn)在,第二表面3設(shè)有光學(xué)元件10。光學(xué)元件 10引入例如由硅樹脂制成的抗老化及溫度穩(wěn)定的層中。圖12所示的操作步驟包括將半導(dǎo)體元件5施加在轉(zhuǎn)換層4上。構(gòu)造為薄膜發(fā)光 二極管的半導(dǎo)體元件5已包括接觸面7,其用于連接并構(gòu)成向半導(dǎo)體元件供應(yīng)電能的電接 觸部。薄膜發(fā)光二極管在進(jìn)一步的制造方法中生產(chǎn)并且在最后描述的方法步驟中設(shè)置在玻 璃襯底1上。
權(quán)利要求
一種具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其特征在于,設(shè)有玻璃襯底(1),所述玻璃襯底(1)具有第一表面(2)及第二表面(1),其中在所述第一表面(2)上容納具有發(fā)出輻射特性的半導(dǎo)體元件(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其特征在于,在所述第二表面(2)上容納 光學(xué)元件(11)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其特征在于,在所述第一表面(2)及 所述發(fā)出輻射半導(dǎo)體元件(5)之間設(shè)置轉(zhuǎn)換層(4)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其特征在于,在所述第一表 面(2)上容納至少一個安裝基座(10)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其特征在于,所述第一表面 (2)由所述半導(dǎo)體元件(5)及反射器(8)覆蓋。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件,其特征在于,所述半導(dǎo)體元 件(5)在背向所述玻璃襯底(1)的所述第一表面(2)的側(cè)上具有至少兩個導(dǎo)電接觸面(7)。
7.一種用于根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的容納件,其特征 在于,設(shè)有兩個電接觸面(13),所述兩個電接觸面(13)可與所述接觸面(7)導(dǎo)電連接,并且 設(shè)有至少一個基座容納件(14),在所述基座容納件(14)上能容納所述安裝基座(10)。
8.一種用于制造基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的方法,具有如下步驟_提供玻璃襯底(1),以及-在所述玻璃襯底(1)的第一表面(2)上施加半導(dǎo)體元件(5)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于在所述第一表面(2)上施加反射層(8)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法,其特征在于,在所述玻璃襯底(1)的第二表面(3)上施加光學(xué)元件(11)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8至10中任一項所述的方法,其特征在于,在所述玻璃襯底的所述第 一表面(2)及所述半導(dǎo)體元件(5)之間施加轉(zhuǎn)換層(4)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8至11中任一項所述的方法,其特征在于,借助于由光照技術(shù)影響的 濺射或氣相噴鍍方法來施加所述反射層(8)和/或借助于絲網(wǎng)印刷或鏤空版印刷方法來施 加所述轉(zhuǎn)換層(4)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8至12中任一項所述的方法,其特征在于,借助于電鍍方法將至少一 個安裝基座(10)施加在所述玻璃襯底(1)的所述第一表面(2)上。
14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項所述的方法,其特征在于,所述光學(xué)元件(11)引入 抗老化及溫度穩(wěn)定的層中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其特征在于,所述抗老化及溫度穩(wěn)定的層由硅樹脂 構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有發(fā)出輻射特性的、基于半導(dǎo)體的構(gòu)件。其中設(shè)有具有第一表面(2)及第二表面(1)的玻璃襯底(1),其中在第一表面(2)上容納具有發(fā)出輻射特性的半導(dǎo)體元件(5)。本發(fā)明進(jìn)一步涉及用于制造基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的方法,該方法具有以下步驟提供玻璃襯底(1),在玻璃襯底的第一表面(2)上施加半導(dǎo)體元件(5)。本發(fā)明還涉及用于基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的容納件,其中設(shè)有兩個電接觸面(13),該兩個電接觸面(1)可與基于半導(dǎo)體的構(gòu)件的接觸面(7)導(dǎo)電連接。
文檔編號H01L33/48GK101809774SQ200880109647
公開日2010年8月18日 申請日期2008年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者J·索格, S·格魯伯 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
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