專利名稱：GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種白光發(fā)光二極管外延材料，特別涉及一種不需熒光粉轉(zhuǎn)換的白光GaN基單芯片發(fā)光二極管芯片用外延材料。
背景技術(shù)：
白光發(fā)光二極管作為白光光源具有發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、壽命長等諸多優(yōu)點，這些優(yōu)點決定了它將取代現(xiàn)有白光光源的趨勢。目前普遍認同的白光發(fā)光二極管的制作方法有以下三種(1)由三個單獨制作的或是單片集成的紅光、綠光和藍光發(fā)光二極管同時發(fā)光，從而混合得到白光，(2)由紫外或紫光發(fā)光二極管作為發(fā)光光源激發(fā)外層包裹的紅綠藍三色混合熒光粉，三色熒光粉所發(fā)光混合得到白光，(3)由藍光發(fā)光二極管作為發(fā)光光源，部分地激發(fā)外層包裹的黃光熒光粉發(fā)出黃光，內(nèi)部發(fā)光二極管所發(fā)藍光和激發(fā)熒光粉得到的黃光混合得到白光。
(2)是;j作比較簡單也最被看好的一種白光發(fā)光^極管制作方法，;但由于至今沒有找到合適的耐紫外輻照的封裝樹脂以及缺乏高效的紅色焚光粉，沒有得到普遍應(yīng)用；方法(3)是目前已經(jīng)商業(yè)化的一種白光發(fā)光二極管制作方法，同樣由于缺乏合適的紅光熒光粉而使白光發(fā)光二極管的發(fā)光品質(zhì)受到限制，由兩色光混合得到的白光光譜比較單一，發(fā)光色溫偏高且顯色指數(shù)偏低。方法(3)雖然已經(jīng)商品化且顯色指數(shù)和色溫經(jīng)過多年的探索已經(jīng)有了有效改善，但是其本質(zhì)是經(jīng)過熒光粉轉(zhuǎn)換的這個核心問題，也就是熒光粉把藍光轉(zhuǎn)換成黃光的過程中，勢必導(dǎo)致斯托克斯頻移造成了發(fā)光效率不高的問題，仍然制約著該方法的進一步發(fā)展。
在前本申請人申請了無熒光粉轉(zhuǎn)換的GaN白光發(fā)光二極管專利(專利申請?zhí)?00610065103.1 ),該專利通過采用InGaN應(yīng)力弛豫層作為量子阱發(fā)光層的應(yīng)力調(diào)制模板，使得在其上外延的InGaN量子阱中由于應(yīng)力模板的作用，增強In的偏析效應(yīng)而形成不同In組分或不同尺寸的InGaN量子點，這些量子點發(fā)出不同波長光(寬鐠發(fā)光)的混合實現(xiàn)白光發(fā)光。但
4是，該無熒光粉轉(zhuǎn)換的GaN基白光發(fā)光二極管還存在白光發(fā)光效率不夠高 的缺陷，以及還達不到實用化的要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于為了提高已有的無熒光粉轉(zhuǎn)換的單芯片白光發(fā)光 二極管的發(fā)光效率，從而提供一種通過采用弛豫的InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu) 代替現(xiàn)有的單層InGaN弛豫層的、GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材 料，該材料即可實現(xiàn)應(yīng)力調(diào)制，又可借助超晶格結(jié)構(gòu)特有的降低位錯的功 能，起到明顯降低弛豫層中的位錯，為后續(xù)外延的量子阱發(fā)光中心層提供 高質(zhì)量的應(yīng)力調(diào)制模板，從而可以有效地提高單芯片白光的發(fā)光效率。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的
本發(fā)明提供的一種GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料，包括一襯 底，和在所述的襯底上依次生長的初始生長層、本征GaN緩沖層、n型 GaN層、應(yīng)力弛豫層、InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層、p型AlGaN夾層和p型 GaN層；其特征在于所述的應(yīng)力弛豫層由交替生長的InGaN和GaN超 晶格組成，其中超晶格應(yīng)力調(diào)制層的厚度為10nm-3pm,所述的InGaN/GaN 層交替生長的周期為6- 500個周期；所述的InGaN層中的In組分介于1 %~35%范圍內(nèi)(詳細的結(jié)構(gòu)見圖1)，超晶格的應(yīng)力是弛豫的。
本發(fā)明提供的一種GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料，包括一襯 底，和在所述的襯底上依次生長的初始生長層、本征GaN緩沖層、n型 GaN層、應(yīng)力弛豫層、InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層、p型AlGaN夾層和p型 GaN層；其特征在于所述的應(yīng)力弛豫層為超晶格應(yīng)力調(diào)制層，該超晶格 應(yīng)力調(diào)制層由交替生長InxGa^N層和InyGai.yN層組成，其中超晶格應(yīng)力 調(diào)制層的厚度為10nm-3fim，所述的InxGa^N/IiiyGaLyN交替生長層的周期 為6-500;所述的InGaN的In組分x和y滿足x〉y，且x在1 % ~35 %范圍 內(nèi)調(diào)控，y在0 35。/。范圍內(nèi)調(diào)控，超晶格的應(yīng)力是弛豫的。
在上述的技術(shù)方案中，所述的InGaN/GaN超晶格弛豫層中的InGaN 為InxAlyGa^x-yN;
所述的InGaN/GaN超晶格弛豫層中的GaN為InyAlzGa^zN或 AlxGa"xN。
在上述的技術(shù)方案中，所述的襯底為藍寶石基片、SiC基片或硅基片； 所述的初始生長層為A1N層或者GaN層；其厚度20nm-2pm;
5所述的本征GaN層為GaN層、A1N層、AlGaN層、InGaN層、InAlN
其厚度50nm-2fim;
所述的n型GaN層為GaN層、A1N層、AlGaN層、InGaN層、InAlN層、InAlGaN層或者這幾種合金組合的n型歐姆接觸的接觸層；其厚度50nm-3|Lim;
所述的InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層為由勢壘層InyGai-yN和量子阱層InxGai-xN組成的發(fā)光二極管的有源層,其中y<x， 0.1<x<0.3, 0<y<0.15;所述量子阱層InxGai-xN由量子點和浸潤層組成或者由相分凝而產(chǎn)生的兩個不同組分的量子結(jié)構(gòu)組成；所述勢壘層IriyGai -yN和量子阱層ImGai -XN層的摻雜濃度為0 ~ 1 x 1018/cm3,勢壘層的厚度5 - 15nm,量子阱層厚度2-5nm;量子阱的周期數(shù)為1 ~ 20;
所述p型AlGaN夾層為AUGa"mN夾層，其中m為0-0.2;其厚度
所述p型GaN層為GaN層、InAlN層、AlGaN層、InAlGaN層或這幾種合金組合的制備p型歐姆接觸的接觸層。其厚度10nm-l|im。
本發(fā)明提出的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料的生長方法可以是采用金屬有機化學(xué)氣相外延方法，也可以采用分子束外延方法在藍寶石、Si或SiC襯底上進行外延實現(xiàn)。
這種無熒光粉轉(zhuǎn)換的GaN基白光發(fā)光二極管避免了前述三種白光技術(shù)的局限性，工藝技術(shù)簡單，與常規(guī)藍光發(fā)光二極管的技術(shù)兼容，成本低，有助于推進半導(dǎo)體照明早日走進家庭應(yīng)用。
本發(fā)明在無熒光粉轉(zhuǎn)換的GaN基白光發(fā)光二極管專利技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過采用弛豫的InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)代替現(xiàn)有的單層InGaN弛豫層，可以同時實現(xiàn)即可調(diào)制應(yīng)力，又可有效降低材料中位錯，從而有效提高單芯片白光的發(fā)光效率。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，使用本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)材料所制備的發(fā)光二極管的優(yōu)點在于
1.通過采用InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層，由于增強In的相分凝而在發(fā)光層中產(chǎn)生不同In組分的InGaN發(fā)光中心發(fā)射不同波長的光，這些多波長發(fā)光混合成白光的方法實現(xiàn)了單芯片出射白光的目的，簡化了常規(guī)含熒光粉的白光發(fā)光二極管的制作工藝與流程，降低了白光發(fā)光二極管的成本。同時，由于不存在熒光粉轉(zhuǎn)換，故而沒有斯托克斯頻移效應(yīng)，提高 了發(fā)光二極管的光利用效率。
2. 通過采用InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層代替弛豫的InGaN層，一 方面可以達到單層InGaN應(yīng)力調(diào)制的作用，又可以通過超晶格多層界面的 交替作用實現(xiàn)位錯的彎曲或合并，從而達到有效過濾位錯的目的。從而有 利于降低發(fā)光層中的位錯，提高發(fā)光層的發(fā)光效率，使得單芯片白光發(fā)光 器件的性能進一 步改進和提高。
3. 本發(fā)明在不增加外延結(jié)構(gòu)材料制備和器件工藝制備復(fù)雜性的前提 下，從根本上降低了白光發(fā)光二極管成本，增加了光出射效率和利用效率， 克服了常規(guī)熒光粉轉(zhuǎn)換獲得白光發(fā)光二極管的缺點，提高了白光發(fā)光二極 管的整體性能。
綜上所述，本發(fā)明的核心內(nèi)容是在無熒光粉轉(zhuǎn)換的GaN白光發(fā)光二極 管專利(專利申請?zhí)?00610065103.1 )的基礎(chǔ)上，通過將InGaN弛豫層 采用InGaN/GaN超晶格代替，同時實現(xiàn)過濾位錯和應(yīng)力調(diào)制的雙重作用， 而實現(xiàn)對單芯片白光發(fā)光性能的進一步提高，圖2給出了采用弛豫 InGaN/GaN超晶格(實施例l)和單層InGaN弛豫層的單芯片白光發(fā)光二才及 管的發(fā)光特性曲線，可以看出釆用弛豫超晶格應(yīng)力調(diào)制層的白光發(fā)光強度 更強。


圖1含有InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層的單芯片白光發(fā)光二極管的材 料結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖2分別采用InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層和單層InGaN弛豫層的 單芯片白光發(fā)光二極管的發(fā)光譜。
具體實施例方式
下面通過材料的生長方法來具體說明本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā) 光二極管外延材料的結(jié)構(gòu)。實施例中的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延 材料的結(jié)構(gòu)，除弛豫的應(yīng)力調(diào)制層以外的其余外延結(jié)構(gòu)層采用已公開的 GaN基藍光發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)。
實施例1
7參考圖l,制作一種本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料，其結(jié)構(gòu)如下
采用藍寶石作為襯底1，使用金屬有機物化學(xué)汽相沉積技術(shù)(MOCVD)在藍寶石上依次生長20nm厚的GaN初始生長層2、200nm本征GaN層3、lpm厚的n型GaN層4 (摻雜濃度5xl0"cm —3)、 20個周期的10nm厚的(指Ino.iGaG.9N單層的厚度)In?！笹ao.9N/10nm厚的GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層5、 InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層6 (由勢壘層Ino.05Gao.95N和量子阱層Ino.isGao.85N組成的5個周期的多量子阱,其中勢壘層Ino.osGao.95N的厚度為10nm，量子阱層InG.isGao.ssN的厚度為3nm) 、 100nm厚p型Alo.2G肌sN夾層7、 100nm厚的p型GaN層8 (摻雜濃度3xl017cm —3),得到GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)材料(圖l所示)。該結(jié)構(gòu)經(jīng)過進行器件工藝后的電發(fā)光譜見圖2。
實施例2
參考圖l,制作一種本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料采用0.4mm厚的SiC作為襯底1,使用金屬有4幾物化學(xué)汽相沉積技術(shù)(MOCVD)在其上依次生長lOOnm厚的A1N初始生長層2、 0.3 jum厚的本征GaN層3、 1 jum厚的n型GaN層4、 150nm厚10個周期的5nmIno.i5Gao.85N/10nm厚的Ino.05Gao.95N超晶格應(yīng)力調(diào)制層5、 InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層6 (由勢壘層GaN和量子阱層Ino.15GaQ.85N組成的4個周期的多量子阱,其中勢壘層GaN的厚度為12nni,量子阱層In().i5Ga().85N的厚度為3nm,所述勢壘層GaN的摻雜濃度為1 x 1018/cm3，量子阱層InxGal -xN層的摻雜濃度為0) 、 50nm厚p型Alo.2Gao.sN夾層7、 500nm厚的P型GaN層8,得到不需熒光粉轉(zhuǎn)換的白光GaN發(fā)光二極管外延材料，如圖1所示。
實施例3
參考圖1,制作一種本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料采用0.3mm厚的硅基片作為襯底1,使用分子束外延技術(shù)(MBE)在其上依次生長200nm厚A1N初始生長層2、 0.5 ji m厚的本征GaN層3、 0.5 ja m厚的n型GaN層4、 15個周期的lnm Ino.3Gao.7N/8nm In。.05Ako2Gao.93N超晶格應(yīng)力調(diào)制層5、 InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層6 (由勢壘層GaN和量子阱層I加.isGao.85N組成的4個周期的多量子阱,其中勢壘層GaN的厚度為1 Onm，
8量子阱層Ino.i5Gao.85N的厚度為3nm，所述勢壘層GaN的摻雜濃度為1 x 1017/cm3,量子阱層InxGai —xN層的摻雜濃度為2x 1017/cm3) 、 100nm厚p 型Ak2Gao.sN夾層7、 300nm厚的P型GaN層8,得到GaN基單芯片白 光發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)材料，如圖1所示。
實施例4
參考圖1,制作一種本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料 采用實施例2中除了超晶格應(yīng)力調(diào)制層5有所改動的相似結(jié)構(gòu)。改變后的 超晶格應(yīng)力調(diào)制層5的結(jié)構(gòu)為6個周期的1 Onm Ino.2Gao.sN/1 Onm GaN超 晶格應(yīng)力調(diào)制層。含有此應(yīng)力調(diào)制層的白光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)如圖l所示， 即可獲得不需萸光粉轉(zhuǎn)換的白光GaN發(fā)光二極管外延材料。
實施例5
參考圖l,制作一種本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料 采用實施例3中除了超晶格應(yīng)力調(diào)制層5有所改動的相似結(jié)構(gòu)。改變后的 超晶格應(yīng)力調(diào)制層5的結(jié)構(gòu)為150個周期的10nmIno.oiGao.99N/lnmGaN 超晶格應(yīng)力調(diào)制層。含有此應(yīng)力調(diào)制層的白光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)如圖1所示， 即可獲得不需焚光粉轉(zhuǎn)換的白光GaN發(fā)光二極管外延材料。
實施例6
參考圖l，制作一種本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料 采用實施例1中除了超晶格應(yīng)力調(diào)制層5有所改動的相似結(jié)構(gòu)。改變后的 超晶格應(yīng)力調(diào)制層5的結(jié)構(gòu)為40個周期的5nm Ino.08Alo.02Gao.9N/2nm Alo.oiGao.98N超晶格應(yīng)力調(diào)制層。含有此應(yīng)力調(diào)制層的白光發(fā)光二極管結(jié) 構(gòu)如圖l所示，即可獲得不需焚光粉轉(zhuǎn)換的白光GaN發(fā)光二極管外延材料。
實施例7
參考圖l,制作一種本發(fā)明的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料 采用實施例1中除了超晶格應(yīng)力調(diào)制層5有所改動的相似結(jié)構(gòu)。改變后的 超晶格應(yīng)力調(diào)制層5的結(jié)構(gòu)為400個周期的2nm厚的 Ino.o2Gao.98N/3nmGaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層。含有此應(yīng)力調(diào)制層的白光發(fā)光二 極管結(jié)構(gòu)如閨1所示，即可獲得不需熒光粉轉(zhuǎn)換的白光GaN發(fā)光二極管外 延材料。
9上述實施例提出的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料結(jié)構(gòu)中的超晶格應(yīng)力調(diào)制層的組成，即超晶格的兩層材料可以是InxGaLXN和InyGaLyN超晶格組成，其中In的組分x和y滿足x>y,且x在1% 35%范圍內(nèi)調(diào)控，y在0~35%范圍內(nèi)調(diào)控；所述的超晶格應(yīng)力調(diào)制層的厚度為10nm-3jLim，所述的InGaN/GaN層交替生長的周期為6- 500個周期；超晶格的應(yīng)力是弛豫的。
上述實施例提出的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料結(jié)構(gòu)中的超晶格應(yīng)力調(diào)制層的特征在于，組成超晶格的兩層材料InGaN和GaN,可以遵照本發(fā)明原理而進行拓展，如InGaN可以用IrixAlyGa^-yN代替，GaN可以用InyAlzGai-y_zN或AlxGa!-xN代替。其目的在于形成弛豫的應(yīng)力調(diào)制層，增強其上外延的InGaN發(fā)光層的In偏析效應(yīng)。
上述實施例的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)材料，即在藍寶石、Si或SiC襯底上用常規(guī)半導(dǎo)體器件沉積技術(shù)依次生長初始生長層、本征GaN緩沖層、n型GaN層、InGaN/GaN弛豫的超晶格應(yīng)力調(diào)制層、InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層、p型AlGaN夾層和p型GaN層。本方法保留已有常規(guī)藍光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)材料的制備工藝，僅對GaN基發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計進行改進，通過在N型GaN層和量子阱發(fā)光層之間，增加弛豫的InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層，增強In的偏析效應(yīng)，并形成不同組分的InGaN量子點。這些量子點發(fā)射不同波長的光的混合實現(xiàn)白光發(fā)光。本發(fā)明采用InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層替代已有的單層InGaN應(yīng)力調(diào)制層，不僅同時兼有應(yīng)力調(diào)制的作用，同時還可以起到過濾位錯的作用，可以增強單芯片白光器件的性能。本發(fā)明在不增加外延結(jié)構(gòu)材料制備和器件工藝制備復(fù)雜性的前提下，從根本上降低了白光發(fā)光二極管成本，增加了光出射效率和利用效率，克服了常規(guī)熒光粉轉(zhuǎn)換獲得白光發(fā)光二極管的缺點，提高了白光發(fā)光二極管的整體性能。
權(quán)利要求
1、一種GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料，包括一襯底，和在所述的襯底上依次生長的初始生長層、本征GaN緩沖層、n型GaN層、應(yīng)力弛豫層、InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層、p型AlGaN夾層和p型GaN層；其特征在于所述的應(yīng)力弛豫層為InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層，該超晶格應(yīng)力調(diào)制層由交替生長的InGaN層和GaN層組成，其中交替生長的InGaN層和GaN層的生長周期為6-500；所述的InGaN層中的In組分在1％～35％范圍內(nèi)；所述的InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層的厚度為10nm-3μm。
2、 一種GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料，包括一襯底，和在 所述的襯底上依次生長的初始生長層、本征GaN緩沖層、n型GaN層、 應(yīng)力弛豫層、InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層、p型AlGaN夾層和p型GaN層； 其特征在于所述的應(yīng)力弛豫層為超晶格應(yīng)力調(diào)制層，該超晶格應(yīng)力調(diào)制 層由交替生長InxGa^N層和InyGa.yN層組成，其中超晶格應(yīng)力調(diào)制層的 厚度為10nm-3inm,所述的InxGa^N/InyGaLyN交替生長層的周期為6-500; 所述的InGaN的In組分x和y滿足x",且x在1 % ~35 %范圍內(nèi)調(diào)控，y 在0~35%范圍內(nèi)調(diào)控，超晶格的應(yīng)力是弛豫的。
3、 按權(quán)利要求1或2所述的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料， 其特征在于所述的InGaN/GaN超晶格弛豫層中的InGaN為 InxAlyGa"x-yN;所述的InGaN/GaN超晶格弛豫層中的GaN為InyAlzGa!于zN或 AlxGai-xN。
4、 按權(quán)利要求1或2所述的GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料， 其特征在于所述的襯底為藍寶石基片、SiC基片或硅基片；所述的初始生長層為A1N層或者GaN層；其厚度20nm-2pm; 所述的本征GaN層為GaN層、A1N層、A」GaN層、InGaN層、InAlN其厚度50nm-2^im;所述的n型GaN層為GaN層、A1N層、AlGaN層、InGaN層、InAlN 層、InAlGaN層或者這幾種合金組合的n型歐姆接觸的接觸層；其厚度 50nm-3fim;所述的InGaN多量子結(jié)構(gòu)發(fā)光層為由勢壘層InyGai-yN和量子阱層InxGai-xN組成的發(fā)光二極管的有源層，其中y<x， 0.1<x<0.3, 0<y<0.15;所述量子阱層InxGai-xN由量子點和浸潤層組成或者由相分凝而產(chǎn)生的兩個不同組分的量子結(jié)構(gòu)組成；所述勢壘層InyGai - yN和量子阱層IrixGai - XN層的摻雜濃度為0~ 1 x 10ls/cm3,勢壘層的厚度5 - 15nm,量子阱層厚度2-5nm;量子阱的周期數(shù)為1 ~ 20;所述p型AlGaN夾層為AlmGa"mN夾層，其中m為0~0.2;其厚度5nm-l)Lim5所述p型GaN層為GaN層、InAIN層、AlGaN層、InAlGaN層或這幾種合金組合的p型歐姆接觸的接觸層。其厚度10nm-l|am。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種GaN基單芯片白光發(fā)光二極管外延材料，包括一襯底和在襯底上依次生長的初始生長層、本征GaN緩沖層、n型GaN層、應(yīng)力弛豫層、InGaN多量子阱結(jié)構(gòu)發(fā)光層、p型AlGaN夾層和p型GaN層；該應(yīng)力弛豫層為InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層，由交替生長的InGaN層和GaN層組成，其中交替生長的InGaN層和GaN層的生長周期為6-500，對應(yīng)的厚度為10nm-3μm；InGaN層中的In組分在1％～35％范圍內(nèi)。本發(fā)明通過在N型GaN層和量子阱發(fā)光層之間，增加應(yīng)力弛豫的InGaN/GaN超晶格應(yīng)力調(diào)制層，增強In的偏析效應(yīng)，并形成不同組分的InGaN量子點。這些量子點發(fā)射不同波長的光的混合實現(xiàn)白光發(fā)光；從根本上降低了白光發(fā)光二極管成本，增加了光出射效率和利用效率，提高了白光發(fā)光二極管的整體性能。
文檔編號H01L33/00GK101685844SQ20081022323
公開日2010年3月31日 申請日期2008年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月27日
發(fā)明者衛(wèi) 李, 王文新, 賈海強, 郭麗偉, 弘 陳 申請人:中國科學(xué)院物理研究所