專(zhuān)利名稱(chēng)：多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電阻，尤其涉及一種多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻， 該多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻可與電子元件連接，在電子元件溫度過(guò)高燒 毀前便令電子元件斷電，達(dá)到保護(hù)電子元件的功效。
背景技術(shù)：
電子產(chǎn)品內(nèi)部電路板上具有電容、電子等元件。當(dāng)電子產(chǎn)品長(zhǎng)時(shí)間 通電運(yùn)作時(shí)，電路板因電流通過(guò)所產(chǎn)生的高溫可能會(huì)令電容或是電阻等 電子元件爆炸燒毀，更嚴(yán)重者則波及電路板上的其它電子元件。 然而，目前并沒(méi)有理想的防止電子元件過(guò)度升溫的機(jī)制。 故本創(chuàng)作人根據(jù)傳統(tǒng)電容或電阻等電子元件燒毀時(shí)波及其它電子元 件的缺點(diǎn)，改良其不足與缺點(diǎn)，進(jìn)而研制出一種多膜式高溫自動(dòng)斷電電 阻。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的主要技術(shù)問(wèn)題在于，克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上 述缺陷，而提供一種多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，當(dāng)與該多膜式高溫自動(dòng) 斷電電阻連接的鄰近電容或電阻等電子元件的溫度升高時(shí)，斷電電阻可 轉(zhuǎn)變?yōu)閹缀踅^緣的狀態(tài)以令鄰近的電子元件斷電，避免電子元件溫度持 續(xù)升高而燒毀。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
一種多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其特征在于，包括二端蓋，是以 金屬制造而分別設(shè)置在斷電電阻兩端上；數(shù)個(gè)包覆膜，是以金屬制造， 設(shè)置在陶瓷棒上而介于兩端蓋之間，該等包覆膜具有不同的熔點(diǎn)與電阻值。
前述的多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其中該等包覆膜是以同心圓方式 呈內(nèi)外相套設(shè)的配置狀態(tài)，較外側(cè)的包覆膜的熔點(diǎn)與電阻值均低于較內(nèi)側(cè)的包覆膜熔點(diǎn)與電阻值。前述的多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其中該等包覆膜為 一 內(nèi)部包覆膜 與一環(huán)繞在內(nèi)部包覆膜外側(cè)的外部包覆膜，內(nèi)部包覆膜是以鎳制造，外 部包覆膜以錫制造。前述的多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其中該等包覆膜是交替相間排列 圍繞于陶瓷棒周?chē)＝栌缮鲜黾夹g(shù)手段，多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻在平時(shí)可起導(dǎo)電作用， 并與相鄰的電阻或是電容等電子元件相連接， 一旦電子元件與斷電電阻 溫度異常升高，外部具低熔點(diǎn)低電阻值的包覆膜熔融斷開(kāi)，使得多膜式 高溫自動(dòng)斷電電阻電阻值大幅升高令電子元件斷電，以避免電子元件溫 度持續(xù)升高而爆炸的問(wèn)題，因此多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻提供一極佳的 安全性。


以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。 圖1是本實(shí)用新型側(cè)面局部剖視實(shí)施狀態(tài)圖。圖2是本實(shí)用新型放大側(cè)面局部剖視圖。圖3是本實(shí)用新型的操作示意圖。圖4是本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的端視圖。圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明10防爆外殼 30電子元件31接腳 40斷電電阻 41、 42包覆膜 42a金屬流體 43端蓋 45陶瓷棒50防爆填充材具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2，本實(shí)用新型多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40第一實(shí)施例具 有一陶瓷棒45、 二端蓋43及數(shù)個(gè)包覆膜41、 42。該等端蓋43是由金屬制造，分別設(shè)置在陶瓷棒45兩端。 該等包覆膜41、 42設(shè)置在陶瓷棒45上而介于兩端蓋43之間，可以不同金屬、金屬化合物或金屬混和物等材質(zhì)制造。在第一實(shí)施例中，該等包覆膜41、 42是以同心圓方式呈內(nèi)外相套設(shè)的配置狀態(tài)，較外側(cè)的包 覆膜42的熔點(diǎn)與電阻值均低于較內(nèi)側(cè)的包覆膜41熔點(diǎn)與電阻值，較佳 者，多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40包含一內(nèi)部包覆膜41與一環(huán)繞在內(nèi)部 包覆膜41外側(cè)的外部包覆膜42，內(nèi)部包覆膜41是以鎳制造，其熔點(diǎn)約 攝氏1450度，電阻約在500歐姆以上，外部包覆膜42以錫制造，其熔 點(diǎn)約在攝氏232度，電阻約在5歐姆，當(dāng)多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40維 持在可正常運(yùn)作的溫度下時(shí)，外側(cè)包覆膜42以低電阻的特性讓電流可順 利通過(guò)多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40，此時(shí)多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40僅 僅是作為導(dǎo)電用途而幾乎不改變電子元件30的電阻值。請(qǐng)進(jìn)一步參照?qǐng)D1，多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40可與一電子元件30 銜接，亦可與一防爆外殼10及一防爆填充材50相互組裝成為一模組。 該防爆外殼10是呈方形而中空，可為絕緣而堅(jiān)固的陶瓷材料，防爆外殼 IO內(nèi)形成有一容室，在防爆外殼10—側(cè)貫穿形成有二接腳孔，防爆外殼 10可阻絕容室內(nèi)因電阻爆炸產(chǎn)生的碎片向外飛散損毀周邊的電子元件。 該電子元件30，可為電阻或電容，且設(shè)置在防爆外殼10的容室內(nèi)，電子 元件30兩端分別延伸有一接腳31，該等接腳31分別穿出防爆外殼10的 接腳孔之外并可焊設(shè)于電路板上。多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40是設(shè)置在 其中一接腳31上，取代該接腳31的一特定區(qū)段，令該接腳31呈現(xiàn)兩斷 開(kāi)的分離區(qū)段，而該多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40則銜接于兩分離區(qū)段之 間。該防爆填充材50為絕緣材料，可為水泥，在電子元件30與多膜式 高溫自動(dòng)斷電電阻40設(shè)置于防爆外殼10容室后，灌入水泥待其硬化成 為防爆填充材50而填充于防爆外殼10的容室內(nèi)，以便固定電子元件30 與多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40，并且防止電子元件30爆炸時(shí)碎片向外擴(kuò) 散。請(qǐng)進(jìn)一步參照?qǐng)D3，當(dāng)電子元件30與多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40溫 度升高而令電子元件30有爆炸損毀的危險(xiǎn)時(shí)，多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻 40上熔點(diǎn)低的外部包覆膜42則率先熔化呈流體狀，此時(shí)由于流體狀態(tài)的 錫因內(nèi)聚力原理而斷開(kāi)成為兩分離的金屬流體42a，金屬流體42a分別聚往端蓋43處，此時(shí)多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40上的內(nèi)部包覆膜41擔(dān)負(fù) 起導(dǎo)電作用，而內(nèi)部包覆膜41具有高電阻，使得多膜式高溫自動(dòng)斷電電 阻40呈幾乎絕緣的狀態(tài)，令電子元件30呈現(xiàn)斷電狀態(tài)，借此避免電子 元件30爆炸而傷害鄰近電子元件的風(fēng)險(xiǎn)。根據(jù)本實(shí)用新型上述的使用方式，多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40的應(yīng) 用方法具有下列步驟1 .將一具有數(shù)個(gè)不伺金屬包覆膜41、 42的多膜式高溫自動(dòng)斷電電 阻40與一電子元件30連接，使電子元件30可與斷電電阻具有相同溫度， 其中一包覆膜42具有低熔點(diǎn)與低電阻值而有利導(dǎo)電，另一包覆膜41相 對(duì)前述包覆膜42具有高熔點(diǎn)與高電阻值而不利導(dǎo)電。2 .電子元件30與多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40升溫到超過(guò)一溫度 時(shí)，令具有低電阻值與低熔點(diǎn)的包覆膜42熔融斷開(kāi)，僅留具有高電阻值 與高熔點(diǎn)的包覆膜41而不利導(dǎo)電，造成電子元件斷電30。請(qǐng)參照?qǐng)D4，本實(shí)用新型第二實(shí)施例是大致與第一實(shí)施例相同，不同 之處在于第二實(shí)施例的包覆膜41、 42是交替相間排列圍繞于陶瓷棒45 周?chē)?。借由上述技術(shù)手段，多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40在平時(shí)可進(jìn)行導(dǎo)電 作用， 一旦電子元件30與多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻40溫度異常升高， 外部具低熔點(diǎn)低電阻
權(quán)利要求1.一種多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其特征在于，包括二端蓋，是以金屬制造而分別設(shè)置在斷電電阻兩端上；數(shù)個(gè)包覆膜，是以金屬制造，設(shè)置在陶瓷棒上而介于兩端蓋之間，該等包覆膜具有不同的熔點(diǎn)與電阻值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其特征在于: 所述該等包覆膜是以同心圓方式呈內(nèi)外相套設(shè)的配置狀態(tài)，較外側(cè)的包 覆膜的熔點(diǎn)與電阻值均低于較內(nèi)側(cè)的包覆膜熔點(diǎn)與電阻值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其特征在于: 所述該等包覆膜為一內(nèi)部包覆膜與一環(huán)繞在內(nèi)部包覆膜外側(cè)的外部包覆 膜，內(nèi)部包覆膜是以鎳制造，外部包覆膜以錫制造。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其特征在于 所述該等包覆膜是交替相間排列圍繞于陶瓷棒周?chē)?br> 專(zhuān)利摘要一種多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻，其包含有二端蓋，是以金屬制造而分別設(shè)置在斷電電阻兩端上；數(shù)個(gè)包覆膜，是以金屬制造，設(shè)置在陶瓷棒上而介于兩端蓋之間，該等包覆膜具有不同的熔點(diǎn)與電阻值。多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻在平時(shí)可作導(dǎo)電作用，并與相鄰的電子元件相連接，一旦電子元件與斷電電阻溫度異常升高，具低熔點(diǎn)低電阻值的包覆膜熔融斷開(kāi)，使得多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻電阻值大幅升高令電子元件斷電以避免電子元件溫度持續(xù)升高而爆炸的問(wèn)題，因此多膜式高溫自動(dòng)斷電電阻提供一極佳的安全性。
文檔編號(hào)H01C13/00GK201167007SQ20082000596
公開(kāi)日2008年12月17日 申請(qǐng)日期2008年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月6日
發(fā)明者郭幸世 申請(qǐng)人:幸亞電子工業(yè)股份有限公司