高性能小型化輻射探測(cè)器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種通訊裝置，具體為高性能小型化輻射探測(cè)器。
【背景技術(shù)】
[0002]輻射探測(cè)器的工作原理是當(dāng)粒子通過探測(cè)器時(shí)，探測(cè)器就吸收其一部或全部能量而產(chǎn)生電離或激發(fā)作用，如果粒子是帶電的，其電磁場(chǎng)與物質(zhì)中原子的軌道電子直接相互作用。輻射探測(cè)器就是用適當(dāng)?shù)奶綔y(cè)介質(zhì)作為與粒子作用的物質(zhì)，將粒子在探測(cè)介質(zhì)中產(chǎn)生的電離或激發(fā)，轉(zhuǎn)變?yōu)榭商綔y(cè)的電信號(hào)，經(jīng)過電子線路放大、處理，就可以進(jìn)行記錄和分析。
[0003]輻射探測(cè)器給出信息的方式，主要分為兩類:一類是粒子入射到探測(cè)器后，經(jīng)過一定的處置才給出為人們感官所能接受的信息。另一類探測(cè)器接收到入射粒子后，立即給出相應(yīng)的電信號(hào)，經(jīng)過電子線路放大、處理，就可以進(jìn)行記錄和分析，這第二類可稱之為電探測(cè)器，電探測(cè)器是應(yīng)用最廣泛的輻射探測(cè)器，這一類探測(cè)器的問世，導(dǎo)致了核電子學(xué)這一新的分支學(xué)科的出現(xiàn)和發(fā)展。
[0004]現(xiàn)有的輻射探測(cè)器主要還是延續(xù)使用氣體電離探測(cè)器、閃爍探測(cè)器。普遍存在探測(cè)精度不夠，探測(cè)能力小的缺點(diǎn)，特別是對(duì)有復(fù)雜結(jié)構(gòu)構(gòu)成的礦物質(zhì)資源無法滿足探測(cè)需求。此外現(xiàn)有的探測(cè)器的體積比較大，不適合常規(guī)使用，價(jià)格普遍偏高對(duì)市場(chǎng)推動(dòng)有阻礙。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]針對(duì)上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供高性能小型化輻射探測(cè)器，具體的技術(shù)方案為:
[0006]高性能小型化輻射探測(cè)器，包括外殼，外殼頂部有視窗，外殼內(nèi)安裝有圓片，圓片上安裝有一對(duì)P溝道增強(qiáng)型M0S場(chǎng)效應(yīng)管，圓片分別連接電阻、接線芯柱和探頭，探頭位于外殼底部外，外殼底部有下錮。
[0007]采用P溝道增強(qiáng)型M0S場(chǎng)效應(yīng)管，即叉指柵厚柵氧結(jié)構(gòu)P溝道增強(qiáng)型M0S場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，探測(cè)器具有較好的探測(cè)靈敏度。為了達(dá)到較高的探測(cè)靈敏度，該電路采用了大寬長比的柵極結(jié)構(gòu)，增大柵極的寬長比有助于減小應(yīng)用中實(shí)際測(cè)量物理量與閾值電壓的偏差。此夕卜，增大柵電極的寬長比也方便在固定偏置電流下需找到器件應(yīng)用中的零溫度系數(shù)點(diǎn)。
[0008]采用對(duì)稱性結(jié)構(gòu)，即在同一圓片上由一對(duì)結(jié)構(gòu)相同、性能對(duì)稱的P溝道增強(qiáng)型M0S場(chǎng)效應(yīng)管組成，這種對(duì)管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，使兩組器件的電參數(shù)及溫度系數(shù)和閥值電壓值均相似。
[0009]P溝道增強(qiáng)型M0S場(chǎng)效應(yīng)管在受到高能射線γ照射后，在柵二氧化硅層中產(chǎn)生電子空穴對(duì)，在正電場(chǎng)作用下，帶正電的空穴被靠近硅和二氧化硅的界面一側(cè)的二氧化硅空穴陷阱所俘獲，而產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)中的電子或者通過硅-鋁界面逸出，或者被二氧化硅電子陷阱所俘獲。由于Ρ溝道增強(qiáng)型M0S場(chǎng)效應(yīng)管的閾值電壓與輻照強(qiáng)度間存在對(duì)應(yīng)的線性變化關(guān)系，因而可使之用于制備便攜式輻射劑量儀。
[0010]采用大寬長比6微米鋁柵PM0S工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則，柵氧化層厚度為1微米，同時(shí)采用離子注入技術(shù)調(diào)整溝道雜質(zhì)濃度，將電路的輻射靈敏度調(diào)整至最大狀態(tài)。
[0011]本實(shí)用新型提供的高性能小型化輻射探測(cè)器，使輻射探測(cè)器的體積縮小至原來的20%,體積和重量明顯縮小，方便攜性，成本低。
【附圖說明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]結(jié)合【附圖說明】本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】。
[0014]如圖1所示，高性能小型化輻射探測(cè)器，包括外殼1，外殼1頂部有視窗2，外殼1內(nèi)安裝有圓片7，圓片7上安裝有一對(duì)P溝道增強(qiáng)型M0S場(chǎng)效應(yīng)管5，圓片7分別連接電阻3、接線芯柱4和探頭8，探頭8位于外殼1底部外，外殼1底部有下錮6。
[0015]P溝道增強(qiáng)型M0S場(chǎng)效應(yīng)管5采用大寬長比6微米鋁柵PM0S工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則，柵氧化層厚度為1微米，同時(shí)采用離子注入技術(shù)調(diào)整溝道雜質(zhì)濃度，將電路的輻射靈敏度調(diào)整至最大狀態(tài)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.高性能小型化輻射探測(cè)器，包括外殼(1)，外殼(1)頂部有視窗(2)，其特征在于:所述的外殼(1)內(nèi)安裝有圓片(7)，圓片(7)上安裝有一對(duì)P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管(5)，圓片(7)分別連接電阻(3)、接線芯柱(4)和探頭(8)，探頭(8)位于外殼(1)底部外，外殼(1)底部有下錮(6)。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種通訊裝置，具體為高性能小型化輻射探測(cè)器。高性能小型化輻射探測(cè)器，包括外殼，外殼頂部有視窗，外殼內(nèi)安裝有圓片，圓片上安裝有一對(duì)P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，圓片分別連接電阻、接線芯柱和探頭，探頭位于外殼底部外，外殼底部有下錮。本實(shí)用新型提供的高性能小型化輻射探測(cè)器，使輻射探測(cè)器的體積縮小至原來的20％，體積和重量明顯縮小，方便攜性，成本低。
【IPC分類】G01T1/24
【公開號(hào)】CN205103408
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520836528
【發(fā)明人】吳淮寧, 姚成貴, 卞晗
【申請(qǐng)人】南京希尼爾通信技術(shù)有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年10月27日