專利名稱：用于等離子體處理裝置的組合噴淋頭電極組件的清潔硬件套件的制作方法
用于等離子體處理裝置的組合噴淋頭電極組件的清
潔硬件糾
背景技術(shù)：
等離子體處理裝置通過(guò)4吏用包^^'J蝕、物理氣相沉積 (PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD )、離子注入和光阻除去等技術(shù)來(lái) 處理基片。用于等離子體處理的一種類型的等離子體處理裝置包括 包含上下電極的反應(yīng)室。在電極間建立電場(chǎng)以將處理氣體激勵(lì)到等 離子態(tài)以在該反應(yīng)室中處理基片。

發(fā)明內(nèi)容
依照本發(fā)明的 一個(gè)方面，l是供一種用于清潔用于等離子 體處理裝置的組合噴淋頭電極的裝置和方法。用于清潔等離子體反應(yīng)室的組合噴淋頭電極的清潔套 件，其中該組合噴淋頭電極包括粘著于鋁支承板的硅板，該套件包 含電極載臺(tái)，其支撐該組合噴淋頭電才及，該石圭^反朝上；處理支架， 其具有底部和多個(gè)嚙合該電極載臺(tái)并支撐該電才及載臺(tái)的支柱；固定 于該電極載臺(tái)的第 一側(cè)的第 一板和一個(gè)或多個(gè)固定構(gòu)件，該固定構(gòu) 件嚙合該鋁板以支撐該組合噴淋頭電極，該娃板露出以對(duì)其進(jìn)行清 潔；第二板，其固定于該電極載臺(tái)的該第一側(cè)以便該第一板位于該 第二板和該組合噴淋頭電極之間的空間，該第二板包括嚙合該電極 載臺(tái)的該第一側(cè)的密去于墊以及進(jìn)氣口 ，通過(guò)該進(jìn)氣口S夸氣體在一定 壓強(qiáng)下引入以^f吏其流入該鋁4反中的氣孑L并流出該石圭板中的相應(yīng)氣 孔，該第二^反允許在對(duì)該石圭才反的暴露表面的進(jìn)4亍酸清洗的過(guò)程中將氣體流過(guò)該氣孔；第三才反，其固定于該電才及載臺(tái)的第二側(cè)，該石圭才反 朝上，該第三板包括嚙合該電極載臺(tái)的密封墊和進(jìn)水口，通過(guò)該進(jìn) 水口將水在一 定壓強(qiáng)下引入，以使其流入該硅板中的氣孔并流出該 鋁板中的相應(yīng)氣孔，該第三才反允許^f氐壓水流過(guò)該氣孔以在清潔該石圭 表面之后用水漂洗該組合噴淋頭電極；干燥支架，其具有底部框架 和多個(gè)柱，該底部一匡架支撐該電極載臺(tái)和該組合噴、淋頭電才及以1"更可
-淋頭電才及；以及第四^反，其包括嚙合該底部4醫(yī)架的密封塾和進(jìn)氣口 ， 通過(guò)該進(jìn)氣口 3夸氣體在一定壓強(qiáng)下引入，以流入該石圭才反中的氣孔并 流出該鋁沖反中的相應(yīng)氣孔，該第四4反允許氣體在水漂洗步驟之后干 燥該組合噴'淋頭電才及。在另一個(gè)實(shí)施方式中，4是供一種^f吏用上述清潔套件清潔 等離子體處理裝置的組合噴'淋頭電4及組件的方法，該方法包括在電 極載臺(tái)中支撐該組合噴淋頭電極，在處理支架上放置該電極載臺(tái)， 固定該第一板，固定該第二板，將氣體引入該第二板中的該進(jìn)氣口， 同時(shí)對(duì)該硅板的暴露表面進(jìn)行酸清洗，移除該第一和第二板，固定 該第三板并將水Sl導(dǎo)通過(guò)該第三板中的進(jìn)水口以漂洗該氣孔，移除 該第三才反并將該電才及載臺(tái)》文在該底部4匡架上，乂人該組合噴'淋頭電招^ 移除該電極載臺(tái)，將第四板固定于該干燥支架的柱上，將氣體引入 該第四板中的該進(jìn)氣口以干燥該組合噴淋頭電極，移除該第四板， 并將該組合噴淋頭電極放入干燥箱中并支撐在該底部框架上。


圖1顯示了固定組合噴淋頭電極的電極載臺(tái)(electrode carrier)的一個(gè)實(shí)施方式。圖2A和2B顯示了該電才及載臺(tái)的另一個(gè)實(shí)施方式的詳細(xì)視圖。
圖3顯示了圖l中的該電才及載臺(tái)和電才及，具有處理支架 (treatment stand )的 一個(gè)實(shí)施方式。圖4顯示了將該電才及保持在該載臺(tái)上的星形^反(spider plate)的一個(gè)實(shí)施方式。圖5A和5B顯示了該星形^1的兩個(gè)詳細(xì)一見(jiàn)圖。圖6顯示了安裝在該電極載臺(tái)上的圖4中所示的該星形板
的纟田節(jié)。圖7顯示了圖1的該電極載臺(tái)，其中圖4的星形板背離該處 理支架和氮?dú)獯祾甙灏惭b。圖8顯示了圖7中的安裝在該星形4反上方的該電4及載臺(tái)上 的該p欠4s一反的細(xì)節(jié)。圖9顯示了圖3的該電才及載臺(tái)、電4及和處5里支架，該電極 載臺(tái)的星形板安裝側(cè)面對(duì)該處理支架和水漂洗才反的一個(gè)實(shí)施方式。圖IO顯示圖l的該電才及載臺(tái)和電才及以及干燥支架的一個(gè)
實(shí)施方式。圖11顯示了圖10所示的4九道支柱(rail supports)的詳細(xì)視圖。圖12顯示了被部分移除的圖10的該電極載臺(tái)和放在該干 燥支架的軌道支柱上的該電極。圖13顯示了安裝在圖12的該干燥支架上的電極上方的氮 氣p欠干—反(blow dry plate )的一個(gè)實(shí)施方式。
ii
具體實(shí)施例方式提供用于清潔硅電極組件表面的裝置，其控制或消除酸 處理、噴淋清洗、吹干、烘烤和裝袋過(guò)程中對(duì)電極組件粘合材料可 能的化學(xué)^f曼蝕并消除與纟寺清潔部件的直4妾處理4妾觸。該電才及組件可 能是新的、用過(guò)的或修復(fù)過(guò)的。還提供清潔硅電極組件的方法。在半導(dǎo)體基片的等離子體處理過(guò)程中，希望使由室的組 件引入該等離子體處理室的微粒的數(shù)量最少化。這種微粒(稱為"添 加物，，)可能沉積在該基片上并因而減少處理產(chǎn)量。等離子體處理室可以包括上電才及組件和面對(duì)該上電極組 件并具有下電極的基片支架。例如，該上電極可以是噴淋頭電極組 件。噴淋頭電極組件可能是微粒的來(lái)源。這種組件可以包括電極板 和固定于該電極板的支撐構(gòu)件，比如支承板。該電極板和支承板可 以具有氣體通道，處理氣體通過(guò)這些氣體通道被引入該等離子體處 理室中。例如，該支岸4反可以是由鋁制成的。例如，該電招^反可以 是由石圭制成的。該電才及氺反可以由粘著劑(比如彈性體(elastomeric ) 粘合材料)粘著于該支承才反。該電極板和/或該支承板可能是^f鼓粒的來(lái)源。在制造該電 極組件的過(guò)程中，該微:粒可能來(lái)自不同的來(lái)源。例如，該樣t?？赡?來(lái)自該鋁支承板的制造、該電極板和/或支承板的預(yù)粘著污染物、粘 著過(guò)程、操作和不足的清潔以及包裝。該微?？赡苁菬o(wú)機(jī)物(例如 石墨或金屬)或有才幾物?？刂萍呻娐分圃爝^(guò)程中半導(dǎo)體晶片表面上的微粒污染 物對(duì)于達(dá)成可靠的器件并獲得高成品率是必要的。微粒在晶片表面 上的存在可能局部破壞光刻和刻蝕步驟中該處的圖形轉(zhuǎn)換(pattern transfer)。結(jié)果，這些孩史?？赡軒?lái)包括門結(jié)構(gòu)、金屬間電介質(zhì)層或金屬互連線在內(nèi)的關(guān)鍵特征的缺陷，并導(dǎo)致集成電路元件的失靈
或故障。提供增強(qiáng)的清潔方法，其能夠顯著減少上電極組件(比 如噴淋頭電才及組件)上的孩i粒凄t量。該裝置的實(shí)施方式可用于清潔新的、使用過(guò)的或修復(fù)過(guò) 的支承4反和電才及組件。此處所述的"新的"支岸^反和電極組件沒(méi)有 用于在等離子體處理室中處理過(guò)半導(dǎo)體基片；"用過(guò)的"支承板和 電極組件用于在等離子體處理室中處理過(guò)支承才反和電才及組件；而 "修復(fù)過(guò)的，，支承板和電極組件用于在等離子體處理室中處理過(guò)半 導(dǎo)體基片，而且該電4及板^皮后續(xù)處理(例如拋光)過(guò)，以除去在等 離子體處理過(guò)程中在該硅電極板的底部表面(與等離子體接觸)上 形成的不想要的表面污染和/或表面結(jié)構(gòu)，例如黑硅，或不平整的表 面區(qū)域。根據(jù)情況，可以拋光該電極板的整個(gè)底部表面或該底部表 面的 一部分。石圭電招j反可以一t修復(fù)一次或多次。例如，該電才及組件的電招J反可以是由石圭(優(yōu)選地，單晶 硅)或碳化硅構(gòu)成的。該電極板通常是圓形的，直徑可以是例如200 毫米、300毫米或更大。該電極板可以有任何合適的厚度，比如從 約0.25英寸到約0.5英寸。例如，該支承板可以是由石墨或鋁構(gòu)成的。 該支承板通常是圓形的且其尺寸與該電極4反的形狀和尺寸相應(yīng)。該 電才及組件可以包4舌圍繞該內(nèi)部組合噴'淋頭電才及的外部電才及(比如外
部環(huán))和圍繞該支7f^反的外部支撐構(gòu)^牛(比如外部支撐環(huán))。此處
所述的套4?？捎糜谇鍧嵲搩?nèi)部組合噴淋頭電才及。在使用該電極組件運(yùn)行很多RF小時(shí)(用小時(shí)表示的時(shí) 間，在這些時(shí)間里使用射頻能量產(chǎn)生等離子體)之后，使用過(guò)的硅 電才及組件呈現(xiàn)出刻蝕速率的下降和刻蝕一致性的偏差?？涛g性能的下降來(lái)自該電極組件的硅表面的形態(tài)的改變以及該電極組件的硅 表面的污染物，兩者都是電介質(zhì)刻蝕處理的產(chǎn)物。
硅及其它的金屬污染。用酸溶液纟察拭可以從這種電極組件的硅表面 有爻文i也除去金屬的污染物，而不4吏該石圭表面褪色，這減少了損害電 極組件粘合材料的危險(xiǎn)。相應(yīng)地，通過(guò)清潔該電4及組件，處理窗的 刻蝕速率和刻蝕一致性可以被修復(fù)到可以接受的程度。電介質(zhì)刻個(gè)蟲(chóng)系纟充(例濁口Lam 2300 Exelan⑧和Lam Exelan HPT)可以包含包含出氣口的石圭噴、淋頭電才及組件。如在共同持有 的美國(guó)專利6，376,385中(其內(nèi)容通過(guò)參考并入此處)，用于等離子 體反應(yīng)室的電才及組件可以包括支承構(gòu)件(比如石墨支撐環(huán)或石墨支 撐構(gòu)件)、電極(比如具有一致厚度的圓盤形式的硅噴淋頭電極) 以及該支7K構(gòu)4牛和該電才及之間的彈性體關(guān)節(jié)(elastomeric joint )。該 彈性體關(guān)節(jié)允許該支岸義構(gòu)件和該電才及間的移動(dòng)以適應(yīng)該電才及組件 的溫度周期變化帶來(lái)的熱膨脹。該彈性體關(guān)節(jié)可以包括導(dǎo)電和/或?qū)?熱的填充劑(filler)且該彈性體可以是催化劑固化(catalyst-cured) 的聚合物，其在高溫下是穩(wěn)定的。例如，該彈性體粘合材料可以包 含硅聚合物和鋁合金粉狀填充劑。為了避免該電極組件的粘合材料 與酸溶液接觸(這可能損害該粘合材并+)，優(yōu)選地，用該S臾溶液擦 拭該使用過(guò)的電才及組件的硅表面。而且，電核j且件可以包含外部電4及環(huán)或外部電纟及構(gòu)件， 其圍繞內(nèi)部電4及并可選地由電介質(zhì)材料形成的環(huán)將其與內(nèi)部電極 隔離。該外部電^l構(gòu)件可用于擴(kuò)展該電才及以處理更大的晶片，比如 300毫米晶片。該外部電極構(gòu)件的娃表面可以包含平整表面和斜面 外緣。類似于該內(nèi)部電極，該外部電極構(gòu)件優(yōu)選地?fù)碛兄螛?gòu)件， 例如，該外部環(huán)可以包含電性接地的環(huán)，該外部電極構(gòu)件可以彈性 體粘著于該環(huán)。該內(nèi)部電極和/或外部電才及構(gòu)件的該支撐構(gòu)件可以有安裝孔，以安裝在電容耦合等離子體處理工具中。優(yōu)選i也，該內(nèi)部 電極和外部電極構(gòu)件兩者都由單晶硅構(gòu)成，以使得電極組件污染物 最少化。該外部電極構(gòu)件可以是由許多段組成的(例如，六個(gè)由單 晶硅制成的段)，以環(huán)形配置排列，每一段粘著(例如,彈性體粘 著)于一個(gè)支撐構(gòu)件。進(jìn)一步，該環(huán)形配置中相鄰的^a可以重疊， 在相鄰的^殳之間有空隙或關(guān)節(jié)。4吏用該電極組件運(yùn)轉(zhuǎn)4艮多RF小時(shí)之后，電介質(zhì)刻蝕工具 中使用的硅電極組件惡化，這部分是由于黑硅的形成。"黑硅"可 能在與等離子體接觸的硅表面上形成，因?yàn)樵诘入x子體處理操作中 該表面祐:沉積在該表面上的污染物孩史掩蔽(micro-masked )。受黑石圭 形成影響的具體的等離子體處理?xiàng)l件包括適中的RF功率下的高氮、 低氧以及CF濃度，如在低k通孔刻蝕過(guò)程中所用的。該孩i掩蔽表面 區(qū)域的尺寸可以在約10納米到約10微米之間。盡管不希望被任何特 定的理論束縛，黑硅在與等離子體接觸的硅電極表面形成據(jù)信是因 為在等離子體處理操作中該硅電極上沉積的非連續(xù)聚合物沉積的 結(jié)果。在刻蝕半導(dǎo)體基片上的電介質(zhì)材料(比如氧化石圭或低k 電介質(zhì)材料層)的主要的刻蝕步驟中，非連續(xù)聚合物沉積可以在4妄 觸等離子體的表面(例如硅上電極的底部表面)上形成。該聚合物 沉積物通常形成三維的、島形的形成物，其選擇性地^呆護(hù)下面的表 面免于#1刻蝕。 一旦形成類似針的形成物之后，聚合物沉積優(yōu)先在 針的末端形成，由此加快在后續(xù)基片的主要刻蝕步驟中該微掩蔽機(jī) 制和黑硅的蔓延。該微掩蔽表面區(qū)域(一個(gè)或多個(gè))中不一致的、 各向異性的刻蝕導(dǎo)致間隔4艮近的、類似于針或棒的特;f正在該表面上
形成。這些特征可能會(huì)阻止光/人該石圭表面的修飾過(guò)的區(qū)域上反射， 這導(dǎo)致那些區(qū)域有黑色的外觀。該類似于針的微特征間隔很近而且
長(zhǎng)度通常為約10納米(O.Ol微米)到約50,000納米(50微米)(且在有些情況下，可以長(zhǎng)達(dá)約l毫米甚至更長(zhǎng))，并且寬度通常為約10納 米到約50微米。被黑硅影響的電極組件的硅表面可以通過(guò)拋光來(lái)恢復(fù)。 在4旭光之前，可以預(yù)清潔該電才及組4牛以除去異物。這種予貞清潔可以 包括C02雪暴(snow blasting )，其包括將干冰薄片(例如，通過(guò)將 流體C02通過(guò)噴嘴膨"長(zhǎng)到大氣壓下，由此形成C02軟薄片)流導(dǎo)向 待處理表面，以便該薄片碰撞該基片上尺寸小于一微米的小微粒污 染物，然后通過(guò)升華進(jìn)行蒸發(fā)，從該表面上提起該污染物。然后， 該污染物和該C02氣體通常穿過(guò)過(guò)濾器，比如高效微粒空氣(HEPA ) 過(guò)濾器，在該處收集污染物并釋放氣體。合適的產(chǎn)生雪的裝置的一 個(gè)實(shí)施例是乂人Vatran Systems, Inc.(位于加利福尼亞的丘4i維斯》荅) 可以買到的Snow Gun-IITM。在拋光之前，可以 <吏用丙酮和/或異丙 醇清潔該電極組件。例如，可以將該電^l組件浸泡在丙酮中30分鐘， 并4察*汰以除去有才幾污點(diǎn)或沉積物。拋光包含使用具有適當(dāng)粗糙度的妙、輪在車床上研磨該電 極組件表面，以及使用另 一個(gè)砂輪將該電極組件表面拋光到期望的 光潔度(例如，8微英寸)。優(yōu)選地，在不斷的流水下拋光該硅表面， 以除去污垢并保持該電極組件濕潤(rùn)。添加水時(shí)，在拋光過(guò)程中可能 產(chǎn)生泥漿，要將其從該電極組件表面清潔掉?？梢允紫仁褂?ErgoSCRUBTM和ScrubDISK拋光該電極組件。拋光程序(也就是說(shuō)，程度。如果在該石圭電4及組件上) 見(jiàn)察到嚴(yán)重的凹陷或損害的話， 可以以例如140或160粒度(grit)的金剛石拋光片開(kāi)始拋光，直到實(shí) 現(xiàn)均勻的平整表面。后續(xù)拋光可以使用例如220、 280、 360、 800和 /或1350粒度的金剛石拋光片。如果在該桂電極組件上7見(jiàn)察到輕孩史的 凹陷或損害的話，可以以例如280粒度的金剛石拋光片開(kāi)始拋光，直到實(shí)現(xiàn)均勻的平整表面。后續(xù)拋光可以使用例如360、 800和/或 1350粒度的金剛石拋光片。在拋光過(guò)程中，該電極組件固定于一個(gè)轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)速優(yōu)選 為約40-160rpm。在拋光過(guò)禾呈中，優(yōu)選i也，施力口均勻而不強(qiáng)的力， 因?yàn)閺?qiáng)力可能損害該電極組件的硅表面或粘合區(qū)域。相應(yīng)地，根據(jù) 該電極組件凹陷或損害的程度，該拋光處理可能要花費(fèi)大量的時(shí) 間。在拋光過(guò)程中，優(yōu)選地，保持外部電極環(huán)或外部電極構(gòu)件的形 狀和角度(例如，該平整表面和該斜面外緣之間的界面)。為了使 被困在電極組件的出氣口內(nèi)部和關(guān)節(jié)中的微粒最少化，每當(dāng)換拋光 盤的時(shí)候，使用去離子水槍來(lái)從該出氣口和關(guān)節(jié)除去拋光過(guò)程中產(chǎn) 生的微粒，并使用UltraSOLV ScrubPADs除去來(lái)自該拋光盤的孩爻
^f立o拋光之后，優(yōu)選地，用去離子水漂洗并吹干該電極組件。 可以4吏用例如Surfscan系統(tǒng)等測(cè)量該電才及組件的表面相4造度。優(yōu)選 地，該電極組件的表面粗糙度是約8微英寸或更小。優(yōu)選地，將該電極組件浸入80。C的去離子水中1小時(shí)，以 使困在該電極組件的出氣口和關(guān)節(jié)中的微粒松動(dòng)。然后在約6(TC的 去離子7jc中超聲清潔該電極組件30分鐘，以從該電極組件的該表面 除去微:粒。在超聲清潔過(guò)程中可以將該電才及組件在超聲液槽中上下 移動(dòng)以幫助除去困 <主的凝:4立?？梢?-使用壓強(qiáng)小于或等于50psi的氮?dú)?去離子水4&清潔 該電極組件，包括出氣口和關(guān)節(jié)或安裝孔。需要特別的操作以避免 破壞或影響該電極組件的石墨支撐構(gòu)件，因?yàn)槭褂眠^(guò)的電極組件的 石墨表面可能有松散的表面結(jié)構(gòu)。例如，可以用潔凈紙、尼龍絲或 白線檢查從該電極組件的出氣口和關(guān)節(jié)除去微粒的質(zhì)量?？梢允褂?壓強(qiáng)小于或等于5 Opsi的氮?dú)?&干燥該電才及組件。
拋光之后，可以使用去離子水和異丙醇溶液(優(yōu)選地超 聲的)清潔該電才及組件以除去溶解的金屬雜質(zhì)，比如，例如，鈉鹽、 鉀鹽及其組合以及來(lái)自電極組件的聚合物沉積物。弱酸性或近似中 性的溶液(下面詳細(xì)描述)除去不可溶的金屬鹽，比如，例如，硅 酸4丐、銅氧化物、鋅氧化物、二氧化鈥及其組合。使用去離子水(優(yōu) 選為超聲波的)從該電極組件除去酸溶液。最后，優(yōu)選地，在最終 檢驗(yàn)和包裝之前使用過(guò)濾過(guò)的氮?dú)獯蹈稍撾姌O組件并用干燥箱烘 烤。用于除去硅表面金屬污染物的弱酸性或近似中性的溶液 可以包含0.01-5% NH4F+5-30% H2O2+0.01-10% HAc+0-5% NH4Ac+平衡超純凈去離子水。在另一個(gè)實(shí)施方式中，該弱酸性的 或近似中性的〉容液可以包含0.0l-2o/0NH4F+l0-20% H2O2+0.01 -5% HAc+0-5。/oNH4Ac+平4耔超純凈去離子水。還可以將添加劑(比如螯 合劑、乙二胺四乙酸(EDTA)和表面活性劑)添加到該清潔溶液 中以提高效率和化學(xué)反應(yīng)速率。氟化銨(NH4F )在酸溶液中水解產(chǎn)生氫氟酸和氫氧化銨。 氫氟酸幫助刻蝕該石圭表面。然而，在清潔彈性體粘著的石圭電才及組件 時(shí)不希望有過(guò)量的氫氟酸，因?yàn)闅浞峥梢詫?dǎo)致石圭聚合物的分解。 氨(通過(guò)與銨離子平衡的溶液提供)是一種優(yōu)秀的絡(luò)合劑，其與許 多過(guò)渡金屬(比如，例如銅和鐵)形成穩(wěn)定的絡(luò)合金屬離子。因此， 銨的存在幫助改善除去金屬的歲丈率。過(guò)氧化氫(H202)是一種強(qiáng)氧化劑，其不4又有助于除去 有機(jī)污染物，還有助于除去金屬污染物。作為氧化劑，過(guò)氧化氫可 以將過(guò)渡金屬氧化到更高的化學(xué)態(tài)以和氨形成可溶性復(fù)合物，如上 所述。進(jìn)一步，過(guò)氧化氫可以與許多金屬離子形成螯合復(fù)合物以改 善清潔效率。乙酸(HAc )和乙酸銨(NH4Ac )充當(dāng)將該溶液的pH值保持為弱酸性或近似中性。優(yōu)選地，超純凈去離子 水(UPW)具有大于l，8xl(f歐姆/厘米(18兆歐姆/厘米)的電阻率。為了進(jìn)一步減少該電才及組4牛的粘合才才^H皮酸溶液4匕學(xué)4曼 蝕的危險(xiǎn)，通過(guò)用該酸溶液4妄觸該電才及組件的》圭表面(^尤選:l也通過(guò) 擦拭)除去金屬雜質(zhì)，而不是將該電極組件浸泡在該酸溶液中。通 過(guò)積J又用該酸溶液4姿觸該電4及組件的石圭表面，以及利用可以在清潔 該硅表面時(shí)使得該電極組件的硅表面可以被朝下支撐住的清潔套 件，可以避免該酸:溶液與該支撐構(gòu)件或粘合區(qū)i或的偶然^接觸。在該 電極組件的硅表面被朝下支撐住的情況下，施加到該硅表面的過(guò)量 的酸溶液在乂人該石圭表面滴落后可以;陂收集起來(lái)，而不是流向該支撐 構(gòu)件或粘合區(qū)域。通過(guò)使氮?dú)?N2)通過(guò)該噴淋頭出氣口從該支承 板一側(cè)流向該電極板一側(cè)，最小化或消除通過(guò)毛細(xì)管作用沿該出氣 口向上移動(dòng)的酸，可以進(jìn)一步保護(hù)該支撐構(gòu)件和粘合區(qū)4或。避免該St容液與該支撐構(gòu)4?；蛘澈蠀^(qū)i4/f禺然4妾觸的其它 的測(cè)量包^^:在^f吏用壓縮氮?dú)?從該支撐構(gòu)件向下吹到該石圭表面) 擦拭之后干燥該電極組件，以及從該珪表面吹走任何殘余溶液。才察 拭之后，通過(guò)使用去離子水漂洗該電極組件，從該電極組件除去該 溶液。該清潔套件允許使用通過(guò)該出氣口從該石圭電4及一側(cè)到該支承 板一側(cè)的7jc沖洗該噴淋頭，以避免來(lái)自該支承板的污染物沉積在該
硅電極上。利用該清潔套件的一系列夾具和支架在氮?dú)?N2)下吹 干、烘烤并袋裝該復(fù)合電極組件，以消除多個(gè)污染源，完成相容的 和可控的部^f牛的處理并減少在處理過(guò)禾呈中損害部件的危險(xiǎn)。該清潔套件(尺寸與待清潔的電極組件相應(yīng))，具有支撐 該組合噴淋頭電極的電極載臺(tái)，避免了人直接接觸該待清潔電極。 如圖1所示，電極載臺(tái)100支撐組合噴淋頭電極170以進(jìn)行清潔。該 電極載臺(tái)100是大體平坦的，具有第一表面(側(cè)面)106和第二表面 (側(cè)面)107。該電才及載臺(tái)100包含兩個(gè)電才及載臺(tái)半塊(halves) 101、
19102,其大體上圍繞該復(fù)合電極170。通過(guò)用鎖定指旋螺絲(thumb screws) 120穿過(guò)向外延伸的凸起部122,將該電才及載臺(tái)半塊101結(jié)合 到電才及載臺(tái)半塊102。圖1顯示由該電4及載臺(tái)100支撐的該組合噴'淋 頭電才及170的該石圭電才及172側(cè)和該出氣口 174。該組合噴'淋頭電4及170的該鋁支7fa反側(cè)176 (參看圖3 )》文 在圖2A和圖2B中所示的向內(nèi)延伸的凸塊110上。該凸起部122中的一黃 向延伸的開(kāi)口124鎖定該指;5走螺絲120 (圖l)且圖2B顯示了螺紋開(kāi) 口126，其接收該指旋螺絲120以將兩個(gè)電極載臺(tái)半塊101、 102固定 起來(lái)。兩個(gè)相對(duì)的把手116允許手動(dòng)抬起該電才及載臺(tái)100。圖3顯示 了該組合噴淋頭電才及170的該鋁支7lU反側(cè)176;^丈在該向內(nèi)延伸的凸 i夾110上，且該電4及載臺(tái)100支4掌在f復(fù)處理支架200上。i亥酸處J里支 架200包含大體平坦的底部202和三個(gè)乂人該底部202纟從向延伸的4主 204。該電才及載臺(tái)100包^舌三個(gè)或更多的孑U03(例如，6個(gè)等3巨的孑L， 使得該載臺(tái)可以被定向在各種位置)以接收該柱204的末端206,由 此以穩(wěn)、定的方式可靠的固定該電才及載臺(tái)100。在一個(gè)實(shí)施方式中， 該電極載臺(tái)半塊IOI、 102可以是由耐酸的化學(xué)耐蝕材料(比如聚丙 烯)制成的，而該指旋螺絲120可以是由化學(xué)耐蝕材沖+ (比如聚醚 醚酮(PEEK))制成的。如圖4、 5A和5B所示，第一板300 (星形板)包括四個(gè)凸 緣302和四個(gè)指旋螺絲304。在該電極載臺(tái)100的第一表面106的內(nèi)周 上有四個(gè)縱向延伸的狹槽112以*接收該第一^反300上的凸纟彖302。環(huán) 形凹溝114乂人該》從向延伸的3夾槽112環(huán)形延伸且當(dāng)該第 一々反300相對(duì) 于該電4及載臺(tái)100旋轉(zhuǎn)時(shí)，該凸緣302在該凹溝114中滑動(dòng)。通過(guò)將 該凸》彖302^走入該凹溝114而4巴該第 一斗反300安裝在該電才及載臺(tái)100 上之后，可以將該第一板300上的指旋螺絲304螺入該組合噴淋頭電 極170的該鋁板176的螺紋開(kāi)口180中。圖6顯示了固定于該鋁板176 的該第一^反300的詳細(xì)一見(jiàn)圖，該鋁4反固定于該電才及載臺(tái)100 。在該組合噴淋頭電極170固定于該電極載臺(tái)IOO的情況下，該電極載臺(tái)100 可以通過(guò)該4巴手116乂人該酸處理支架200手動(dòng)才是起，并翻過(guò)來(lái)以<更該 組合噴、淋頭電4及170的該石圭電4及表面172朝下，并在該酸處理支架 200上#1替換，其中柱的末端206插入該電極載臺(tái)孑U03。如圖7所示，該酸處理支柱204上的該電極載臺(tái)IOO允許該 電極組件172的硅表面(參看圖l)被朝下支撐以通過(guò)手工擦拭來(lái)進(jìn) 行酸清潔。圖7顯示了第二板400 (N2吹掃板)的安裝。該第二板400 固定于該電極載臺(tái)的第二表面107并用O形環(huán)密封墊(seal)(未示) 密封到該電極載臺(tái)的第 一表面106。該第二板400具有縱向延伸的鎖 定凸緣410，在該鎖定凸緣410的下部末端具有環(huán)形延伸的凸4侖表面 412。該鎖定凸緣410沿著縱向延伸的狹槽118在該電極載臺(tái)100的外 周上皇從向移動(dòng)。當(dāng)該第二外反400相對(duì)于該電才及載臺(tái)100凝:轉(zhuǎn)時(shí)，該凸 輪表面412嚙合該電極載臺(tái)的第二表面107并壓緊該密封墊。圖8顯 示了該第二板400的該鎖定凸緣410上的凸輪表面固定于該電極載 臺(tái)lOO并;f隻蓋該第一4反300的詳細(xì)#見(jiàn)圖。通過(guò)該第二^反400中的該進(jìn)氣口 402可以在一定壓強(qiáng)下引 入氮?dú)?N2)以4吏其流入該鋁才反176中的氣孔178并流出該石圭4反172 中的相應(yīng)的孑U74。 乂人而該第二一反400允許氣體在對(duì)該石圭才反的暴露表 面進(jìn)行酸清洗的過(guò)程中流過(guò)氣孔174、 178,防止酸滲入氣孔174、 178。在/人底部對(duì)該石圭4反172進(jìn)4亍一系列的酸清洗以及漂洗，同 時(shí)i吏N2流過(guò)該氣孑U74、 178之后，將該第二4反400移除且可以通過(guò) 該對(duì)巴手116一尋該電4及載臺(tái)IOO乂人該@臾處理支架200的該酸處J里支斗主 204手動(dòng)移除，翻轉(zhuǎn)以<更該組合噴、淋頭電4及170的該石圭電才及表面172 朝上，且在該酸處理支架200上凈皮替^，其中該片主的末端206^翁入該 電才及載臺(tái)的孔103 (或》文在具有大體平整的底部222的另一個(gè)處理支 架220的柱224的末端上)。然后將該第一板300移除且該組合噴淋頭電極170》文在向內(nèi)延伸的凸塊110 (圖2A和圖2B)上。如圖9所示， 該處理支柱224上的該電4及載臺(tái)IOO允許該電才及組件172的石圭表面一皮 朝上支撐以進(jìn)行漂洗。圖9顯示了第三板500 (水漂洗4反)的安裝。 第三板500固定于該電極載臺(tái)的第一表面106并用O形環(huán)密封墊(未 示)密封到該電極載臺(tái)的第二表面107。該第三板500具有縱向延伸 的鎖定凸鄉(xiāng)彖510，在該鎖定凸鄉(xiāng)彖510的下端具有環(huán)形延伸的凸l侖表面 512。該鎖定凸纟彖510沿著縱向延伸的狹槽118在該電極載臺(tái)100的外 周上縱向移動(dòng)。當(dāng)?shù)谌?反500相對(duì)于該電才及載臺(tái)100;5走轉(zhuǎn)時(shí)，該凸壽侖 表面512。齒合該電極載臺(tái)的第 一表面106并壓緊該密封墊。通過(guò)第三板500中的進(jìn)水口 502可以將水低壓引入以流入 該硅一反172中的氣孔174并流出該鋁才反176中相應(yīng)的孑U78。從而第三 板500允許在用水沖洗該硅板的清潔過(guò)的表面的過(guò)程中，水流過(guò)該 氣孑U74、 178，防止來(lái)自支承板176的樣i粒污染已清潔過(guò)的硅板172。 在水漂洗之后，可以爿夸第三^反500移除。圖10顯示了在被降低到干燥支架600上之前，電極170支 撐在該電極載臺(tái)100中，該硅板朝上。該干燥支架600包含底部框架 602、豎直的柱604、尺寸與該組合噴'淋頭電才及170相近的中心開(kāi)口 606，以及許多支7"R構(gòu)件612,其/人該底部才匡架602的上表面向上突 起以支撐該鋁^反176。該底部^反602可以包4舌4巴手608,以手動(dòng)才乘纟從 該干燥支架600。該支柱604和該電極載臺(tái)100配置為允許從該組合 噴-淋頭電才及170移除該電才及載臺(tái)IOO而不用手4妄觸該電才及IOO。如圖 ll所示，每個(gè)支承構(gòu)件612沿著線狀觸點(diǎn)614支撐該鋁板176以避免 該鋁板176積水并被水污染。該支承構(gòu)件612包括豎直的指616，以 防止該電核j反170向一側(cè)移動(dòng)。在一個(gè)實(shí)施方式中，該支7K構(gòu)件可 以是由化學(xué)耐蝕材料(比如PEEK )制成的。在通過(guò)該支^c構(gòu)件612支撐該鋁才反176的情況下，該電^L 載臺(tái)100的該第一和第二半塊101和102可以沖黃向移動(dòng)互相遠(yuǎn)離，并
22可以/人該組合噴'淋頭電才及170上拆卸下來(lái)。圖12顯示了該組合噴'淋 頭電極170支撐在該干燥支架600的該支承構(gòu)件612上，其中圍繞該 組合噴淋頭電極170的圓周的一半的一個(gè)電極載臺(tái)半塊101被移除。 如圖所示，另 一個(gè)電才及載臺(tái)半塊102在被移除之前圍繞該組合噴'淋 頭電才及170的圓周的另 一半。圖13顯示了在該電極載臺(tái)100被移除后，第四板700 (吹 干板)被密封于該組合噴淋頭電纟及170上方的該底部框架602。該干 燥支柱604在其末端有螺紋竿610。該第四板700包括具有開(kāi)口 706的 臂704。該開(kāi)口706沿著該4主604滑動(dòng)且手螺母(hand nut) 800嚙合 該螺纟丈竿610以將該臂704向下壓以將該第四^反700上的O形環(huán)密封 到該底部4匡架602。該第四^反700包^"進(jìn)氣口702?？梢酝ㄟ^(guò)該進(jìn)氣 口 702在一定壓強(qiáng)下引入氣體，以流入該石圭才反氣3U74并流出相應(yīng)的 鋁板氣孔178以及該組合噴淋頭電極170的圓周周圍，以用例如氮?dú)?(N2)吹干該電才及170。在該氣體吹干之后，可以將該第四板700移 除且支撐在該干燥支架600上的該組合噴淋頭電極170可以被放到 干燥箱中進(jìn)行烘烤。通過(guò)用手4妻觸該4巴手608，可以在烘烤之后將 該組合噴淋頭電纟及170從該干燥箱移除，冷卻并裝袋而不需要人直 4妄4妻觸該組合噴'淋頭電4及170?？梢?使用刮刀(spatula)將該組合噴 淋頭電極170乂人該干燥支架600傳送到袋子中。盡管本發(fā)明是結(jié)合其優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行描述的，然而對(duì) 本領(lǐng)域的才支術(shù)人員來(lái)i兌，應(yīng)當(dāng)理解，可以進(jìn)4亍沒(méi)有具體描述的添力口、 刪除、^務(wù)改和置換而不背離本發(fā)明在所附4又利要求中所限定的思想
和范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于清潔等離子體反應(yīng)室的組合噴淋頭電極的清潔套件，其中該組合噴淋頭電極包括粘著于鋁支承板的硅板，該套件包含電極載臺(tái)，其支撐該組合噴淋頭電極，該硅板朝上；處理支架，其具有底部和多個(gè)嚙合該電極載臺(tái)并支撐該電極載臺(tái)的支柱；固定于該電極載臺(tái)的第一側(cè)的第一板和一個(gè)或多個(gè)固定構(gòu)件，該固定構(gòu)件嚙合該鋁板以支撐該組合噴淋頭電極，該硅板露出以對(duì)其進(jìn)行清潔；第二板，其固定于該電極載臺(tái)的該第一側(cè)以便該第一板位于該第二板和該組合噴淋頭電極之間的空間，該第二板包括嚙合該電極載臺(tái)的該第一側(cè)的密封墊以及進(jìn)氣口，通過(guò)該進(jìn)氣口將氣體在一定壓強(qiáng)下引入以使其流入該鋁板中的氣孔并流出該硅板中的相應(yīng)氣孔，該第二板在對(duì)該硅板的暴露表面的進(jìn)行酸清洗的過(guò)程中允許氣體流過(guò)該氣孔；第三板，其固定于該電極載臺(tái)的第二側(cè)，該硅板朝上，該第三板包括嚙合該電極載臺(tái)的密封墊和進(jìn)水口，通過(guò)該進(jìn)水口將水在一定壓強(qiáng)下引入，以使其流入該硅板中的氣孔并流出該鋁板中的相應(yīng)氣孔，該第三板允許低壓水流過(guò)該氣孔以在清潔該硅表面之后用水漂洗該組合噴淋頭電極；干燥支架，其具有底部框架和多個(gè)柱，該底部框架支撐該電極載臺(tái)和該組合噴淋頭電極以便可以將該電極載臺(tái)從該組合噴淋頭電極移除而不用手接觸該組合噴淋頭電極；第四板，其包括嚙合該底部框架的密封墊和進(jìn)氣口，通過(guò)該進(jìn)氣口將氣體在一定壓強(qiáng)下引入，以流入該硅板中的氣孔并流出該鋁板中的相應(yīng)氣孔，該第四板允許氣體在水漂洗步驟之后干燥該組合噴淋頭電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的套件，其中該電極載臺(tái)包含由至少一個(gè) 緊固件固定起來(lái)的第一和第二部件，該第一和第二部件包括適 于圍繞該組合噴'淋頭電才及外側(cè)的內(nèi)周，以及一個(gè)或多個(gè)向內(nèi)延 伸的凸塊，其嚙合該鋁板的該暴露表面。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求2所述的套件，其中該第一部件包括向外延伸的 凸起部，在該凸起部中的4黃向延伸的開(kāi)口禾口支撐在該開(kāi)口中的 指旋螺絲，該第二部件包括向外延伸的具有螺紋開(kāi)口的凸起 部，該螺紋開(kāi)口接收該指旋螺絲以將該第一和第二部件固定起該電極載臺(tái)上支撐有該組合噴淋頭電極，該一個(gè)或多個(gè)凸塊包 含三個(gè)在第一部件上的凸塊和三個(gè)在該第二部件上的凸塊，該 處理支架包括三個(gè)柱，且該電極載臺(tái)在其每一側(cè)包括至少三個(gè) 孑L,該三個(gè)孑L配置為4妄JR該處理支架的該三個(gè)才主的末端。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的套件，其中該電極載臺(tái)在其內(nèi)周包括多 個(gè)《從向延伸的狹槽，該狹槽與環(huán)形延伸的凹溝連通，且該第一 板包括多個(gè)凸緣，該多個(gè)凸緣配置為在該狹槽內(nèi)縱向移動(dòng)并在 該第 一玲反相對(duì)于電才及載臺(tái)凝:轉(zhuǎn)時(shí)在該凹溝內(nèi)滑動(dòng)，該一個(gè)或多 個(gè)固定構(gòu)件包含指^走螺絲，其可以^皮螺入該鋁4反中的螺紋開(kāi) o 。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的套件，其中該第 一板包括四個(gè)凸緣和四個(gè)指旋螺絲。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的套件，其中該第二板包括多個(gè)縱向延伸 的鎖定凸緣，該鎖定凸緣在其下端具有環(huán)形延伸的凸輪表面， 該電極載臺(tái)在其外周上包括多個(gè)縱向延伸的狹槽，該鎖定凸緣 配置為沿著該狹槽縱向移動(dòng)，且該凸輪表面配置為當(dāng)該第二板相3于于該電4及載臺(tái)^走4爭(zhēng)時(shí)嚙合該電4及載臺(tái)的該第二側(cè)并壓緊該密封墊。
7. 4艮據(jù)權(quán)利要求6所述的套件，其中該第二4反在其相對(duì)兩側(cè)包括 向外突出的一對(duì)4巴手。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的套件，其中該第三板包括多個(gè)縱向延伸 的鎖定凸緣，該鎖定凸緣在其下端具有環(huán)形延伸的凸輪表面， 該電極載臺(tái)在其外周上包括多個(gè)^從向延伸的狹槽，該鎖定凸緣 配置為沿著該狹槽縱向移動(dòng)，且該凸輪表面配置為當(dāng)該第三板 相對(duì)于該電4及載臺(tái)旋轉(zhuǎn)時(shí)嚙合該電極載臺(tái)的該第 一側(cè)并壓緊 該密封墊。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的套件，其中該底部框架包括四個(gè)柱，該 柱在其末端有螺紋竿，且該第四板包括四個(gè)有開(kāi)口的臂，該臂 中的該開(kāi)口沿著該柱滑動(dòng)，該套件包4舌四個(gè)手螺母，其嚙合該 螺紋竿以便向下壓該臂以將該第四板密封到該底部框架。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的套件，其中該底部框架包括尺寸與該組 合噴淋頭電才及相近的中心開(kāi)口和多個(gè)支岸義構(gòu)件，該支撐構(gòu)件從 該底部才醫(yī)架的上表面向上纟從向延^f申以p齒合該鋁4反，該支4掌片主和 電極載臺(tái)配置為允許從該組合噴淋頭電極移除該電極載臺(tái)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的套件，其中該電極載臺(tái)包含第一和第 二部件，每個(gè)部件圍繞該組合噴、淋頭電才及的圓周的一半，當(dāng)該組合噴淋頭電4及支撐在該底部沖醫(yī)架上時(shí)，該第一和第二部件可以;晴向移動(dòng);f皮此遠(yuǎn)離并可以乂人該組合噴'淋頭電才及拆卸下來(lái)。
12.—種用于清潔等離子體反應(yīng)室的組合噴'淋頭電才及的方法，其中 該組合噴淋頭電極包括粘著于鋁支承板的硅板，該方法包含用電才及載臺(tái)支撐該組合噴'淋頭電才及，其中該電才及載臺(tái)支 撐該《且合噴'淋頭電4及，該石圭^反朝上；在處理支架上支撐該電才及載臺(tái)，該處理支架有底部和多 個(gè)支柱，該支柱嚙合該電才及載臺(tái)中的孔；將第 一板固定于該電才及載臺(tái)的第 一側(cè)并將一個(gè)或多個(gè)固 定構(gòu)件固定于該鋁才反以在該電極載臺(tái)中支撐該組合噴'淋頭電 才及，該石圭^反露出以對(duì)其進(jìn)行清潔；/人該處理支架移除該電4及載臺(tái)，翁34爭(zhēng)該電才及并3尋該電 載臺(tái)》文置在該處理支架上，該石圭4反朝下；將第二板固定于該電極載臺(tái)以便該第 一板位于該第二板 和該組合噴淋頭電極之間的空間中，該第二板包括嚙合該電極 載臺(tái)的第 一側(cè)的密封墊以及進(jìn)氣口 ，通過(guò)該進(jìn)氣口將氣體在一 定壓強(qiáng)下引入以4吏其流入該鋁一反中的氣孑L并流出該石圭々反中的 相應(yīng)氣孑L;將氣體源固定于該第二板中的該進(jìn)氣口，并在對(duì)該硅板 的該暴露表面進(jìn)行酸清洗的時(shí)候使氣體流過(guò)該氣孔；乂人該處理支架移除該電4及載臺(tái)，翻壽爭(zhēng)該電才及并將該電^L 載臺(tái)》文置在該處理支架上，該石圭々反朝上；移除該第 一和第二板并將第三板固定到該電極載臺(tái)的第 二側(cè)，該石圭一反朝上，該第三板包括嚙合該電極載臺(tái)的密封墊和 進(jìn)水口 ，通過(guò)該進(jìn)水口將水在一定壓強(qiáng)下引入以使水流入該硅 外反中的氣孔并流出該鋁板中的相應(yīng)氣孔；將水源固定于第三板的該進(jìn)水口并<吏水通過(guò)該氣孔以 <更在對(duì)該硅表面進(jìn)行酸清洗之后用水漂洗該組合噴'淋頭電才及；移除該第三板并將該電才及載臺(tái)》文在干燥支架的底部框架 上，該干燥支架有多個(gè)柱；從該組合噴淋頭電極移除該電極載臺(tái)而不用手接觸該電 極載臺(tái)；通過(guò)將第四才反滑過(guò)該柱并在該底部才匡架和該第四板之間 形成密封，將第四板固定于該干燥支架，該第四板包括進(jìn)氣口 ， 通過(guò)該進(jìn)氣口將氣體在 一 定壓強(qiáng)下引入以使其流入該硅板中 的氣孔并流出該鋁4反中的相應(yīng)氣孔；在水漂洗步驟以后，將氣體源固定于該第四4反的該進(jìn)氣 口并〗吏氣體p欠過(guò)該ia合噴'淋頭電才及以干燥該癥且合噴'淋頭電才及；移除該第四4反并將該組合噴淋頭電才及;改置在干燥箱中， 同時(shí)將該組合噴淋頭電極支撐在該干燥支架的該底部框架上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中通過(guò)用至少一個(gè)緊固件將 該電極載臺(tái)的第 一和第二部件固定起來(lái)將該電極載臺(tái)固定于 該組合噴、淋頭電才及，該第一和第二部4牛包4舌適于圍繞該組合噴 淋頭電極外側(cè)的內(nèi)周，以及一個(gè)或多個(gè)向內(nèi)延伸的凸塊，其嚙 合該鋁一反的該暴露表面。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中該第一部件包括向外突出 的凸起部，在該凸起部中橫向延伸的開(kāi)口和支撐在該開(kāi)口中的 指S走螺絲，該第二部件包括向外突出的里面有螺紋開(kāi)口的凸起 部，通過(guò)嚙合該指S走螺絲與該開(kāi)口以將該第一和第二部件固定 起來(lái)而固定該電才及載臺(tái)，該電才及載臺(tái)包^r相對(duì)的對(duì)巴手以允許手 動(dòng)抬起該電4及載臺(tái)，該癥且合噴、淋頭電4及支撐在該電才及載臺(tái)上，通過(guò)用該把手手動(dòng)抬起該電極載臺(tái)將該電極載臺(tái)放置在該處 理支架上。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中該電極載臺(tái)在其內(nèi)周上包 括多個(gè)縱向延伸的狹槽，該狹槽與環(huán)形延伸的凹溝連通，通過(guò) 縱向移動(dòng)該第 一板以將該第 一板上的多個(gè)凸緣插入該電極載 臺(tái)中的該狹槽中并旋轉(zhuǎn)該第 一板以將該凸緣上向外突出的凸 塊在該凹溝中滑動(dòng)而固定該第一^反，通過(guò)爿奪支撐在該第一4反上 的指^走螺絲^走轉(zhuǎn)入該鋁才反中的螺紋開(kāi)口中而將該第一^反固定 f i亥^呂4反。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中該第二板包括多個(gè)縱向延 伸的鎖定凸緣，該鎖定凸緣在其下端具有環(huán)形延伸的凸輪表 面，該電4及載臺(tái)在其外周上包括多個(gè)縱向延伸的狹槽，通過(guò)沿 著該狹槽縱向移動(dòng)該鎖定凸纟彖，并i走轉(zhuǎn)該第二才反以1更該凸4侖表 面嚙合該電極載臺(tái)的下側(cè)并壓緊該密封墊，而將該第二板固定 于該電才及載臺(tái)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中該第三板包括多個(gè)縱向延 伸的鎖定凸緣，該鎖定凸緣在其下端具有環(huán)形延伸的凸4侖表 面，該電極載臺(tái)在其外周上包括多個(gè)縱向延伸的狹槽，通過(guò)沿 著該狹槽縱向移動(dòng)該鎖定凸緣，并旋轉(zhuǎn)該第三板以便該凸輪表 面嚙合該電極載臺(tái)的下側(cè)并壓緊該密封墊，而將該第三板固定 于該電才及載臺(tái)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中該底部框架包括四個(gè)柱， 該柱在其末端有螺紋竿，且該第四纟反包4舌四個(gè)有開(kāi)口的臂，該 臂中的該開(kāi)口沿著該柱滑動(dòng)，通過(guò)旋轉(zhuǎn)與該螺紋竿嚙合的四個(gè) 手螺母，以-使向下壓該臂以將該第四板密封到該底部框架上而將該第四才反固定于該底部4匡架。
19. 4艮據(jù)4又利要求18所述的方法，其中該底部框架包4舌尺寸近似 于該組合噴淋頭電極的中心開(kāi)口和多個(gè)支承構(gòu)件，該支撐構(gòu)件 乂人該底部才匡架的上表面向上纟從向延伸并P齒合該石圭4反，通過(guò)拆卸 滑動(dòng)該電才及載臺(tái)的第一和第二部件和滑動(dòng)該第一和第二部件 遠(yuǎn)離該電才及載臺(tái)而移除該電才及載臺(tái)。
20. 才艮據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中該第一和第二部件4黃向移動(dòng)4皮此遠(yuǎn)離并乂人該組合噴'淋頭電才及拆卸下來(lái)，同時(shí)該組合噴-淋 頭電才及的該石圭4反支撐在該底部框架上。
全文摘要
清潔硅電極組件表面的裝置，其控制或消除對(duì)該電極組件粘合材料可能的化學(xué)侵蝕，并避免在酸處理、噴淋清洗、吹干、烘烤、裝袋過(guò)程中用手接觸待處理部件。該裝置的方面包括一個(gè)套件，該套件包括固定電極組件的電極載臺(tái)、允許接觸該電極組件的處理支架、將該電極組件夾持于該電極載臺(tái)的星形板、在該電極的酸清洗過(guò)程中向該電極組件的背側(cè)供應(yīng)氮?dú)獾牡獨(dú)獯祾甙?、將水供?yīng)到該電極正表面的水漂洗板、供應(yīng)氮?dú)庖愿稍镌撾姌O組件的吹干板以及在將干凈的電極組件裝袋之前的烘烤過(guò)程中支撐該電極組件的烘烤支架。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101632158SQ200880008159
公開(kāi)日2010年1月20日 申請(qǐng)日期2008年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月14日
發(fā)明者杰森·奧古斯蒂諾, 查爾斯·瑞星 申請(qǐng)人:朗姆研究公司