專利名稱：非揮發(fā)存儲器的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的非揮發(fā)存儲器的制備方法，特 別是涉及一種采用共蒸法經(jīng)高溫退火形成納米晶層的工序及與之兼容的制作柵電極和源、漏電極的工序最終完成三端增強型M0S納米晶浮柵型非揮 發(fā)存儲器的方法。
背景技術(shù)：
非揮發(fā)性存儲器的主要特點是在不加電的情況下也能夠長期保持存儲 的信息。它既有只讀存儲器(ROM)的特點，又有很高的存取速度，而且易 于擦除和重寫，功耗較小。隨著多媒體應(yīng)用、移動通信等對大容量、低功 耗存儲的需要，非揮發(fā)性存儲器，特別是閃速存儲器(Flash),所占半導(dǎo) 體器件的市場份額變得越來越大，也越來越成為一種相當(dāng)重要的存儲器類 型。傳統(tǒng)的Flash存儲器是采用多晶硅薄膜浮柵結(jié)構(gòu)的硅基非揮發(fā)存儲器， 其局限主要與器件隧穿介質(zhì)層(一般是氧化層)的厚度有關(guān) 一方面要求 隧穿介質(zhì)層比較薄，以實現(xiàn)快速有效的P/E操作，另一方面要求具備較好 的數(shù)據(jù)保持性能以保持電荷存儲十年以上。自1995年S.Tiwari首次提出 采用硅納米晶作為存儲節(jié)點的概念后，納米晶浮柵存儲器由于其突出的可 縮小性能、高可靠性、低壓低功耗操作等一系列優(yōu)點，引起了廣泛的研究興 趣。納米晶浮柵存儲器利用納米晶體作為電荷存儲介質(zhì)，每一個納米晶粒 與周圍晶粒絕緣且只存儲少量幾個電子，從而實現(xiàn)分立電荷存儲。分立電荷存儲的優(yōu)點是顯而易見的對于傳統(tǒng)的浮柵存儲結(jié)構(gòu)，隧穿介質(zhì)層上的 一個缺陷即會形成致命的放電通道；而分立電荷存儲可以降低此問題的危 害，隧穿介質(zhì)層上的缺陷只會造成局部納米晶上的電荷泄漏，這樣使電荷 保持更穩(wěn)定。納米晶存儲器存儲單元的狀態(tài)取決于存儲在納米晶上的電荷。
對P型襯底的納米晶存儲器而言，寫入時，電子從溝道反型層或者柵進入納米晶；擦除時，存儲在納米晶上的電子通過各種機制被釋放出納米晶;讀 出時，由于納米晶上有無電子會造成存儲器件閾值電壓Vth的變化，通過外圍電路的電流檢測可以判斷'o'和'r兩種狀態(tài)，從而實現(xiàn)存儲功能。而隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體器件的尺寸進一步按比例縮小， 傳統(tǒng)的二氧化硅柵氧化層厚度相應(yīng)減薄。這時電子的隧穿電流更趨明顯,成 為器件等比例縮小的一個限制性因素。因此傳統(tǒng)的二氧化硅介質(zhì)已經(jīng)無法 滿足半導(dǎo)體器件的要求，而需要尋找高性能的、與半導(dǎo)體制備工藝兼容的 高介電常數(shù)的絕緣柵介質(zhì)替代傳統(tǒng)的二氧化硅介質(zhì)，如二氧化鈦、二氧化 鉿、三氧化二鋁等。用高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料替代二氧化硅，可以通過增 加?xùn)沤橘|(zhì)層的物理厚度降低柵泄漏電流，改善器件性能。在這類納米晶浮柵存儲器的制作中，尺寸小、分布均勻、具有納米量 級的量子點的制作是一個關(guān)鍵。到目前為止，對于制造納米晶浮柵型非揮 發(fā)性存儲器的方法，有的隧道層采用氧化硅、氧化鋁、氧氮化硅、氧化鉭、 氧化鉿、氧化鋯等，浮柵采用包括金屬量子點在內(nèi)的材料?，F(xiàn)有的形成方法有申請?zhí)枮镃N200410056605.9的中國發(fā)明專利提供了一種"具納米晶體 或納米點之存儲單元〃，硅、鍺納米晶通過離子注入的方式形成。申請?zhí)枮?CN200310116438的中國發(fā)明專利提供了一種"制造帶有納米點的存儲器的 方法〃，通過多孔模板(通過氧化形成)掩蔽刻蝕電荷存儲層(Si、 Si3N4、 A1203)形成納米點，過程為先沉積模板層，接著氧化形成多孔模板，淀積 量子點材料，刻蝕并平坦化。上海中芯國際公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.) 采用低壓化學(xué)氣相沉禾只 (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)的方 去《導(dǎo)至lj量子點，過程為首先 在50(TC下淀積非摻雜非晶硅薄膜，接著通硅垸(SiH4)氣流并將溫度升高 至55(TC，然后在氮氣(N2)氛圍下高溫退火。然而這些方法都存在制造工 藝過程復(fù)雜、耗時，加工成本過高，難以大規(guī)模集成的缺點。有鑒于上述現(xiàn)有的非揮發(fā)存儲器的制備方法存在的缺陷，本發(fā)明人基 于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，積極加以研究 創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的非揮發(fā)存儲器的制備方法，使其更具有實用性
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的非揮發(fā)存儲器的制備方法存在的 缺陷，而提供一種新的非揮發(fā)存儲器的制備方法，所要解決的技術(shù)問題是 使制備工藝簡化，提高制造效率，提高納米晶層的穩(wěn)定性，從而更加適于 實用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價值。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，該方法包括A、 在半導(dǎo)體襯底上形成一層?xùn)叛趸瘜?；B、 采用電子束蒸發(fā)方式將硅粉末和二氧化鉿粉末的混合物蒸發(fā)至該柵 氧化層上，再經(jīng)高溫?zé)嵬嘶鹪谛纬杉{米晶浮柵層；C、 在納米晶浮柵層上形成柵電極；以及D、 進行源、漏區(qū)摻雜，并進行源、漏電極的形成工序。 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。 前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟A中所述半導(dǎo)體襯底為P型硅片或者絕緣體上硅。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟A中所述柵氧化層的材質(zhì)為二氧化硅，其厚度為5nm至20nm。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟A中采用干法熱氧 化方法形成所述的柵氧化層。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟B中所述硅粉末和 二氧化鉿粉末的重量比為1: 1. 5-2. 5。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟B中所述硅粉末和 二氧化鉿粉末的顆粒度為250-350目。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟B中所述的硅粉末 和二氧化鉿粉末的蒸發(fā)平均速度為1-2A/s。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟B中所述高溫?zé)嵬?火條件是溫度800-1200°C，時間40-80分鐘。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟C包括在納米晶浮 柵層上淀積多晶硅層；然后采用離子注入方法在該多晶硅層摻入雜質(zhì)磷;涂 覆光刻膠；曝光；以及干法刻蝕。 前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的曝光包括光學(xué)曝光方 法，用于制備大尺寸器件；或者電子束曝光法，用于制備小尺寸器件。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟D包括:形成源、漏 區(qū)窗口圖形光刻工序，包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方法和針對小尺寸 器件的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束抗蝕劑光刻膠，采 用離子注入方法摻入雜質(zhì)磷，離子注入過程已形成的多晶硅柵起掩蔽作用。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟D包括源、漏電 極接觸孔圖形光刻工序，包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方法和針對小尺 寸器件的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束抗蝕劑光刻膠， 刻蝕方法為濕法腐蝕。前述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其中所述的步驟D包括源、漏電 極圖形光刻工序，包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方法和針對小尺寸器件 的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束抗蝕劑光刻膠,源、漏 電極材料是金屬鋁，采用電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)或者濺射的方法得到，剝離 采用丙酮、乙醇、去離子水液體超聲方法。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。本發(fā)明非揮發(fā)存 儲器的制備方法至少具有下列優(yōu)點1、 利用本發(fā)明中通過采取共蒸法加高溫退火的方式得到納米晶層的方 法，并設(shè)計采用與增強型M0S器件制作工藝相兼容的流程，最終可完成三端增強型M0S納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲器的制作。2、 本發(fā)明提供的共蒸法易于在存儲器的制作中引入各類高介電常數(shù)的 材料作為柵介質(zhì)層，以提高器件性能。3本發(fā)明提供的共蒸法加高溫退火的方式是一種有效的形成納米晶的 加工手段，可以獲得性能穩(wěn)定的納米晶層，并能很好地控制納米晶中硅量 子點的顆粒大小。4、利用本發(fā)明提供的制備三端增強型MOS納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲器 的方法，大大簡化了制備工藝，降低了制備成本，提高了工藝穩(wěn)定性和制 備效率，非常有利于本發(fā)明的廣泛推廣和應(yīng)用。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例
并配合附圖詳細(xì)說明如后。


圖1為本發(fā)明提供的三端增強型M0S納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲器的制 備方法流程圖；圖2為在半導(dǎo)體襯底上形成一層?xùn)叛趸瘜邮疽鈭D；圖3為在柵氧化層上形成納米晶浮柵層的工序流程示意圖；圖4為在納米晶浮柵層上制作柵電極的工序流程示意圖；圖5為進行源、漏區(qū)摻雜及源、漏電極制作的工序流程示意圖。 圖6為采用納米晶結(jié)構(gòu)的C-V曲線圖。
具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的非揮發(fā)存儲器的制備 方法其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。如圖1所示，圖1為本發(fā)明提供的三端增強型M0S納米晶浮柵型非揮 發(fā)存儲器的制備方法流程圖，該方法包括以下步驟步驟101:在半導(dǎo)體襯底上形成一層?xùn)叛趸瘜樱徊襟E102:采用電子束蒸發(fā)方式將硅粉末和二氧化鉿粉末的混合物蒸發(fā) 至該氧化層上，再經(jīng)高溫?zé)嵬嘶鹦纬杉{米晶浮柵層，作為電荷存儲的節(jié)點； 步驟103:在納米晶浮柵層上執(zhí)行形成柵電極的工序； 步驟104:執(zhí)行形成源、漏區(qū)摻雜及源、漏電極的工序。 上述步驟101中所述半導(dǎo)體襯底為平整、潔凈的P型(100)晶向硅片， 或為絕緣體上硅SOI (Silicon-on-insulator)。柵氧化層由絕緣材料形成， 所述絕緣材料為二氧化硅，厚度為5rnn至20nm范圍，形成柵氧化層的方法 為干法熱氧化，以得到高質(zhì)量的致密氧化層。上述步驟102中所述硅粉末和二氧化鉿粉末的混合物的組成為重量比 為1 : 1. 5-2. 5，例如，分別為3. 0克和6. 0克，硅粉末和二氧化鉿粉末顆 粒度均為300目，蒸發(fā)平均速度為l-2A/s，所用設(shè)備為低溫真空電子束蒸 發(fā)裝置。所述高溫?zé)嵬嘶饤l件是溫度100(TC，時間60分鐘。 上述步驟103中所述柵電極由多晶硅制成，采用等離子體化學(xué)氣相沉 禾只(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 淀禾只多晶硅厚度為 500nm，采用離子注入方法摻入雜質(zhì)磷。多晶硅柵電極圖形光刻方法包括針 對大尺寸器件的光學(xué)曝光方法和針對小尺寸器件的電子束曝光方法，光刻 膠包括光學(xué)光刻膠和電子束抗蝕劑光刻膠，刻蝕方法為干法刻蝕。上述步驟104中所述源、漏區(qū)采用離子注入方法摻入雜質(zhì)磷，離子注 入過程己形成的多晶硅柵起掩蔽作用，使源、漏區(qū)邊界分別與多晶硅柵邊 界在平行于多晶硅柵的平面上恰好對齊，既不會深入柵下方形成交疊，也不 會與柵斷開造成斷路，即所謂的"多晶硅柵自對準(zhǔn)"。源、漏電極接觸孔 圖形光刻方法包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方法和針對小尺寸器件的電 子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束抗蝕劑光刻膠，刻蝕方法 為濕法腐蝕。源、漏電極圖形光刻方法包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方 法和針對小尺寸器件的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束 抗蝕劑光刻膠，源、漏電極材料是采用電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)或者濺射的方 法得到，采用金屬A1材料，厚度200nm，剝離采用丙酮、乙醇、去離子水 液體超聲方法。在本發(fā)明的一個實施例中，通過所述的工藝條件首先在半導(dǎo)體襯底上 形成形成一層?xùn)叛趸瘜樱缓蟛捎秒娮邮舭l(fā)方式將硅粉末和二氧化鉿粉 末的混合物蒸發(fā)至該氧化層上，經(jīng)高溫?zé)嵬嘶鹦纬杉{米晶，作為電荷存儲 的節(jié)點；接著在已經(jīng)制成的納米晶浮柵層上執(zhí)行形成柵電極的工序；最后 執(zhí)行形成源、漏區(qū)摻雜及源、漏電極的工序；這樣得到完整的三端增強型 M0S納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲器。圖2至圖5是用來說明本發(fā)明一個實施例的過程示意圖。 圖2是本實施例中在半導(dǎo)體襯底上形成一層?xùn)叛趸瘜拥倪^程。將平整、 潔凈的P型(100)晶向硅片在快速熱氧化爐中80(TC氧化4分鐘，生長致 密的氧化層。圖3是本實施例中在柵氧化層上制成納米晶層的過程。將硅粉末和二 氧化鉿粉末的劑量分別為3. 0克和6. 0克，顆粒度均為300目，蒸發(fā)平均 速度為lA/s，其所用設(shè)備為低溫真空電子束蒸發(fā)裝置。再經(jīng)高溫?zé)嵬嘶穑?其條件是溫度800-1200°C，較佳的為1000。C，時間40-80分鐘，較佳的為
60分鐘，從而形成納米晶浮柵層。圖4是本實施例中在納米晶浮柵層上執(zhí)行形成柵電極的過程。該過程 其包括如圖4-l所示，首先采用采用等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)方 法在納米晶浮柵層上淀積多晶硅，形成多晶硅層，其厚度為500nm。如圖 4-2所示，采用離子注入的方法在上述的多晶硅層中摻入雜質(zhì)磷，面密度為 3X107cm2，為了將摻入的雜質(zhì)激活，在95(TC下退火20秒。在柵極圖形 光刻工序中采用旋涂的方法涂敷5214光刻膠，時間1分鐘，轉(zhuǎn)速為3000 轉(zhuǎn)/分，這樣形成的光刻膠的厚度在1.3um左右。如圖4-3所示，采用光學(xué) 曝光方法確定器件的尺寸。如圖4-4，采用干法腐蝕的方法刻蝕至襯底表 面，完成柵電極的制作。圖5是本實施例中形成源、漏區(qū)摻雜及源、漏電極的過程。該過程包括如圖5-1所示，首先采用干法氧化的方法在襯底上生長10nm左右的氧 化層，防止源、漏區(qū)摻雜注入時襯底表面被破壞。如圖5-2所示，進行源、漏區(qū)圖形光刻工序，釆用AZ5214光刻膠，涂 敷厚度要求大于1.8um，以在離子注入過程中起到較好的掩蔽作用；源、漏 區(qū)采用離子注入方法摻入雜質(zhì)磷，面密度為3X107cm2，激活退火條件為 95(TC下退火20秒，離子注入過程已形成的多晶硅柵起掩蔽作用，實現(xiàn)"自 對準(zhǔn)"。在進行源、漏區(qū)圖形光刻工序中，針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方 法和針對小尺寸器件的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束 抗蝕劑光刻膠，采用離子注入方法摻入雜質(zhì)磷。如圖5-3，采用光刻工藝與濕法腐蝕工藝獲得源、漏電極接觸孔。源、 漏電極接觸孔圖形光刻工序，包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方法和針對 小尺寸器件的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束抗蝕劑光 刻膠，刻蝕方法為濕法腐蝕。如圖5-4，其中501為柵電極，502、 503分別為源、漏電極，源、漏 電極圖形光刻工藝中采用AZ5214光刻膠，源、漏電極材料是采用電子束蒸 發(fā)金屬Al獲得，厚度為200nm;金屬剝離采用丙酮、乙醇、去離子水液體 超聲方法，源、漏電極制作完成。該源、漏電極圖形光刻工序，包括針對 大尺寸器件的光學(xué)曝光方法和針對小尺寸器件的電子束曝光方法，光刻膠
包括光學(xué)光刻膠和電子束抗蝕劑光刻膠。由上述可知，在本發(fā)明的實施例中，通過采取共蒸法加高溫退火的方 式得到納米晶層的方法，獲得性能穩(wěn)定、顆粒大小可控的納米晶浮柵層，如圖6顯示了采用納米晶結(jié)構(gòu)的C-V曲線圖，可以看到形成了穩(wěn)定的窗口，然 后執(zhí)行形成柵極和源、漏電極的工序，最終完成三端增強型M0S納米晶浮 柵型非揮發(fā)存儲器的制作。本發(fā)明制備納米晶從需要的設(shè)備及原料上來說， 主要是采用了電子束蒸發(fā)設(shè)備，比采用低壓化學(xué)氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)、分子束夕卜延(Molecular Beam Epitaxy)、 原子層沉積(Atomic Layer D印osition)等方法的設(shè)備價格低，且不需要硅 烷等易燃、易爆或有毒性的氣體，所需的硅和氧化鉿粉末價格低廉；從制 備的工藝步驟上來說，本發(fā)明形成納米晶的過程步驟少，工藝簡單。這些 都大大降低了制備成本，從而提高了工藝穩(wěn)定性和制備效率，并且與傳統(tǒng) CMOS工藝兼容。而本發(fā)明中除了形成納米晶以外的其它工藝步驟均為CMOS 常規(guī)工藝，因而工藝成熟。所以總的來說本發(fā)明提供的三端增強型MOS納 米晶浮柵型非揮發(fā)存儲器的制備方法工藝過程簡單，制備成本低，有利于 大規(guī)模集成。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例 所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，該方法包括A、在半導(dǎo)體襯底上形成一層?xùn)叛趸瘜樱籅、采用電子束蒸發(fā)方式將硅粉末和二氧化鉿粉末的混合物蒸發(fā)至該柵氧化層上，再經(jīng)高溫?zé)嵬嘶鹪谛纬杉{米晶浮柵層；C、在納米晶浮柵層上形成柵電極；以及D、進行源、漏區(qū)摻雜，并進行源、漏電極的形成工序。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，步 驟A中所述半導(dǎo)體襯底為P型硅片或者絕緣體上硅。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，步 驟A中所述柵氧化層的材質(zhì)為二氧化硅，其厚度為5rnn至20nm。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，歩 驟A中采用干法熱氧化方法形成所述的柵氧化層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，步 驟B中所述硅粉末和二氧化鉿粉末的重量比為1: 1. 5 -2. 5。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，步 驟B中所述硅粉末和二氧化鉿粉末的顆粒度為250-350目。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，步 驟B中所述的硅粉末和二氧化鉿粉末的蒸發(fā)平均速度為l-2A/s。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端增強型MOS納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲器 的制備方法，其特征在于，步驟B中所述高溫?zé)嵬嘶饤l件是溫度800-1200°C ， 時間40-80分鐘。
9、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，步 驟C包括在納米晶浮柵層上淀積多晶硅層-，然后采用離子注入方法在該多晶硅層摻入雜質(zhì)磷；涂覆光刻膠；曝光；以及干法刻蝕。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于所述的曝光包括光學(xué)曝光方法，用于制備大尺寸器件；或者電子束曝光法，用于制備小尺寸器件。
11、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)存儲器的制備方法，其特征在于，所述步驟D包括形成源、漏區(qū)窗口圖形光刻工序，包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方 法和針對小尺寸器件的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束 抗蝕劑光刻膠，采用離子注入方法摻入雜質(zhì)磷，離子注入過程己形成的多 晶硅柵起掩蔽作用。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端增強型M0S納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲 器的制備方法，其特征在于，步驟D包括源、漏電極接觸孔圖形光刻工序，包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方 法和針對小尺寸器件的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束 抗蝕劑光刻膠，刻蝕方法為濕法腐蝕。
13、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的三端增強型M0S納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲 器的制備方法，其特征在于，步驟D包括源、漏電極圖形光刻工序，包括針對大尺寸器件的光學(xué)曝光方法和針 對小尺寸器件的電子束曝光方法，光刻膠包括光學(xué)光刻膠和電子束抗蝕劑 光刻膠，源、漏電極材料是金屬鋁，采用電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)或者濺射的 方法得到，剝離采用丙酮、乙醇、去離子水液體超聲方法。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種非揮發(fā)存儲器的制備方法，其包括以下步驟在半導(dǎo)體襯底上形成一層?xùn)叛趸瘜樱徊捎秒娮邮舭l(fā)方式將硅粉末和二氧化鉿粉末的混合物蒸發(fā)至該柵氧化層上，再經(jīng)高溫?zé)嵬嘶鹪谛纬杉{米晶浮柵層；在納米晶浮柵層上形成柵電極；以及進行源、漏區(qū)摻雜，并進行源、漏電極的形成工序。本發(fā)明提供的三端增強型MOS納米晶浮柵型非揮發(fā)存儲器的制備方法工藝過程簡單，制備成本低，有利于大規(guī)模集成。
文檔編號H01L21/28GK101399208SQ20081022334
公開日2009年4月1日 申請日期2008年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月26日
發(fā)明者明 劉, 朱晨昕, 李昊峰, 李維龍, 琴 王, 銳 賈, 晨 陳 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所