專利名稱：用于檢測半導體的設(shè)備和方法以及被檢測半導體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于檢測半導體的設(shè)備和方法，并且更具體而言，涉及能夠減少接觸探針引腳的數(shù)目并且能夠執(zhí)行批量檢測晶片的半導體檢測設(shè)備和方法，以及被檢測半導體 器件。
背景技術(shù)：
近年來，對更高密度半導體設(shè)備和高速大容量傳輸?shù)男枨笱杆僭黾?。電極端子數(shù) 目的增加尤其突出，并且對于在區(qū)域中和區(qū)域周圍布置的電極，間距減小的情況正快速升 級。在上述情況下，檢測具有精細間距電極的半導體器件的技術(shù)正成為一種關(guān)鍵的技 術(shù)。特別是在半導體器件制造中，如何實施在晶片狀態(tài)下的器件的電檢測的晶片檢測，這是 一個非常重要的問題?？梢酝ㄟ^對晶片制造步驟的問題的迅速反饋來改善質(zhì)量，并且通過 在半導體器件的量產(chǎn)中增加產(chǎn)品成品率能夠改善生產(chǎn)率，從而實現(xiàn)成本降低。就發(fā)送/接收信號而言，將晶片檢測粗略地分為接觸方式和非接觸方式。當前作為主流的接觸方式是這樣一種方式，即，利用探針卡作為在晶片和檢測器 之間發(fā)送/接收信號的接口，使一些接觸器與半導體器件電極進行接觸。最常使用的接觸器是稱為“懸臂方式”的探針卡，并且是使金屬針與半導體器件 電極接觸的方式。使用的接觸方式的其他示例包括具有金屬突起(凸塊)的薄片、具有 TCP (帶載封裝)引線的薄片，使用電鍍引腳作為硅晶須和MEMS探針的硅探針，其應(yīng)用Si微 加工技術(shù)作為適于批量接觸晶片的探針。圖1示出根據(jù)該接觸方式的檢測狀態(tài)。通過驅(qū)動機構(gòu)(未示出)使具有探針引腳1002的探針卡1001向上和向下移動 (圖中的垂直方向)。通過在臺1005中提供的并固定到臺1005的吸著孔1006，吸著提供有 電極1004的被檢測LSI晶片1003。探針引腳1002與LSI檢測器(未示出)相連接，探針 卡1001下降直到探針引腳1002與電極1004進行接觸，并且探針引腳1002提供用于檢測 的電力和信號以進行晶片檢測。另一方面，關(guān)于非接觸方式，公開了各種方式，例如，在半導體器件中布置通信線 圈并且將信號無線輸入到外部器件/從外部器件輸出的方式，以及通過使用半導體器件和 使半導體器件的信號布線接近鏡芯片布線的鏡結(jié)構(gòu)芯片、通過非接觸電容性耦合提取信號 的方式。專利文獻1 (US專利No. 5，969，533)公開了使用金屬針的懸臂方式，專利文獻 2(日本特開專利No. 5-226430)描述了具有金屬突起的薄片方式，專利文獻3 (日本特開專 利No. 6-334006)描述了具有TCP引線的薄片，專利文獻4(曰本特開專利No. 11-190748) 描述了使用硅晶須的方式，專利文獻5(日本特開專利No. 2003-273180)描述了使用作為非 接觸技術(shù)的通信線圈的方式，以及專利文獻6(日本特開專利No. 2003-344448)描述了通過 電容性耦合提取信號的方式。
圖2是示出使用在專利文獻5中公開的通信線圈的檢測方式的圖。圖2(a)是晶片190的平面圖，并且多個半導體芯片196形成在晶片190中。圖2(b)是由圖2(a)中的晶片190的圓框所圍住的部分的放大圖，在圓框中提供有半導體芯片 196。如圖2(b)所示，形成半導體芯片191A和191B，并且分別經(jīng)由配線194A和194B將 通信線圈192A和192B與連接端子193A和193B相互連接。通信線圈192A和192B是矩形螺旋線圈，并且經(jīng)由絕緣表面保護膜形成在半導體 芯片191A和191B的電路表面上。對于每個通信線圈形成兩個配線，其中的一個配線與半 導體芯片內(nèi)部的連接端子相連接，并且另一配線經(jīng)由劃線與連接端子相連接。使用上述結(jié)構(gòu)的半導體芯片進行檢測，如圖2(c)所示。檢測信號從半導體檢測 設(shè)備的頭部195無線輸出到半導體芯片191A的通信線圈192A。通過接收來自半導體芯片 191A的輸出信號來進行半導體芯片191A的功能檢測。通過移動該頭部195或每個半導體 芯片，在不同的半導體芯片上順序進行檢測。另外，專利文獻7 (日本特開專利No. 2004-253561)描述了對晶片檢測的應(yīng)用。另 夕卜，專利文獻8(國際公開W02007/029422A1)描述了組合接觸方式和非接觸方式的探針卡。專利文獻1 =US 專利 No. 5，969，533專利文獻2 日本特開專利No. 5-226430專利文獻3 日本特開專利No. 6-334006專利文獻4 日本特開專利No. 11-190748專利文獻5 日本特開專利No. 2003-273180專利文獻6 日本特開專利No. 2003-344448專利文獻7 日本特開專利No. 2004-253561專利文獻8 國際公開W02007/029422A
發(fā)明內(nèi)容
然而，專利文獻1提出的采用金屬針或突起接觸方式的半導體檢測設(shè)備存在幾個 問題。首先，從間距減小和高速信號傳輸?shù)挠^點，通過層壓四段金屬針和屏蔽板形成探針， 并且進一步實現(xiàn)間距減小需要精細加工金屬針和改變材料，這使得很難執(zhí)行制造并且增加 了成本。另外，由于金屬針的硬度不夠，即使能夠加工金屬針，也不能確保足夠的耐久性。 另外，由于針是長的，所以存在其中由于電阻而使信號傳輸損耗增加的問題，從而產(chǎn)生大量 信號延遲并使得難以支持高頻率。使用專利文獻2和專利文獻3等中公開的薄片的結(jié)構(gòu)，是通過在背表面上形成接 地并且實現(xiàn)阻抗匹配來對高速信號傳輸有利的結(jié)構(gòu)。然而，這是使用金屬突出(凸塊)與半導體器件的外部電極相接觸的結(jié)構(gòu)，該金屬 突起需要保持特定高度或以上，以便在接觸時不接觸半導體器件的電路表面，并且由于使 用電鍍的制造方法被使用，所以難以使金屬突起適應(yīng)間距減小。另外，雖然使用薄片作為探針的金屬引線的方法同樣對高速信號傳輸有利，但是 金屬引線具有使用膜狀柔性材料作為基本材料的構(gòu)造，并因此難以根據(jù)膜基板制造工藝的熱歷史來在金屬引線間距方向上以期望值(士 1.0微米或更小)控制位置精度。另外，由于該探針引腳被設(shè)計成吸收彈性金屬材料之中的高度偏差并且獲得負載，因此當被接觸的材料變化時難以得到良好的接觸特性。另外，由于金屬材料彈性的使用 引起探針的變形，因此必須考慮由于探針引腳布置的變形等引起的接觸，從而導致布置密 度減小的問題。其次，將從接觸痕跡的觀點描述有關(guān)半導體器件的電極的問題。存在如下機構(gòu)， 其中在接觸器與電極發(fā)生接觸之后，應(yīng)用過驅(qū)動(半導體器件相對于涉及接觸器接觸電極 的點的接觸器的上升量=推進量)作為負載，由此突破鋁電極表面的氧化物膜以便實現(xiàn)接 觸，由此在鋁電極中產(chǎn)生接觸痕跡。在引線接合以及形成用于倒裝芯片安裝的凸塊時，上述接觸痕跡在制造和電連接 方面變成不穩(wěn)定的因素，在最壞的情況下，在步驟中伴隨有并且會導致開口缺陷，即，剝離。 另外，當使用形成接觸痕跡的這種高負載進行增壓時，如果在鋁電極的下方形成晶體管等 的布線或電路，則會損壞布線或電路。將描述專利文獻4中示出的使用硅晶須的垂直探針的問題。垂直探針具有其中 用引腳來制作與電極相接觸的結(jié)構(gòu)，該引腳是電鍍的針狀單硅晶體并且具有如下的機構(gòu)， 其中，在垂直于半導體器件電極的方向上執(zhí)行探測并且通過制造大部分彎曲變形來實現(xiàn)接 觸。因此，接觸痕跡能夠保持得非常小，但是由于接觸壓力小，垂直探針具有相對于例如鋁 或銅的表面氧化物膜材料高接觸電阻并且變得不穩(wěn)定，尤其使得難以實現(xiàn)相對于信號引腳 的良好接觸。雖然可以生長晶須，但是需要在表面上形成導電金屬膜，由于電鍍應(yīng)力和內(nèi)部應(yīng) 力或在探針引腳的遠端處調(diào)整工作中的損壞，這將難以執(zhí)行到微小引腳上的電鍍，還將難 以確保與精細間距相對應(yīng)的位置精度。此外，不可以選擇適于最常用鋁電極的材料。通常使用鍍金膜的材料，但這存在耐 久性的問題。另外，由于引腳直徑極小，所以存在其中當應(yīng)用過驅(qū)動時，由于引腳強度不夠 而會使該引腳損壞的問題。還可利用共同使用MEMS技術(shù)在晶片上形成探針的技術(shù)，但是如 同在硅晶須的情況下一樣，需要將金屬電鍍應(yīng)用到表面上，由于使用了 MEMS技術(shù)，這將導 致耐久性的問題并涉及高制造成本。接下來，將描述非接觸方式的問題。專利文獻5和專利文獻6兩者中公開的發(fā)明 屬于非接觸類型，并因此具有能夠消除半導體器件電極上的接觸痕跡的優(yōu)勢，但是存在電 源的問題。無線供電在傳輸效率方面效率極低，期望的電力傳輸需要形成大線圈，并且需要 確保芯片內(nèi)部的面積，這將增加芯片尺寸并增加成本。相反，專利文獻8中描述的發(fā)明是結(jié)合接觸方式和非接觸方式的探針卡。在這里， 使用探針卡能提供足夠的電力，該探針卡包括用于提供電力的接觸型探針單元和用于進行 檢測的LSI設(shè)備，該LSI設(shè)備通過連接到中間板的電容性耦合來執(zhí)行非接觸型信號傳輸。在這里，需要設(shè)計用于進行檢測的LSI設(shè)備和電源單元的探針引腳，以便使它們 不相互干擾，在芯片內(nèi)部需要確定一區(qū)域并且期望進一步改善芯片尺寸和成本。另外，雖然 電源單元和用于進行檢測的LSI設(shè)備提供有硅貫通孔電極并且由此安裝在中間板上，但是 將存在其中硅貫通孔電極需要高成本及導致低良率的問題。另外，探針卡采用電容性耦合，雖然金屬電極屬于非接觸型，但是包括電介質(zhì)層的電極之間的距離需要保持一致。由于這個原因，在中間板上的平行高精度處理和安裝需要 適當?shù)乇Ａ籼结樢_的接觸位置和用于進行檢測的LSI設(shè)備的接觸位置。另外，由于在檢 測步驟中需要縮短檢測時間，不可缺少的是同時測量半導體芯片的數(shù)目增加，但是由于采 用其中電源單元和用于檢測的LSI設(shè)備安裝在中間板的同一表面上的結(jié)構(gòu)，所以在結(jié)構(gòu)上 難以檢測相鄰的半導體芯片并且難以將探針卡應(yīng)用到晶片的批量檢測。本發(fā)明的目的在于提供一種半導體檢測設(shè)備和檢測方法，能夠改善在晶片檢測步 驟中同時測量的半導體芯片的數(shù)目或?qū)崿F(xiàn)晶片批量檢測，因此減少了檢測時間并改善了生 產(chǎn)率。本發(fā)明的另一目的在于提供一種用于具有精細間距的并設(shè)置有多個引腳電極的半導體芯片的半導體器件和檢測方法，以及被檢測半導體器件。根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測設(shè)備是一種用于檢測被檢測的LSI晶片的半導體檢測設(shè)備，其包括進行檢測用的LSI設(shè)備和電源接觸型探針引腳或電極，該LSI設(shè)備提供有傳輸 非接觸信號的電極，它以非接觸方式在被檢測的LSI晶片間傳輸信號和電力。根據(jù)本發(fā)明的被檢測半導體器件包括以非接觸方式傳輸信號或電力的非接觸信 號傳輸用電極，以及以通過接觸來傳輸信號或電力的接觸用電極。在將用于檢測的LSI晶片與用于進行檢測的LSI設(shè)備對準之后，使得用于檢測的 LSI和被檢測LSI靠近以至適于非接觸信號傳輸?shù)木嚯x，并且同時探針引腳或電極與用于 進行檢測的LSI設(shè)備的電源電極相接觸以提供電力。另外，用于檢測的LSI晶片和探針引腳夾住用于進行檢測的LSI設(shè)備，并且從其兩 面將電力和檢測信號提供到用于進行檢測的LSI設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測方法是用于檢測被檢測LSI晶片的半導體檢測方法，通 過用于進行檢測的LSI設(shè)備夾住被檢測LSI晶片，用于進行檢測的LSI設(shè)備提供有非接觸 信號傳輸用電極，其以非接觸方式向/從被檢測LSI晶片提供信號和電力，并且提供具有接 觸型探針引腳的探針卡，以使用用于進行檢測的LSI設(shè)備和探針引腳夾住被檢測LSI晶片， 并且將電力和檢測信號從LSI的兩個面提供到被檢測LSI。
圖1是示出半導體檢測設(shè)備的橫截面圖；圖2是示出該半導體檢測設(shè)備的橫截面圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測設(shè)備的第一示范性實施例的橫截面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測設(shè)備的第二示范性實施例的橫截面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測設(shè)備的第三示范性實施例的橫截面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測設(shè)備的第四示范性實施例的橫截面圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測設(shè)備的第五示范性實施例的橫截面圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測設(shè)備的第六示范性實施例的橫截面圖；圖9是示出從半導體檢測到封裝的工藝流程的工藝圖；圖10是示出本發(fā)明的從半導體檢測到封裝的工藝流程的工藝圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測方法的第一示范性實施例的橫截面圖；圖12是示出本發(fā)明的第七示范性實施例的構(gòu)造的橫截面圖；以及
圖13(a)是示出圖12中的被檢測LSI布置2001的頂視圖，圖13(b)是其主要部 分的放大橫截面圖。附圖標記說明101被檢測LSI (晶片)102非接觸信號傳輸用電極103接觸用電極104接觸用探針卡105探針引腳106用于檢測的LSI (晶片)107非接觸信號傳輸用探針卡108LSI 檢測器109吸著孔110吸著溝槽330硅貫通孔電極331絕緣涂層332中間板920切割環(huán)931切割帶
具體實施例方式接下來，參考附圖將詳細描述本發(fā)明的示范性實施例。在下面描述的示范性實施例中，使用在檢測時僅用于電源的專用布線為晶片中的 每個芯片提供電力。該專用布線以相當平衡的方式布置在晶片內(nèi)部以防止發(fā)生任何電壓降 等，并且來自外部的輸入被連接到用于電源的專用布線。當檢測完成并且將芯片分成獨立 的塊時，通過切割將用于電源的專用布線切斷。利用芯片中預(yù)先提供的和在分成單獨的塊 或引線接合等時使用的另一電源布線的連接，來封裝并操作分成單獨的塊的芯片。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的半導體檢測設(shè)備的第一示范性實施例的構(gòu)造的橫截面 圖。本示范性實施例由接觸用探針卡104、被檢測LSI晶片101、非接觸信號傳輸用探 針卡107和LSI檢測器108 (臺)組成。接觸用探針卡104提供有用于接觸的探針引腳105。被檢測LSI晶片101提供有接觸用電極103，其中非接觸信號傳輸用電極102接觸 探針引腳105。非接觸信號傳輸用探針卡107是用于進行檢測的LSI設(shè)備106和中間板132的組 合，并且用于進行檢測的LSI設(shè)備106安裝有用于檢測被檢測LSI晶片101的檢測電路。另 外，用于進行檢測的LSI設(shè)備106提供有非接觸信號傳輸用電極110，它以非接觸的方式向 /從被檢測LSI晶片101的非接觸信號傳輸用電極102執(zhí)行信號傳輸，并且還提供有將非接 觸信號傳輸用電極110的信號傳輸?shù)街虚g板132的凸塊116。中間板132在與凸塊116相 對應(yīng)的位置處提供有導體114。用于進行檢測的LSI設(shè)備106的周邊用樹脂117密封，并形成穿透中間板132、樹脂117和用于進行檢測的LSI設(shè)備106的吸著孔111。LSI檢測器108在與導體114相對應(yīng)的位置處提供有輸入端子112和輸出端子 113，并且提供有與吸著孔111相對應(yīng)的吸著孔109。具有非接觸信號傳輸用電路(未示出)和非接觸信號傳輸用電極110的用于檢測 的LSI 106，面向下安裝在中間板132上，以連同中間板132 —起構(gòu)成非接觸信號傳輸用探 針卡107，并經(jīng)由中間板132與LSI檢測器108電連接。非接觸信號傳輸用探針卡107與附著有接觸型探針引腳105的接觸用探針卡104 是分離的，并且與接觸用探針卡104相獨立。將接觸用探針卡104連接到檢測設(shè)備的加壓 頭(未示出)，并將探針引腳105連接到電源單元(未示出)。非接觸信號傳輸用探針卡107提供有在檢測時用于吸著并固定被檢測LSI 101的 吸著孔111，并且LSI檢測器108提供有與吸著孔111相連通的吸著孔109。利用適用于可見光的照相機(未示出)和適用于紅外線的照相機(未示出)，控制 被檢測LSI 101與用于檢測的LSI 106之間位置關(guān)系的控制設(shè)備(未示出)，識別與之相對 應(yīng)的被檢測LSI 101的非接觸信號傳輸用電極102與用于檢測的LSI 106的非接觸信號傳 輸用電極110之間的位置關(guān)系。另外，通過識別接觸用探針卡104的探針引腳105的針尖 的照相機(未示出)，來進一步識別該位置關(guān)系。因此，使用由三個照相機捕獲的視頻圖象 執(zhí)行對準，并將被檢測LSI 101吸著且固定到非接觸信號傳輸用探針卡107?？紤]在其內(nèi)信號能夠以非接觸方式傳輸?shù)耐ㄐ啪嚯x，處理被檢測LSI 101的背表 面并使其減薄。在完成吸著并固定被檢測LSI 101之后，通過檢測設(shè)備的加壓機構(gòu)和位置控制， 接觸用探針卡104相對于被檢測LSI 101下降，并且進一步使探針引腳105與被檢測LSI 101接觸。結(jié)果，用于檢測的LSI 106與接觸用探針卡104的探針引腳105相接觸，以便把 被檢測LSI 101的前表面和背表面夾在中間，并在這種情況下開始LSI檢測。當進行LSI檢測時，就通過探針引腳105將電力提供到被檢測LSI101，經(jīng)由輸入端 子112和導體115產(chǎn)生檢測信號，并經(jīng)由凸塊116通過用于檢測被檢測LSI的電路106產(chǎn) 生檢測信號，并經(jīng)由非接觸信號傳輸用電極110和102將檢測信號提供到被檢測LSI 101。 表示被檢測LSI 101相對于檢測信號的操作結(jié)果的信號經(jīng)由非接觸信號傳輸用電極102和 110、凸塊116和導體115從輸出端子113輸出，并且根據(jù)其內(nèi)容來檢測被檢測LSI 101的 操作情況。圖4是示出本發(fā)明的另一示范性實施例的構(gòu)造的橫截面圖。本示范性實施例由接觸用探針卡204、被檢測LSI 201、非接觸信號傳輸用探針卡 207和LSI檢測器208組成。接觸用探針卡204提供有用于接觸的探針引腳205。被檢測LSI晶片201提供有非接觸信號傳輸用電極202和與探針引腳205接觸的 接觸用電極203。非接觸信號傳輸用探針卡207是用于檢測的LSI 206和中間板232的組合，用于 檢測的LSI 206提供有非接觸信號傳輸用電極210，從而以非接觸的方式向/從被檢測LSI 201的非接觸信號傳輸用電極202傳輸信號，并且還提供有將非接觸信號傳輸用電極210的 信號傳輸?shù)街虚g板232的凸塊216。中間板232在與凸塊216相對應(yīng)的位置處提供有導體214。用于檢測的LSI 206的周邊用樹脂217密封，并且形成穿透中間板232、樹脂217和用 于檢測的LSI 206的吸著孔211。LSI檢測器208在與導體214相對應(yīng)的位置處提供有輸入端子212和輸出端子 213，并且提供有與吸著孔211相對應(yīng)的吸著孔209。具有非接觸信號傳輸用電路(未示出)和非接觸信號傳輸用電極210的用于進行 檢測的LSI設(shè)備206，面向下安裝在中間板232上，以由此連同中間板232 —起構(gòu)成非接觸 信號傳輸用探針卡207，并且經(jīng)由中間板232與LSI檢測器208電連接。非接觸信號傳輸用探針卡207與附著有接觸型探針引腳205的接觸用探針卡204 是分離的，并且與接觸用探針卡204相獨立。將接觸用探針卡204附著到檢測設(shè)備的加壓 頭(未示出)，并且探針引腳205與電源單元(未示出)相連接。非接觸信號傳輸用探針卡207提供有在檢測時用于吸著并固定被檢測LSI 201的 吸著孔211，并且LSI檢測器208提供有與吸著孔211相連通的吸著孔209。使用適用于可見光的照相機(未示出)和適用于紅外線的照相機(未示出)，控 制被檢測LSI晶片1201與用于進行檢測的LSI設(shè)備1206之間位置關(guān)系的控制設(shè)備(未示 出)，識別與之相對應(yīng)的被檢測LSI晶片1201的非接觸信號傳輸用電極202與用于進行檢 測的LSI設(shè)備1206的非接觸信號傳輸用電極210之間的位置關(guān)系。另外，還通過識別接觸 用探針卡204的探針引腳205的針尖的照相機(未示出)來確定位置關(guān)系。因此，使用由 三個照相機捕獲的視頻圖象來執(zhí)行對準，并且將被檢測LSI晶片1201吸著并固定到非接觸 信號傳輸用探針卡207?？紤]在其內(nèi)信號能夠以非接觸方式傳輸?shù)耐ㄐ啪嚯x，處理被檢測LSI晶片201的 背表面并使其減薄。在完成吸著并固定被檢測LSI晶片1201之后，通過檢測設(shè)備的加壓機構(gòu)和位置控 制，使接觸用探針卡204相對于用于進行檢測的LSI設(shè)備201下降，并且進一步使探針引腳 205與被檢測LSI晶片201接觸。結(jié)果，用于進行檢測的LSI設(shè)備1206與接觸用探針卡204 的探針引腳205相接觸，以便把被檢測LSI晶片101的前表面和背表面夾在中間，并在這種 情況下開始LSI檢測。如上所述構(gòu)造的本示范性實施例意圖檢測被檢測LSI晶片201，被檢測LSI晶片 201對應(yīng)于圖3中示范性實施例示出的耦合在一起的兩個被檢測LSI晶片101。用于進行 檢測的LSI設(shè)備206具有對應(yīng)于圖3中示出的與被檢測LSI晶片201 —樣地耦合在一起的 兩個用于進行檢測的LSI設(shè)備106的構(gòu)造，并且在檢測之后被檢測LSI晶片201將沿切割 線218被切斷。通常在晶片狀態(tài)下執(zhí)行檢測步驟，特別是同時要被測量的半導體芯片的數(shù)目越 多，檢測效率就越高并且所需的時間就越短，從而降低成本。本示范性實施例中示出的構(gòu)造 代表在晶片的前表面上用于檢測多個晶片或用于執(zhí)行批量檢測的構(gòu)造。如圖所示，使用垂直型探針引腳作為接觸用探針卡204的探針引腳205。這使得可 以增加同時被測量的半導體芯片的數(shù)目。與圖3示出的傾斜方向的接觸作比較，垂直型探 針引腳205可以具有更高的接觸電阻或可以具有更深的接觸痕跡。然而，在這里由于垂直 型探針引腳僅用于電源，因此沒有必要過多考慮接觸電阻的大小和變化，即使在下面的步 驟中存在由引線接合等引起的不穩(wěn)定狀態(tài)，其中多個電源本身并聯(lián)連接的冗余功能也不會
10產(chǎn)生任何故障。圖5是示出本發(fā)明的第三示范性實施例的構(gòu)造的橫截面圖。本示范性實施例通過提供有硅貫通孔電極330和絕緣涂層331的非接觸信號傳輸 用探針卡307來代替根據(jù)圖4中示出的第二示范性實施例的非接觸信號傳輸用探針卡207。 其余的構(gòu)造與圖4示出的示范性實施例的構(gòu)造相類似。當在不減小被檢測LSI晶片201的厚度的情況下對被檢測LSI晶片201進行檢測 時以及考慮到難以執(zhí)行非接觸信號傳輸?shù)那闆r下，本示范性實施例縮小了被檢測LSI晶片 201的非接觸信號傳輸用電極202與用于進行檢測的LSI設(shè)備206的非接觸信號傳輸用電 極220之間的距離，并且因此硅貫通孔電極330形成在用于進行檢測的LSI設(shè)備306中并 且面向上安裝。在這種情況下，考慮到由非接觸信號傳輸用電極202、布線等導致的用于進 行檢測的LSI設(shè)備306的表面的不平坦性，施加不會使吸著臺功能變差并且還使表面受到 保護的絕緣涂層331，且該表面被平坦化。當面向下安裝圖4示出的用于進行檢測的LSI設(shè)備206時，還可以為了保護表面 的目的來施加上面的絕緣涂層331。施加絕緣涂層331會急劇地改善耐久性。圖6是示出本發(fā)明的第四示范性實施例的構(gòu)造的橫截面圖。本示范性實施例將根據(jù)圖4示出的第二示范性實施例的LSI檢測器208附著到檢 測設(shè)備的加壓頭(未示出)，并且將接觸用探針卡204連接到電源單元(未示出)。因此， 在這里不提供對于非接觸信號傳輸用探針卡207和LSI檢測器208所提供的吸著孔209和 吸著孔211，而是接觸用探針卡204提供有吸著孔409。根據(jù)本示范性實施例的設(shè)備構(gòu)造，該構(gòu)造可以根據(jù)現(xiàn)有的探針卡或檢測器的環(huán)境 而適當?shù)馗淖?。然而，當接觸用探針卡204布置在臺(電源單元)側(cè)上時，探針引腳205通 常不從卡表面伸出，并優(yōu)選采用兩個臺的驅(qū)動機構(gòu)，使得被檢測LSI晶片201先被吸著，然 后再接觸，或者采用其中導孔被形成為與探針引腳205的位置對準、提供有板等的構(gòu)造。圖7是示出本發(fā)明的第五示范性實施例的主要部分構(gòu)造的圖。本示范性實施例為構(gòu)成非接觸信號傳輸用探針卡的用于進行檢測的LSI設(shè)備本 身提供吸著機構(gòu)。圖7(a)是用于檢測的LSI 506的頂視圖，并且圖7(b)是示出非接觸信 號傳輸用探針卡507的構(gòu)造的橫截面圖。使得用于進行檢測的LSI設(shè)備506在吸著臺處具有吸著功能的吸著溝槽510形成 在用于進行檢測的LSI設(shè)備506中。吸著溝槽510是使用諸如蝕刻的技術(shù)形成的溝槽，由 此對準、安裝被檢測LSI晶片(未示出)，之后使用真空泵夾住吸著溝槽510的端部，以便使 它不泄漏并被吸住。圖7 (b)中的凸塊516、樹脂517和中間板532與圖4中示出的凸塊216、樹脂217 和中間板232相類似，但是在本示范性實施例中由于用于進行檢測的LSI設(shè)備506本身提 供有吸著機構(gòu)，因此不需要圖4中的吸著孔211，并且可以利用與其相對應(yīng)的空間將檢測用 電路安裝在用于進行檢測的LSI設(shè)備506上。根據(jù)本示范性實施例的構(gòu)造，可以通過僅處 理用于檢測的LSI 506的表面、安裝更多檢測用電路，來獲得吸著功能，從而具有高檢測功 能。圖8是示出本發(fā)明的第六示范性實施例的主要部分構(gòu)造的圖。本示范性實施例示出非接觸信號傳輸用探針卡的另一吸著機構(gòu)。圖8(a)是用于檢測的LSI 606的頂視圖，并且圖8(b)是示出非接觸信號傳輸用探針卡607的結(jié)構(gòu)的橫截 面圖。本示范性實施例在進行用于檢測的LSI設(shè)備606中形成多個穿透的吸著孔609，在 中間板632上安裝用于進行檢測的LSI設(shè)備606，之后用樹脂617密封用于檢測的LSI 606 的周邊。中間板632提供有吸著孔611，并且通過排空吸著孔611執(zhí)行使用與吸著孔611相 連通的吸著孔609的真空吸著。迄今為止，該示范性實施例示出了通過真空吸著來固定被檢測LSI晶片的方法， 但也可以采用使用靜電卡盤或?qū)蚓苓叺臋C械夾具方式的方法。 下面將描述本發(fā)明的第七示范性實施例。當進行本發(fā)明所述的非接觸傳輸時，晶片的厚度需要足夠小，以進行有效率的傳 輸。這意味著，當在檢測前后傳送晶片時會使晶片的機械強度發(fā)生劣化和損壞。本示范性 實施例是用于防止這種損壞的技術(shù)，并且意圖通過減薄晶片、然后粘貼切割片來加強強度。圖9是示出作為比較示例的直到封裝裝配的一般步驟的流程圖，以及圖10是示出 根據(jù)本示范性實施例的直到封裝裝配的步驟的流程圖。在晶片中形成電路(步驟S701)，通過晶片檢測來檢測晶片(步驟S702)，使晶片 的背表面減薄(步驟S703)，然后執(zhí)行切割(步驟S704)。然后裝配該封裝(步驟S705)并 進行封裝檢測(步驟S706)。相反，根據(jù)本示范性實施例，如圖10所示，在晶片中形成電路(步驟S801)之后， 用帶保護晶片的電路表面并使其背表面減薄(步驟S802)。接下來，將晶片的電路表面?zhèn)鬏數(shù)搅硪粠В詣冸x保護帶，并且在這種情況下，使 用帶和用于切割的環(huán)來粘貼切割片(步驟S803)，使得可以容易地處理減薄的晶片。在這種 情況下，使用根據(jù)圖3到圖8示出的示范性實施例的半導體檢測設(shè)備來進行晶片檢測(步 驟S804)。接下來，執(zhí)行作為封裝裝配步驟的切割步驟(步驟S805)，并且以與步驟S804相 同的方式傳送晶片。之后，裝配該封裝(步驟S806)并執(zhí)行封裝檢測(步驟S807)。圖11是示出本示范性實施例的檢測狀態(tài)的圖。在圖11示出的構(gòu)造中，用于進行檢測的LSI設(shè)備206、非接觸信號傳輸用探針卡 207和LSI檢測器208與圖4中示出的那些相類似。構(gòu)造本示范性實施例，使得組成接觸用 探針卡904的探針引腳905傾斜設(shè)置，以便接觸被檢測LSI晶片901的接觸用電極903。被 檢測LSI晶片901與切割環(huán)920在一起粘貼到切割片921，并在那種情況下進行晶片檢測。處理被檢測LSI晶片以減小LSI晶片的厚度，能夠?qū)⒂捎诰N曲和機械強度減 小而在檢測步驟中造成的損壞抑制到最小，并且能夠縮短通信距離。圖12是示出本發(fā)明的第七示范性實施例的構(gòu)造的橫截面圖，圖13(a)是示出圖12 中被檢測LSI晶片2001的布置的頂視圖，并且圖13(b)是它的主要部分的放大橫截面圖。在下文中，將參考圖12和圖13來描述其構(gòu)造。在作為支撐體的Si晶片2007A中，本示范性實施例形成布線2006C，以相同的陣列 間距安裝與產(chǎn)品晶片對準的用于檢測的LSI芯片2006B，以用作非接觸信號傳輸用探針卡 2007。非接觸信號傳輸用探針卡2007安裝在探針卡基板2007B上，并且與LSI檢測器2008 相連接。非接觸信號傳輸用電極2002、接觸用電極2003和吸著孔2009以與圖3示出的非接觸信號傳輸用電極110、接觸用電極103和吸著孔111相同的方式操作。作為晶片的被檢測LSI晶片2001，在如圖13(a)示出的周邊上提供有電源芯片 2001A，所述電源芯片2001A提供有電源襯墊。在被檢測LSI晶片2001中將被檢測LSI芯片2001B的電源線共享為公用線。當非接觸信號傳輸用探針卡2007在執(zhí)行對準的同時下降到執(zhí)行非接觸檢測的位 置時，通過在非接觸信號傳輸用探針卡2007上安裝的加壓塊2006A，對布線線纜2100加壓， 經(jīng)由各向異性導電樹脂片2101，通過電源芯片2001A來按壓布線線纜2100，從而得到電連接。在加壓時，根據(jù)加壓塊2006A的厚度和安裝高度，加壓塊2006A能夠控制用于進行 檢測的LSI設(shè)備2006與被檢測LSI晶片2001之間的距離。另外，作為其他方式，也可以在非接觸信號傳輸用探針卡上安裝電源布線，并且通 過該布線對各向異性導電片加壓。當采用這種構(gòu)造時，可以在加壓時，通過預(yù)先調(diào)整布線的 安裝高度，來控制用于進行檢測的LSI設(shè)備與被檢測LSI晶片之間的距離。本示范性實施例的特征之一是當部分電源布線連接到用于進行檢測的LSI設(shè)備 時，本發(fā)明還可應(yīng)用于用于進行檢測的LSI設(shè)備的電力供給和信號傳輸。傳統(tǒng)地，使用多層 昂貴的基板作為探針卡基板，但如同本示范性實施例的情況，如果用于進行檢測的LSI設(shè) 備提供有使用檢測器來傳統(tǒng)地執(zhí)行的檢測判斷功能時，以及只要能夠提取檢測結(jié)果時，則 通過應(yīng)用驅(qū)動用于進行檢測的LSI設(shè)備和傳輸檢測結(jié)果的布線線纜，就能極度地減少用于 信號傳輸所需要弓I線的數(shù)目，并且實現(xiàn)急劇的成本降低。本示范性實施例的另一特征是提供用于電源的專用電極以對被檢測LSI晶片的 特定位置供給電力，能夠解決其中難以使用各向異性導電片的傳統(tǒng)問題。傳統(tǒng)地，當采用使 用插入的各向異性導電片的構(gòu)造時，可能的結(jié)果是通過在用于片的硅基樹脂中包含的硅氧 烷的影響，可以使導電片絕緣，并因此該片被布置成使得不制作直接接觸，而是被布置成經(jīng) 由諸如薄膜片的金屬突起來制作接觸。根據(jù)本示范性實施例，在產(chǎn)品晶片上提供的電源芯 片不被作為產(chǎn)品而運輸，并且在下一步驟將不再使用前面的電源芯片，因此不存在問題，并 且本示范性實施例提供具有低成本的構(gòu)造，并且其適于適合非接觸檢測的極小空間。在上述示范性實施例中描述了如下情形經(jīng)由探針引腳將電力提供到被檢測LSI 晶片，并且經(jīng)由用于進行檢測的LSI設(shè)備提供檢測信號，但是本發(fā)明不限制于此。可以將檢 測信號和電力中的一個或這兩者提供給探針弓I腳和用于進行檢測的LSI設(shè)備。在本發(fā)明中 重要的是，通過從被檢測LSI晶片的兩面供給電力和電信號，能夠緩和具有更精細間距和 許多引腳電極的半導體芯片上的空間限制，并且可以從兩面中的任一面提供需要為被檢測 LSI晶片的檢測提供的電力和該類型的檢測信號。另外，用于被檢測LSI晶片的電源的電極可以不同于產(chǎn)品LSI并且為了特定檢測 目的而形成。雖然可以減少每個晶片生產(chǎn)的LSI芯片的數(shù)目，但是有利的是，在接觸時產(chǎn)生 的由于電源或污染所造成的接觸痕跡不被弓丨入到產(chǎn)品中。如上述構(gòu)造的半導體檢測設(shè)備包括具有非接觸信號傳輸用電路和電極的用于進 行檢測的LSI設(shè)備，以及提供有接觸型探針引腳的探針卡，所述用于進行檢測的LSI設(shè)備和 所述探針卡被布置成相互分離并且相互獨立，從而能夠減小探針引腳的間距?？梢越?jīng)由探 針引腳制作用于電源的接觸，并且將該探針專有地附著到檢測所需的僅有的電極引腳，并且對于用于信號傳輸?shù)碾姌O引腳，使用非接觸信號傳輸，以由此在與用于制造半導體芯片的步驟相同的工藝中制造該設(shè)備，這有利于小型化。這減小了精細間距，其在制造彼此獨立 設(shè)置的接觸探針和非接觸探針中存在問題，因此增加了用于安裝接觸探針的空間，由此與 現(xiàn)有技術(shù)相比允許安裝更多的探針，使得可以在晶片狀態(tài)下的檢測期間，增加同時測量的 半導體芯片的數(shù)目，并且在檢測步驟中提高生產(chǎn)效率。為了該目的，提供一種構(gòu)造，使得用于進行檢測的LSI設(shè)備被安裝成與被檢測LSI 晶片相同的位置對準，為被檢測LSI晶片提供電源電極，為加壓提供制作接觸的探針或電 極，并且同時具有非接觸信號傳輸功能的用于進行檢測的LSI設(shè)備和被檢測LSI晶片可以 設(shè)置在其內(nèi)能傳輸信號的距離處。另外，從上和下與被檢測LSI晶片進行接觸的設(shè)備尤其是具有非接觸信號傳輸功 能的用于進行檢測的LSI設(shè)備，面向下安裝在檢測設(shè)備上，并且處理用于進行檢測的LSI設(shè) 備的背表面，以便吸著并支撐被檢測LSI，以由此用作臺。另外，假設(shè)構(gòu)造被設(shè)置成使得提供 有用于精確對準用于進行檢測的LSI設(shè)備的電極的識別單元、被檢測LSI晶片和探針卡，用 于進行檢測的LSI設(shè)備和探針卡的探針引腳將安裝在臺或加壓頭上，使得能夠以從被檢測 LSI晶片的前表面和背表面同時夾住被檢測LSI晶片的方式來進行接觸。另外，基于節(jié)省電力、減小間距或相鄰電極的干擾等觀點，由于在非接觸信號傳輸 中使通信距離盡可能短是有利的，所以硅貫通孔電極形成在進行檢測的LSI設(shè)備中并且能 夠面向上安裝。在這種情況下，當用于進行檢測的LSI設(shè)備作為臺時，經(jīng)受開槽處理的電路 表面的布線效率會降低，并因此提供多個吸著孔。同樣，可以使被檢測LSI晶片的背表面接地，并且可以將晶片本身減薄以減小通 信距離，以由此改善非接觸型信號傳輸?shù)男省Ｔ谶@種情況下，現(xiàn)有技術(shù)采用了將被檢測 LSI晶片處理為期望的厚度并且在檢測之后裝配封裝的步驟，但是當在晶片檢測步驟中使 晶片減薄時，晶片會彎曲或強度會變?nèi)?，以及在檢測步驟中會使LSI晶片破裂。由于這個 原因，在碾磨被檢測LSI晶片的背表面的步驟之后，執(zhí)行將該半導體晶片粘貼到切割片以 將半導體晶片切成各個塊以及附著環(huán)的步驟，粘貼到切割片的半導體晶片與檢測的LSI對 準，并且通過安裝有通過重量控制使探針引腳與被檢測LSI設(shè)備接觸的探針卡的加壓頭， 來使用用于檢測晶片的檢測方法，以及位置控制使得可以實現(xiàn)用于檢測步驟的厚度減小和 每次用于安裝的厚度減小，因此提高了生產(chǎn)效率，降低了成本并且通過將晶片粘貼到切割 片來進一步保護該晶片并改善可靠性。另外，通過限制到電源引腳的接觸，可以將接觸限制為最小必要接觸，并且能夠?qū)?在諸如引線接合的隨后裝配步驟中由接觸痕跡所造成的缺陷抑制到最小。另外，非接觸信號傳輸用探針卡安裝有用于檢測的LSI晶片，并且提供有用于吸 著的溝槽或用于吸著的孔，并且因此能提供實現(xiàn)高精度平坦性的半導體檢測設(shè)備。另外，當通過碾磨等使用于檢測的LSI晶片的背表面減薄，以改善非接觸信號傳 輸?shù)男盘杺鬏斕匦詴r，即使在厚度減小到適合最終產(chǎn)品的厚度之后執(zhí)行檢測，也可以提供 能夠保護晶片的檢測方法以便防止諸如晶片破損的缺陷。作為應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明的非接觸信號傳輸?shù)奶囟夹g(shù)，應(yīng)用通過電感器的電磁感 應(yīng)。根據(jù)使用電感器的非接觸信號傳輸，即使被檢測LSI晶片的最外部表面上沒有電感器， 也可以傳輸信號，并且有利的是，在沒有劣化LSI的設(shè)計中的自由度的情況下，例如，在布線或電極等的下面或中間，能夠布置LSI。當在被檢測LSI晶片的最外部表面上布置非接觸信號傳輸用電極時，也可以應(yīng)用使用電容器的電容性耦合。為了執(zhí)行引線接合或倒裝芯片接合，根據(jù)前述示范性實施例的非接觸信號傳輸用 電極被形成為與接觸用電極并聯(lián)(根據(jù)情況包括用于探針接觸的接觸用電極)。雖然并聯(lián) 連接，但如果非接觸信號傳輸用電極和接觸用電極同時作用，在LSI晶片檢測和封裝裝配 時(當產(chǎn)品完成時)會產(chǎn)生操作缺陷，并因此在非接觸信號傳輸用電極與接觸用電極之間 提供選擇器電路(功能)，使得兩個電極相互分開并且相互獨立地工作。另外，雖然示出了非接觸信號傳輸用電極和接觸用電極彼此鄰近的方式，但是還 可以在接觸用電極下方插入絕緣層和形成非接觸信號傳輸用電極。此外，在被檢測LSI晶片的內(nèi)部可以不必提供非接觸信號傳輸用電極和用于發(fā)送 /接收的電路，即，僅需要非接觸信號傳輸用電極和用于發(fā)送/接收的電路在進行晶片檢測 時作用，并因此可以在將LSI切成各個塊的預(yù)先提供的劃線上布置非接觸信號傳輸用電極 和用于發(fā)送/接收的電路。另外，從有效使用劃線的觀點，可以在劃線上設(shè)置用于與電源接觸的電極。結(jié)果， 當需要增加電力線時可以增加面積和布線密度。另外，雖然描述了對被檢測LSI晶片也提供非接觸信號傳輸用電極的情況，但是， 僅在用于進行檢測的LSI設(shè)備側(cè)上提供非接觸信號傳輸用電極的構(gòu)造也是可以的。這是因 為即使普通電極也能夠根據(jù)情況進行信號傳輸，而且在這種情況下，也不需要對被檢測LSI 晶片提供非接觸信號傳輸用電極。通過分離非接觸信號傳輸探針接觸與接觸型探針接觸以及從被檢測LSI晶片的 前表面和背表面同時進行LSI檢測，可以實現(xiàn)小型化以及探針和電極的多引腳方案，實現(xiàn) 低成本探針卡，并因此在檢測步驟中提供能夠急劇提高同時測量的半導體芯片的數(shù)目的半 導體檢測設(shè)備。迄今為止，參考示范性實施例描述了本申請的發(fā)明，但本申請的發(fā)明不限制于上 述示范性實施例。如同第一示范性實施例中示出的示例的情況，在本申請的發(fā)明的范圍內(nèi)， 可以對本申請的發(fā)明的構(gòu)造和細節(jié)進行本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解的各種改變。本申請要求了基于2007年9月28日提出的日本專利申請No. 2007-255170的優(yōu) 先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。
權(quán)利要求
一種半導體檢測設(shè)備，用于對被檢測LSI晶片進行檢測，該半導體檢測設(shè)備包括用于進行檢測的LSI設(shè)備，其包括非接觸信號傳輸用電極，所述非接觸信號傳輸用電極以非接觸方式向/從所述被檢測LSI晶片提供信號和電力；以及接觸型探針引腳或電極，其中，通過所述用于進行檢測的LSI設(shè)備和所述探針引腳或電極來提供電力和檢測信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體檢測設(shè)備，其中，所述接觸型電極由各向異性導電材料組成，并且具有可以通過附著到探針卡的加壓塊 來加壓的結(jié)構(gòu)，在所述探針卡上經(jīng)由布線安裝有所述用于進行檢測的LSI設(shè)備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體檢測設(shè)備，其中，采用在探針卡上安裝所述布線的結(jié)構(gòu)，并且所述布線允許經(jīng)由所述各向異性導電材料 來加壓。
4.一種半導體檢測設(shè)備，用于對被檢測LSI晶片進行檢測，所述半導體檢測設(shè)備包括 用于進行檢測的LSI設(shè)備，其包括非接觸信號傳輸用電極，所述非接觸信號傳輸用電極以非接觸方式向/從所述被檢測LSI晶片提供信號和電力；以及 探針卡，其包括接觸型探針引腳，其中，所述被檢測LSI晶片夾在所述用于進行檢測的LSI設(shè)備和所述探針引腳中間，并 且，通過所述用于進行檢測的LSI設(shè)備和所述探針引腳從所述被檢測LSI晶片的兩面給所 述被檢測LSI晶片提供電力和檢測信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體檢測設(shè)備，其中，在臺上安裝所述用于進行檢測的LSI設(shè)備或所述探針引腳中的任一個，另一個附著到 與所述臺相對的、被構(gòu)造成以便能夠調(diào)整與所述臺的距離的加壓頭，并且，在所述加壓頭移 動時，所述被檢測LSI晶片夾在所述用于進行檢測的LSI設(shè)備和所述探針引腳的中間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體檢測設(shè)備，其中，所述用于進行檢測的LSI設(shè)備面向下安裝在所述臺上并且具有固定所述被檢測LSI晶 片的功能。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體檢測設(shè)備，其中，硅貫通孔電極形成在所述用于進行檢測的LSI設(shè)備中，所述用于進行檢測的LSI設(shè)備 面向上安裝在所述臺上并且具有固定所述被檢測LSI晶片的功能。
8.根據(jù)權(quán)利要求4至7中任一項所述的半導體檢測設(shè)備，其中，所述探針引腳與用于將電力提供到所述被檢測LSI晶片的引腳相接觸。
9. 一種被檢測半導體器件，包括非接觸信號傳輸用電極，其以非接觸方式提供信號或電力；以及 接觸用電極，其通過接觸來傳輸信號和電力。
10. 一種被檢測半導體器件，包括 用作實際產(chǎn)品的半導體器件；以及電源半導體器件，設(shè)置成向外部提供電力，所述電源半導體器件的電源與所述半導體 器件共享。
11. 一種半導體檢測方法，用于對被檢測LSI晶片進行檢測，該半導體器件檢測方法包括使用用于進行檢測的LSI設(shè)備和探針卡夾住所述被檢測LSI晶片，所述用于進行檢測 的LSI設(shè)備包括非接觸信號傳輸用電極，所述非接觸信號傳輸用電極以非接觸方式向/從 所述被檢測LSI晶片提供信號和電力，所述探針卡包括接觸型探針引腳；以及通過所述用于進行檢測的LSI設(shè)備和所述探針引腳，從所述被檢測 LSI晶片的兩面給 所述被檢測LSI晶片提供電力和檢測信號。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠執(zhí)行批量檢測半導體晶片的半導體檢測設(shè)備。在半導體檢測設(shè)備中，分離地布置用于進行檢測的LSI設(shè)備和探針卡，用于進行檢測的LSI設(shè)備提供有非接觸信號傳輸用電路和電極，接觸型探針引腳附著到探針卡。半導體檢測設(shè)備提供有識別單元，所述識別單元用于精確對準用于進行檢測的LSI設(shè)備的電極、被檢測LSI晶片和探針引腳。用于進行檢測的LSI設(shè)備和探針卡的探針引腳安裝在臺上或加壓頭上，并且可以進行接觸，以同時從被檢測LSI晶片的前表面和背表面夾住被檢測LSI晶片。
文檔編號H01L21/66GK101809728SQ20088010949
公開日2010年8月18日 申請日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月28日
發(fā)明者中川源洋, 田子雅基 申請人:日本電氣株式會社