專利名稱：金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種集成電路設(shè)計，特別是有關(guān)于一種可具
有極小梯度變化(minimized gradient variation)特性及線性度 (linearity)的金屬-氧化物-金屬電容(MOM)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
許多數(shù)字及模擬部件及電路已成功地運用于半導(dǎo)體集成電 路，例如射頻(radio-fr叫uency, RF )電^各或混合信號集成電 3各(mixed-signal integrated circuit, MSIC )。 上述部寸牛包含了 被動元件，例如電阻、電容或電感等等。典型的半導(dǎo)體集成電 路包含一硅基底。 一層以上的介電層設(shè)置于基底上，且一層以 上的金屬層設(shè)置于介電層中。這些金屬層可通過現(xiàn)行的半導(dǎo)體 制程技術(shù)而形成晶片內(nèi)建部件，例如晶片內(nèi)建(on-chip)金屬 -纟色緣-金屬(metal-insulator-metal, MIM )電容元件或是金 屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal， MOM )。
典型的金屬-絕緣-金屬(MIM)電容元件包括一金屬層 及一導(dǎo)電平板，該導(dǎo)電平板位于上述金屬層下方且相互平行， 以及一介電材料層，其介于上述導(dǎo)電平才反與上述金屬層之間。 此電容結(jié)構(gòu)的缺點在于其需要額外的光罩成本來制作原有金屬 層下方的導(dǎo)電平板，導(dǎo)致制造成本的增加。
為了降低MIM電容元件所需的晶片的制作成本，大多改用 MOM電容元件。由于MOM電容元件的單位面積電容值沒有 MIM電容元件大，所以為了提高單位面積的電容值，多數(shù)的 MOM電容元件采用堆疊指叉式(stacked interdigital finger )電 容元件。上述的電容元件具有垂直平行板結(jié)構(gòu)(vertical parallelplate structure )
位面積具有較高的電容值。圖1A繪示出現(xiàn)有用于集成電路的指 叉式電容結(jié)構(gòu)100。指叉式電容結(jié)構(gòu)100包括由多個平行排列的 平板電極110及120以及介于其間的介電層(未繪示)所構(gòu)成。 平板電極110由多個堆疊的金屬層110a以及位于其間用以電性 連接金屬層110a的介層插塞(via plug) 110b所構(gòu)成，而平板電 極120由多個堆疊的金屬層120a以及位于其間用以電性連接金 屬層120a的介層插塞120b所構(gòu)成。再者， 一金屬層(未繪示) 連接于每一位于頂層(uppermost)的金屬層110a的 一相同端且 電性連接至一節(jié)點A(未繪示)。同樣地，另一金屬層(未繪示) 連接于每一位于頂層的金屬層120a的一相同端且電性連接至一 節(jié)點B(未《會示)，如圖1B所示。由于相鄰的平板電杉U10及120 形成大面積的側(cè)向電容，因此單位面積具有較高的電容值。再 者，作為電容電極的金屬層110a及120a通?？捎糜跇?biāo)準(zhǔn)CMOS 制程，毋需額外的光罩成本，故可降低制造成本。
然而，上述具有指叉式結(jié)構(gòu)的電容元件中的平板電極IIO 及120分別在一邊，例如，在一維方向是對稱的，而在其他維度 是不對稱的，而使得指叉式電容結(jié)構(gòu)100遭受制程梯度變異的問 題及線性度不佳的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種MOM電容結(jié)構(gòu)，其中MOM電 容通過多個網(wǎng)狀金屬電才及堆疊形成 一 網(wǎng)才各結(jié)構(gòu)(lattice structure),而《吏MOM電容元件具有二維及三維對稱結(jié)構(gòu)，因而 改善電容匹配特性及線性度。
本發(fā)明提供一種MOM電容結(jié)構(gòu)。此電容結(jié)構(gòu)包括 一介電 層、 一第一網(wǎng)狀金屬層及一第二網(wǎng)狀金屬層。介電層設(shè)置于一基底上。第一網(wǎng)狀金屬層嵌入于介電層的一第一層位且具有排 列成一陣列的多個第一開口 ，而第二網(wǎng)狀金屬層嵌入于高于介 電層的第一層位的一第二層位且具有排列成一陣列的多個第二 開口。其中，第一網(wǎng)狀金屬層中的多個第一網(wǎng)交點分別對應(yīng)于 第二開口 ，且第二網(wǎng)狀金屬層中的多個第二網(wǎng)交點分別對應(yīng)于 第一開口 。
本發(fā)明提供一種MOM電容結(jié)構(gòu)。此電容結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于 一基底上的一介電層及平行堆疊于其內(nèi)的多個網(wǎng)狀金屬層。每 一網(wǎng)狀金屬層具有排列成一陣列的多個開口 。每一奇數(shù)網(wǎng)狀金 屬層中的多個網(wǎng)交點分別對應(yīng)于每一偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層中的開 口 ，且每一偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層中的多個網(wǎng)交點分別對應(yīng)于每一奇 數(shù)網(wǎng)狀金屬層中的開口 。奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層電性連接至一第一節(jié) 點，而偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層電性連接至一第二節(jié)點。
本發(fā)明所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)，可有效改善 制程梯度變異及線性度，而進(jìn)一步提升集成電路的效能。


圖1A是繪示出現(xiàn)有用于集成電路的指叉式電容結(jié)構(gòu)局部 立體透一見示意圖。
圖1B是繪示出圖1A的平面示意圖。
圖2是繪示出根據(jù)本發(fā)明實施例的金屬-氧化物-金屬 (MOM)電容結(jié)構(gòu)局部立體透視示意圖。
圖3是繪示出圖5中一奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層局部平面示意圖。 圖4是繪示出圖5中一偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層局部平面示意圖。 圖5是繪示出堆疊第3及4圖中網(wǎng)狀金屬層的平面示意圖。 圖6是繪示出圖5中堆疊的網(wǎng)狀金屬層的立體透視示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明關(guān)于一種改良的電容結(jié)構(gòu)，適用于不同的集成電路
設(shè)計，例如混合信號電路、射頻電^各及才莫擬電路。以下配合圖2 至圖5說明本發(fā)明實施例的用于集成電路的電容結(jié)構(gòu)。請參照圖 2，其繪示出根據(jù)本發(fā)明實施例的金屬-氧化物-金屬(MOM) 電容結(jié)構(gòu)局部立體透—見示意圖。MOM電容結(jié)構(gòu)300包括 一介 電層202、嵌入其中的多個網(wǎng)狀(net-shaped)金屬層210及220、 以及用以電性連接奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210及偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220的 內(nèi)連線結(jié)構(gòu)。
介電層202可設(shè)置于 一 基底200上，作為內(nèi)層介電層 (interlayer dielectric, ILD )層或金屬層間介電 (intermetal dielectric, IMD )層。再者，介電層202可為 一單層結(jié)構(gòu)或是多 層結(jié)構(gòu)。再者，介電層202可由相同或不同的材料所構(gòu)成，例如 可由氧化石圭或氮化^5圭所構(gòu)成。在本實施例中，介電層202是由 氧化物所構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。然而，為了簡化圖式，此處僅以一 單層結(jié)構(gòu)示之?；?00可為一硅基底或其他半導(dǎo)體基底，其可 包括不同的元件，諸如晶體管、電阻或其他所常用的半導(dǎo)體元 件。為了簡化圖式，此處僅繪示出一平整基底。
奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210及偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220依序嵌入于介電 層202的不同層位。亦即，奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210及偶數(shù)網(wǎng)狀金屬 層220以一間距交替平行堆疊于介電層202內(nèi)。需注意的是網(wǎng)狀 金屬層的數(shù)量至少為二個，然而可以理解的是實際上網(wǎng)狀金屬 層的數(shù)量取決于電路設(shè)計。此處為了方便說明，本實施例僅繪 示四層網(wǎng)狀金屬層作為范例說明。此處，標(biāo)號"210"表示位于基 底200上奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層，而標(biāo)號"220，，表示位于基底200上偶數(shù) 網(wǎng)狀金屬層。奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210及偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220可由銅 金屬、鋁金屬或其合金所構(gòu)成，且可通過現(xiàn)有鑲嵌技術(shù)而形成。再者，在本實施例中，奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210彼此具有相同的形狀 與尺寸，且在基底所在平面上的投影彼此完全重疊排列。偶數(shù) 網(wǎng)狀金屬層220彼此也具有相同的形狀與尺寸，且在基底所在平 面上的投影彼此完全重疊排列。再者，奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210與偶 數(shù)網(wǎng)狀金屬層220可具有相同或不相同的尺寸。
另外，奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210通過內(nèi)連線結(jié)構(gòu)彼此電性連接， 且電性連接至一第一節(jié)點(未繪示)。同樣地，偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層 220通過內(nèi)連線結(jié)構(gòu)彼此電性連接，且電性連接至不同于一第一 節(jié)點的一第二節(jié)點(未繪示)。第一節(jié)點及第二節(jié)點作為MOM 電容結(jié)構(gòu)300的二個端點，使相鄰的網(wǎng)狀金屬層具有不同的極 性。在本實施例中，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)由多個接觸墊210b及220b以及 多個介層插塞(via plug) 240所構(gòu)成且將于本文稍后說明。再 者，為了使圖式更加清楚，圖2僅選擇性繪示出些許的介層插塞 240,且省略些i午的4妄觸墊220b。
請參照圖3，其繪示出圖2中奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210其中之一的 局部平面示意圖。網(wǎng)狀金屬層210具有排列成一陣列的多個開口 210a。多個接觸墊210b對應(yīng)嵌入于每一開口 210a內(nèi)的介電層 202,且與網(wǎng)狀金屬層210位于相同的層位。亦即，多個接觸墊 210b與網(wǎng)狀金屬層210可由同 一金屬層定義而成。每一接觸墊 210b可具有矩形、方形、多邊形或圓形的俯^L輪廓。在本實施 例中，每一接觸墊210b是以方形作為范例說明。再者，每一接 觸墊210b大體位于對應(yīng)的開口 210a的中心位置。
接著，請參照圖4，其繪示出圖2中偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220其中 之一的局部平面示意圖。相似于網(wǎng)狀金屬層210,網(wǎng)狀金屬層220 具有排列成 一 陣列的多個開口 220a。多個接觸墊220b對應(yīng)嵌入 于每一開口 220a內(nèi)的介電層202,且與網(wǎng)狀金屬層220位于相同 的層位。亦即，多個接觸墊220b與網(wǎng)狀金屬層220可由同一金屬層定義而成。每一接觸墊220b同樣可具有矩形、方形、多邊形 或圓形的俯視輪廓。在本實施例中，每一接觸墊220b是以方形 作為范例說明。再者，每一接觸墊220b大體位于對應(yīng)的開口 220a 的中心位置。
在本實施例中，特別的是圖3中奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210中的多 個網(wǎng)交點(虛線區(qū)域)210c分別對應(yīng)于圖4中偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220 中的開口 220a，且偶lt網(wǎng)狀金屬層220中的多個網(wǎng)交點(虛線區(qū) 域)220c分別對應(yīng)于奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210中的開口 210a。
請參照圖2至圖5，其中圖5繪示出堆疊圖3及圖4中網(wǎng)狀金屬 層的平面示意圖。由于奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210中的網(wǎng)交點210c分別 對應(yīng)于偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220中的開口 220a,以及偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層 220中的網(wǎng)交點220c分別對應(yīng)于奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210中的開口 210a,使位于偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220的開口 220a內(nèi)的接觸墊220b 分別大體對準(zhǔn)于奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210的網(wǎng)交點210c,且使位于奇 數(shù)網(wǎng)狀金屬層210的開口 210a內(nèi)的接觸墊210b分別大體對準(zhǔn)于 偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220的網(wǎng)交點220c。
多個介層插塞240設(shè)置于相鄰的奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210及偶數(shù) 網(wǎng)狀金屬層220之間的介電層202,以將位于偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220 的開口 220a內(nèi)的接觸墊220b分別連接于奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210的 網(wǎng)交點210c，且將位于奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210的開口 210a內(nèi)的接觸 塾210b分別連接于偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220的網(wǎng)交點220c，如圖2及 圖5所示。如此一來，MOM電容元件通過奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層210 及偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層220而堆疊形成 一 網(wǎng)才各結(jié)構(gòu)(lattice structure), 4吏其具有二維及三維對稱結(jié)構(gòu)。
由多個接觸墊210b及220b以及多個介層插塞(viaplug)240 所構(gòu)成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)可通過現(xiàn)有鑲嵌技術(shù)而形成。因此，根據(jù) 本發(fā)明實施例的MOM電容結(jié)構(gòu)，同樣可通過現(xiàn)行的半導(dǎo)體制程技術(shù)而形成晶片內(nèi)建部件，以有效降低制作成本。
再者，上述堆疊的MOM電容結(jié)構(gòu)可沿水平方向延伸且可沿 垂直方向重復(fù)排列而構(gòu)成一多重MOM電容結(jié)構(gòu)。
在上述多重MOM電容結(jié)構(gòu)中，相鄰的網(wǎng)狀金屬層可形成一 個電容。再者，介層插塞可分別與相鄰的網(wǎng)狀金屬層形成二個 電容。另外，接觸墊與相鄰的網(wǎng)狀金屬層也可形成一個電容， 如圖6所示。因此，上述電容結(jié)構(gòu)的單位面積具有高的電容值， 而增加MOM電容件的總電容值。
另外，不同于現(xiàn)有指叉式電容結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明實施例的 具有二維及三維對稱網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的MOM電容結(jié)構(gòu)，可有效改善制 程梯度變異及線性度，而進(jìn)一步提升集成電路的效能。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實施例，然其并非用以限定本發(fā) 明的范圍，任何熟悉本項技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神 和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下
100:指叉式電容結(jié)構(gòu)
110、 120:平^反電才及
110a、 120a:金屬層
110b、 120b:介層插塞
200: 基底
202:介電層
210、 220:網(wǎng)狀金屬層
210a、 220a:開口
210b、 220b: 4妄觸墊
210c、 220c:網(wǎng)交點
300: MOM電容結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1. 一種金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一介電層，設(shè)置于一基底上；一第一網(wǎng)狀金屬層，嵌入于該介電層的一第一層位，且具有排列成一陣列的多個第一開口；以及一第二網(wǎng)狀金屬層，嵌入于高于該介電層的該第一層位的一第二層位，且具有排列成一陣列的多個第二開口，其中該第一網(wǎng)狀金屬層中的多個第一網(wǎng)交點分別對應(yīng)于所述第二開口，且該第二網(wǎng)狀金屬層中的多個第二網(wǎng)交點分別對應(yīng)于所述第一開口。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，該第一網(wǎng)狀金屬層電性連接至一第一節(jié)點，而該 第二網(wǎng)狀金屬層電性連接至一第二節(jié)點。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的金屬-氧化物_金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，該第一網(wǎng)狀金屬層與該第二網(wǎng)狀金屬層具有相同 的尺寸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的金屬-氧化物_金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，更包括多個第一接觸墊，對應(yīng)嵌入于所述第一開口內(nèi)的該介電層 的該第 一層位，使所述第 一接觸墊分別對準(zhǔn)于所述第二網(wǎng)交點；多個第一介層插塞，分別連接所述第一接觸墊與對應(yīng)的所 述第二網(wǎng)交點；多個第二接觸墊，對應(yīng)嵌入于所述第二開口內(nèi)的該介電層 的該第二層位，使所述第二接觸墊分別對準(zhǔn)于所述第 一 網(wǎng)交點； 以及多個第二介層插塞，分別連接所述第二接觸墊與對應(yīng)的所述第一網(wǎng)交點。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，每一第一接觸墊具有矩形、方形、多邊形或圓形 的俯視輪廓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一第一接觸墊位于對應(yīng)的該第一開口的中心。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一第二接觸墊具有矩形、方形、多邊形或圓形 的俯視輪廓。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一第二接觸墊位于對應(yīng)的該第二開口的中心。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，更包括一第三網(wǎng)狀金屬層，嵌入于高于該介電層的該第二層位的 一第三層位，且具有排列成一陣列的多個第三開口 ，其中該第 三網(wǎng)狀金屬層與該第一網(wǎng)狀金屬層具有相同的形狀及尺寸，且 該第三網(wǎng)狀金屬層與該第一網(wǎng)狀金屬層在該基底所在平面上的 投影完全重疊；多個第三接觸墊，對應(yīng)嵌入于所述第三開口內(nèi)的該介電層 的該第三層位，使所述第三接觸墊分別對準(zhǔn)于所述第二網(wǎng)交點 及所述第一接觸墊；以及多個第三介層插塞，分別連接所述第三接觸墊與對應(yīng)的所 述第二網(wǎng)交點。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一第三接觸墊具有矩形、方形、多邊形或圓形 的俯視輪廓。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬_氧化物_金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一第三接觸墊位于對應(yīng)的該第三開口的中心。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一第四網(wǎng)狀金屬層，嵌入于高于該介電層的該第三層位的 一第四層位，且具有排列成一陣列的多個第四開口 ，其中該第 四網(wǎng)狀金屬層與該第二網(wǎng)狀金屬層具有相同的形狀及尺寸，且 該第四網(wǎng)狀金屬層與該第二網(wǎng)狀金屬層在該基底所在平面上的 投影完全重疊；多個第四接觸墊，對應(yīng)嵌入于所述第四開口內(nèi)的該介電層 的該第四層位，使所述第四接觸墊分別對準(zhǔn)于該第三網(wǎng)狀金屬層的多個第三網(wǎng)交點及所述第二接觸墊；以及多個第四介層插塞，分別連接所述第四接觸墊與對應(yīng)的所 述第三網(wǎng)交點。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一第四接觸墊具有矩形、方形、多邊形或圓形 的俯視輪廓。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一第四接觸墊位于對應(yīng)的該第四開口的中心。
15. —種金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一介電層，設(shè)置于一基底上；以及多個網(wǎng)狀金屬層，平行堆疊于該介電層內(nèi)，且每一網(wǎng)狀金屬層具有排列成一陣列的多個開口 ；其中每一奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層中的多個網(wǎng)交點分別對應(yīng)于每一偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層中的所述開口且每一偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層中的多個 網(wǎng)交點分別對應(yīng)于每一奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層中的所述開口 ；其中所述奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層電性連接至一第一節(jié)點，而所述 偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層電性連接至一第二節(jié)點。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括多個接觸墊，對應(yīng)嵌入于所述網(wǎng)狀金屬層的所述開口內(nèi)的 該介電層，使位于所述偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層的所述開口內(nèi)的所迷接 觸墊分別對準(zhǔn)于所述奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層的多個網(wǎng)交點，且使位于 所述奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層的所述開口內(nèi)的所述接觸墊分別對準(zhǔn)于所 述偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層的多個網(wǎng)交點；以及多個介層插塞，將位于所述偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層的所述開口內(nèi) 的所述接觸墊分別連接于相鄰于所述奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層的多個網(wǎng) 交點，且將位于所述奇數(shù)網(wǎng)狀金屬層的所述開口內(nèi)的所述接觸 墊分別連接于相鄰于所述偶數(shù)網(wǎng)狀金屬層的多個網(wǎng)交點。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一接觸墊具有矩形、方形、多邊形或圓形的俯 視輪廓。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的金屬-氧化物_金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，每一4妄觸墊位于對應(yīng)的該開口的中心。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)， 其特征在于，所述網(wǎng)狀金屬層具有相同的尺寸。
全文摘要
本發(fā)明提供一種金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)。此電容結(jié)構(gòu)包括一介電層、一第一網(wǎng)狀金屬層以及一第二網(wǎng)狀金屬層。第一及第二網(wǎng)狀金屬層嵌入于介電層，且第二網(wǎng)狀金屬層平行堆疊于第一網(wǎng)狀金屬層上方。每一網(wǎng)狀金屬層具有排列成一陣列的多個開口。第一網(wǎng)狀金屬層中的網(wǎng)交點分別對應(yīng)第二網(wǎng)狀金屬層中的開口，且第二網(wǎng)狀金屬層中的網(wǎng)交點分別對應(yīng)于第一網(wǎng)狀金屬層中的開口。本發(fā)明所述的金屬-氧化物-金屬電容結(jié)構(gòu)，可有效改善制程梯度變異及線性度，而進(jìn)一步提升集成電路的效能。
文檔編號H01L27/04GK101419969SQ20081018640
公開日2009年4月29日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者林小琪 申請人:威盛電子股份有限公司