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  • 塑封體平封式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

    文檔序號(hào):6908981閱讀:167來源:國知局
    專利名稱:塑封體平封式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
    技術(shù)領(lǐng)域
    本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),主要用于半導(dǎo)體的四面無腳扁 平貼片式封裝。屬半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。
    (二)
    背景技術(shù)
    傳統(tǒng)的四面無腳扁平貼片式封裝采用的是在穿透式蝕刻好的整條框架 的基礎(chǔ)上進(jìn)行裝片、打線、包封等半導(dǎo)體封裝方法。這種在穿透式蝕刻好 的整條框架基礎(chǔ)上進(jìn)行的半導(dǎo)體封裝主要存在以下不足因?yàn)榭蚣苁谴┩?式蝕刻過的,增加了材料成本。
    (三) 發(fā)明內(nèi)容
    本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足,提供一種材料成本較低的功能 引腳和芯片承載底座平裝式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。
    本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的 一種塑封體平封式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu), 包括功能引腳和芯片承載底座,所述功能引腳和芯片承載底座呈一個(gè)個(gè)單 獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu),所述功能引腳和芯片承載底座的正、背兩面均鍍有金屬層, 在所述鍍有金屬層的芯片承載底座上植入有芯片,在所述芯片與功能引腳 之間打金屬線,在所述功能引腳、芯片承載底座、芯片和金屬線外包封塑 封體,并使所述功能引腳和芯片承載底座背面的金屬層與所述塑封體背面處于同一水平面上。
    本實(shí)用新型半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)的采用穿透式框架制成的半導(dǎo)體封 裝元器件相比,具有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型的功能引腳和芯片承載底座采 用預(yù)先形成一個(gè)個(gè)單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu)的方式,極大地提高了金屬材料的利用 率,減少了整體框架成型時(shí)廢料的產(chǎn)生,進(jìn)而降低了材料成本。


    圖1為本實(shí)用新型塑封體平封式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
    圖中芯片l、金屬層2、功能引腳3、芯片承載底座4、金屬線5、
    塑封體6。
    具體實(shí)施方式
    參見圖1,本實(shí)用新型涉及的塑封體平封式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),包括功
    能引腳3和芯片承載底座4,所述功能引腳3和芯片承載底座4呈一個(gè)個(gè) 單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu),所述功能引腳3和芯片承載底座4的正、背兩面均鍍有 金屬層2,在所述鍍有金屬層的芯片承載底座4上植入有芯片1,在所述芯 片1與功能引腳3之間打金屬線5,在所述功能引腳3、芯片承載底座4、 芯片1和金屬線5外包封塑封體6,并使所述功能引腳3和芯片承載底座4 背面的金屬層2與所述塑封體6背面處于同一水平面上。
    權(quán)利要求1、一種塑封體平封式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),包括功能引腳(3)和芯片承載底座(4),其特征在于所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)呈一個(gè)個(gè)單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu),所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)的正、背兩面均鍍有金屬層(2),在所述鍍有金屬層的芯片承載底座(4)上植入有芯片(1),在所述芯片(1)與功能引腳(3)之間打金屬線(5),在所述功能引腳(3)、芯片承載底座(4)、芯片(1)和金屬線(5)外包封塑封體(6),并使所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)背面的金屬層(2)與所述塑封體(6)背面處于同一水平面上。
    專利摘要本實(shí)用新型涉及一種塑封體平封式半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),主要用于半導(dǎo)體的四面無腳扁平貼片式封裝。包括功能引腳(3)和芯片承載底座(4),其特征在于所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)呈一個(gè)個(gè)單獨(dú)的塊狀結(jié)構(gòu),所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)的正、背兩面均鍍有金屬層(2),在所述鍍有金屬層的芯片承載底座(4)上植入有芯片(1),在所述芯片(1)與功能引腳(3)之間打金屬線(5),在所述功能引腳(3)、芯片承載底座(4)、芯片(1)和金屬線(5)外包封塑封體(6),并使所述功能引腳(3)和芯片承載底座(4)背面的金屬層(2)與所述塑封體(6)背面處于同一水平面上。本實(shí)用新型封裝結(jié)構(gòu)材料成本較低。
    文檔編號(hào)H01L23/28GK201233889SQ20082003880
    公開日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2008年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月30日
    發(fā)明者于燮康, 梁志忠, 王新潮, 羅宏偉 申請(qǐng)人:江蘇長電科技股份有限公司
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