專利名稱：顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用通過(guò)使用在電極之間插入了發(fā)光材料且通過(guò)在電極之 間施加電流而發(fā)光的元件(發(fā)光元件)而形成的顯示器件，尤其涉及這種顯示 器件中發(fā)光元件的密封結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，已經(jīng)積極的研發(fā)了使用發(fā)光元件的薄而輕的顯示器。發(fā)光元件是 通過(guò)在一對(duì)電極之間插入施加電流而發(fā)光的發(fā)光材料來(lái)形成的。由于不像液晶 顯示器的情況，發(fā)光元件自身發(fā)光，并且元件本身也很輕，所以不需要光源， 例如背光。因此，極其有利于形成薄而輕顯示器。
盡管發(fā)光元件的發(fā)光材料包括有機(jī)的和無(wú)機(jī)的，但是通常認(rèn)為使用由低電 壓驅(qū)動(dòng)的有機(jī)材料的發(fā)光元件是最優(yōu)選的。具有使用有機(jī)材料的發(fā)光元件的顯 示器的驅(qū)動(dòng)電壓是從5V到IOV，可以理解的是，和使用需要100V到200V的 驅(qū)動(dòng)電壓的無(wú)機(jī)材料的電發(fā)光器件相比它可以用很低的電壓驅(qū)動(dòng)。值得稱贊的 低能耗的液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓近似于從5V到15.5V，還可以理解的是具有 使用無(wú)機(jī)材料的發(fā)光元件的顯示器可以用等于或者低于液晶顯示器的電壓驅(qū) 動(dòng)。
然而，具有這種優(yōu)點(diǎn)還沒(méi)有實(shí)際應(yīng)用的背景就是可靠性的問(wèn)題。由于潮濕， 使采用有機(jī)材料的發(fā)光元件經(jīng)常損壞，而且具有不能保持長(zhǎng)久可靠性的缺點(diǎn)。 由于潮濕而損壞的發(fā)光元件導(dǎo)致發(fā)光減少或者不發(fā)光?？梢韵胂蟮氖沁@在使用 發(fā)光元件的顯示器件中引起暗點(diǎn)(黑點(diǎn))和收縮(從顯示器件的邊緣部分發(fā)光 減少)。提出了不同的對(duì)策以抑制這種損壞(例如，參考l:日本專利特開(kāi)平9一
148066，以及參考2:日本專利特開(kāi)平13—203076)。
然而，當(dāng)采用這些對(duì)策時(shí)，仍然沒(méi)有獲得足夠的可靠性，因此，期望在可 靠性上得到進(jìn)一步改善。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供這樣一種密封結(jié)構(gòu)，該密封結(jié)構(gòu)可以阻止從外部進(jìn) 入的破壞因素例如水或者氧氣材料并且在使用有機(jī)或者無(wú)機(jī)發(fā)光元件的顯示 器中獲得足夠的可靠性。
鑒于上述目的，根據(jù)本發(fā)明通過(guò)阻止水從層間絕緣膜進(jìn)入，抑制了發(fā)光元 件的損壞并且得到了足夠的可靠性。在本發(fā)明中，在具有在基板之間插入發(fā)光 元件而構(gòu)成的像素部分的發(fā)光器件中至少基板的一側(cè)是透光的。
本發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)是包括在一對(duì)基板對(duì)之間插入發(fā)光元件的發(fā)光器件，其 中的至少一個(gè)是透光的，形成發(fā)光元件以與第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜
的一個(gè)或者兩個(gè)接觸，第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的邊緣部分包括穿 過(guò)第一層間絕緣膜的第一開(kāi)口；覆蓋第一開(kāi)口和第一開(kāi)口中的第一層間絕緣膜 第一防水保護(hù)膜；以及穿過(guò)第二層間絕緣膜的第二開(kāi)口。
本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是包括在一對(duì)基板之間插入發(fā)光元件的發(fā)光器件，其 中的至少一個(gè)是透光的，形成發(fā)光元件以與第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜 的一個(gè)或者兩個(gè)接觸，第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的邊緣部分包括穿 過(guò)第一層間絕緣膜的第一開(kāi)口；覆蓋第一開(kāi)口和第一開(kāi)口中第一層間絕緣膜的 第一防水保護(hù)膜；以及穿過(guò)第二層間絕緣膜的第二開(kāi)口；和覆蓋第二開(kāi)口的和 第二開(kāi)口中第二層間絕緣膜第二防水保護(hù)膜，并且該第二防水保護(hù)膜在第二開(kāi) 口的底面上和第一防水保護(hù)膜接觸。
本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是包括在一對(duì)基板之間插入發(fā)光元件的發(fā)光器件，其 中的至少一個(gè)是透光的，形成發(fā)光元件以與第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜 的一個(gè)或者兩個(gè)接觸，第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的邊緣部分包括穿 過(guò)第一層間絕緣膜的第一開(kāi)口；覆蓋第一開(kāi)口和第一開(kāi)口中第一層間絕緣膜的 第一防水保護(hù)膜；以及穿過(guò)第二層間絕緣膜的第二開(kāi)口；和覆蓋第二開(kāi)口和第二開(kāi)口中第二層間絕緣膜的第二防水保護(hù)膜，并且該第二防水保護(hù)膜在第二開(kāi) 口的底面上和第一防水保護(hù)膜接觸，并且在具有第一開(kāi)口和第二開(kāi)口的區(qū)域或 者在該區(qū)域的外側(cè)用防水結(jié)構(gòu)將該基板對(duì)彼此固定在一起。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中第二防水保護(hù)膜由與 發(fā)光元件的正極和負(fù)極相同的材料構(gòu)成。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另 一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中發(fā)光元件裝配有連接 到薄膜晶體管上的像素部分。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中第一防水保護(hù)膜是由 和薄膜晶體管的源極和漏極相同的材料構(gòu)成的。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中在第一開(kāi)口的較低部 分中形成半導(dǎo)體薄膜。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中在第一開(kāi)口的較低部 分中形成金屬膜。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中在第一開(kāi)口的較低部 分中形成半導(dǎo)體膜，以及半導(dǎo)體膜是由和薄膜晶體管的活性層相同的材料構(gòu) 成。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中在第一開(kāi)口的較低部 分中形成金屬膜，以及金屬膜是由和薄膜晶體管的柵極相同的材料構(gòu)成。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中至少第一開(kāi)口的底面 的部分和第二開(kāi)口的底面的部分是形成在基板表面的相同部分。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中第一開(kāi)口的底面的部 分和第二開(kāi)口的底面的部分是形成在基板表面的不同部分。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中形成多個(gè)第一開(kāi)口和 第二開(kāi)口。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中至少第一層間絕緣膜 和第二層間絕緣膜的一層由有機(jī)材料構(gòu)成。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中至少第一層間絕緣膜 和第二層間絕緣膜的 一層由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜的一層由硅氧烷膜構(gòu)成。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是丙烯酸或 者聚酰亞胺。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中第一防水保護(hù)膜或者 第二防水保護(hù)膜是氮化硅膜。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中第一防水保護(hù)膜和第 二防水保護(hù)膜是氮化硅膜。
本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是，發(fā)光器件包括插入一對(duì)基板之間的發(fā)光元件，至 少其中是一個(gè)透光的，其中形成發(fā)光元件以和層間絕緣膜接觸，形成在內(nèi)部沒(méi)
有到達(dá)基板邊緣部分的層間絕緣膜的側(cè)邊緣部分被加工成錐型。
本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是，發(fā)光器件包括插入一對(duì)基板之間的發(fā)光元件，至
少其中是一個(gè)透光的，其中形成發(fā)光元件以和層間絕緣膜接觸，形成在內(nèi)部沒(méi)
有到達(dá)基板邊緣部分的層間絕緣膜的側(cè)邊緣部分被加工成錐型，以及形成在層
間絕緣膜側(cè)邊緣部分的防水保護(hù)膜。
本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是，發(fā)光器件包括插入一對(duì)基板之間的發(fā)光元件，其
中至少一個(gè)透光的，其中形成發(fā)光元件以和層間絕緣膜接觸，形成在內(nèi)部沒(méi)有
到達(dá)基板邊緣部分的層間絕緣膜的側(cè)邊緣部分被加工成錐型，以及形成在層間 絕緣膜側(cè)邊緣部分的防水保護(hù)膜，并且在層間絕緣膜的側(cè)邊緣部分區(qū)域或者在 該區(qū)域的外側(cè)區(qū)域用防水結(jié)構(gòu)將該基板對(duì)彼此固定在一起。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中發(fā)光元件裝配有連接 到薄膜晶體管上的像素部分。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底 部到基板的邊緣部分形成半導(dǎo)體膜。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的較 低部分到基板的邊緣部分形成金屬膜。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底 部到基板的邊緣部分形成半導(dǎo)體膜，并且該半導(dǎo)體膜是由和薄膜晶體管的活性 層相同的材料構(gòu)成的。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的較
10低部分到基板的邊緣部分形成金屬膜。以及金屬膜是由和薄膜晶體管的柵極相 同的材料構(gòu)成的。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由有機(jī) 材料構(gòu)成的。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由無(wú)機(jī) 材料構(gòu)成的。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由硅氧 烷構(gòu)成的。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是丙烯酸或 者聚酰亞胺。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是發(fā)光器件，其中防水保護(hù)膜是氮化硅膜。
本發(fā)明的另一種結(jié)構(gòu)是，發(fā)光器件包括在一對(duì)基板之間插入發(fā)光元件構(gòu) 成的像素部分，至少其中一個(gè)是透光的；接收外部信號(hào)的外部連接部分；和連 接像素部分和外部連接部分的多條配線，其中在像素部分和外部連接部分之間 用防水結(jié)構(gòu)將基板對(duì)彼此固定在一起，形成發(fā)光元件以和層間絕緣膜接觸，層 間絕緣膜的一部分位于多條配線中的相鄰配線線之間，以及在用防水結(jié)構(gòu)將基 板彼此固定在一起的部分的較低部分或者在其內(nèi)部，該線密密地設(shè)置有多個(gè)彎 曲。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，可以抑制場(chǎng)致發(fā)光器件中發(fā)光元件的損壞。而且，可靠性 也得到了徹底地提高。
通過(guò)和附圖一起閱讀下述具體描述時(shí)，本發(fā)明的這些和其它目的、特征和 優(yōu)點(diǎn)將更顯而易見(jiàn)。


圖1A到1C示出實(shí)施方式1。 圖2A到2B示出傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)。 圖3是場(chǎng)致發(fā)光器件的頂視圖。 圖4A和4B示出實(shí)施方式1的變形。圖5A到5B示出實(shí)施方式2。
圖6A到6C示出實(shí)施方式3。
圖7A和7B示出實(shí)施方式3。
圖8A到8C示出傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
圖9A到9B示出實(shí)施方式4。
圖10A到10F示出實(shí)施方式4。
圖IIA和11B示出實(shí)施方式5。
圖12A到12C示出實(shí)施方式6。
圖13A到13D示出實(shí)施方式6。
圖14A和14B示出實(shí)施例1。
圖15A和15B示出實(shí)施例1。
圖16A和16B示出實(shí)施例1。
圖17示出實(shí)施例2。
圖18A和18I示出實(shí)施例2。
圖19A和19B示出實(shí)施例3。
圖20示出實(shí)施例4。
圖21A和21J示出實(shí)施例5。
圖22A和22D是示出實(shí)施例5的SEM圖和圖案。
圖23A到23E示出電子器件的例子。
具體實(shí)施例方式
下面描述實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方式。注意，圖中相同的數(shù)字指代相同的部分或者 類似的部分。而且省略相同部分的描述。 (實(shí)施方式l)
在場(chǎng)致發(fā)光器件中，經(jīng)常使用絕緣膜比如氧化硅膜、氮化硅膜、丙烯酸膜、 聚酰亞胺膜或者硅氧垸膜的作為層間絕緣膜。特別地，丙烯酸膜或者硅氧烷膜 是優(yōu)選材料，是因?yàn)樗梢酝ㄟ^(guò)涂覆形成并且它具有很高的planarity。然而， 在其它方面，它有相當(dāng)高的滲透性。
圖2A和2B是沿圖3中線b-b'的橫截面圖。在圖2A和2B所示的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的情況下，層間絕緣膜l的端表面2總是暴露到外部大氣中。因此，存在 一種情況是，即使當(dāng)其上面的部件被防水密封劑3覆蓋使得發(fā)光元件4沒(méi)有暴 露于外部空氣中時(shí)，但是水通過(guò)層間絕緣膜進(jìn)入并且導(dǎo)致發(fā)光元件損壞。
因此，參考圖1A到1C描述本發(fā)明一種用于解決該問(wèn)題的結(jié)構(gòu)。圖1A 到1C示出通過(guò)用防水膜(以后，稱作保護(hù)膜)覆蓋形成在層間絕緣膜外圍上 的凹槽內(nèi)部，減少水通過(guò)層間絕緣膜進(jìn)入的例子。例如，圖1A到1C對(duì)應(yīng)于 沿圖3中線d-d'的橫截面圖。注意，在圖1A和1B中省略了由防水材料制成 的密封劑和相對(duì)的基板。示出了場(chǎng)致發(fā)光器件的外圍的狀態(tài)。附圖標(biāo)記100表 示基板；101，基礎(chǔ)絕緣膜；102，第一層間絕緣膜；103，第一保護(hù)膜；104， 第二層間絕緣膜；以及105，第二保護(hù)膜。
在這種結(jié)構(gòu)中，假定第一層間絕緣膜102和第二層間絕緣膜104具有相當(dāng) 高的可滲透性。在這些高滲透性的膜中，在厚度方向上形成穿透每個(gè)膜的凹槽 形開(kāi)口 106。形成保護(hù)膜103和105以至少覆蓋凹槽的內(nèi)部(以連續(xù)地覆蓋露 出的層間絕緣膜的端表面和較低部分的膜)。而且，保護(hù)膜103和105在開(kāi)口 106彼此接觸。
當(dāng)使用這種結(jié)構(gòu)時(shí)，通過(guò)形成在凹槽形開(kāi)口 106的端表面上的防水保護(hù)膜 103和105阻止了從層間絕緣膜102和104進(jìn)入的水的進(jìn)一步進(jìn)入。由于形成 的凹槽形開(kāi)口 106在厚度方向上穿透，所以不提供保護(hù)膜就能阻斷水的進(jìn)入路 徑。因此，單獨(dú)提供凹槽形開(kāi)口變成了由于水而使發(fā)光元件損壞的對(duì)策，依賴 于所需的可靠度。
當(dāng)全繞滲透性膜的外圍連續(xù)地形成凹槽形開(kāi)口 106時(shí)，凹槽形開(kāi)口 106 是最有效的。然而，當(dāng)這不可能實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以期望通過(guò)僅在一側(cè)或者部分地形 成開(kāi)口而達(dá)到某種程度的效果，因?yàn)橹辽倏梢詼p少水從部分進(jìn)入。
在圖1A到1C中，雖然從層間絕緣膜的外圍到裝配有發(fā)光元件的區(qū)域反 復(fù)地提供有凹槽形開(kāi)口 106，但是也可以僅僅提供一個(gè)凹槽形開(kāi)口 106。然而， 通過(guò)反復(fù)地采用這種方法，可靠性得到進(jìn)一步提高。
當(dāng)保護(hù)膜103和105由配線材料構(gòu)成時(shí)，它們可以用作能設(shè)置在外部邊界 的引出配線。而且，圖1A和圖1B之間的區(qū)別就是在每個(gè)開(kāi)口中保護(hù)膜103 和105是獨(dú)立的或不是獨(dú)立的區(qū)別。當(dāng)如圖1B所示在每個(gè)開(kāi)口應(yīng)用這種獨(dú)立
13結(jié)構(gòu)時(shí)，在每個(gè)開(kāi)口中保護(hù)膜可以被用作獨(dú)立配線。
通過(guò)這種凹槽形開(kāi)口和保護(hù)膜抑制水進(jìn)入的其它結(jié)構(gòu)也是可以想到的，在
圖4A和4B中給出它們的一些例子。圖4A和4B中示出的橫截面圖也對(duì)應(yīng)于 圖3中線d-d'等。而且，省略了防水材料制成的密封劑和相對(duì)的基板。
圖1A到1C示出在第一層間絕緣膜102中形成的第一開(kāi)口和在第二層間 絕緣膜中形成的第二開(kāi)口的位置相同的例子；然而，圖4A和4B示出在第一 層間絕緣膜102中形成的第一開(kāi)口和在第二層間絕緣膜中形成的第二開(kāi)口的位 置不同的例子。甚至這種結(jié)構(gòu)也能獲得和圖1A到1C所示的結(jié)構(gòu)相似的效果， 以及由于第二開(kāi)口比圖IA到1C的第二開(kāi)口更淺，所以可以在短時(shí)間形成。 另外，由于水平差異變小，因此不需要關(guān)注步驟間的斷開(kāi)。在圖4A和圖4B 中，形成開(kāi)口的位置是不同的。
另外，用防水材料構(gòu)成的密封劑107將裝配有發(fā)光元件的基板100固定到 相對(duì)基板108，從外面密封發(fā)光元件。當(dāng)密封劑形成在凹槽的開(kāi)口 106的上部 時(shí)，密封劑更有效地抑制水進(jìn)入。
在這個(gè)實(shí)施方式中，描述了兩層層間絕緣膜的情況；然而，本發(fā)明也能應(yīng) 用于一層的情況。 (實(shí)施方式2)
在這個(gè)實(shí)施方式中，參考圖5A和5B描述通過(guò)將基板的外圍上的滲透性 膜從基板外圍移到一定距離以阻止水進(jìn)入的結(jié)構(gòu)的例子。這里，假定滲透性膜 是層間絕緣膜。然而，對(duì)象不限于層間絕緣膜，并且本發(fā)明可以被用作滲透性 膜的對(duì)策。橫截面圖對(duì)應(yīng)于圖3中線e-e'。
附圖標(biāo)記120表示圖5A中基板的端表面上去除了層間絕緣層102和104 的部分。在實(shí)施方式1中，層間絕緣膜102和104的端表面暴露于外部空氣中。 然后，在這個(gè)實(shí)施方式中，去除基板端表面上層間絕緣膜102和104的適當(dāng)距 離，它們的端表面用保護(hù)膜103和105涂覆。因此，可以防止?jié)B透性膜的端表 面暴露于外部空氣中；由此，可以阻斷水自己進(jìn)入。
當(dāng)防水材料制成的密封劑107形成在覆蓋有保護(hù)膜的層間絕緣膜端表面 的外邊或者形成為在固定的相對(duì)基板108中覆蓋層間絕緣膜的整個(gè)端表面時(shí)， 可以進(jìn)一步阻止水進(jìn)入。因此，可以期望可靠性得到提高。另外，在這個(gè)實(shí)施例中的其它結(jié)構(gòu)也是可以想象的，它們中的一個(gè)例子示
于圖5B中。圖5B和圖5A之間的區(qū)別是在基板端表面上層間絕緣膜102和
104的去除的位置。圖5A示出第二層間絕緣膜104的端表面位于比第一層間
絕緣膜102的端表面離基板的外邊更遠(yuǎn)的結(jié)構(gòu)。
注意，在這個(gè)實(shí)施方式中使用了兩層層間絕緣膜；然而，本發(fā)明可以應(yīng)用 于具有一層層間絕緣膜的場(chǎng)致發(fā)光器件。
此外，當(dāng)和實(shí)施方式1組合時(shí)這個(gè)實(shí)施例更有效。 (實(shí)施方式3)
參考圖6A到6C可以顯而易見(jiàn)，在制造本發(fā)明的密封結(jié)構(gòu)的情況中，在 基板端表面上可以在形成開(kāi)口 106和去除層間絕緣膜部分120同時(shí)，在層間絕 緣膜102和104中形成接觸孔的開(kāi)口，這是有效的。
然而，在使用硅半導(dǎo)體層作為蝕刻制動(dòng)器蝕刻層間絕緣膜和柵絕緣膜的條 件下蝕刻接觸孔。在開(kāi)口 106和蝕刻制動(dòng)器不存在位置上的層間絕緣膜中去除 部分120，可以產(chǎn)生蝕刻殘?jiān)蛘呖梢韵骷饣A(chǔ)絕緣膜101，由此，在蝕刻第 一層間絕緣膜102中產(chǎn)生不平坦。
圖7A是樣品的SEM圖，其中硅氧烷膜形成在基礎(chǔ)膜之上作為層間絕緣 膜，氮化硅膜形成在其上，在接觸孔的開(kāi)口狀態(tài)下去除層間絕緣膜，然后進(jìn)行 配線。由"C"和"c"表示的區(qū)域是層間絕緣膜被去除的區(qū)域，區(qū)域"a"、 "b"和"c" 裝配有配線。區(qū)域"A"是沒(méi)有被蝕刻的最初表面，"B"是層間絕緣膜的端表面， 以及"C"是基礎(chǔ)絕緣膜的表面。
明顯可見(jiàn)的是，在接觸孔開(kāi)口的狀態(tài)下，層間絕緣膜中形成的接觸孔到達(dá) 基底絕緣膜時(shí)，產(chǎn)生了區(qū)域"C"中所示的小的不平坦。然后，通過(guò)在那之上形 成配線產(chǎn)生區(qū)域"c"中所示的大的不平坦。由形成在區(qū)域"a"之上的配線的不平 坦明顯可見(jiàn)的是，在形成開(kāi)口之后由基礎(chǔ)絕緣膜上的不平坦引起的這種不平 坦。配線可以用作保護(hù)膜，以及這可以導(dǎo)致在保護(hù)膜紙上產(chǎn)生不平坦。而且， 配線本身的覆蓋變的糟糕。
當(dāng)產(chǎn)生這種大的不平坦時(shí)，形成在其上由防水材料構(gòu)成的密封劑的粘接性 受到極大地影響。這是因?yàn)楫?dāng)密封劑的粘接性差時(shí)，甚至當(dāng)密封劑本身的滲透 性差時(shí)，水從粘接性差的部分進(jìn)入。如圖7A，圖7B是樣品的SEM圖，其中硅氧烷膜形成在基礎(chǔ)絕緣膜之上 作為層間絕緣膜，在接觸孔打開(kāi)的條件下去除層間絕緣膜，然后進(jìn)行配線。圖 7A中區(qū)域"C"對(duì)應(yīng)于圖7B的區(qū)域"D"，區(qū)域"D"是在基底上按順序形成基礎(chǔ)絕 緣膜和層間絕緣膜之后，在接觸孔打開(kāi)的條件下去除層間絕緣膜的表面。圖7A 中區(qū)域"c"對(duì)應(yīng)于圖7B中的區(qū)域"E"，區(qū)域"E"是在圖7B中區(qū)域"D"上形成配線 的表面。
另一方面，圖7B中的區(qū)域"F"是在接觸孔打開(kāi)的條件下去除層間絕緣膜的 部分的表面類似于圖7B中在基板上按順序形成基礎(chǔ)絕緣膜、硅膜、和層間絕 緣膜之后圖7B中的區(qū)域"D"，也就是，在基礎(chǔ)絕緣膜上形成作為蝕刻制動(dòng)器硅 膜并且在其上形成層間絕緣膜。簡(jiǎn)要地，它具有圖7B中配置有硅膜的蝕刻制 動(dòng)器的區(qū)域"D"的結(jié)構(gòu)。由于在"E"中形成配線時(shí)通過(guò)蝕刻去除區(qū)域"F"中的硅 膜，所以可以看到與圖7B中區(qū)域"D"相類似的硅膜。和層間絕緣膜下面沒(méi)有形 成硅膜的"D"相比，區(qū)域"F"具有很平的表面。
這是因?yàn)楣枘こ洚?dāng)蝕刻制動(dòng)器膜，并且抑制在蝕刻層間絕緣膜中產(chǎn)生層間 絕緣膜的殘?jiān)陀苫A(chǔ)絕緣膜的圓槽導(dǎo)致產(chǎn)生不平坦。
基于這點(diǎn)，在這種實(shí)施方式中，在設(shè)置圖1A到1C中的開(kāi)口 106和在圖 5A和5B (圖6A)中去除了部分120的層間絕緣膜的位置上預(yù)先形成蝕刻制 動(dòng)器膜130和131。圖6A到6C中示出的橫截面圖對(duì)應(yīng)于沿圖3線f-f'的橫 截面圖。
在這種實(shí)施方式中，描述了通過(guò)使用形成薄膜晶體管(TFT)的半導(dǎo)體膜 132的硅膜形成這種蝕刻制動(dòng)器膜130和131的例子。其中薄膜晶體管(TFT) 是在驅(qū)動(dòng)電路部分或像素部分形成的。然而，可以使用任何膜作為蝕刻制動(dòng)膜 130和131只要它能起到開(kāi)口 106和在去除層間絕緣膜時(shí)去除了部分120的層 間絕緣膜的蝕刻制動(dòng)器的作用。在這種實(shí)施方式中，它可以由和半導(dǎo)體層132 相同的材料構(gòu)成，和半導(dǎo)體層132同時(shí)形成；它可以由和柵極133相同的材料 構(gòu)成，和柵極同時(shí)形成；或者它可以單獨(dú)的由其它材料構(gòu)成。當(dāng)它和半導(dǎo)體層 132或者柵絕緣膜同時(shí)形成時(shí)，由于沒(méi)有增加工藝過(guò)程，所以這是有利的。
開(kāi)口 106和去除了部分120的層間絕緣膜與用于配線的接觸孔開(kāi)口同時(shí)形 成。在這種情況，蝕刻制動(dòng)器膜130和131 (硅膜)形成在本發(fā)明的發(fā)光器件中開(kāi)口 106和去除了部分120的層間絕緣膜的較低部分。因此，沒(méi)有產(chǎn)生由于 層間絕緣膜的蝕刻殘?jiān)蛘邎A槽引起的不平坦。如果形成了后面將形成的配線
134以覆蓋開(kāi)口 106的內(nèi)部和被去除了部分120的層間絕緣膜中層間絕緣膜的 端表面，它也起到保護(hù)膜103的作用。當(dāng)用蝕刻制動(dòng)器膜130和131去除層間 絕緣膜時(shí)，在較低膜上沒(méi)有產(chǎn)生蝕刻殘?jiān)蛘邎A槽。因此，可以阻止保護(hù)膜103 粘性的降低，可以抑制在保護(hù)膜上產(chǎn)生不平坦。
在這個(gè)實(shí)施方式中，保護(hù)膜103是由和用于配線134相同的金屬膜材料構(gòu) 成，并且可以用形成配線的步驟同時(shí)形成。然而，它可以以不同的步驟由其它 材料構(gòu)成。
而且，保護(hù)膜103還可以被后面將形成的像素部分的開(kāi)關(guān)TFT上用于發(fā) 光元件正極的材料涂覆?？梢云谕氖强梢赃M(jìn)一步抑制水進(jìn)入(圖6B)。
在形成發(fā)光元件之后，用由防水材料構(gòu)成的密封劑107固定相對(duì)基板108。 通過(guò)將密封劑施加到凹槽形開(kāi)口 106上和/或基板外圍上的去除了部分120的 層間絕緣膜上，可以阻斷水的進(jìn)入路徑。因此，密封劑對(duì)于抑制發(fā)光元件損壞 是高效的。發(fā)光元件是通過(guò)將發(fā)光層137插在正極135和負(fù)極138之間形成的， 并且發(fā)光元件通過(guò)隔離物136與每個(gè)元件隔開(kāi)(圖6C)。
當(dāng)應(yīng)用這個(gè)實(shí)施方式時(shí)，抑制了凹槽形開(kāi)口 106和基板外圍上的去除了部 分120的層間絕緣膜上的保護(hù)膜103產(chǎn)生不平坦。因此，可以阻止密封劑的粘 性降低，并且可以抑制水從具有很差粘性的部分進(jìn)入，這提高了可靠性。
這種實(shí)施方式可以和實(shí)施方式1或2自由組合。當(dāng)組合時(shí)，進(jìn)一步阻止了 水從外部進(jìn)入；因此，場(chǎng)致發(fā)光器件的可靠性得到進(jìn)一步提高。 (實(shí)施方式4)
在這種實(shí)施方式中，描述了一種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以抑制在很難去除整個(gè)層 間絕緣膜的結(jié)構(gòu)中通過(guò)層間絕緣膜進(jìn)入的水的影響。
如實(shí)施方式2和3中所描述的，去除基板外圍上的層間絕緣膜以及通過(guò)用 保護(hù)膜103 (和105)和密封劑107涂覆層間絕緣膜的端表面而盡可能的不將 層間絕緣膜的端表面露出到外部空氣中是一種十分有效的阻止水進(jìn)入的方法。 然而，可能有一種情況是，由于取決于結(jié)構(gòu)，所以去除整個(gè)層間絕緣膜是困難 的。
17例如，考慮連接到外部端子和內(nèi)部電路的配線部分(圖3中的區(qū)域"C")。
當(dāng)使用其中去除了基板外圍上的層間絕緣膜的結(jié)構(gòu)(形成去除了部分120的層
間絕緣膜的結(jié)構(gòu)實(shí)施方式2和3)時(shí)，通過(guò)去除基板外圍上的層間絕緣膜、 形成金屬膜作為配線以及蝕刻金屬膜以具有配線所需的形狀來(lái)形成配線。
然而，存在第12步，即層間絕緣膜的端表面形成在從去除了層間絕緣膜 15的部分IO和保留了層間絕緣膜的部分11之間。有一種情況是，形成在這個(gè) 位置的金屬膜沒(méi)有被充分蝕刻掉并殘留。這種蝕刻殘?jiān)?3使得鄰近的線14短 路并引起故障。
如圖9所示對(duì)留在線14之間的層間絕緣膜16進(jìn)行測(cè)量以減少露在外面空 氣中的層間絕緣膜同時(shí)防止短路。因此，通過(guò)阻止將大多數(shù)層間絕緣膜露到外 面空氣中，可以阻止由于上述的短路引起的故障。然而，不能去除留在配線之 間的層間絕緣膜并總是暴露到外部空氣中；因此不能阻止水從部分進(jìn)入。當(dāng)從 長(zhǎng)期可靠性的觀點(diǎn)考慮時(shí)，水從殘留在配線之間的層間絕緣膜進(jìn)入可以有反作 用。
膜中水的擴(kuò)散現(xiàn)象使得水通過(guò)層間絕緣膜進(jìn)入。至于擴(kuò)散現(xiàn)象，假定到達(dá) 某位置的時(shí)間和距離的平方成比例，這可以通過(guò)擴(kuò)散公式得到。也就是，當(dāng)只 有留在配線之間的層間絕緣膜是水的進(jìn)入通道時(shí)，通過(guò)在留在電極之間的絕緣 膜中擴(kuò)散迸入的水到達(dá)場(chǎng)致發(fā)光器件內(nèi)部的時(shí)間，可以通過(guò)使距離盡可能長(zhǎng)的 而得到有效地增長(zhǎng)。
通常地，如圖10A所示，除了在布置方面必須是彎曲的地方，例如拐角 之外，連接外端子和內(nèi)電路的配線部分是直線。配線14密密地設(shè)置有圖10B 所示的多個(gè)彎曲部。
然后可以增長(zhǎng)存在于配線之間的層間絕緣膜16的基本長(zhǎng)度，并且水在層 間絕緣膜中到達(dá)場(chǎng)致發(fā)光器件內(nèi)部之前的擴(kuò)散距離變得更長(zhǎng)。因此，可以在很 大程度上獲得開(kāi)始破壞的時(shí)間，以及可以確保比以前更長(zhǎng)時(shí)間的可靠性。
圖IOC到IOF示出實(shí)現(xiàn)這種實(shí)施方式的其它可想象得出的結(jié)構(gòu)的例子。 當(dāng)配線中間的層間絕緣膜的長(zhǎng)度變得更長(zhǎng)時(shí)甚至比圖10A中傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)短時(shí)，和 以前相比可以進(jìn)一步推遲水進(jìn)入。根據(jù)需要可以形成想要的圖案。
當(dāng)應(yīng)用這種實(shí)施方式時(shí)，當(dāng)從發(fā)光器件的上面看時(shí)，配線之間的層間絕緣
18膜的面積變大。因此，在不暴露到外部空氣的這個(gè)位置中設(shè)置配線的彎曲部是 不可能的，也就是，由防水材料構(gòu)成的密封劑的內(nèi)部或者在密封劑得較低部分。 可以通過(guò)和實(shí)施方式1到3適當(dāng)?shù)亟M合來(lái)應(yīng)用這種實(shí)施方式。根據(jù)它的位 置，通過(guò)分別應(yīng)用實(shí)施方式有效地阻止水進(jìn)入是可能的，例如將這種實(shí)施方式 應(yīng)用到場(chǎng)致發(fā)光器件的連接外部端子和內(nèi)部電路的配線部分(圖3等中的區(qū)域 "C")，實(shí)施方式1和2應(yīng)用到其它外圍部分。而且，在這種實(shí)施方式中，只有 在形成配線部分12中去除層間絕緣膜的步驟。當(dāng)在那個(gè)時(shí)候應(yīng)用實(shí)施方式中 的結(jié)構(gòu)時(shí)，可以抑制在配線上產(chǎn)生不平坦。因此，提高了由防水材料構(gòu)成的密 封劑的粘性，以及減少水從密封劑和配線之間的界面進(jìn)入。
(實(shí)施方式5)
在這種實(shí)施方式中，參考圖IIA和IIB描述了可以去除層間絕緣膜并且 阻止水通過(guò)層間絕緣膜進(jìn)入的方式，該層間絕緣膜是在基板外圍上也在連接到 外部端子和內(nèi)部電路的配線部分中(圖3C中區(qū)域"c"等)。
如圖8所示，僅在步驟12中因?yàn)閷娱g絕緣膜15的端表面不能被蝕刻，所 以在那產(chǎn)生了蝕刻殘?jiān)?。由于層間絕緣膜的端表面是陡斜的，所以配線材料并 不能被用于形成配像的各相異性干燥蝕刻法蝕刻并且可以留在這個(gè)部分上。在 這個(gè)配線部分中，根據(jù)配線的邊緣，使用濕蝕刻代表的各相同性蝕刻是困難的。
因此，在這種實(shí)施方式中，層間絕緣膜18的端表面17被加工成緩錐形。 因此，即使在層間絕緣膜的端表面17上配線也一定可以被蝕刻，并且可以阻 止產(chǎn)生蝕刻殘?jiān)?；因此去除配線14之間的層間絕緣膜變得沒(méi)有必要了 (圖11A 和IIB)。
因此，在連接到外部電路和內(nèi)部電路的配線部分中(圖3C中區(qū)域"c"等) 可以徹底地去除基板外圍上的層間絕緣膜。而且，通過(guò)覆蓋比層間絕緣膜和防 水密封劑共存的更向外的整個(gè)外圍位置可以完全阻斷穿過(guò)層間絕緣膜的水通路。
注意，層間絕緣膜的錐形端表面可以用惰性氣體例如氬氣處理。這樣增加 了配線的表面密度，和沒(méi)有處理的情況比較，還具有使雜質(zhì)如水更難以進(jìn)入的 效果。而且，優(yōu)選的是，還形成氮化膜例如氮化硅膜以覆蓋層間絕緣膜的錐形 端表面，因?yàn)榭梢灶愃频匾种扑畯亩吮砻孢M(jìn)入。這種實(shí)施方式可以適當(dāng)?shù)睾蛯?shí)施方式1和2結(jié)合使用。根據(jù)它的位置和必 要性，可以通過(guò)單獨(dú)應(yīng)用實(shí)施方式有效阻止水進(jìn)入，例如，將這種實(shí)施方式應(yīng) 用到連接到場(chǎng)致發(fā)光器件的外部端子和內(nèi)部電路，并且實(shí)施方式1和2應(yīng)用到 另一外圍部分。
(實(shí)施方式6)
在這種實(shí)施方式中描述了實(shí)施方式5和實(shí)施方式3組合的例子。
在這種實(shí)施方式5和實(shí)施方式3組合的實(shí)施方式中，蝕刻制動(dòng)器膜20形 成在為了抑制在蝕刻間絕緣膜時(shí)引起不平坦的產(chǎn)生而去除了層間絕緣膜的部 分10中。在這種情況下，為了將層間絕緣膜的端表面形成為錐形，根據(jù)邊緣 21在保留層間絕緣膜15的低端部分形成用作蝕刻制動(dòng)器作用的膜(圖12A)。
蝕刻制動(dòng)器膜20形成在去除了部分10的層間絕緣膜的整個(gè)表面上，并在 其上形成配線14。因此，當(dāng)蝕刻制動(dòng)器膜20導(dǎo)電時(shí)，形成在去除了一部分的 層間絕緣膜上的所有配線短路。然而，在蝕刻中蝕刻沒(méi)形成配線的位置22中 的蝕刻制動(dòng)器膜，并且連同不需要的金屬膜一起將其去除，或者在通過(guò)配線蝕 刻不能將其蝕刻的情況下再次進(jìn)行適當(dāng)?shù)奈g刻以去除。因此，沒(méi)必要擔(dān)心該部 分中配線之間的短路。然而，位于上述保留下來(lái)的層間絕緣膜的較低部分中蝕 刻制動(dòng)器膜23 (在錐形邊緣21部分中的蝕刻制動(dòng)器膜20)并沒(méi)有去除而保留 了下來(lái)，由于它覆蓋有層間絕緣膜。當(dāng)該膜導(dǎo)電時(shí)，帶來(lái)了配線通過(guò)該部分短 路的問(wèn)題(參見(jiàn)圖12B)。
當(dāng)蝕刻制動(dòng)器由絕緣膜構(gòu)成時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生這種問(wèn)題。然而，在沒(méi)有增加步 驟而形成蝕刻制動(dòng)器時(shí)，尤其會(huì)產(chǎn)生這種問(wèn)題，因?yàn)榭梢韵胂蟮玫降哪な怯糜?半導(dǎo)體層的硅膜或者用于柵極的金屬膜，并且兩者都有導(dǎo)電性。
在這種實(shí)施方式中，形成在層間絕緣膜下面的所有蝕刻制動(dòng)器膜中，從頭 開(kāi)始蝕刻制動(dòng)器膜并沒(méi)有形成在配線之間(圖13A到13D)。形成在層間絕緣 膜下面的所有蝕刻制動(dòng)器膜中，蝕刻制動(dòng)器膜形成為與位于配線較低部分中的 蝕刻制動(dòng)器膜隔開(kāi)(圖18F到181)。
當(dāng)應(yīng)用這種結(jié)構(gòu)時(shí)，在連接到外部端子和內(nèi)部電路的配線部分中也能抑制 去除層間絕緣膜時(shí)產(chǎn)生不平坦，并且也能抑制配線的不平坦。因此，也能阻止 由于較低膜的不平坦所引起的密封劑粘性的降低，并且可以徹底降低水從粘性差的密封劑部分的進(jìn)入。因此，場(chǎng)致發(fā)光器件的可靠性得到了極大地提高。 [實(shí)施例1]
在這個(gè)實(shí)施例中，參考圖14A和14B、 15A禾ni5B、 16A禾B 16B描述實(shí)
施方式1和實(shí)施方式2的具體實(shí)施例。
第一層層間絕緣膜225形成在設(shè)置有基礎(chǔ)絕緣膜201、驅(qū)動(dòng)電路晶體管(僅 僅是圖中所示的n溝道薄膜晶體管203和p溝道薄膜晶體管204)和像素部分 (僅僅是圖中所示的開(kāi)關(guān)晶體管205和電流控制晶體管206)中的薄膜晶體管 的基板200上。
絕緣基板例如玻璃基板、石英基板或者水晶玻璃、陶瓷基板、不銹鋼基板、 金屬基板(鉭、鎢、鉬等)、半導(dǎo)體基板、塑料基板(聚酰亞胺、丙烯酸、聚 對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸脂、多芳基化合物、聚醚砜(polyethersulfone) 等等)等等都可以用作基板200，至少能抵抗加工的過(guò)程中產(chǎn)生的熱的材料。 在這個(gè)實(shí)施例中，使用玻璃基板。
二氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜等等可以用作基礎(chǔ)絕緣膜201。通過(guò) 常規(guī)的方法例如濺射、低壓CVD、等離子體CVD等等形成這些膜。在這個(gè)實(shí) 施例中，氮氧化硅膜形成的厚度為100nm。
因此，形成了非晶體半導(dǎo)體膜。非晶體半導(dǎo)體膜可以由硅或者含硅材料作 為它的主要構(gòu)成成分(例如SixGel-x等等)并具有所需的厚度。作為制造方法， 可以使用常規(guī)的例如濺射、低壓CVD、等離子體CVD。在這個(gè)實(shí)施例中，非 晶體半導(dǎo)體膜由非晶硅形成為50nm的厚度。
下面，將非晶硅結(jié)晶。在這個(gè)實(shí)施例中描述通過(guò)熱處理在添加促使結(jié)晶化
的元素后進(jìn)行激光結(jié)晶和結(jié)晶的步驟。
在半導(dǎo)體膜的表面上用旋轉(zhuǎn)器涂敷重量濃度為5ppm到10ppm含鎳硝酸
鎳，形成鎳溶液的薄膜?？梢酝ㄟ^(guò)濺射代替涂敷將鎳元素濺射在半導(dǎo)體膜的整 個(gè)表面上。作為催化元素，可以使用元素例如鐵(Fe)、鈀(Pd)、錫(Sn)、 鉛(Pb)、鈷(Co)、鉬(Pt)、銅(Cu)、和金(Au)中的一種或多種以及鎳 (Ni)。
隨后，通過(guò)熱處理使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶化。由于使用了催化元素，所以該 熱處理過(guò)程可以在50(TC到60(TC的溫度下進(jìn)行大約4到24小時(shí)。按照這種結(jié)晶化工藝，半導(dǎo)體膜變成了結(jié)晶半導(dǎo)體膜。
然后，通過(guò)激光進(jìn)行結(jié)晶化以改善結(jié)晶度。對(duì)于激光結(jié)晶過(guò)程，可以使用 脈沖振蕩或者連續(xù)振蕩氣體、固體或者金屬激光振蕩器件。通過(guò)使用光學(xué)系統(tǒng) 從激光振蕩器件中振蕩出的激光可以以線形放射出。
如這個(gè)實(shí)施例中通過(guò)使用催化結(jié)晶化的金屬而結(jié)晶的半導(dǎo)體膜包含用于 膜中結(jié)晶的金屬元素。因?yàn)檫@種殘?jiān)梢詭?lái)多個(gè)不利，所以需要使用吸起法 降低其濃度。
首先，用臭氧水對(duì)結(jié)晶的半導(dǎo)體膜進(jìn)行處理，然后形成具有從lnm到5nm 厚度的屏蔽膜，在其上通過(guò)濺射形成吸氣的位置。通過(guò)蒸發(fā)包含氬元素的50nm 厚的無(wú)機(jī)硅膜形成吸氣的位置。然后，通過(guò)使用燈退火器件在75(TC退火3分 鐘進(jìn)行吸氣以去除吸氣位置。
在吸氣后，結(jié)晶化半導(dǎo)體膜被蝕刻成所需形狀的半導(dǎo)體層207到210。然 后，形成柵極絕緣膜211。通過(guò)低壓CVD、等離子體CVD、濺射等等可以形 成近似115nm厚的含硅絕緣膜。在這個(gè)實(shí)施例中形成氧化硅膜。
在柵絕緣膜211上形成30nm厚的氮化鉭(TaN)膜作為第一導(dǎo)電層，以 及形成370nm厚的鎢(W)膜作為第二導(dǎo)電膜。注意，在這個(gè)實(shí)施例中，第一 導(dǎo)電層是30nm厚的TaN，第二導(dǎo)電層是370nm厚的W膜，然而，本發(fā)明不 限于此。第一和第二導(dǎo)電層可以由選自于Ta、 W、 Ti、 Mo、 Al、 Cu、 Cr和 Nd或者合金或者具有上述元素作為主成分構(gòu)成的化合材料。而且，可以使用 摻有雜質(zhì)元素例如磷的多晶硅代表的半導(dǎo)體膜?？梢孕纬?0nm到100nm厚的 第一導(dǎo)體層，和形成100nm到400nm厚的第二導(dǎo)體層。在這個(gè)實(shí)施例中，使 用兩層的疊層結(jié)構(gòu)，可以使用單層結(jié)構(gòu)，或者還可以層疊三層或更多層。
為了通過(guò)蝕刻導(dǎo)體層形成電極和配線，用光刻法通過(guò)曝光形成掩模的抗蝕 劑。在第一和第二蝕刻條件下進(jìn)行蝕刻處理。用抗蝕劑構(gòu)成的掩模進(jìn)行蝕刻以 形成柵極和配線。蝕刻條件可以由各個(gè)情況來(lái)決定。
在這種方法中，使用ICP (感應(yīng)耦合等離子體)蝕刻。作為第一蝕刻條件， 將氣流比為25/25/10 (sccm)和壓力為l.OPa的CF4、 Cl2、 02用作蝕刻氣體， 500W的RF (13.56MKz)電源施加在線圈電極上產(chǎn)生用于蝕刻的等離子體。 150W的RF (13.56MHz)電源施加在基板側(cè)(樣品階段)提供足夠的負(fù)自偏
22壓。在第一蝕刻條件下蝕刻W膜使第一導(dǎo)電層的邊緣部分成錐形。在第一蝕
刻條件下蝕刻W膜的速率是200.39 nm/min， TaN膜上蝕刻的速率是 80.32nm/min， W相對(duì)于TaN的選擇比率接近2.5。而且，在第一蝕刻條件下 W膜的錐角大約26。。
接下來(lái)，在第二蝕刻條件下進(jìn)行蝕刻。用抗蝕劑剩下的作為掩模進(jìn)行蝕刻 15秒，通過(guò)使用氣流比為30/30 (sccm)和壓力為l.OPa的CF4和Cl2作蝕刻氣 體，以及500W的RF (13.56MHz)電源施加在線圈電極上產(chǎn)生用于蝕刻的等 離子體。20W的RF (13.56MHz)電源施加在基板側(cè)(樣品階段)提供足夠的 負(fù)自偏壓。在混合了CF4和Cb的第二蝕刻條件下，W膜和TaN膜都被蝕刻了 同樣的程度。由于施加到基板的負(fù)偏壓使得在第一蝕刻中第一和第二導(dǎo)電層的 邊緣部分變成了錐形。
在沒(méi)有去除作為掩模的抗蝕劑時(shí)進(jìn)行第二蝕刻。使用氣流比為24/12/24 (sccm)和壓力為1.3Pa的SF6、 Cl2禾B 02作蝕刻氣體，以及700W的RF (13.56MHz)電源施加在線圈電極上產(chǎn)生用于蝕刻25秒的等離子體。10W的 RF (13.56MHz)電源施加在基板側(cè)(樣品階段)提供足夠的負(fù)自偏壓。在這 個(gè)蝕刻條件下，對(duì)W膜有選擇性地蝕刻以形成在第二形狀的導(dǎo)電層。此時(shí)第 一導(dǎo)電層很難被蝕刻掉。通過(guò)第一和第二蝕刻形成了包括有第一導(dǎo)電層212a 到215a和第二導(dǎo)電層212b到215b的柵極。
在沒(méi)有去除作為掩模的抗蝕劑時(shí)進(jìn)行第一摻雜。因此，將低濃度N型雜 質(zhì)摻雜到晶體半導(dǎo)體層中。可以通過(guò)離子摻雜或者離子注入進(jìn)行第一摻雜。用 從lxl013atoms/cm^l」5xl014 atoms/cm2的分量和從40kV到80kV的催化電壓 進(jìn)行離子摻雜。N型雜質(zhì)可以是由磷(p)或者砷(As)代表的屬于元素周期 表15族的元素。在這個(gè)實(shí)施例中使用磷(P)。第一導(dǎo)電層被用作掩模以自校 準(zhǔn)的方式形成雜質(zhì)區(qū)域(N—區(qū)域)，低濃度的雜質(zhì)被摻雜。
其后，去除作為掩模的抗蝕劑。然后，重新形成抗蝕劑構(gòu)成的掩模并在比 第一摻雜更高的加速電壓下進(jìn)行第二摻雜。同樣在第二摻雜將N型雜質(zhì)摻雜。 用從lxl0"atoms/cm2到3"015 atoms/cm2的分量和從60kV到120kV的加速電 壓進(jìn)行離子摻雜。在這個(gè)實(shí)施例中，用從3.0xl015atoms/cm2的分量和65kV的 加速電壓進(jìn)行離子摻雜。進(jìn)行第二摻雜，使得通過(guò)使用第二導(dǎo)電劑層作為掩模對(duì)抗雜質(zhì)元素，將雜質(zhì)元素?fù)诫s到第一導(dǎo)電層下的半導(dǎo)體層中。
通過(guò)第二摻雜，第二摻雜區(qū)域(N—區(qū)域，LOV區(qū)域)形成在沒(méi)有和第二導(dǎo) 體層重疊的部分或者在第一導(dǎo)電層與結(jié)晶半導(dǎo)體重疊的部分中沒(méi)有被掩模覆
蓋的部分。濃度范圍在lxlO toms/cmS到5><1019 atoms/cm3的N型雜質(zhì)摻雜到 第二雜質(zhì)區(qū)域中。而且，用lxl0"atoms/cm3到5xl0"atoms/cm3的高濃度N型 雜質(zhì)對(duì)露出的部分(第三雜質(zhì)區(qū)域N+區(qū)域)摻雜，該露出部分既沒(méi)有被第一 形狀的導(dǎo)體層也沒(méi)有被掩模覆蓋。半導(dǎo)體層只有一部分被掩模覆蓋的N+區(qū)域。 這部分的N型雜質(zhì)濃度沒(méi)有從第一摻雜的雜質(zhì)濃度改變。因此，事實(shí)上這部分 被稱作第一摻雜區(qū)域(N—區(qū)域)。
注意，在這個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)兩種摻雜處理形成每個(gè)摻雜區(qū)域；然而，本 發(fā)明不唯一地局限于此。根據(jù)每種情況決定通過(guò)一種或多種摻雜形成具有所需
雜質(zhì)濃度的雜質(zhì)區(qū)域。
其后，去除作為掩模的抗蝕劑，重新在第三摻雜中形成由抗蝕劑構(gòu)成的掩 模。通過(guò)第三摻雜，形成第四摻雜區(qū)域(P+區(qū)域)和第五摻雜區(qū)域(P—區(qū)域)， 其中該區(qū)域中有與第一和第二的導(dǎo)電率相反的雜質(zhì)元素被添加到作為P溝TFT
的半導(dǎo)體層。
第四摻雜區(qū)域(P+區(qū)域)形成在沒(méi)有被作為掩模的抗蝕劑覆蓋和沒(méi)有與第 一導(dǎo)電層重疊的部分，第五摻雜區(qū)域(P—區(qū)域)形成在沒(méi)有被作為掩模的抗蝕 劑覆蓋、沒(méi)有與第一導(dǎo)電層重疊和沒(méi)有與第二導(dǎo)電層重疊的部分。P型雜質(zhì)元 素可以是硼(B)、鋁(Al)、或者鎵(Ga)，其中的每個(gè)都屬于元素周期表中 的13族。
在這個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)使用乙硼烷(B2H6)的離子摻雜，用硼作為P型雜 質(zhì)元素以形成第四和第五摻雜區(qū)域。用lxlO"atoms/cn^的分量和80kV的加速 電壓進(jìn)行離子摻雜。
注意，在第三摻雜中用于形成P溝道TFT的半導(dǎo)體層207和209由抗蝕 劑構(gòu)成的掩模覆蓋。
通過(guò)第一和第二摻雜，第四摻雜區(qū)域(P+區(qū)域)和第五摻雜區(qū)域(P—區(qū)域) 由不同濃度的磷摻雜。然而，在第四摻雜區(qū)域(P+區(qū)域)和第五摻雜區(qū)域(P一 區(qū)域)兩個(gè)區(qū)域中進(jìn)行第三摻雜，使得P型雜質(zhì)元素的濃度為lxl019atomS/Cm2到5xl021 atoms/cm2。因此，第四摻雜區(qū)域(P+區(qū)域)和第五摻雜區(qū)域(P—區(qū) 域)用作P溝道TFT的源區(qū)和漏區(qū)而沒(méi)有問(wèn)題。
可以注意到第四摻雜區(qū)域(P+區(qū)域)和第五慘雜區(qū)域(P—區(qū)域)是通過(guò)一 次第三摻雜形成的；然而，本發(fā)明不僅僅局限于此。第四摻雜區(qū)域(P+區(qū)域) 和第五掾雜區(qū)域(P—區(qū)域)可以根據(jù)各自條件通過(guò)多次摻雜處理而形成。
通過(guò)上述的摻雜處理，形成了第一摻雜區(qū)域(N—區(qū)域)216、第二摻雜區(qū) 域(N—區(qū)域，Lov區(qū)域)217、第三摻雜區(qū)域(N+區(qū)域)218和219、第四摻雜區(qū) 域(P+區(qū)域)220和221、和第五摻雜區(qū)域(P—區(qū)域)222和223。
其后，在柵極和柵絕緣膜上形成第一鈍化膜224。氮化硅膜、氧氮化硅膜、 或包含氫的氮氧化硅膜形成為第一鈍化膜。
其后，形成第一層間絕緣膜225。在將硅氧烷聚合物整個(gè)用作第一層間絕 緣膜之后，通過(guò)在5(TC到20(TC的溫度下10分鐘的熱處理以及在30(rC到45(rC 的溫度下進(jìn)行1個(gè)小時(shí)到12個(gè)小時(shí)的烘干處理干燥第一層間絕緣膜。通過(guò)烘 干在整個(gè)表面形成厚lnm的硅氧烷膜,其中骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)組成。 這個(gè)步驟可以通過(guò)包含在第一鈍化膜224中的氫使半導(dǎo)體層氫化，也可以烘干 硅氧烷聚合物；從而，可以減少步驟的數(shù)量，可以簡(jiǎn)化過(guò)程。
由已知方法比如CVD方法形成的無(wú)機(jī)絕緣膜、有機(jī)材料樹脂、低-K材料 等可以用作第一層間絕緣膜。
其后，可以由CVD方法形成的氮化硅氧化物膜或氮氧化硅膜覆蓋在第一 層間絕緣膜225上。當(dāng)蝕刻隨后來(lái)形成的導(dǎo)電膜時(shí)，這層膜可以起到蝕刻制動(dòng) 器的功能并且可以防止層間絕緣膜過(guò)度蝕刻。此外，可以通過(guò)濺射在其上形成 氮化硅膜。氮化硅膜具有抑制堿性金屬離子運(yùn)動(dòng)的功能；因此，，可以防止隨 后形成像素電極中的金屬離子例如鋰元素或者鈉元素移動(dòng)到半導(dǎo)體薄膜。
其后，對(duì)第一層間絕緣膜構(gòu)圖和蝕刻，以形成延伸到薄膜晶體管203到 206的接觸孔226、凹槽形開(kāi)口 227和在基板外圍去除了部分228的層間絕緣 膜。
通過(guò)使用CF4、 02和He的混合氣體蝕刻硅氧烷，然后使用CHF3氣體蝕 刻并去掉作為柵絕緣膜的氧化硅膜，可以形成接觸孔226、開(kāi)口 227和去除了 部分228的層間絕緣膜。其后，在接觸孔226里層疊金屬膜并且構(gòu)圖以形成源極和漏極。在這個(gè)實(shí)
施例中，包含氮原子的鈦膜、鈦鋁合金膜和鈦膜分別以100nm/350nm/100nm 的厚度層疊。然后，將該膜構(gòu)圖并蝕刻成所需的形狀以形成三層的源/漏極229 至235和像素電極236。
以鈦為耙，用為1: 1的流量比率設(shè)置的氮和氬濺射，在第一層中形成包 含氮原子的鈦膜。當(dāng)上述包含氮原子的鈦膜形成在由硅氧垸膜構(gòu)成的層間絕緣 膜上時(shí)，可以形成配線，該配線很難剝落并且與半導(dǎo)體區(qū)域相連的阻抗低。
在這個(gè)實(shí)施例中，頂柵極多晶硅TFT同時(shí)形成在驅(qū)動(dòng)電路部分和像素部 分中；然而，像素部分中的TFT可以是使用非晶硅作為活性層的TFT或者是 使用微晶硅作為活性層的TFT。另外，當(dāng)然可以使用底柵極TFT。
在形成源極和漏極的同時(shí)用相同材料構(gòu)成第一保護(hù)膜237以覆蓋在凹槽 形開(kāi)口 227內(nèi)部和基板外圍去除了部分228的層間絕緣膜的端。
其后，在基板的整個(gè)表面上形成第二層間絕緣膜238。第二層間絕緣膜238 可以用與第一層間絕緣膜225相同的材料構(gòu)成。在這個(gè)實(shí)施例中，第二層間絕 緣膜238是用與第一層間絕緣膜相同的硅氧烷膜構(gòu)成的。
其后，在與蝕刻第一層間絕緣膜的相同條件下形成連接到像素電極上的接 觸孔239、凹槽形開(kāi)口 240和基板外圍上的去除了部分241的層間絕緣膜。
在這個(gè)實(shí)施例中，第一層間絕緣膜225和第二層間絕緣膜238都是由硅氧 垸膜構(gòu)成的；然而，層間絕緣膜的結(jié)構(gòu)不局限于此?？梢赃m當(dāng)將該結(jié)構(gòu)改變成 用于第一層間絕緣膜的有機(jī)膜和用于第二層間絕緣膜的無(wú)機(jī)膜的組合、其相反 的組合、有機(jī)膜和有機(jī)膜的組合、無(wú)機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜的組合等等。取決于所選擇 的層間膜的滲透性，保護(hù)膜只可以形成在第一層間絕緣膜上或第二層間絕緣膜 上。
在第二層間絕緣膜238上形成接觸孔之后，作為發(fā)光元件陽(yáng)極的第一電極 連續(xù)地形成在與像素電極相連的接觸孔239內(nèi)和第二層間絕緣膜238上。發(fā)光 元件的電極是Al-Si(260a)/TiN(260b)/ITSO(260c)構(gòu)成的疊層。這里，Al-Si是包 含大約1 atomic。/。到5 atomic。/。的硅的鋁，以及ITSO是一種ITO與Si02混合的材料。
在形成發(fā)光元件陽(yáng)極的同時(shí)，凹槽形開(kāi)口 240和位于基板外圍上去處部分
26241的層間絕緣膜238的端表面的內(nèi)部由保護(hù)膜242覆蓋。用發(fā)光元件的電極 260a到260b可以形成保護(hù)膜?？梢允褂脧?60a到260c的全部三層，或者使 用其中的一層或兩層。
其后，形成絕緣體243以覆蓋第一電極的端表面。絕緣體243可以由無(wú)機(jī) 或有機(jī)材料構(gòu)成?？梢耘e出氧化硅、氧氮化硅、硅氧烷、丙烯酸、聚酰亞胺等 等。優(yōu)選通過(guò)使用感光有機(jī)材料來(lái)形成絕緣體243，因?yàn)殚_(kāi)口的形狀變成蒸發(fā) 發(fā)光層時(shí)很難發(fā)生曲率半徑的連續(xù)改變和步驟之間的斷開(kāi)等等這樣的形狀。
然后，通過(guò)使用一種蒸發(fā)設(shè)備隨著蒸發(fā)源的移動(dòng)進(jìn)行蒸發(fā)。例如，在一個(gè) 被抽真空到5xl(^Torr(0.665Pa)或更小、最好l(T4Torr至l(T6Torr的膜形成腔中 進(jìn)行蒸發(fā)。通過(guò)電阻加熱，先將有機(jī)化合物蒸發(fā)并且在蒸發(fā)中打開(kāi)隔板時(shí)沿基 板方向飛散。蒸發(fā)的有機(jī)化合物向上飛散并且通過(guò)為金屬掩模設(shè)置的開(kāi)口被蒸 發(fā)到基板上以形成發(fā)光層244 (包括空穴傳輸層、空穴注入層、電子傳輸層和 電子注入層)。
在這個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)蒸發(fā)形成發(fā)光層；因此，使用低分子量的發(fā)光材料。 然而，也可以通過(guò)使用高分子量的材料和具有性質(zhì)介于低分子量材料和高分子 量材料之間的中間分子量材料形成發(fā)光層。通過(guò)將高分子材料溶解到溶液中使 用旋轉(zhuǎn)涂覆或者墨汁噴射而使用高分子量材料。另外，同樣可以使用有機(jī)材料 和無(wú)機(jī)材料組合的材料。
假定發(fā)光元件的發(fā)光機(jī)構(gòu)以這種方式發(fā)光，當(dāng)對(duì)插在一對(duì)電極之間的有機(jī) 化合物層施加電壓時(shí)，通過(guò)位于有機(jī)化合物層的光發(fā)射中心的重組，從陰極注 入的電子和從陽(yáng)極注入的空穴形成一個(gè)由分子構(gòu)成的電子空穴對(duì)而且當(dāng)由分 子構(gòu)成的電子空穴對(duì)恢復(fù)到基態(tài)時(shí)釋放用于光發(fā)射的能量。已知的激發(fā)狀態(tài)包 括單一激發(fā)狀態(tài)和三重激發(fā)狀態(tài)，通過(guò)任一個(gè)激發(fā)狀態(tài)都可以發(fā)光。
發(fā)光層典型地具有層疊結(jié)構(gòu)。典型的層疊結(jié)構(gòu)是由"空穴傳輸層、場(chǎng)致發(fā) 光層和電子傳輸層"組成。這種結(jié)構(gòu)具有高的發(fā)光效率以至于最近研究和發(fā)展 的發(fā)光器件主要采用這種結(jié)構(gòu)?？梢允褂靡钥昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、場(chǎng)致發(fā) 光層和電子傳輸層這樣的順序?qū)盈B在陽(yáng)極上的結(jié)構(gòu)，或者同樣也可以使用以空 穴注入層、空穴傳輸層、場(chǎng)致發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的發(fā)光層這樣 的順序?qū)盈B在陽(yáng)極上的結(jié)構(gòu)。可以將熒光顏料等摻雜到場(chǎng)致發(fā)光層中。其后，在發(fā)光層上形成第二電極245作為陰極。第二電極245可以由包含 具有低功函數(shù)的金屬(Li、 Mg或Cs)的薄膜構(gòu)成。另外，優(yōu)選第二電極由透 明導(dǎo)電膜(ITO(氧化銦錫)、氧化銦鋅(In2OrZnO)、氧化鋅(ZnO)、等等) 層疊在包含鋰、鎂、銫等的薄膜上的疊層膜構(gòu)成。此外，雖然可以近似地確定 膜的厚度以作為陰極，但是通過(guò)電子束蒸發(fā)可以形成0.01pm到lpm厚的第二 電極。
通過(guò)選擇和排列發(fā)光層，這樣的發(fā)光元件既可以單色顯示又可以多色顯 示。對(duì)于單色顯示，所有的發(fā)光元件都是通過(guò)使用一種材料制造的；可是，對(duì) 于多色顯示卻有幾種方法。 一種是分別著色法。分別著色法是通過(guò)分別使發(fā)光 層著色而實(shí)現(xiàn)多色顯示，這些發(fā)光層在需要的部分發(fā)射出目標(biāo)色彩的光。另一 種是色彩轉(zhuǎn)換法。發(fā)光層由一種材料構(gòu)成，并且僅在需要的部分設(shè)置色彩轉(zhuǎn)換 層。通過(guò)色彩轉(zhuǎn)換層從發(fā)光層發(fā)射出的光被轉(zhuǎn)換成需要的顏色，從而實(shí)現(xiàn)了多 色顯示。另一種方法是在白光發(fā)射元件上裝置色彩過(guò)濾器。這種方法通過(guò)在全 部像素部分上形成發(fā)射白光的發(fā)光層和通過(guò)色彩過(guò)濾器來(lái)實(shí)現(xiàn)多色顯示。在所 有的這些方法中，在全色彩顯示的狀況下形成發(fā)光層使得在每一個(gè)像素上設(shè)置 RGB光三原色。因而，發(fā)光器件可以進(jìn)行單色顯示、多色顯示和全色顯示。
在以這種方式形成發(fā)光元件246后，用由防水材料構(gòu)成的密封劑247反向 的基板248固定在基板上。當(dāng)該密封劑形成并覆蓋在有保護(hù)膜覆蓋的層間絕緣 膜的端表面時(shí)，由防水材料構(gòu)成的密封劑247進(jìn)一步穩(wěn)固地阻止水入口和進(jìn)入 的通道，該層間絕緣膜覆蓋有圍繞設(shè)置有保護(hù)膜的槽形開(kāi)口 227和240中和在 基板外圍去除了部分228和241的層間絕緣膜中的絕緣膜，該密封劑對(duì)提高 可靠性起到了很好的作用。防紫外線滲透的固化樹脂可以用作由防水材料構(gòu)成 的密封劑247。
根據(jù)上述步驟，可以生產(chǎn)抵抗由于外部的水進(jìn)入引起損壞的場(chǎng)致發(fā)光器 件，并且可以徹底地提高場(chǎng)致發(fā)光器件的可靠性。注意到在這個(gè)實(shí)施例中，在 密封部分中層間絕緣膜周圍只設(shè)置了一個(gè)凹槽形開(kāi)口；然而，可以設(shè)置多個(gè)開(kāi) 口。通過(guò)設(shè)置多個(gè)開(kāi)口可以進(jìn)一步提高可靠性。
在這個(gè)實(shí)施例中，參考圖17和18A至18I描述關(guān)于實(shí)施方式5和實(shí)施方式6的實(shí)施例。在圖17中，層間絕緣膜為單層結(jié)構(gòu)；然而，它可以被看作具 有與實(shí)施例l相同的結(jié)構(gòu)。發(fā)光元件中第一電極的結(jié)構(gòu)是不同的，但是下面描 述該結(jié)構(gòu)。
圖17是沿圖3中線f-f的橫截面圖。在圖17中，在層間絕緣膜外圍的凹 槽形開(kāi)口和基板外圍上去除了部分的層間絕緣膜中形成蝕刻制動(dòng)器膜250。在 驅(qū)動(dòng)電路部分或者像素部分中蝕刻制動(dòng)器膜250可以與晶體管的半導(dǎo)體層同時(shí) 形成。蝕刻制動(dòng)器膜250的功能是在蝕刻層間絕緣膜251的過(guò)程中作為蝕刻 制動(dòng)器，并且具有通過(guò)減少蝕刻殘余物或不均勻性的產(chǎn)生來(lái)改善由防水材料構(gòu) 成的密封劑的粘性的作用。
除了具有蝕刻制動(dòng)器膜250之外，源極和漏極的制造與上面實(shí)施例1是相 同的，省略說(shuō)明。源極和漏極形成后，形成發(fā)光元件的第一電極252與像素部 分中轉(zhuǎn)換TFT的電極255接觸。在這個(gè)實(shí)施例中，在設(shè)置有源極和漏極層間絕 緣膜上制造出發(fā)光元件的第一電極252。因此，不必制造第二層間絕緣膜。與 實(shí)施例1中的第一電極相同的材料可以被用作第一電極252等的材料，并且制 造第一電極后的過(guò)程與實(shí)施例l相同；所以省略說(shuō)明。
這里，當(dāng)?shù)谝浑姌O是由ITO代表的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成時(shí)，光可以從基板200 的方向發(fā)出。另外，當(dāng)?shù)诙姌O也同樣是由透明材料構(gòu)成時(shí)，光可以從基板200 和相對(duì)基板248這兩個(gè)方向發(fā)出。
圖18A至18I示出制造圖3中區(qū)域"c"的方法。圖18A至18E是沿圖3線 a-a'的橫截面圖，圖18F至18I是圖3中區(qū)域"c"的俯視圖。圖18A至18E和圖 18F至18I彼此相鄰，分別示出了同一步驟的方框圖。在圖18A至18I中，左 側(cè)是FPC的方向，右側(cè)是顯示部分的方向。因?yàn)閳D18F至18I具有與圖3中區(qū) 域"c"不同的方向，所以這一點(diǎn)需要加以注意。
在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)在顯示部分中形成晶體管和第一層間絕緣膜時(shí)，在與 外部端子和內(nèi)部電路相連的配線部分中，在整個(gè)基板300上形成基礎(chǔ)絕緣膜 301。在基礎(chǔ)膜301上去除了層間膜的部分形成蝕刻制動(dòng)器膜302 (硅膜)；形 成作為柵絕緣膜的絕緣膜303以覆蓋在蝕刻制動(dòng)器膜302 (硅膜)和基礎(chǔ)絕緣 膜301上；然后，形成第一層間絕緣膜304同樣用來(lái)覆蓋?？梢允褂帽┧崮?或硅氧烷膜作為層間膜；可是，在這個(gè)實(shí)施例中使用了硅氧垸膜(圖18A至18F)。
其后，蝕刻和去除第一層間絕緣膜304以在端表面具有錐形形狀，由此在 基板外圍上形成去除了部分305的層間絕緣膜。作為蝕刻制動(dòng)器的蝕刻制動(dòng)器 膜302 (硅膜)預(yù)先形成在去除了部分305的層間絕緣膜上。因此，在清除后 去除了部分305的層間絕緣膜的表面是平坦的，并且不會(huì)出現(xiàn)由于基礎(chǔ)膜的蝕 刻殘?jiān)蜩彶垡鸬牟黄教?圖18B和18G)。
其后，形成作為配線的金屬膜306。金屬膜可以由與驅(qū)動(dòng)電路或像素部分 中的源極和漏極相同的材料構(gòu)成。具體的材料與實(shí)施例1中源極和漏極使用的 材料相同(圖18C至18H)。
為了形成配線307，金屬膜306的蝕刻與形成源極和漏極的蝕刻同時(shí)進(jìn)行。 此時(shí)，通過(guò)蝕刻去除沒(méi)有被形成在去除了部分305的層間絕緣膜上的蝕刻制動(dòng) 器膜302 (硅膜)的配線307覆蓋的部分。當(dāng)預(yù)先形成沒(méi)有位于配線307下而 且形成在剩余的層間絕緣膜304下面位置308的蝕刻制動(dòng)器膜302，并且其形 狀與位于配線蝕刻后的配線307下面的蝕刻制動(dòng)器膜309 (硅膜)相分離時(shí)， 彼此相鄰的配線不會(huì)短路，即使蝕刻制動(dòng)器膜302是由導(dǎo)電材料(圖18D， 18E 和181)構(gòu)成的。
可以避免去除了部分305的層間絕緣膜上不平坦的產(chǎn)生，并且其后形成的 配線上的大的不平坦的產(chǎn)生也可以通過(guò)形成作為蝕刻制動(dòng)器的蝕刻制動(dòng)器膜 302 (硅膜)來(lái)抑制。可以保持形成在其上的由防水材料構(gòu)成的密封劑的粘性， 以及減少水從密封劑的粘性變差的部分進(jìn)入。
當(dāng)應(yīng)用這樣的結(jié)構(gòu)時(shí)，也可以去除與外部端子部分(比如FPC)和內(nèi)部電 路相連的配線部分中的層間絕緣膜，并且可以防止層間絕緣膜暴露于外部空 氣。因此，可以徹底減少水的進(jìn)入，這樣有利于提高場(chǎng)致發(fā)光器件的可靠性。
在去除基板外圍上第一層間絕緣膜以便在其端表面形成錐形形狀之后和 在形成作為配線的金屬之前，為了防止?jié)駳鈴亩吮砻?未示出)進(jìn)入通過(guò)CVD 在其上形成氮化物膜比如氮化硅膜或氮化碳膜是有用的。通過(guò)形成這樣的氮化 物膜可以獲得更高的可靠性。
在這個(gè)實(shí)施例中，在像素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分上通過(guò)與打開(kāi)接觸孔的相同 步驟去除基板外圍上第一層間絕緣膜。因此，在像素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分中，當(dāng)去除第一層間絕緣膜后形成氮化物膜時(shí)，較低層中的配線等和將要通過(guò)接觸 孔在第一層間絕緣膜上形成的配線之間可以不導(dǎo)電。因此，在需要與較低部分 進(jìn)行電連接的部分，最好在形成作為配線的金屬前去除該部分的氮化物膜。當(dāng) 在第一層間絕緣膜上形成氮化物膜時(shí)，在這樣的接觸孔部分里可以防止潮氣從 層間絕緣膜的端表面進(jìn)入。因此，可以獲得更高的可靠性。 [實(shí)施例3]
在這個(gè)實(shí)施例中，參考圖19A和19B描述將本發(fā)明的結(jié)構(gòu)應(yīng)用于場(chǎng)致發(fā) 光器件中的像素結(jié)構(gòu)中的例子。
圖19A和19B示出一個(gè)像素的元件結(jié)構(gòu)。通過(guò)將多個(gè)這樣的像素排列成 矩陣形成圖3中的顯示部分。當(dāng)然，這種像素結(jié)構(gòu)只不過(guò)是一個(gè)例子，任何其 它想得到的像素結(jié)構(gòu)都可以使用。
在圖19A和19B中，采用了一種頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)。 一個(gè)像素包含源線400、 驅(qū)動(dòng)器TFT柵線401、陽(yáng)極線402、可擦除柵線403、寫入柵線404、可擦除 TFT405、寫入TFT406、驅(qū)動(dòng)器TFT407、顯示
TFT408、 AC驅(qū)動(dòng)二極管409、電容器410、驅(qū)動(dòng)器TFT的漏極411和驅(qū) 動(dòng)器TFT柵線412。
然后，通過(guò)絕緣膜在上面部分形成發(fā)光元件413，發(fā)光元件的陽(yáng)極或陰極 與驅(qū)動(dòng)器TFT的漏極411相連。
在這個(gè)實(shí)施例中，參考圖20描述場(chǎng)致發(fā)光器件中顯示圖像所需的源驅(qū)動(dòng) 器結(jié)構(gòu)。
在柵信號(hào)線被選中的行中，從與時(shí)鐘脈沖504和起始脈沖505相對(duì)應(yīng)的第 一階段開(kāi)始轉(zhuǎn)換寄存器500 (SR)連續(xù)地輸出采樣脈沖。第一鎖存器電路501 隨著采樣脈沖的輸入及時(shí)接受視頻信號(hào)，每一階段接受的視頻信號(hào)被存儲(chǔ)在第 一鎖存器電路501里。
根據(jù)從一個(gè)轉(zhuǎn)換寄存器500輸出的采樣脈沖，第一鎖存器電路501中三個(gè) 鎖存器電路A、B和C接收分別從視頻線DATAOl至20、DATA21至40、DATA 41至60中接受輸入的信號(hào)。在第一階段從轉(zhuǎn)換寄存器500中輸出的采樣脈沖 接受用于在從S01到S1920的所有源信號(hào)線中的從S01到S60的源信號(hào)線中被充電和放電的視頻信號(hào)。在在第一階段中第一鎖存器電路接受轉(zhuǎn)換寄存器500
的采樣脈沖響應(yīng)的視頻信號(hào)，在其中鎖存器電路A存儲(chǔ)從S01到S20源信號(hào)線的視頻信號(hào)；B，從S21到S40; C，從S41到S60。其后，接受在第二階段中接收從轉(zhuǎn)換寄存器輸出的采樣脈沖的響應(yīng)視頻信號(hào)的第一鎖存器電路接受從S61到S120源信號(hào)線的視頻信號(hào)。鎖存器電路A、 B和C分別存儲(chǔ)從S61到S80、從S81到SIOO、從S101到S120源信號(hào)線的視頻信號(hào)。類似地，在第32個(gè)階段轉(zhuǎn)換寄存器接受并存儲(chǔ)從S1861到S1920源信號(hào)線的視頻信號(hào)；于是，就完成了接受一行的視頻信號(hào)。
在完成一行視頻信號(hào)的接受之后，輸出鎖存器脈沖(LAT) 506時(shí)，存儲(chǔ)在第一鎖存器電路501中的所有視頻信號(hào)立刻被轉(zhuǎn)移到第二鎖存器電路502中，并且立刻對(duì)所有的信號(hào)線充電和放電。從可以根據(jù)需要適當(dāng)?shù)脑O(shè)置用于使第二鎖存器電路502輸出所需大小的電平轉(zhuǎn)換器和緩沖器。
從第一行到最后一行重復(fù)上面提到的操作，由此完成了一楨畫面的寫入。隨后，重復(fù)同樣的操作以顯示圖像。
注意到具有這種結(jié)構(gòu)的源驅(qū)動(dòng)器僅僅是一個(gè)實(shí)例，即使使用任何其它結(jié)構(gòu)的源驅(qū)動(dòng)器也可以應(yīng)用本發(fā)明。
在這個(gè)實(shí)施例中描述了如在實(shí)施方式5中所述的將絕緣膜的端表面形成為錐形的方法。
當(dāng)可以進(jìn)行各向同性的蝕刻例如濕法蝕刻，并且在蝕刻中存在邊緣和一定膜厚度時(shí)，可以很容易的得到錐形。
在這個(gè)實(shí)施例中描述了通過(guò)各向異性的干法蝕刻將絕緣膜形成為錐形的方法。
首先，參考圖21A至21E描述通過(guò)使用預(yù)先由傳統(tǒng)方法生產(chǎn)出的蝕刻掩模的干法蝕刻將對(duì)象加工成所需形狀的方法。
通過(guò)涂覆等在要被處理的對(duì)象601的整個(gè)表面形成掩模材料602例如感光抗蝕劑或聚酰亞胺(圖21A)。在這個(gè)描述中給出了正抗蝕劑的例子。
因此，在低溫下進(jìn)行用于蒸發(fā)和穩(wěn)定抗蝕劑中的材料預(yù)先焙燒；其后，在希望的形狀中通過(guò)光掩模603使抗蝕劑部分曝光(圖21B)。當(dāng)通過(guò)曝光而曝光的部分溶解在顯影劑里并被去除之后(圖21C)，為了改善抗蝕劑的粘性和改善用于下一步驟中的蝕刻劑的抵抗力進(jìn)行焙燒。到此為止形成了用于對(duì)象的蝕刻掩模。到此為止的步驟被稱作光刻法。
通過(guò)使用掩模和適當(dāng)?shù)奈g刻劑來(lái)蝕刻對(duì)象，可以將對(duì)象加工成所需的形狀
(圖21D)。
這里，蝕刻掩模的端表面與位于較低部分的對(duì)象成很大的角度。因此，當(dāng)進(jìn)行各向異性的蝕刻例如干法蝕刻時(shí)，位于較低部分的對(duì)象的端表面變成與刻掩模的端表面相映像的陡峭形狀。當(dāng)去除位于基板外圍上的層間絕緣膜并且以
這種方式形成配線時(shí)，在層間絕緣膜的端表面產(chǎn)生了如在實(shí)施方式4或5中所述配線的蝕刻殘?jiān)?，由于配線短路導(dǎo)致故障。
其次，在通過(guò)光刻法形成的掩模中，在優(yōu)選為錐形的光掩模604的端表面上形成用于曝光的狹縫605，該狹縫605具有比光刻裝置分辨率更窄的寬度。通過(guò)狹縫和具有比光刻裝置的分辨率更窄寬度的圖案曝光的掩模材料例如抗蝕劑不完全在該部分中曝光。膜厚度減少的掩模保留下來(lái)即使在去除了具有顯影劑的曝光部分之后。
通過(guò)這樣形成寬度等于或小于光掩模中光刻裝置的曝光分辨率的狹縫或者孔，在感光掩模材料例如抗蝕劑中沒(méi)曝光的部分和完全曝光的部分之間設(shè)置不完全曝光部分。因此，蝕刻掩模的端表面形成為錐形。
在較低層和掩模中的對(duì)象都被蝕刻的條件下，使用錐形的蝕刻膜進(jìn)行由干法蝕刻代表的各向異性時(shí)。在蝕刻對(duì)象的同時(shí)其厚度薄的蝕刻掩膜消失。根據(jù)蝕刻掩模的消失，依次蝕刻重新曝光到蝕刻大氣中的對(duì)象，由此，得到形狀基本上與蝕刻掩模的形狀相映象的對(duì)象(圖21F到21J)。
通過(guò)使用其端表面為錐形的蝕刻掩模得到其端表面具有類似的錐形的對(duì)象(在實(shí)施方式5中的層間絕緣膜)。
在曝光中根據(jù)的光掩模的狹縫、圖案和孔的形狀可以隨意的形成顯影后感光材料的形狀可以自由地形成。圖22A到22D示出其例子。圖22A圖和22C是樣品的SEM圖，其中硅氧烷膜形成在基板上，抗蝕劑應(yīng)用在其上，用光掩模700曝光，以及用干法蝕刻蝕刻，圖22B和22D是光掩模的示意圖。SEM圖示出了用具有如圖22B或22D所示光掩模700的圖案的光掩模對(duì)抗蝕劑進(jìn)行曝光。
雖然，使用典型的光掩模只是對(duì)部分701曝光，在圖22A到圖22D中，通過(guò)形成等于或小于光掩模中光刻裝置極限分辨率的圖案702，可以得到如SEM圖中所示的橫截面形狀。
如圖22A到22D所示，通過(guò)改變等于或小于光刻裝置的極限分辨率的圖案702的形狀，對(duì)象可以具有各種各樣的形狀。具有以前不能形成的形狀的對(duì)象可以通過(guò)適當(dāng)?shù)母淖儗?duì)象材料和使用由此形成的蝕刻掩膜的蝕刻條件來(lái)生產(chǎn)。
可以給出應(yīng)用本發(fā)明的電子裝置的例子，諸如攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、護(hù)目型顯示器(頂部安裝型顯示器)、導(dǎo)航系統(tǒng)、錄音機(jī)(車載音響、音頻組件等等)、便攜式個(gè)人電腦、游戲機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(移動(dòng)電腦、蜂窩電話、便攜式游戲機(jī)、電子式樣書籍等等)，和包括錄制介質(zhì)的錄像機(jī)(尤其是，在諸如數(shù)字化視頻光盤(DVD)的錄制介質(zhì)中具有處理數(shù)據(jù)的能力和具有能夠顯示數(shù)字圖像的顯示器的裝置)。這些電子裝置的應(yīng)用實(shí)例在圖23A到23E中示出。
圖23A示出一種墻面安裝型顯示裝置，該裝置包括底座2001、顯示部分2003、揚(yáng)聲器部分2004等。本發(fā)明應(yīng)用于顯示部分2003的制造。通過(guò)使用本發(fā)明可以保證更長(zhǎng)期的可靠性。
圖23B示出一種數(shù)字照相機(jī)，包括主機(jī)2101、顯示部分2102、圖像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接端口2105、快門2106等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2102。雖然數(shù)字照相經(jīng)常用于戶外并且容易被置于比戶內(nèi)更惡劣的環(huán)境中，通過(guò)使用本發(fā)明即使在相當(dāng)惡劣的環(huán)境中也能得到更長(zhǎng)期的可靠性。
圖23C示出一種便攜式個(gè)人電腦，包括主機(jī)2201底座2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接端口 2205、鼠標(biāo)2206等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2203?？梢韵胂蟮?，與桌上電腦不同的是，便攜式個(gè)人電腦可以四處攜帶并使用。類似于數(shù)字照相機(jī)，由于被四處攜帶，與桌上電腦監(jiān)視器相比增加了在更為不利的環(huán)境中使用的可能性。通過(guò)使用本發(fā)明即使在這種環(huán)境中也可以保證更長(zhǎng)期的可靠性。
圖23D示出一種移動(dòng)電腦，包括主機(jī)2301、顯示部分2302、開(kāi)關(guān)2303、
34操作鍵2304、紅外接口 2305等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2302。雖然移動(dòng)電腦經(jīng)常用于戶外并且容易被置于比戶內(nèi)更惡劣的環(huán)境中，通過(guò)使用本發(fā)明即使在相當(dāng)惡劣的環(huán)境中也能得到更長(zhǎng)期的可靠性。
圖23E示出一種便攜式游戲機(jī)，包括底座2401、顯示部分2402、揚(yáng)聲器部分2403、操作鍵2404、錄制介質(zhì)插入部分2405等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2402。雖然便攜式游戲機(jī)經(jīng)常用于戶外并且容易被置于比戶內(nèi)更惡劣的環(huán)境中，通過(guò)使用本發(fā)明即使在相當(dāng)惡劣的環(huán)境中也能得到更長(zhǎng)期的可靠性。
如上所述，本發(fā)明的應(yīng)用范圍是很大使得本發(fā)明可以應(yīng)用于不同領(lǐng)域的電子器件中。另外，生產(chǎn)的可靠性提高了，因此作為制造商可靠性也得到了改善。
本發(fā)明是以2003年8月29日在日本專利局提出的日本專利申請(qǐng)序列號(hào)2003-347601和2003年9月12日提出的2003-322334為基礎(chǔ)，其內(nèi)容在此引作參考。
盡管參考附圖借助例子已經(jīng)全面地描述了本發(fā)明，但是可以理解的是，多種變化和改變對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。因此，除非這種變化和改變超出了本發(fā)明在后面限定的范圍，否則它們應(yīng)當(dāng)解釋為包括在其中。
3權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光器件，包括第一基板；形成在第一基板上的層間絕緣膜；形成在層間絕緣膜上的發(fā)光元件；以及設(shè)置在發(fā)光元件上的第二基板，其中層間絕緣膜的側(cè)表面在沒(méi)到達(dá)第一基板邊緣部分的區(qū)域內(nèi)是錐形的，以及其中第一基板和第二基板中的至少一個(gè)是透明的。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件電連接到薄膜晶體管上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中在/AM間絕緣膜的底部至lJS^的， 部分形成半導(dǎo)體膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基板的:^ 部分形成金屬膜。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到 的， 部分形成半導(dǎo)體膜，并且該半導(dǎo)體膜是由與薄膜晶體管的活性層相同的材料構(gòu) 成的。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到^^反的， 部分形成金屬膜，并且該金屬膜是由與薄膜晶體管的柵極相同的材料構(gòu)成的。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由有機(jī)材料構(gòu)成的。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由含，，成分的膜 構(gòu)成的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是丙烯酸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是聚M胺。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中保護(hù)膜是氮化硅膜。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中發(fā)光器件組合到電子器件中，該電 子器件選自于由顯示器件、照相機(jī)、電腦、便攜式信息終端和游戲機(jī)組成的組中。
14. 一種發(fā)光器件，包括 第一凝反；形成在第一mil的層間絕緣膜； 形皿層間絕緣膜上的發(fā)光元件； 設(shè)置在發(fā)光元件上的第二 ，以及 形戯層間絕緣膜的側(cè)表面的《娥膜，其中層間絕緣膜的側(cè)表面在沒(méi)到達(dá)第一基板邊緣部分的區(qū)域內(nèi)是錐形的，以及其中至少第一和第二基板中的一個(gè)是透明的。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件電連接到薄膜晶體管上。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基 板的邊緣部分形成半導(dǎo)體膜。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基 板的邊緣部分形成金屬膜。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基 板的邊緣部分形成半導(dǎo)體膜，并且該半導(dǎo)體膜是由與薄膜晶體管的活性 層相同的材料。
19. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基 板的邊緣部分形成金屬膜，并且該金屬膜是由與薄膜晶體管的柵極相同 的材料構(gòu)成的。
20. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中層間絕緣層是由有機(jī)材料構(gòu) 成的。
21. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中層間絕緣層是由無(wú)機(jī)材料構(gòu) 成的。
22. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由含有硅氧烷 成分的膜構(gòu)成的。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是丙烯酸。
24. 根據(jù)權(quán)利要求20的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是聚酰亞胺。
25. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中保護(hù)膜是氮化硅膜。
26. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中保護(hù)膜是防水的。
27. 根據(jù)權(quán)利要求14的發(fā)光器件，其中發(fā)光器件組合到電子器件中， 該電子器件選自于由顯示器件、照相機(jī)、電腦、便攜式信息終端和游戲 機(jī)組成的組中。
28. —種發(fā)光器件，包括 第一繊；形自第一凝^h的層間絕緣膜； 形皿層間絕緣膜上的發(fā)光元件； 設(shè)置在發(fā)光元件上的第二S^及，以及 形成在層間絕緣膜的側(cè)表面的保護(hù)膜，其中層間絕緣膜的側(cè)表面在沒(méi)到達(dá)第一對(duì)反邊緣部分的區(qū)域內(nèi)是錐形的， 其中至少第一和第1板中的一個(gè)是透明的，以及 其中第一和第二基板彼此固定在設(shè)置有層間絕緣膜外表面的第一區(qū) 域或者是第一區(qū)域外面的第二區(qū)域上。
29. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件電連接到薄膜晶體管上。
30. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基 板的邊緣部分形成半導(dǎo)體膜。
31. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基 板的邊緣部分形成金屬膜。
32. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基 板的邊緣部分形成半導(dǎo)體膜，并且該半導(dǎo)體膜是由與薄膜晶體管的活性 層相同的材料構(gòu)成的。
33. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中在從層間絕緣膜的底部到基 板的邊緣部分形成金屬膜，并且該金屬膜是由與薄膜晶體管的柵極相同 的材料構(gòu)成的。
34. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中層間絕緣層是由有機(jī)材料構(gòu)成的。
35. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中層間絕緣層是由無(wú)機(jī)材料構(gòu) 成的。
36. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由含有硅氧烷 成分的膜構(gòu)成的。
37，根據(jù)權(quán)利要求34的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是丙烯酸。
38. 根據(jù)權(quán)利要求34的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是聚酰亞胺。
39. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中保護(hù)膜是氮化硅膜。
40. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中保護(hù)膜是防水的。
41. 根據(jù)權(quán)利要求28的發(fā)光器件，其中發(fā)光器件組合到電子器件中， 該電子器件選自于由顯示器件、照相機(jī)、電腦、便攜式信息終端和游戲 機(jī)組成的組中。
42. —種發(fā)光器件，包括 第一繊；第一^t^h的像素部分；像素部他括層間絕緣膜上的發(fā)光元件；向像素部^f俞入信號(hào)的外部連接部分；連接至U像素部分和夕卜部連接部分的至少第一配線和第二配線；以及 在像素部分和外部連接部分之間的固定第一對(duì)反和第^ 的密封元件， 其中第一配線與第二配線相鄰，層間絕緣膜插在其間。 其中至少第一配線和第二配線中的一個(gè)包括至少一個(gè)彎曲部分，以及 其中第一配線和第二配線被密封材料覆蓋。
43. 根據(jù)權(quán)利要求42的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件電連接到薄膜晶體管上。
44. 根據(jù)權(quán)利要求42的發(fā)光器件，其中第H^戶膜是由與膜薄晶體管的源 極和漏極相同的材料構(gòu)成。
45. 根據(jù)權(quán)利要求42的發(fā)光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕 緣膜中的一層是由有機(jī)材料構(gòu)成的。
46. 根據(jù)權(quán)利要求42的發(fā)光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕 緣膜中的一層是由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的。
47. 根據(jù)權(quán)禾腰求42的發(fā)光器件，其中至少第一層間絕緣膜和第二層間絕 緣膜中的一層是由含有硅f^成分的膜構(gòu)成的。
48. 根據(jù)權(quán)利要求42的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是丙烯酸。
49. 根據(jù)權(quán)利要求45的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是聚酰亞胺。
50. 根據(jù)權(quán)利要求45的發(fā)光器件，其中第一^^戶膜是氮化石刦莫。
51. 根據(jù)權(quán)利要求42的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件電連接到薄膜晶體管上。
52. 根據(jù)權(quán)利要求42的發(fā)光器件，其中發(fā)光器件組合到電子器件中，該電 子器件選自于由顯示器件、照相機(jī)、電腦、便攜式信息終端和游戲機(jī)組成的組 中。
53. —種發(fā)光器件，包括 第一繊；形成在第一 ±的層間絕緣膜； 形i^層間絕緣膜上的發(fā)光元件； 設(shè)置在發(fā)光元件上的第^ ，其中在用密封材料將第一和第二凝反彼此固定在一起的區(qū)域中，層間絕緣 膜的側(cè)面是錐形的。
54. 根據(jù)權(quán)利要求53的發(fā)光器件，其中發(fā)光元件電連接到薄膜晶體管上。
55. 根據(jù)權(quán)利要求53的發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由有機(jī)材料構(gòu)成的。
56. 根據(jù)權(quán)利要求53的發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的。
57. 根據(jù)權(quán)利要求53的發(fā)光器件，其中層間絕緣膜是由含有石i^成分的 膜構(gòu)成的。
58. 根據(jù)權(quán)利要求55的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是丙烯酸。
59. 根據(jù)權(quán)利要求55的發(fā)光器件，其中有機(jī)材料是聚鵬安。
60. 根據(jù)權(quán)利要求53的發(fā)光器件，其中發(fā)光器件組合到電子器件中，該電 子器件選自于由顯示器件、照相機(jī)、電腦、便攜式信息終端和游戲機(jī)組成的組
全文摘要
本發(fā)明的目的就是提供這樣一種密封結(jié)構(gòu)，其阻止了作為破壞因素的材料例如水或者氧氣從外部進(jìn)入，并且在顯示器中使用有機(jī)或無(wú)機(jī)場(chǎng)致發(fā)光元件的顯示器中可以獲得足夠的可靠性。鑒于上述目的，關(guān)注層間絕緣膜的滲透性，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)阻止水從層間絕緣膜的進(jìn)入，抑制了場(chǎng)致發(fā)光元件的損壞并且獲得了足夠的可靠性。
文檔編號(hào)H01L51/52GK101483186SQ20081018633
公開(kāi)日2009年7月15日 申請(qǐng)日期2004年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月29日
發(fā)明者土屋薰, 坂倉(cāng)真之, 安西彩, 松田豐, 永井雅晴 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所