專利名稱：集成一個(gè)電容的雙金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，更為確切的說(shuō)，本發(fā)明涉及一種集成有一個(gè)電容的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。
背景技術(shù)：
在功率器件中，通常于DC-DC功率切換的電源和地極(GND)之間連接一個(gè)旁路電容。工作電路電流存在脈動(dòng)，例如數(shù)字電路的同步頻率，易于造成電源電壓的脈動(dòng)，這是一種交流噪聲，小容量的無(wú)極電容可以把這種噪聲旁路到地；另，電子產(chǎn)品的工作電壓正在不斷降低，這就要求DC-DC變換器具有低電壓、大電流輸出，DC-DC變換器中，常利用一電容器作為濾波電容，為了提高穩(wěn)定性，上述電容對(duì)于改善器件的性能至關(guān)重要?！N在DC-DC轉(zhuǎn)換器中集成電容的設(shè)計(jì)方案是,于一芯片封裝結(jié)構(gòu)中同時(shí)將一個(gè)獨(dú)立的電容和一個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)通過(guò)環(huán)氧類樹(shù)脂塑封在一起，電容并非直接和MOS場(chǎng)效應(yīng)管集成，而是獨(dú)立存在的。MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電容的電性連接方式， 依賴于將形成有MOS場(chǎng)效應(yīng)管的晶圓顆粒通過(guò)鍵合金線而連接耦合到電容，或是將電容接地(GND)。一種在包含一低端MOSFET和一高端MOSFET的雙MOSFET中集成電容的設(shè)計(jì)方案， 參見(jiàn)圖IA所示，圖IA中N型的高端M0SFET1的源極S1連接N型的低端M0SFET2的漏極D2, 高端M0SFET1的漏極D1和低端M0SFET2的源極S2之間連接有一電容3。相應(yīng)的，圖IB的芯片結(jié)構(gòu)示意圖即是先前技術(shù)中圖IA的電路結(jié)構(gòu)圖對(duì)應(yīng)的低端 MOSFET和高端MOSFET集成在一個(gè)芯片內(nèi)并組合一個(gè)電容的芯片結(jié)構(gòu)示意圖。圖IB中的晶圓顆粒10構(gòu)成圖IA中高端M0SFET1，圖IB中的晶圓顆粒20構(gòu)成圖IA中低端M0SFET2。 晶圓顆粒10的尺寸(Die Size)小于晶圓顆粒20的尺寸，晶圓顆粒10堆疊在晶圓顆粒20 上，晶圓顆粒10與晶圓顆粒20的封裝方式為疊層芯片封裝(Stack DieAssembly),晶圓顆粒20黏合在金屬的引線框架30上。其中，晶圓顆粒10的柵極鍵合區(qū)11通過(guò)柵極鍵合線 Ila連接到柵極引腳Ilb上；晶圓顆粒10的源極鍵合區(qū)12通過(guò)鍵合線12a連接到引線框架30上；位于晶圓顆粒10底部的漏極(未示出)通過(guò)導(dǎo)電銀漿(Epoxy)黏合至漏極金屬層13上，同時(shí)，漏極金屬層13通過(guò)鍵合線13a連接到漏極引腳13b上。漏極金屬層13的尺寸大于晶圓顆粒10的尺寸。其中，晶圓顆粒20的柵極鍵合區(qū)21通過(guò)柵極鍵合線21a連接到柵極引腳21b上；晶圓顆粒20的源極金屬層22設(shè)置有一源極鍵合區(qū)22a，源極鍵合區(qū) 22a通過(guò)鍵合線22b連接到源極引腳22c上；位于晶圓顆粒20底部的漏極(未示出)通過(guò)導(dǎo)電銀漿(Epoxy)黏合至引線框架30上，繼而，晶圓顆粒20的漏極與晶圓顆粒10的源極鍵合區(qū)12電性連接。其中，晶圓顆粒10的漏極金屬層13與晶圓顆粒20的源極金屬層22 之間有一層電介質(zhì)層(未示出)并依此而粘合連接在一起，漏極金屬層13與源極金屬層22 的該結(jié)構(gòu)雖可作為一個(gè)電容而存在，遺憾的是，其電容值不足以滿足功率器件的實(shí)際需求， 如果需要再增加極金屬層13與源極金屬層22之間的電容值，則需要在源極引腳22c (即圖 IA中低端MOSFET的源極S2)與漏極引腳13b (即圖IA中高端MOSFET的漏極D1)之間額外連接外置電容。然，一個(gè)事實(shí)是，用于連接電容的鍵合金線或是其他外在的引合線，帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng)是離散的電感，這對(duì)MOSFET的開(kāi)關(guān)速度有著重大影響。參見(jiàn)附圖IC及ID集成一高端MOSFET和一低端MOSFET的雙MOSFET的示例。其包含一低端MOSFET和一高端MOSFET的雙MOSFET的設(shè)計(jì)和制備可參考美國(guó)專利申請(qǐng)US 2008/0067584A1。具體而言，其中，圖1C、ID是采用的以一個(gè)iT_FET器件起頂部FET器件功能及一個(gè)肖特基FET器件起底部器件功能的集成組合式降壓變流器的截面圖和電路圖； 該iT-FET器件和肖特基FET支撐在共同的基底150上，后者起it_FET器件的源極和肖特基FET器件的漏極的功能。該肖特基FET器件包括被接近頂面的源區(qū)145/圍繞的槽溝門極12(V，又包圍在體區(qū)110內(nèi)。源區(qū)145'跟源極金屬層17(V電接觸。該肖特基FET器件的槽溝門極120'被襯墊了門極氧化物層125'并且跟門極金屬180'電連接。而本申請(qǐng)?zhí)峁┝穗p金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成一個(gè)電容的范例。另一方面，晶圓顆粒來(lái)源于晶圓(Wafer)的切割，作為減小晶圓顆粒襯底電阻或是其他期望減薄晶圓的需求，芯片制造工藝中與其極其相關(guān)的晶圓背部研磨(Wafer BacksideGrinding)的二工藝控制極其重要，當(dāng)期盼晶圓背部減得更薄時(shí)，晶圓或是晶圓顆粒也就更容易破碎。進(jìn)一步而言，薄的晶圓顆粒通過(guò)裝片(Die Attach)至引線框架 (Leadframe)或是PCB之類的基板(Substrate)上的工藝步驟中，容易產(chǎn)生晶圓顆粒碎裂 (Die Crack)以致芯片功能性失效，而這不是我們希望看到的。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，為了突破上述局限和難題，本發(fā)明的一個(gè)方面就在于提出了一種集成一個(gè)電容的一 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有的電容直接集成在MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上，同時(shí)借以集成電容作為增強(qiáng)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管自身機(jī)械強(qiáng)度的一個(gè)有效方式。本發(fā)明提供一種集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成有一個(gè)旁路電容，其中于一娃片襯底頂面上設(shè)置有構(gòu)成第一晶體管柵極電極的第一柵極金屬層及構(gòu)成第一晶體管漏極電極的漏極金屬層，和構(gòu)成第二晶體管柵極電極的第二柵極金屬層及構(gòu)成第二晶體管源極電極的源極金屬層；硅片襯底頂面上方設(shè)置有平行于硅片襯底的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板和數(shù)個(gè)第二類電容極板的多層電容極板，且在硅片襯底頂面與硅片襯底頂面上方的一塊電容極板間以及在相鄰的兩塊電容極板間填充有電介質(zhì)層；第一類電容極板和第二類電容極板相互交替間隔配置，且第一類電容極板均與漏極金屬層電性連接用于構(gòu)成所述旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板均與源極金屬層電性連接用于構(gòu)成所述旁路電容的另一個(gè)電極。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，第一晶體管的源極形成于所述硅片襯底的底面，第一晶體管的漏極、柵極形成于硅片襯底頂面；第二晶體管的漏極形成于所述硅片襯底的底面，第二晶體管的源極、柵極形成于硅片襯底頂面。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第一柵極金屬層上方設(shè)有一第一層迭柵極金屬層；其中，第一層迭柵極金屬層用于與所述第一柵極金屬層電性連接以將第一晶體管的柵極導(dǎo)出。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第二柵極金屬層上方設(shè)有一第二層迭柵極金屬層；其中，第二層迭柵極金屬層用于與所述第二柵極金屬層電性連接以將第二晶體管的柵極導(dǎo)出。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述漏極金屬層設(shè)有一第一延伸結(jié)構(gòu)，且任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第一延伸結(jié)構(gòu)上方設(shè)有一第一層迭延伸結(jié)構(gòu)；其中，第一層迭延伸結(jié)構(gòu)用于與所述第一延伸結(jié)構(gòu)電性連接以將第一晶體管漏極導(dǎo)出。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述源極金屬層設(shè)有一第二延伸結(jié)構(gòu)，且任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第二延伸結(jié)構(gòu)上方設(shè)有一第二層迭延伸結(jié)構(gòu)；第二層迭延伸結(jié)構(gòu)用于與所述第二延伸結(jié)構(gòu)電性連接以將第二晶體管源極導(dǎo)出。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在相鄰第一層迭延伸結(jié)構(gòu)間的電介質(zhì)層中及在靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔，并通過(guò)注入通孔中的金屬將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一晶體管的漏極電性連接。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，在相鄰第二層迭延伸結(jié)構(gòu)間的電介質(zhì)層中及在靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔，并通過(guò)注入通孔中的金屬將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二晶體管的源極電性連接。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，第一類電容極板與第二類電容極板縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第二類電容極板間的第一類電容極板所在的層而中設(shè)置絕緣于第一類電容極板的第二類連接層；在第二類電容極板與第二類連接層之間及源極金屬層與靠近源極金屬層的第二類電容極板之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔，并通過(guò)注入通孔中的金屬將第二類電容極板相互電性連接，同時(shí)將第二類電容極板與源極金屬層電性連接。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，第一類電容極板與第二類電容極板縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第一類電容極板間及第一類電容極板與漏極金屬層間的第二類電容極板所在的層面中設(shè)置絕緣于第二類電容極板的第一類連接層；在第一類電容極板與第一類連接層之間及漏極金屬層與靠近漏極金屬層的第一類連接層之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔，并通過(guò)注入通孔中的金屬將第一類電容極板相互電性連接，同時(shí)將第一類電容極板與漏極金屬層電性連接。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，任意一層所述的第一類電容極板均與該層第一類電容極板所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)連接。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述源極金屬層設(shè)有一第二延伸結(jié)構(gòu)，且任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第二延伸結(jié)構(gòu)上方設(shè)有一第二層迭延伸結(jié)構(gòu)，其中任意一層所述的第一類電容極板均與該層第一類電容極板所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)分割絕緣。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，任意一層所述的第二類電容極板均與該層第二類電容極板所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)連接。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，所述漏極金屬層設(shè)有一第一延伸結(jié)構(gòu)，且任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第一延伸結(jié)構(gòu)上方設(shè)有一第一層迭延伸結(jié)構(gòu)，其中任意一層所述的第二類電容極板均與該層第二類電容極板所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)分割絕緣。上述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，第一柵極金屬層、漏極金屬層、源極金屬層、第二柵極金屬層通過(guò)分割區(qū)相互分割隔離，且分割區(qū)填充有電介質(zhì)；任意一層電容極板所在的層面均包含絕緣分割區(qū)且絕緣分割區(qū)均填充有電介質(zhì)。上述的集成一個(gè)電容的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其中，第一晶體管為一高端MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，第二晶體管為一低端MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。本發(fā)明還提供一種在雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上集成一個(gè)電容的方法，包括以下步驟于第一晶體管、第二晶體管所在的硅片襯底頂面上多次沉積電介質(zhì)層和多次沉積金屬層，以形成娃片襯底頂面上電介質(zhì)層與金屬層交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層；其中，沉積電介質(zhì)層后對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行蝕刻，用于形成電介質(zhì)層中的多個(gè)通孔；其中，沉積金屬層后對(duì)金屬層進(jìn)行蝕刻分割，用于將金屬層分割成不同的金屬區(qū)域，一部分金屬區(qū)域形成電容極板，且沉積金屬層的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層中所包含的通孔；任意一層金屬層蝕刻分割后均形成該金屬層所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)和第二層迭延伸結(jié)構(gòu)，以及第一層迭柵極金屬層和第二層迭柵極金屬層。上述的方法，其中，硅片襯底頂面包含構(gòu)成第一晶體管漏極電極的漏極金屬層、構(gòu)成第一晶體管柵極電極的第一柵極金屬層，構(gòu)成第二晶體管源極電極的源極金屬層、構(gòu)成第二晶體管柵極電極的第二柵極金屬層；漏極金屬層包含一個(gè)第一延伸結(jié)構(gòu)，源極金屬層包含一個(gè)第二延伸結(jié)構(gòu)。上述的方法，其中，所述第一層迭延伸結(jié)構(gòu)位于所述第一延伸結(jié)構(gòu)上方，所述第二層迭延伸結(jié)構(gòu)位于所述第二延伸結(jié)構(gòu)上方；以及所述第一層迭柵極金屬層位于所述第一柵極金屬層上方，所述第二層迭柵極金屬層位于所述第二柵極金屬層上方。上述的方法，其中，所述多層金屬層蝕刻分割后形成位于不同層面的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板和數(shù)個(gè)第二類電容極板的多層電容極板；第一類電容極板和第二類電容極板相互交替間隔配置。上述的方法，其中，多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第二類電容極板間的第一類電容極板所在的層面中形成有絕緣于第一類電容極板的第二類連接層；蝕刻電介質(zhì)層在第二類電容極板與第二類連接層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，并通過(guò)注入第二類電容極板與第二類連接層之間的電介質(zhì)層中通孔中的金屬將第二類電容極板相互電性連接。上述的方法，其中，多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第一類電容極板間及第一類電容極板與漏極金屬層間的第二類電容極板所在的層面中形成有絕緣于第二類電容極板的第一類連接層；蝕刻電介質(zhì)層在第一類電容極板與第一類連接層之間及漏極金屬層與靠近漏極金屬層的第一類連接層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，并通過(guò)注入第一類電容極板與第一類連接層之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將第一類電容極板相互電性連接，通過(guò)注入靠近漏極極金屬層的第一類連接層與漏極金屬層間之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將第一類連接層與漏極金屬層電性連接。上述的方法，其中，蝕刻電介質(zhì)層在源極金屬層與靠近源極金屬層的第二類電容極板之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，并通過(guò)注入源極金屬層與靠近源極金屬層的第二類電容極板之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將第二類電容極板與源極金屬層電性連接。上述的方法，其中，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)電性連接。上述的方法，其中，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)電性連接。上述的方法，其中，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第一層迭柵極金屬層之間及靠近第一柵極金屬層的第一層迭柵極金屬層與第一柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔， 通過(guò)注入相鄰的第一層迭柵極金屬層之間及靠近第一柵極金屬層的第一層迭柵極金屬層與第一柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第一層迭柵極金屬層電性連接，同時(shí)將第一層迭柵極金屬層與第一柵極金屬層電性連接。上述的方法，其中，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第二層迭柵極金屬層之間及靠近第二柵極金屬層的第二層迭柵極金屬層與第二柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔， 通過(guò)注入相鄰的第二層迭柵極金屬層之間及靠近第二柵極金屬層的第二層迭柵極金屬層與第二柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第二層迭柵極金屬層電性連接，同時(shí)將第二層迭柵極金屬層與第二柵極金屬層電性連接。上述的方法，任意一層所述的第一類電容極板均與該層第一類電容極板所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)連接，且與該層第一類電容極板所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)分割絕緣。上述的方法，任意一層所述的第二類電容極板均與該層第二類電容極板所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)連接，且與該層第二類電容極板所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)分割絕緣。上述的方法，其中，漏極金屬層、第一柵極金屬層、源極金屬層、第二柵極金屬層通過(guò)分割區(qū)相互分割隔離，沉積電介質(zhì)層用于在分割區(qū)填充電介質(zhì)；沉積電介質(zhì)層用于將蝕刻分割金屬層所形成的絕緣分割區(qū)填充電介質(zhì)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員閱讀以下較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明，并參照附圖之后，本發(fā)明的這些和其他方面的優(yōu)勢(shì)無(wú)疑將顯而易見(jiàn)。


參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，所附附圖僅用于說(shuō)明和閘述，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明范圍的限制。圖IA是一低端MOSFET和一高端MOSFET連接一個(gè)電容的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖IB是先前技術(shù)中對(duì)應(yīng)于圖IA中電路圖的低端MOSFET和高端MOSFET集成在一個(gè)芯片內(nèi)組合一個(gè)電容的芯片俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖1C、圖ID分別是US 2008/0067584A1中采用的以一個(gè)iT_FET器件起頂部FET 器件功能及一個(gè)肖特基FET器件起底部器件功能的集成組合式降壓變流器的截面圖和電路圖。圖2A是本發(fā)明的實(shí)施例一的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2B是本發(fā)明的實(shí)施例一立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的硅片襯底頂面的柵極金屬層、源極金屬層及源極金屬層的延伸結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖2C-2F是本發(fā)明的實(shí)施例一立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖。圖3A是本發(fā)明的實(shí)施例二的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖3B是本發(fā)明的實(shí)施例二立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的硅片襯底頂面的柵極金屬層、源極金屬層及源極金屬層的延伸結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖3C-3F是本發(fā)明的實(shí)施例二立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖。圖4A是本發(fā)明的實(shí)施例三的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖4B是本發(fā)明的實(shí)施例三立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的硅片襯底頂面的柵極金屬層、源極金屬層及源極金屬層的延伸結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖4C-4E是本發(fā)明的實(shí)施例三立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖。圖5A-1是本發(fā)明的實(shí)施例四的前側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖5A-2是本發(fā)明的實(shí)施例四的后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖5B是本發(fā)明的實(shí)施例四立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的硅片襯底頂面的柵極金屬層、源極金屬層及源極金屬層的延伸結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖5C-5E是本發(fā)明的實(shí)施例四立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖。圖6A-1是本發(fā)明的實(shí)施例五的前側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖6A-2是本發(fā)明的實(shí)施例五的后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖6B是本發(fā)明的實(shí)施例五立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的硅片襯底頂面的柵極金屬層、源極金屬層及源極金屬層的延伸結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖6C-6E是本發(fā)明的實(shí)施例五立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖。圖7A-1是本發(fā)明的實(shí)施例六的前側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖7A-2是本發(fā)明的實(shí)施例六的后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖7B是本發(fā)明的實(shí)施例六立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的硅片襯底頂面的柵極金屬層、源極金屬層及源極金屬層的延伸結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖7C-7E是本發(fā)明的實(shí)施例六立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖。圖8A-8L是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例一、三的制備方法。圖9是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例二的制備方法。圖10是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例四的制備方法。圖11是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例五的制備方法。圖12是實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例六的制備方法。
具體實(shí)施例方式根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求和發(fā)明內(nèi)容所公開(kāi)的內(nèi)容,本發(fā)明的技術(shù)方案具體如下所述實(shí)施例一參見(jiàn)圖2A(立體結(jié)構(gòu)示意圖)、2B_2F(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，于一硅片襯底110頂面上設(shè)置有構(gòu)成低端 (LowSide)的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管100柵極電極(記作第二電極)的柵極金屬層120 (記作第二電極金屬層)，及構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管100源極電極(記作第一電極)的源極金屬層 130 (記作第一電極金屬層)，源極金屬層130包含一延伸結(jié)構(gòu)135。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管100 的漏極(未示出)形成于硅片襯底110的底面，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管100的源極(未示出)、 柵極(未示出)形成于硅片襯底110頂面。其中，硅片襯底110頂面上方設(shè)置有平行于硅片襯底110的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板140和數(shù)個(gè)第二類電容極板150的多層電容極板。參見(jiàn)圖2A、2B_2F所示，在硅片襯底110頂面與硅片襯底110頂面上方的一塊電容極板(該實(shí)施例中為第二類電容極板150)間填充有電介質(zhì)層(未不出)，第一類電容極板 140和第二類電容極板150間填充有電介質(zhì)層(未不出)；第一類電容極板140和第二類電容極板150相互交替間隔配置，且第一類電容極板140均與源極金屬層130電性連接用于構(gòu)成旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板150彼此相互電性連接用于構(gòu)成旁路電容的另一個(gè)電極。第一類電容極板140與第二類電容極板150縱向交錯(cuò)配置,用于在相鄰的第二類電容極板150間的第一類電容極板140所在的層面中設(shè)置絕緣于第一類電容極板140的第二類連接層150a，同時(shí)在第二類電容極板150與第二類連接層150a之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬150b將第二類電容極板150相互電性連接。 第一類電容極板140與第二類電容極板150縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第一類電容極板 140間及第一類電容極板140與源極金屬層130間的第二類電容極板150所在的層面中設(shè)置絕緣于第二類電容極板150的第一類連接層140a。在第一類電容極板140與第一類連接層140a之間及源極金屬層130與靠近源極金屬層130的第一類連接層140之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬140b將第一類電容極板140相互電性連接，同時(shí)將第一類電容極板140與源極金屬層130電性連接。任意一層的電容極板所在的層面均在柵極金屬層120上方設(shè)有一層迭柵極金屬層120a;其中，層迭柵極金屬層120a用于與柵極金屬層120電性連接以將柵極導(dǎo)出。在相鄰層迭柵極金屬層120a間的電介質(zhì)層中及在靠近柵極金屬層120的層迭柵極金屬層 120a與柵極金屬層120間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬120b將層迭柵極金屬層120a與柵極金屬層120電性連接，即是將層迭柵極金屬層120a 與柵極電性連接。圖2B-2F中，類似上述柵極金屬層120與層迭柵極金屬層120a的連接方式，任意一層的電容極板所在的層面均在延伸結(jié)構(gòu)135上方設(shè)有一層迭延伸結(jié)構(gòu)135a ;其中，層迭延伸結(jié)構(gòu)135a用于與延伸結(jié)構(gòu)135電性連接以將源極導(dǎo)出。在相鄰層迭延伸結(jié)構(gòu) 135a間的電介質(zhì)層中及在靠近延伸結(jié)構(gòu)135的層迭延伸結(jié)構(gòu)135a與延伸結(jié)構(gòu)135間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬(未示出)將層迭延伸結(jié)構(gòu) 135a與延伸結(jié)構(gòu)135電性連接，即是將將層迭延伸結(jié)構(gòu)135a與源極電性連接。圖2B-2F中，柵極金屬層120和源極金屬層130相互分割隔離,柵極金屬層120和源極金屬層130之間的分割區(qū)填充有電介質(zhì)；任意一層電容極板所在的層面均包含用于絕緣隔離該層面中彼此互不電性連接的器件結(jié)構(gòu)(如電容極板、層迭延伸結(jié)構(gòu)、層迭柵極金屬層)的絕緣分割區(qū)且絕緣分割區(qū)均填充有電介質(zhì)。第一類電容極板140與第二類電容極板150不限制于圖2A-2F中描述的數(shù)量，與之相應(yīng)的層迭柵極金屬層120a、層迭延伸結(jié)構(gòu) 135a亦不限制于圖2A-2F中描述的數(shù)量。另外，本實(shí)施例中構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管100柵極電極的柵極金屬層120及構(gòu)成源極電極的源極金屬層130設(shè)置于硅片襯底110的頂面， 漏極設(shè)置于硅片襯底110的底面，該MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管100為底漏頂源式的垂直器件。本實(shí)施例集成電容的結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用于其他類別的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)施例中，在另一集成電容的底源頂漏式的MOSFET垂直器件中，底源頂漏式的MOSFET的柵極電極及漏極電極設(shè)置于硅片襯底頂面，源極設(shè)置于硅片襯底的底面；換言之，在本實(shí)施例圖2A示出的M0SFET100 中，其構(gòu)成第二電極的柵極金屬層120在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET 的柵極電極，其構(gòu)成第一電極的源極金屬層130在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的漏極電極，其形成于硅片襯底110的底面的漏極(未示出)在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的源極。實(shí)施例二 參見(jiàn)圖3A(立體結(jié)構(gòu)示意圖)、3B_3F(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，于一硅片襯底210頂面上設(shè)置有構(gòu)成低端 (LowSide)的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管200柵極電極(記作第二電極)的柵極金屬層220 (記作第二電極金屬層)，及構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管200源極電極(記作第一電極)的源極金屬層 230 (記作第一電極金屬層)，源極金屬層230包含一延伸結(jié)構(gòu)235。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管200 的漏極(未不出)形成于210娃片襯底的底面，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管200的源極(未不出)、 柵極(未示出)形成于硅片襯底210頂面。其中，硅片襯底210頂面上方設(shè)置有平行于硅片襯底210的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板240和數(shù)個(gè)第二類電容極板250的多層電容極板。參見(jiàn)圖3A、3B_3F所示，在硅片襯底210頂面與硅片襯底210頂面上方的一塊電容極板(該實(shí)施例中為第一類電容極板240)間填充有電介質(zhì)層(未不出)，第一類電容極板 240和第二類電容極板250間填充有電介質(zhì)層(未不出)；第一類電容極板240和第二類電容極板250相互交替間隔配置，且第一類電容極板240均與源極金屬層230電性連接用于構(gòu)成旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板250彼此相互電性連接用于構(gòu)成旁路電容的另一個(gè)電極。第一類電容極板240與第二類電容極板250縱向交錯(cuò)配置,用于在相鄰的第二類電容極板250間的第一類電容極板240所在的層面中設(shè)置絕緣于第一類電容極板240的第二類連接層250a，同時(shí)在第二類電容極板250與第二類連接層250a之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬250b將第二類電容極板250相互電性連接。 第一類電容極板240與第二類電容極板250縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第一類電容極板 240間的第二類電容極板250所在的層面中設(shè)置絕緣于第二類電容極板250的第一類連接層240a。在第一類電容極板240與第一類連接層240a之間及源極金屬層230與靠近源極金屬層230的第一類電容極板240之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬240b將第一類電容極板240相互電性連接，同時(shí)將第一類電容極板240與源極金屬層230電性連接。圖3A、3B_3F中，任意一層的電容極板所在的層面均在柵極金屬層220上方設(shè)有一層迭柵極金屬層220a ;其中，層迭柵極金屬層220a用于與柵極金屬層220電性連接以將柵極導(dǎo)出。在相鄰層迭柵極金屬層220a間的電介質(zhì)層中及在靠近柵極金屬層220的層迭柵極金屬層220a與柵極金屬層220間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬220b將層迭柵極金屬層220a與柵極金屬層220電性連接，即是將層迭柵極金屬層220a與柵極電性連接。圖3A、3B-3F中，類似上述柵極金屬層220與層迭柵極金屬層 220a的連接方式，任意一層的電容極板所在的層面均在延伸結(jié)構(gòu)235上方設(shè)有一層迭延伸結(jié)構(gòu)235a;其中，層迭延伸結(jié)構(gòu)235a用于與延伸結(jié)構(gòu)235電性連接以將源極導(dǎo)出。在相鄰層迭延伸結(jié)構(gòu)235a間的電介質(zhì)層中及在靠近延伸結(jié)構(gòu)235的層迭延伸結(jié)構(gòu)235a與延伸結(jié)構(gòu)235間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬(未示出)將層迭延伸結(jié)構(gòu)235a與延伸結(jié)構(gòu)235電性連接，即是將將層迭延伸結(jié)構(gòu)235a與源極電性連接。圖3B-3F中，柵極金屬層220和源極金屬層230相互分割隔離,柵極金屬層220和源極金屬層230之間的分割區(qū)填充有電介質(zhì)；任意一層電容極板所在的層面均包含用于絕緣隔離該層面中彼此互不電性連接的器件結(jié)構(gòu)(如電容極板、層迭延伸結(jié)構(gòu)、層迭柵極金屬層)的絕緣分割區(qū)(例如柵極金屬層220、層迭延伸結(jié)構(gòu)235a、第二類連接層250a、第一類電容極板240之間的分割區(qū))且絕緣分割區(qū)均填充有電介質(zhì)。第一類電容極板240與第二類電容極板250不限制于圖3A、3B-3F中描述的數(shù)量，與之相應(yīng)的層迭柵極金屬層220a、 層迭延伸結(jié)構(gòu)235a亦不限制于圖3A、3B-3F中描述的數(shù)量。另外，本實(shí)施例中構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管200柵極電極的柵極金屬層220及構(gòu)成源極電極的源極金屬層230設(shè)置于硅片襯底210的頂面，漏極設(shè)置于硅片襯底210的底面，該MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管200為底漏頂源式的垂直器件。本實(shí)施例集成電容的結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用于其他類別的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)施例中，在另一集成電容的底源頂漏式的MOSFET垂直器件中，底源頂漏式的MOSFET的柵極電極及漏極電極設(shè)置于硅片襯底頂面，源極設(shè)置于硅片襯底的底面；換言之，在本實(shí)施例圖3A 示出的M0SFET200中，其構(gòu)成第二電極的柵極金屬層220在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的柵極電極，其構(gòu)成第一電極的源極金屬層230在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的漏極電極,其形成于娃片襯底210的底面的漏極(未不出) 在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的源極。實(shí)施例三事實(shí)上，隨著應(yīng)用于電容的電介質(zhì)的介電常數(shù)的不斷提升，上述實(shí)施例略顯臃雜， 一般電容不需要上述實(shí)施例一或二的那么多層電容極板，作為上述實(shí)施例的進(jìn)一步改進(jìn)， 下述內(nèi)容將提供更為簡(jiǎn)潔的實(shí)施方式。參見(jiàn)圖4A(立體結(jié)構(gòu)示意圖)、4B_4E(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管300集成有一個(gè)旁路電容，其中于一硅片襯底310頂面上設(shè)置有構(gòu)成低端(Low Side)的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管300 柵極電極(記作第二電極)的柵極金屬層320 (記作第二電極金屬層)，及構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管300源極電極(記作第一電極)的源極金屬層330(記作第一電極金屬層)，源極金屬層330包含一延伸結(jié)構(gòu)335。娃片襯底310頂面上方設(shè)置有平行于娃片襯底310的包含一個(gè)第一類電容極板340和二個(gè)第二類電容極板350的多層電容極板。在娃片襯底310頂面與娃片襯底310頂面上方的一塊電容極板(圖4A視為第二類電容極板350)間以及在相鄰的兩塊電容極板(圖4A視為第一類電容極板340和第二類電容極板350)間填充有電介質(zhì)層。第一類電容極板340和第二類電容極板350相互交替間隔配置，且第一類電容極板 340與源極金屬層330電性連接用于構(gòu)成旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板350彼此相互電性連接用于構(gòu)成旁路電容的另一個(gè)電極。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管300的漏極(未示出)形成于硅片襯底310的底面，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管300的源極(未示出)、柵極(未示出)形成于娃片襯底310頂面。參見(jiàn)圖4A、4B_4E所示，在硅片襯底310頂面與硅片襯底310頂面上方的一塊電容極板(該實(shí)施例中為第二類電容極板350)間填充有電介質(zhì)層(未不出)，第一類電容極板 340和第二類電容極板350間填充有電介質(zhì)層(未不出)；第一類電容極板340和第二類電容極板350相互交替間隔配置，且第一類電容極板340與源極金屬層330電性連接用于構(gòu)成旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板350彼此相互電性連接用于構(gòu)成旁路電容的另一個(gè)電極。第一類電容極板340與第二類電容極板350縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第二類電容極板350間的第一類電容極板340所在的層面中設(shè)置絕緣于第一類電容極板340的第二類連接層350a，同時(shí)在第二類電容極板350與第二類連接層350a之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬350b將第二類電容極板350相互電性連接。第一類電容極板340與第二類電容極板350縱向交錯(cuò)配置，用于在第一類電容極板340與源極金屬層330間的第二類電容極板350所在的層面中設(shè)置絕緣于第二類電容極板350的第一類連接層340a。在第一類電容極板340與第一類連接層340a之間及源極金屬層330與靠近源極金屬層330的第一類連接層340之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬340b將第一類電容極板340與源極金屬層330電性連接。圖4A、4B_4E中， 任意一層的電容極板所在的層面均在柵極金屬層320上方設(shè)有一層迭柵極金屬層320a ;其中，層迭柵極金屬層320a用于與柵極金屬層320電性連接以將柵極導(dǎo)出。在相鄰層迭柵極金屬層320a間的電介質(zhì)層中及在靠近柵極金屬層320的層迭柵極金屬層320a與柵極金屬層320間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬320b將層迭柵極金屬層320a與柵極金屬層320電性連接，即是將層迭柵極金屬層320a與柵極電性連接。圖4A、4B_4E中，類似上述柵極金屬層320與層迭柵極金屬層320a的連接方式，任意一層的電容極板所在的層面均在延伸結(jié)構(gòu)335上方設(shè)有一層迭延伸結(jié)構(gòu)335a ;其中，層迭延伸結(jié)構(gòu)335a用于與延伸結(jié)構(gòu)335電性連接以將源極導(dǎo)出。在相鄰層迭延伸結(jié)構(gòu)335a 間的電介質(zhì)層中及在靠近延伸結(jié)構(gòu)335的層迭延伸結(jié)構(gòu)335a與延伸結(jié)構(gòu)335間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬(未示出)將層迭延伸結(jié)構(gòu)335a 相互電性連接，層迭延伸結(jié)構(gòu)335a同時(shí)與延伸結(jié)構(gòu)335電性連接，即是將將層迭延伸結(jié)構(gòu) 335a與源極電性連接。圖4B-4E中，柵極金屬層320和源極金屬層330相互分割隔離，柵極金屬層320和源極金屬層330之間的分割區(qū)填充有電介質(zhì)；任意一層電容極板所在的層面均包含用于絕緣隔離該層面中彼此互不電性連接的器件結(jié)構(gòu)(如電容極板、層迭延伸結(jié)構(gòu)、層迭柵極金屬層)的絕緣分割區(qū)且絕緣分割區(qū)均填充有電介質(zhì)。另外，本實(shí)施例中構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管300柵極電極的柵極金屬層320及構(gòu)成源極電極的源極金屬層330設(shè)置于硅片襯底 310的頂面，漏極設(shè)置于硅片襯底310的底面，該MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管300為底漏頂源式的垂直器件。本實(shí)施例集成電容的結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用于其他類別的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)施例中， 在另一集成電容的底源頂漏式的MOSFET垂直器件中，底源頂漏式的MOSFET的柵極電極及漏極電極設(shè)置于硅片襯底頂面，源極設(shè)置于硅片襯底的底面；換言之，在本實(shí)施例圖4A示出的M0SFET300中，其構(gòu)成第二電極的柵極金屬層320在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的柵極電極，其構(gòu)成第一電極的源極金屬層330在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的漏極電極，其形成于硅片襯底310的底面的漏極(未示出)在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的源極。實(shí)施例四上述實(shí)施例基于將第一類電容極板通過(guò)第一類連接層彼此連接，或是通過(guò)第一類連接層將第一類電容極板連接到源極金屬層上。作為進(jìn)一步簡(jiǎn)化，另披露一種下述的實(shí)施方式。參見(jiàn)圖5A-1、5A-2(5A_1為硅片襯底410前側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖、5A-2為硅片襯底 410后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖)所示,及圖5B-5E(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，于一硅片襯底410頂面上設(shè)置有構(gòu)成低端MOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管400柵極電極(記作第二電極)的柵極金屬層420 (記作第二電極金屬層)， 及構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管400源極電極(記作第一電極)的源極金屬層430 (記作第二電極金屬層)，源極金屬層430包含一延伸結(jié)構(gòu)435。娃片襯底410頂面上方設(shè)置有平行于娃片 410襯底的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板440 (作為簡(jiǎn)潔化的措施，該實(shí)施例第一類電容極板包含一個(gè)第一類電容極板440)和數(shù)個(gè)第二類電容極板450的多層電容極板。在硅片襯底410 頂面與娃片襯底410頂面上方的一塊電容極板(第二類電容極板450)間以及在相鄰的兩塊電容極板(第一類電容極板440與第二類電容極板450)間填充有電介質(zhì)層(未不出)。 第一類電容極板440和第二類電容極板450相互交替間隔配置，且第一類電容極板440均與源極金屬層430電性連接用于構(gòu)成旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板450彼此相互電性連接用于構(gòu)成旁路電容的另一個(gè)電極。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管400的漏極(未示出)形成于娃片襯底410的底面，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極(未不出)、柵極(未不出)形成于娃片襯底410頂面。參見(jiàn)圖5A-1，任意一層電容極板所在的層面均在柵極金屬層420上方設(shè)有一層迭柵極金屬層420a ;層迭柵極金屬層420a用于與柵極金屬層420電性連接以將柵極導(dǎo)出。 在相鄰層迭柵極金屬層420a間的電介質(zhì)層中及在靠近柵極金屬層420的層迭柵極金屬層 420a與柵極金屬層420間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬420b將層迭柵極金屬層420a與與柵極金屬層420電性連接，即與柵極電性連接。參見(jiàn)圖5A-2，源極金屬層430設(shè)有一延伸結(jié)構(gòu)435，且任意一層的電容極板所在的層面均在延伸結(jié)構(gòu)435上方設(shè)有一層迭延伸結(jié)構(gòu)435a ;層迭延伸結(jié)構(gòu)435a用于與延伸結(jié)構(gòu)435電性連接以將所述源極導(dǎo)出。在相鄰層迭延伸結(jié)構(gòu)435a間的電介質(zhì)層中及在靠近延伸結(jié)構(gòu)435的層迭延伸結(jié)構(gòu)435a與延伸結(jié)構(gòu)435間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬435b將層迭延伸結(jié)構(gòu)435a與源極電性連接。參見(jiàn)圖5A-l、5A-2，第一類電容極板440與第二類電容極板450縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第二類電容極板450間的第一類電容極板440所在的層面中設(shè)置絕緣于第一類電容極板440的第二類連接層450a，同時(shí)在第二類電容極板450與第二類連接層450a之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬450b將第二類電容極板450 相互電性連接。參見(jiàn)圖5A-2，任意一層第一類電容極板440均與該層第一類電容極板440 所在層面的層迭延伸結(jié)構(gòu)435a連接。以致，第一類電容極板440通過(guò)與層迭延伸結(jié)構(gòu)435a 電性連接，又由于層迭延伸結(jié)構(gòu)435a與源極金屬層430電性連接，使得第一類電容極板440均與源極金屬層430電性連接。圖5B-5E中，柵極金屬層420和源極金屬層430相互分割隔離,柵極金屬層420和源極金屬層430之間的分割區(qū)填充有電介質(zhì)；任意一層電容極板所在的層面均包含用于絕緣隔離該層面中彼此互不電性連接的器件結(jié)構(gòu)(如電容極板、層迭延伸結(jié)構(gòu)、層迭柵極金屬層)的絕緣分割區(qū)且絕緣分割區(qū)均填充有電介質(zhì)。另外，本實(shí)施例中構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管400柵極電極的柵極金屬層420及構(gòu)成源極電極的源極金屬層430設(shè)置于硅片襯底410 的頂面，漏極設(shè)置于硅片襯底410的底面，該MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管400為底漏頂源式的垂直器件。本實(shí)施例集成電容的結(jié)構(gòu)也可應(yīng)用于其他類別的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)施例中，在另一集成電容的底源頂漏式的MOSFET垂直器件中，底源頂漏式的MOSFET的柵極電極及漏極電極設(shè)置于硅片襯底頂面，源極設(shè)置于硅片襯底的底面；換言之，在本實(shí)施例圖5A-1及圖 5A-2示出的M0SFET400中，其構(gòu)成第二電極的柵極金屬層420在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的柵極電極,其構(gòu)成第一電極的源極金屬層430在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的漏極電極，其形成于硅片襯底410的底面的漏極(未示出)在另一實(shí)施方式中轉(zhuǎn)換成另一底源頂漏式的MOSFET的源極。實(shí)施例五上述實(shí)施例均以單芯片的低端MOSFET集成一個(gè)電容，在包含一低端MOSFET和一高端MOSFET的雙MOSFET中集成電容的具體設(shè)計(jì)方案如下所述。包含一低端MOSFET和一高端MOSFET的雙MOSFET的設(shè)計(jì)和制備可參考美國(guó)專利申請(qǐng)US2008/0067584A1。參見(jiàn)圖6A-1 (硅片襯底510前側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖)、圖6B-6E (立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管500集成有一個(gè)旁路電容,其中于一娃片襯底510頂面上設(shè)置有構(gòu)成第一晶體管柵極電極的第一柵極金屬層521及構(gòu)成第一晶體管漏極電極的漏極金屬層531，和構(gòu)成第二晶體管柵極電極的第二柵極金屬層522及構(gòu)成第二晶體管源極電極的源極金屬層532。第一晶體管為一高端MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,第二晶體管為一低端MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。硅片襯底510頂面上方設(shè)置有平行于硅片襯底510的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板 (如本實(shí)施例中的一個(gè)第一類電容極板540)和數(shù)個(gè)第二類電容極板550的多層電容極板， 且在硅片襯底510頂面與硅片襯底510頂面上方的一塊電容極板(如本實(shí)施例中的第二類電容極板550)間以及在相鄰的兩塊電容極板(如第二類電容極板550與第一類電容極板 540)間填充有電介質(zhì)層(未不出)。第一類電容極板540和第二類電容極板550相互交替間隔配置，且第一類電容極板540均與漏極金屬層531電性連接用于構(gòu)成旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板550均與源極金屬層532電性連接用于構(gòu)成旁路電容的另一個(gè)電極。 第一晶體管的源極(未示出)形成于硅片襯底510的底面，第一晶體管的漏極、柵極(未示出)形成于娃片襯底510頂面；第二晶體管的漏極(未不出)形成于娃片襯底510的底面， 第二晶體管的源極、柵極(未示出)形成于硅片襯底510頂面。任意一層的電容極板所在的層面均在第一柵極金屬層521上方設(shè)有一第一層迭柵極金屬層521a ;其中，第一層迭柵極金屬層521a用于與第一柵極金屬層521電性連接以將第一晶體管的柵極導(dǎo)出。任意一層的電容極板所在的層面均在第二柵極金屬層522上方設(shè)有一第二層迭柵極金屬層522a ； 其中，第二層迭柵極金屬層522a用于與第二柵極金屬層522電性連接以將第二晶體管的柵極導(dǎo)出。
參見(jiàn)圖6A_2(硅片襯底510后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖)、圖6B-6E (立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，漏極金屬層531 設(shè)有一第一延伸結(jié)構(gòu)535，且任意一層電容極板所在的層面均在第一延伸結(jié)構(gòu)535上方設(shè)有一第一層迭延伸結(jié)構(gòu)535a ;其中，第一層迭延伸結(jié)構(gòu)535a用于與第一延伸結(jié)構(gòu)535電性連接以將第一晶體管漏極導(dǎo)出。參見(jiàn)圖6A-2(硅片襯底510后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖)、 圖6B-6E(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，源極金屬層532設(shè)有一第二延伸結(jié)構(gòu)536，且任意一層電容極板所在的層面均在第二延伸結(jié)構(gòu)536上方設(shè)有一第二層迭延伸結(jié)構(gòu)536a ;其中，第二層迭延伸結(jié)構(gòu)536a用于與第二延伸結(jié)構(gòu)536電性連接以將第二晶體管源極導(dǎo)出。參見(jiàn)圖6A-1所示，在相鄰第一層迭柵極金屬層521a間的電介質(zhì)層中及在靠近第一柵極金屬層521的第一層迭柵極金屬層521a與第一柵極金屬層521間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬521b將第一層迭柵極金屬層521a彼此電性連接，同時(shí)將第一層迭柵極金屬層521a與第一柵極金屬層521電性連接，即是將第一層迭柵極金屬層521a與第一晶體管的柵極電性連接。參見(jiàn)圖6A-1所示，在相鄰第二層迭柵極金屬層522a間的電介質(zhì)層中及在靠近第二柵極金屬層522的第二層迭柵極金屬層522a 與第二柵極金屬層間522的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬522b將第二層迭柵極金屬層522a彼此電性連接，同時(shí)將第二層迭柵極金屬層522a與第二柵極金屬層522電性連接，即是將第二層迭柵極金屬層522a與第二晶體管的柵極電性連接。參見(jiàn)圖6A-2所不,在相鄰第一層迭延伸結(jié)構(gòu)535a間的電介質(zhì)層中及在靠近第一延伸結(jié)構(gòu)535的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)535a與第一延伸結(jié)構(gòu)間535的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬535b將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)535a彼此相互電性連接，并將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)535a與第一延伸結(jié)構(gòu)間535電性連接,進(jìn)而達(dá)到將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)535a與第一晶體管的漏極電性連接。參見(jiàn)圖6A-2所示，在相鄰第二層迭延伸結(jié)構(gòu) 536a間的電介質(zhì)層中及在靠近第二延伸結(jié)構(gòu)536的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)536a與第二延伸結(jié)構(gòu)536間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬536b將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)536a彼此相互電性連接，并將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)536a與第二延伸結(jié)構(gòu)間536 電性連接，進(jìn)而達(dá)到將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)536a與第二晶體管的源極電性連接。參見(jiàn)圖6A-1、圖6B_6E(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，第一類電容極板540與第二類電容極板550縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第二類電容極板550間的第一類電容極板540所在的層面中設(shè)置絕緣于第一類電容極板540的第二類連接層550a ;在第二類電容極板550與第二類連接層550a 之間及源極金屬層532與靠近源極金屬層532的第二類電容極板550之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬550b將第二類電容極板550與第二類連接層550a電性連接，進(jìn)而第二類電容極板550相互電性連接，同時(shí)將第二類電容極板550與源極金屬層532電性連接。參見(jiàn)圖6A-1、圖6B-6E (立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，第一類電容極板540與第二類電容極板550縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第一類電容極板(第一類電容極板可以有多層，本實(shí)施例第一類電容極板包含一個(gè)第一類電容極板540)間及第一類電容極板540與漏極金屬層531間的第二類電容極板550所在的層面中設(shè)置絕緣于第二類電容極板550的第一類連接層540a ;在第一類電容極板540與第一類連接層540a之間及漏極金屬層531與靠近漏極金屬層531的第一類連接層540a之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬540b將第一類電容極板540相互電性連接(如果第一類電容極板有多層)，同時(shí)將第一類電容極板540與漏極金屬層531電性連接。圖6B-6E中，第一柵極金屬層521、漏極金屬層531、源極金屬層532、第二柵極金屬層522通過(guò)分割區(qū)相互分割隔離，且分割區(qū)填充有電介質(zhì)；任意一層電容極板所在的層面均包含用于絕緣隔離該層面中彼此互不電性連接的器件結(jié)構(gòu)(如電容極板、第一層迭延伸結(jié)構(gòu)、第二層迭延伸結(jié)構(gòu)、第一層迭柵極金屬層、第二層迭柵極金屬層、第一類連接層、第二類連接層)的絕緣分割區(qū)且絕緣分割區(qū)均填充有電介質(zhì)。如果期望取得更大電容值，實(shí)施例五中第一類電容極板540與第二類電容極板 550的層數(shù),可以不限制于圖6A-1、6A_2、6B_6E中描述的數(shù)量,與之相應(yīng)的第一層迭柵極金屬層521a、第二層迭柵極金屬層522a、第一層迭延伸結(jié)構(gòu)535a、第二層迭延伸結(jié)構(gòu)536a亦不限制于圖6A-1、6A-2、6B-6E中描述的數(shù)量。實(shí)施例六上述實(shí)施例五基于將第一類電容極板通過(guò)第一類連接層電性連接到漏極金屬層上，通過(guò)第二類連接層將第二類電容極板彼此連接或是連接到源極金屬層上。作為進(jìn)一步簡(jiǎn)化，在不脫離本發(fā)明精神的基礎(chǔ)上，另披露一種下述的更為簡(jiǎn)潔的實(shí)施方式。參見(jiàn)圖7A-1 (硅片襯底610前側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖)、圖7A_2(硅片襯底610后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖)、圖7B-7E(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管600集成有一個(gè)旁路電容，其中于一硅片襯底610頂面上設(shè)置有構(gòu)成第一晶體管柵極電極的第一柵極金屬層621及構(gòu)成第一晶體管漏極電極的漏極金屬層631，和構(gòu)成第二晶體管柵極電極的第二柵極金屬層622及構(gòu)成第二晶體管源極電極的源極金屬層632。第一晶體管為一高端MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，第二晶體管為一低端MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。娃片襯底610頂面上方設(shè)置有平行于娃片襯底610的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板(如本實(shí)施例中的一個(gè)第一類電容極板640)和數(shù)個(gè)第二類電容極板650的多層電容極板,且在娃片襯底610頂面與娃片襯底610頂面上方的一塊電容極板 (如本實(shí)施例中的第二類電容極板650)間以及在相鄰的兩塊電容極板(如第二類電容極板650與第一類電容極板640)間填充有電介質(zhì)層(未不出)。第一類電容極板640和第二類電容極板650相互交替間隔配置,且第一類電容極板640均與漏極金屬層631電性連接用于構(gòu)成旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板650均與源極金屬層632電性連接用于構(gòu)成旁路電容的另一個(gè)電極。第一晶體管的源極(未不出)形成于娃片襯底610的底面, 第一晶體管的漏極、柵極(未示出)形成于硅片襯底610頂面；第二晶體管的漏極(未示出)形成于硅片襯底610的底面，第二晶體管的源極、柵極(未示出)形成于硅片襯底610 頂面。任意一層的電容極板所在的層面均在第一柵極金屬層621上方設(shè)有一第一層迭柵極金屬層621a ;其中，第一層迭柵極金屬層621a用于與第一柵極金屬層621電性連接以將第一晶體管的柵極導(dǎo)出。任意一層的電容極板所在的層面均在第二柵極金屬層622上方設(shè)有一第二層迭柵極金屬層622a ;其中，第二層迭柵極金屬層622a用于與第二柵極金屬層622 電性連接以將第二晶體管的柵極導(dǎo)出。
參見(jiàn)圖7A-2(硅片襯底610后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖)、圖7B-7E(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，漏極金屬層631 設(shè)有一第一延伸結(jié)構(gòu)635，且任意一層電容極板所在的層面均在第一延伸結(jié)構(gòu)635上方設(shè)有一第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a ;其中，第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a用于與第一延伸結(jié)構(gòu)635電性連接以將第一晶體管漏極導(dǎo)出。參見(jiàn)圖7A-2(硅片襯底610后側(cè)立體結(jié)構(gòu)示意圖)、 圖7B-7E(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，源極金屬層632設(shè)有一第二延伸結(jié)構(gòu)636，且任意一層電容極板所在的層面均在第二延伸結(jié)構(gòu)636上方設(shè)有一第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a ;其中，第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a用于與第二延伸結(jié)構(gòu)636電性連接以將第二晶體管源極導(dǎo)出。參見(jiàn)圖7A-1所示，在相鄰第一層迭柵極金屬層621a間的電介質(zhì)層中及在靠近第一柵極金屬層621的第一層迭柵極金屬層621a與第一柵極金屬層621間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬621b將第一層迭柵極金屬層621a彼此電性連接，同時(shí)將第一層迭柵極金屬層621a與第一柵極金屬層621電性連接，即是將第一層迭柵極金屬層621a與第一晶體管的柵極電性連接。參見(jiàn)圖7A-1所示，在相鄰第二層迭柵極金屬層622a間的電介質(zhì)層中及在靠近第二柵極金屬層622的第二層迭柵極金屬層622a 與第二柵極金屬層間622的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬622b將第二層迭柵極金屬層622a彼此電性連接，同時(shí)將第二層迭柵極金屬層622a與第二柵極金屬層622電性連接，即是將第二層迭柵極金屬層622a與第二晶體管的柵極電性連接。參見(jiàn)圖7A-2所不,在相鄰第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a間的電介質(zhì)層中及在靠近第一延伸結(jié)構(gòu)635的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a與第一延伸結(jié)構(gòu)間635的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬635b將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a彼此相互電性連接，并將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a與第一延伸結(jié)構(gòu)間635電性連接,進(jìn)而達(dá)到將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a與第一晶體管的漏極電性連接。參見(jiàn)圖7A-2所示，在相鄰第二層迭延伸結(jié)構(gòu) 636a間的電介質(zhì)層中及在靠近第二延伸結(jié)構(gòu)636的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a與第二延伸結(jié)構(gòu)636間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔(未示出)，并通過(guò)注入通孔中的金屬636b將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a彼此相互電性連接，并將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a與第二延伸結(jié)構(gòu)間636 電性連接，進(jìn)而達(dá)到將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a與第二晶體管的源極電性連接。參見(jiàn)圖7A-2、圖7B_7E(立體結(jié)構(gòu)示意圖中相對(duì)應(yīng)的自下而上的每一層電容極板所在的層面的平面示意圖)所示，任意一層第一類電容極板640均與該層第一類電容極板 640所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a連接。任意一層所述的第二類電容極板650均與該層第二類電容極板650所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a連接。以致，第一類電容極板 640通過(guò)與第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a電性連接,又由于第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a與漏極金屬層631電性連接，使得第一類電容極板640均與漏極金屬層631電性連接；第二類電容極板 650通過(guò)與第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a電性連接,又由于第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a與源極金屬層 632電性連接，使得第二類電容極板650均與源極金屬層632電性連接。圖7B-7E中，第一柵極金屬層621、漏極金屬層631、源極金屬層632、第二柵極金屬層622通過(guò)分割區(qū)相互分割隔離，且分割區(qū)填充有電介質(zhì)；任意一層電容極板所在的層面均包含用于絕緣隔離該層面中彼此互不電性連接的器件結(jié)構(gòu)(如電容極板、第一層迭延伸結(jié)構(gòu)、第二層迭延伸結(jié)構(gòu)、第一層迭柵極金屬層、第二層迭柵極金屬層)的絕緣分割區(qū)且絕緣分割區(qū)均填充有電介質(zhì)。如果期望取得更大電容值，實(shí)施例六中第一類電容極板640與第二類電容極板 650的層數(shù)，可以不限制于圖7A-1、7A-2、7B-7E中描述的數(shù)量，與之相應(yīng)的第一層迭柵極金屬層621a、第二層迭柵極金屬層622a、第一層迭延伸結(jié)構(gòu)635a、第二層迭延伸結(jié)構(gòu)636a亦不限制于圖7A-1、7A-2、7B-7E中描述的數(shù)量?；谏鲜鰧?shí)施例的技術(shù)方案，現(xiàn)提供在金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET) 上集成電容的制備方法。參見(jiàn)圖8A-8L及圖4A-4E所示，就實(shí)施例三(圖4A-4E)披露的技術(shù)方案的電容結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明，參見(jiàn)圖8A-8L，制備方法于一 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管所在的硅片襯底710頂面上多次沉積電介質(zhì)層711、713、715和多次沉積金屬層712、714、716，以形成硅片襯底710頂面上電介質(zhì)層與金屬層交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層。其中，沉積電介質(zhì)層711、713、715 后對(duì)電介質(zhì)層711、713、715進(jìn)行蝕刻，用于形成電介質(zhì)層中的多個(gè)通孔(如711a、713a、 715a及圖中未示出的通孔，下述內(nèi)容將提及)；其中，沉積金屬層712、714、716后對(duì)金屬層 712、714、716進(jìn)行蝕刻分割，用于將金屬層712、714、716分割成不同的金屬區(qū)域(如712a、 712b、712c、714a、714b、714c、716a、716b及為圖中未示出的金屬區(qū)，下述內(nèi)容將提及)，一部分金屬區(qū)域形成電容極板，且沉積金屬層的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層中所包含的通孔(如711a、713a、715a及圖中未示出的通孔，下述內(nèi)容將提及)。任意一層金屬層蝕刻分割后均形成該金屬層所在層面的層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖中未示出)和層迭柵極金屬層(如712a、 714a,716a)。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管所在的娃片襯底710頂面上沉積一層電介質(zhì)層711并通過(guò)蝕刻電介質(zhì)層711于電介質(zhì)層711中形成多個(gè)通孔711a ;圖8A-8L為圖4A的截面圖，圖8A-8L 中金屬層712、714、716蝕刻分割后即形成圖4C、4D、4E所不的金屬切割圖案。再于電介質(zhì)層上711沉積一層金屬層712并通過(guò)蝕刻分割金屬層712用于將金屬層712分割成不同的金屬區(qū)域，且沉積金屬層712的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層711所包含的通孔711a。多次重復(fù)沉積電介質(zhì)層和金屬層，以形成娃片襯底頂面上電介質(zhì)層711、713、515與金屬層712、 714、716交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層。具體步驟如下參見(jiàn)圖8A,娃片襯底710頂面包含構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電極的柵極金屬層 720、構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極電極的源極金屬層730及源極金屬層730的一延伸結(jié)構(gòu) (未示出，可參考圖4B)。于硅片襯底710頂面上沉積一層電介質(zhì)層711。柵極金屬層720 和源極金屬層730相互分割隔離，沉積電介質(zhì)層711用于將柵極金屬層720和源極金屬層 730之間的分割區(qū)725填充電介質(zhì)。參見(jiàn)圖8B，通過(guò)蝕刻電介質(zhì)層711于電介質(zhì)層711中形成多個(gè)通孔711a。通孔711a選擇性的蝕刻于位于柵極金屬層720、延伸結(jié)構(gòu)上方的電介質(zhì)中，于電介質(zhì)層711中在下述提到的第一類連接層712b下方的電介質(zhì)中亦圖案化的進(jìn)行蝕刻行成通孔711a。參見(jiàn)圖SC，于電介質(zhì)層711上形成一層金屬層712，金屬層712形成的過(guò)程中，金屬注入通孔711a中。參見(jiàn)圖8D，蝕刻分割金屬層712形成金屬區(qū)域712a、712b、 712c,其中，金屬區(qū)域712a構(gòu)成位于柵極金屬層720上方的層迭柵極金屬層,金屬區(qū)域712b 構(gòu)成第一類連接層，金屬區(qū)域712c構(gòu)成第二類電容極板，蝕刻分割金屬層712還形成位于延伸結(jié)構(gòu)上方的層迭延伸結(jié)構(gòu)(未示出)。參見(jiàn)圖8E，于金屬層712頂面上沉積一層電介質(zhì)層713。沉積電介質(zhì)層712同時(shí)用于將金屬層712包含的分割區(qū)填充電介質(zhì)。參見(jiàn)圖8F, 通過(guò)蝕刻電介質(zhì)層713于電介質(zhì)層713中形成多個(gè)通孔713a。通孔713a選擇性的蝕刻于位于金屬區(qū)域712a、金屬區(qū)域712b、金屬區(qū)域712c上方的電介質(zhì)中，金屬層712包含的層迭延伸結(jié)構(gòu)上方亦形成有通孔713a。參見(jiàn)圖SG，于電介質(zhì)層713上形成一層金屬層714， 金屬層714形成的過(guò)程中，金屬注入通孔713a中。參見(jiàn)圖8H，蝕刻分割金屬層714形成金屬區(qū)域714a、714b、714c,其中，金屬區(qū)域714a構(gòu)成位于柵極金屬層720上方的層迭柵極金屬層，金屬區(qū)域714b構(gòu)成第一類電容極板，金屬區(qū)域714c構(gòu)成第二類連接層，蝕刻分割金屬層714還形成位于延伸結(jié)構(gòu)上方的層迭延伸結(jié)構(gòu)(未示出)。蝕刻分割金屬層714的過(guò)程中第一類電容極板與第二類電容極板縱向交錯(cuò)。參見(jiàn)圖81，于金屬層714頂面上沉積一層電介質(zhì)層715。沉積電介質(zhì)層715同時(shí)用于將金屬層714包含的分割區(qū)填充電介質(zhì)。參見(jiàn)圖8J，通過(guò)蝕刻電介質(zhì)層715于電介質(zhì)層715中形成多個(gè)通孔715a。通孔715a選擇性的蝕刻于位于金屬區(qū)域714a、金屬區(qū)域714c上方的電介質(zhì)中，金屬層714包含的層迭延伸結(jié)構(gòu)上方亦形成有通孔713a。參見(jiàn)圖8K，于電介質(zhì)層715上形成一層金屬層716，金屬層 716形成的過(guò)程中，金屬注入通孔715a中。參見(jiàn)圖8L，蝕刻分割金屬層716形成金屬區(qū)域 716a、716b,其中，金屬區(qū)域716a構(gòu)成位于柵極金屬層720上方的層迭柵極金屬層,金屬區(qū)域716b構(gòu)成第二類電容極板，蝕刻分割金屬層716還形成位于延伸結(jié)構(gòu)上方的層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖中未示出，需參考實(shí)施例三圖4C、4D、4E所示)。圖8L即圖4A所示的截面圖，圖8L 中金屬層712、714、716蝕刻分割后即形成圖4C、4D、4E所示的金屬切割圖案。蝕刻分割金屬層716的過(guò)程中第一類電容極板與第二類電容極板縱向交錯(cuò)，以供金屬區(qū)域714c通過(guò)注入第二類電容極板與金屬區(qū)域714c間的金屬可以將第二類電容極板進(jìn)行相互連接。上述方法，如果進(jìn)一步于金屬層716上進(jìn)行沉積電介質(zhì)層再沉積金屬層，如上述方法循環(huán)，則可形成類似實(shí)施例一 1A、1B-1F所不的結(jié)構(gòu),相異處僅為金屬層和電介質(zhì)層的層數(shù)可以不受數(shù)量限制。上述方法，任意一層金屬層(如712、714、716或更多層的金屬層) 蝕刻分割后均形成位于延伸結(jié)構(gòu)上方的層迭延伸結(jié)構(gòu)及位于柵極金屬層上方的層迭柵極金屬層。多層金屬層(如712、714、716或更多層的金屬層)蝕刻分割后形成位于不同層面的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板和數(shù)個(gè)第二類電容極板的多層電容極板；第一類電容極板和第二類電容極板相互交替間隔配置。上述方法，多層金屬層(如712、714、716或更多層的金屬層)蝕刻分割后在相鄰的第二類電容極板間的第一類電容極板所在的層面中形成有絕緣于第一類電容極板的第二類連接層。蝕刻電介質(zhì)層(如713、715或更多層的電介質(zhì)層)在第二類電容極板與第二類連接層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，并通過(guò)注入第二類電容極板與第二類連接層之間的電介質(zhì)層中通孔中的金屬將第二類電容極板相互電性連接。 上述方法，多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第一類電容極板間(如果形成多層第一類電容極板)及第一類電容極板與源極金屬層間的第二類電容極板所在的層面中形成有絕緣于第二類電容極板的第一類連接層。蝕刻電介質(zhì)層在第一類電容極板與第一類連接層之間及源極金屬層與靠近源極金屬層的第一類連接層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，并通過(guò)注入第一類電容極板與第一類連接層之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將第一類電容極板相互電性連接，通過(guò)注入靠近源極金屬層的第一類連接層與源極金屬層間之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將第一類連接層與源極金屬層電性連接。上述方法，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近延伸結(jié)構(gòu)的層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近延伸結(jié)構(gòu)的層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)電性連接。上述方法，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的層迭柵極金屬層之間及靠近柵極金屬層的層迭柵極金屬層與柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的層迭柵極金屬層之間及靠近柵極金屬層的層迭柵極金屬層與柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的層迭柵極金屬層電性連接，同時(shí)將層迭柵極金屬層與柵極金屬層電性連接。上述方法，柵極金屬層和源極金屬層相互分割隔離，沉積電介質(zhì)層用于將柵極金屬層和源極金屬層之間的分割區(qū)填充電介質(zhì)；沉積電介質(zhì)層用于將蝕刻分割金屬層所形成的絕緣分割區(qū)填充電介質(zhì)。參見(jiàn)圖9所示，為實(shí)施二(圖3A、3B-3F)的制備方法，類同上述8A-8L的步驟，具體步驟不再贅述。制備方法于一 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管所在的硅片襯底810頂面上多次沉積電介質(zhì)層811、813、815、817和多次沉積金屬層812、814、816、818，以形成硅片襯底810頂面上電介質(zhì)層與金屬層交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層。其中，沉積電介質(zhì)層811、813、815、817 后對(duì)電介質(zhì)層811、813、815、817進(jìn)行蝕刻，用于形成電介質(zhì)層中的多個(gè)通孔(811a、813a、 815a、817a及圖中未示出的通孔，下述內(nèi)容將提及)。其中，沉積金屬層(如圖中的812、814、 816,818)后對(duì)金屬層812、814、816、818進(jìn)行蝕刻分割，用于將金屬層812、814、816、818分割成位于不同層面的不同的金屬區(qū)域(如圖中的812a、812b、814a、814b、814c、816a、816b、 816c、818a、818b及圖中未示出的金屬區(qū)，下述內(nèi)容將提及)，一部分金屬區(qū)域形成電容極板，且沉積金屬層的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層中所包含的通孔(如811a、813a、815a、 817a及圖中未示出的通孔，下述內(nèi)容將提及)。參見(jiàn)圖9,娃片襯底810頂面包含構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電極的柵極金屬層 820、構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極電極的源極金屬層830及源極金屬層830的一延伸結(jié)構(gòu) (圖中未示出，需參考實(shí)施例二圖3B)。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管所在的硅片襯底810頂面上沉積一層電介質(zhì)層811并通過(guò)蝕刻電介質(zhì)層811于電介質(zhì)層811中形成多個(gè)通孔811a ;圖9為圖3A的截面圖。再于電介質(zhì)層811上沉積一層金屬層812并通過(guò)蝕刻分割金屬層812用于將金屬層812分割成不同的金屬區(qū)域，且沉積金屬層812的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層811所包含的通孔811a。多次重復(fù)沉積電介質(zhì)層和金屬層，以形成硅片襯底810頂面上電介質(zhì)層811、813、815、817與金屬層812、814、816、818交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層。如果進(jìn)一步于金屬層818上進(jìn)行沉積電介質(zhì)層再沉積金屬層，如此循環(huán)，則可形成金屬層和電介質(zhì)層的層數(shù)不受數(shù)量限制的結(jié)構(gòu)。圖9即圖3A所示的截面圖，圖9中金屬層812、 814、816、818蝕刻分割后即形成圖3C、3D、3E、3F所示的金屬切割圖案。硅片襯底810頂面包含構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電極的柵極金屬層820、構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極電極的源極金屬層830及源極金屬層的一延伸結(jié)構(gòu)(未示出，需參考實(shí)施例二圖3B所示)。任意一層金屬層蝕刻分割后均形成位于延伸結(jié)構(gòu)上方的層迭延伸結(jié)構(gòu)(未示出， 需參考實(shí)施例二圖3C-3F所示)及位于柵極金屬層820上方的層迭柵極金屬層812a、814a、 816a、818a。多層金屬層蝕刻分割后形成位于不同層面的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板812b、 816c和數(shù)個(gè)第二類電容極板814b、818b的多層電容極板；第一類電容極板812b、816c和第二類電容極板814b、818b相互交替間隔配置。多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第二類電容極板814b、818b間的第一類電容極板816所在的層面中形成有絕緣于第一類電容極板816c 的第二類連接層816b。蝕刻電介質(zhì)層在第二類電容極板814b、818b與第二類連接層816b之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔815a、817a,并通過(guò)注入第二類電容極板814b、818b與第二類連接層816b之間的電介質(zhì)層中通孔815a、817a中的金屬將第二類電容極板814b、818b 相互電性連接。多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第一類電容極板間812b、816c的第二類電容極板814b所在的層面中形成有絕緣于第二類電容極板814b的第一類連接層814c。蝕刻電介質(zhì)層在第一類電容極板812b、816c與第一類連接層814c之間及源極金屬層830與靠近源極金屬層830的第一類電容極板812b之間的電介質(zhì)層中形成有多個(gè)通孔815a、813a、 811a，并通過(guò)注入第一類電容極板812b、816c與第一類連接層814c之間及源極金屬層830 與靠近源極金屬層830的第一類電容極板812b之間的電介質(zhì)層中的通孔815a、813a、811a 中的金屬將第一類電容極板812b、816c相互電性連接，同時(shí)將第一類電容極板812b、816c 與源極金屬層830電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)(未示出)之間及靠近延伸結(jié)構(gòu)的層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔(未示出)，通過(guò)注入相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近延伸結(jié)構(gòu)的層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬(未示出)將相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)電性連接。 蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的層迭柵極金屬層812a、814a、816a、818a之間及靠近柵極金屬層820 的層迭柵極金屬層812a與柵極金屬層820之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔811a、813a、 815a、817a,通過(guò)注入相鄰的層迭柵極金屬層812a、814a、816a、818a之間及靠近柵極金屬層820的層迭柵極金屬層812a與柵極金屬層820之間的電介質(zhì)層中的通孔811a、813a、 815a、817a中的金屬將相鄰的層迭柵極金屬層812a、814a、816a、818a電性連接，同時(shí)將層迭柵極金屬層812a、814a、816a、818a與柵極金屬層820電性連接。柵極金屬層820和源極金屬層830相互分割隔離，沉積電介質(zhì)層用于將柵極金屬層和源極金屬層之間的分割區(qū) 825填充電介質(zhì)；沉積電介質(zhì)層用于將蝕刻分割金屬層所形成的絕緣分割區(qū)填充電介質(zhì)。參見(jiàn)圖10所示，為實(shí)施例四(圖5A-1、圖5A-2、5B-5E)的制備方法，類同上述 8A-8L的步驟，具體步驟不再贅述。于一 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管所在的硅片襯底910頂面上多次沉積電介質(zhì)層911、913、915和多次沉積金屬層912、914、916，以形成硅片襯底910頂面上電介質(zhì)層與金屬層交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層。其中，沉積電介質(zhì)層911、913、915 后對(duì)電介質(zhì)層911、913、915進(jìn)行蝕刻，用于形成電介質(zhì)層中的多個(gè)通孔(如911a、913a、 915a及圖中未示出的通孔，下述內(nèi)容將提及)。其中，沉積金屬層912、914、916后對(duì)金屬層 912、914、916進(jìn)行蝕刻分割，用于將金屬層912、914、916分割成不同的金屬區(qū)域(如912a、 912b、914a、914b、914c、916a、916b及圖中未示出的金屬區(qū)，下述內(nèi)容將提及)，且沉積金屬層的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層中所包含的通孔(911a、913a、915a及圖中未示出的通孔，下述內(nèi)容將提及)。參見(jiàn)圖10，硅片襯底910頂面包含構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電極的柵極金屬層 920、構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極電極的源極金屬層930及源極金屬層930的一延伸結(jié)構(gòu) (未示出)。MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管所在的硅片襯底910頂面上沉積一層電介質(zhì)層911并通過(guò)蝕刻電介質(zhì)層911于電介質(zhì)層911中形成多個(gè)通孔911a ;圖10為圖5A-1、圖5A-2的截面圖。 再于電介質(zhì)層911上沉積一層金屬層912并通過(guò)蝕刻分割金屬層912用于將金屬層912分割成不同的金屬區(qū)域，且沉積金屬層912的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層911所包含的通孔911a。多次重復(fù)沉積電介質(zhì)層和金屬層，以形成硅片襯底910頂面上電介質(zhì)層911、913、 915與金屬層912、914、916交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層。圖10即圖5A-1所示的截面圖，圖10中金屬層912、914、916蝕刻分割后即形成圖5C、5D、5E所示的金屬切割圖案。如果進(jìn)一步于金屬層916上進(jìn)行沉積電介質(zhì)層再沉積金屬層，如此循環(huán)，則可形成金屬層和電介質(zhì)層的層數(shù)不受數(shù)量限制的結(jié)構(gòu)。硅片襯底910頂面包含構(gòu)成MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電極的柵極金屬層920、構(gòu)成 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管源極電極的源極金屬層930及源極金屬層的一延伸結(jié)構(gòu)(未示出)。任意一層金屬層蝕刻分割后均形成位于延伸結(jié)構(gòu)上方的層迭延伸結(jié)構(gòu)(未示出)及位于柵極金屬層920上方的層迭柵極金屬層912a、914a、916a。多層金屬層蝕刻分割后形成位于不同層面的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板(該實(shí)施例中包含一個(gè)第一類電容極板914b)和數(shù)個(gè)第二類電容極板(如圖中912b、916b)的多層電容極板；第一類電容極板914b和第二類電容極板912b、916b相互交替間隔配置。多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第二類電容極板912b、 916b間的第一類電容極板914b所在的層面中形成有絕緣于第一類電容極板914b的第二類連接層gl4c。蝕刻電介質(zhì)層在第二類電容極板912b、916b與第二類連接層914c之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔913a、915a，并通過(guò)注入第二類電容極板912b、916b與第二類連接層914c之間的電介質(zhì)層中通孔913a、915a中的金屬將第二類電容極板912b、916b相互電性連接。任意一層所述的第一類電容極板(該實(shí)施例中包含一個(gè)第一類電容極板914b) 均與該層第一類電容極板所在層面的層迭延伸結(jié)構(gòu)(未不出)連接。也即意味著第一類電容極板914b通過(guò)連通第一類電容極板914b所在的層面的層迭延伸結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)與源極金屬層930層電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)(未示出)之間及靠近延伸結(jié)構(gòu)的層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔(未示出)，通過(guò)注入相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近延伸結(jié)構(gòu)的層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬 (未示出)將相鄰的層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將層迭延伸結(jié)構(gòu)與延伸結(jié)構(gòu)電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的層迭柵極金屬層912a、914a、916a之間及靠近柵極金屬層920的層迭柵極金屬層912a與柵極金屬層920之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔911a、913a、915a，通過(guò)注入相鄰的層迭柵極金屬層912a、914a、916a之間及靠近柵極金屬層920的層迭柵極金屬層912a與柵極金屬層920之間的電介質(zhì)層中的通孔911a、913a、915a中的金屬將相鄰的層迭柵極金屬層912a、914a、916a電性連接，同時(shí)將層迭柵極金屬層912a、914a、916a與柵極金屬層920電性連接。柵極金屬層920和源極金屬層930相互分割隔離，沉積電介質(zhì)層用于將柵極金屬層和源極金屬層之間的分割區(qū)925填充電介質(zhì)；沉積電介質(zhì)層用于將蝕刻分割金屬層所形成的絕緣分割區(qū)填充電介質(zhì)。參見(jiàn)圖11所示，為實(shí)施例五(圖6A-1、6A-2、6B-6E)的制備方法，類同上述8A-8L 的步驟，具體步驟不再贅述。制備方法于第一晶體管、第二晶體管所在的硅片襯底1010頂面上多次沉積電介質(zhì)層1011、1013、1015和多次沉積金屬層1012、1014、1016，以形成硅片襯底1010頂面上電介質(zhì)層1011、1013、1015與金屬層1012、1014、1016交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層。其中，沉積電介質(zhì)層1011、1013、1015后對(duì)電介質(zhì)層1011、1013、1015進(jìn)行蝕刻，用于形成電介質(zhì)層1011、1013、1015中的多個(gè)通孔1011a、1013a、1015a及圖中未示出的通孔;沉積金屬層1012、1014、1016后對(duì)金屬層1012、1014、1016進(jìn)行蝕刻分割，用于將金屬層1012、1014、1016分割成不同的金屬區(qū)域(如圖中1012a、1012b、1012c、1012d、 1014a、1014b、1014c、1014d、1016a、1016b、1016c及未示出的金屬區(qū)域)，且沉積金屬層 1012、1014、1016的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層中所包含的通孔1011a、1013a、1015a及圖中未示出的通孔。圖11即圖6A-1所示的截面圖，圖11中金屬層1012、1014、1016蝕刻分割后即形成圖6C、6D、6E所不的金屬切割圖案。娃片襯底1010頂面包含構(gòu)成第一晶體管漏極電極的漏極金屬層1030、構(gòu)成第一晶體管柵極電極的第一柵極金屬層1020，構(gòu)成第二晶體管源極電極的源極金屬層1040、構(gòu)成第二晶體管柵極電極的第二柵極金屬層1050。 漏極金屬層1030包含一個(gè)第一延伸結(jié)構(gòu)(圖中未不出，需參考實(shí)施例五圖6B),源極金屬層1040包含一個(gè)第二延伸結(jié)構(gòu)(圖中未不出，需參考實(shí)施例五圖6B)。任意一層金屬層 1012、1014、1016蝕刻分割后均形成位于第一延伸結(jié)構(gòu)上方的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖中未示出，需參考實(shí)施例五圖6C-6E)及位于所述第二延伸結(jié)構(gòu)上方的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖中未不出，需參考實(shí)施例五圖6C-6E);以及位于第一柵極金屬層1020上方的第一層迭柵極金屬層1012a、1014a、1016a和位于第二柵極金屬層1050上方的第二層迭柵極金屬層1012d、 1014d、1016c。多層金屬層1012、1014、1016蝕刻分割后形成位于不同層面的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板(如圖中1014b)和數(shù)個(gè)第二類電容極板(如圖中1012c、1016b)的多層電容極板； 第一類電容極板1014b和第二類電容極板1012c、1016b相互交替間隔配置。多層金屬層 1012、1014、1016蝕刻分割后在相鄰的第二類電容極板1012c、1016b間的第一類電容極板 1014b所在的層面中形成有絕緣于第一類電容極板1014b的第二類連接層1014c。蝕刻電介質(zhì)層在第二類電容極板1012c、1016b與第二類連接層1014c之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔(如圖中1013a、1015a及圖中未示出的通孔)，并通過(guò)注入第二類電容極板1012c、 1016b與第二類連接層1014c之間的電介質(zhì)層中通孔中的金屬(未示出)將第二類電容極板1012c、1016b相互電性連接。多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第一類電容極板(第一類電容極板可以有多層，本實(shí)施例中包含一個(gè)第一類電容極板1014b)間及第一類電容極板 1014b與漏極金屬層1030間的第二類電容極板1012c所在的層面中形成有絕緣于第二類電容極板1012c的第一類連接層1012b。蝕刻電介質(zhì)層在第一類電容極板1014b與第一類連接層1012b之間及漏極金屬層1030與靠近漏極金屬層1030的第一類連接層1012b之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔 (如圖中1011a、1013a及圖中未示出的通孔)，并通過(guò)注入第一類電容極板1014b與第一類連接層1012b之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬(未示出)將第一類電容極板1014b相互電性連接，通過(guò)注入靠近漏極金屬層1030的第一類連接層1012b與漏極金屬層1030間之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬(未示出)將第一類連接層1012b與漏極金屬層1030電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在源極金屬層1040與靠近源極金屬層1040的第二類電容極極1012c之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔(如圖中IOlla及圖中未示出的通孔)，并通過(guò)注入源極金屬層1040與靠近源極金屬層1040的第二類電容極板1012c之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬(未示出)將第二類電容極板1012c與源極金屬層1040電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖11未不出，需參考實(shí)施例五圖6A-2)之間及靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖11未示出，需參考實(shí)施例五圖6A-2)之間及靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第一層迭柵極金屬層(如圖中1012a、1014a、 1016a)之間及靠近第一柵極金屬層1020的第一層迭柵極金屬層1012a與第一柵極金屬層 1020之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔(如圖中1011a、1013a、1015a及圖中未示出的通孔)，通過(guò)注入相鄰的第一層迭柵極金屬層之間及靠近第一柵極金屬層1020的第一層迭柵極金屬層1012a與第一柵極金屬層1020之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬(未示出)將相鄰的第一層迭柵極金屬層(如圖中1012a、1014a、1016a)電性連接，同時(shí)將第一柵極金屬層1020與第一層迭柵極金屬層(如圖中1012a、1014a、1016a)電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第二層迭柵極金屬層(如圖中1012d、1014d、1016c)之間及靠近第二柵極金屬層1050的第二層迭柵極金屬層1012d與第二柵極金屬層1050之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔(如圖中1011a、1013a、1015a及圖中未示出的通孔)，通過(guò)注入相鄰的第二層迭柵極金屬層(如圖中1012d、1014d、1016c)之間及靠近第二柵極金屬層 1050的第二層迭柵極金屬層1012d與第二柵極金屬層1050之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬(未不出)將相鄰的第二層迭柵極金屬層(如圖中1012d、1014d、1016c)電性連接，同時(shí)將第二柵極金屬層1050與第二層迭柵極金屬層(如圖中1012d、1014d、1016c)電性連接。漏極金屬層1030、第一柵極金屬層1020、源極金屬層1040、第二柵極金屬層1050通過(guò)分割區(qū)(例如漏極金屬層1030、第一柵極金屬層1020之間的分割區(qū)1025)相互分割隔離， 沉積電介質(zhì)層用于在分割區(qū)填充電介質(zhì)；沉積電介質(zhì)層用于將蝕刻分割金屬層所形成的絕緣分割區(qū)填充電介質(zhì)。參見(jiàn)圖12所示，為實(shí)施例六(圖7A-1、7A-2、7B-7E)的制備方法，類同上述8A-8L 的步驟，具體步驟不再贅述。制備方法于第一晶體管、第二晶體管所在的硅片襯底1110頂面上多次沉積電介質(zhì)層1111、1113、1115和多次沉積金屬層1112、1114、1116，以形成硅片襯底1110頂面上電介質(zhì)層1111、1113、1115與金屬層1112、1114、1116交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層。其中，沉積電介質(zhì)層1111、1113、1115后對(duì)電介質(zhì)層1111、1113、1115進(jìn)行蝕刻，用于形成電介質(zhì)層1111、1113、1115中的多個(gè)通孔lllla、1113a、1115a及圖中未示出的通孔；沉積金屬層1112、1114、1116后對(duì)金屬層1112、1114、1116進(jìn)行蝕刻分割,用于將金屬層1112、1114、1116分割成不同的金屬區(qū)域(如圖中1112a、1112b、1112c、1114a、1114b、 1114c、1116a、1116b、1116c及未示出的金屬區(qū)域)，且沉積金屬層1112、1114、1116的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層中所包含的通孔111 la、1113a、1115a及圖中未示出的通孔。圖12 即圖7A-1所示的截面圖，圖12中金屬層1112、1114、1116蝕刻分割后即形成圖7C、7D、7E 所示的金屬切割圖案。硅片襯底1110頂面包含構(gòu)成第一晶體管漏極電極的漏極金屬層1130、構(gòu)成第一晶體管柵極電極的第一柵極金屬層1120，構(gòu)成第二晶體管源極電極的源極金屬層1140、構(gòu)成第二晶體管柵極電極的第二柵極金屬層1150。漏極金屬層1130包含一個(gè)第一延伸結(jié)構(gòu) (圖12中未不出，需參考實(shí)施例六圖7B),源極金屬層1140包含一個(gè)第二延伸結(jié)構(gòu)(圖12 中未不出，需參考實(shí)施例六圖7B)。任意一層金屬層1112、1114、1116蝕刻分割后均形成位于第一延伸結(jié)構(gòu)上方的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖中未不出，需參考實(shí)施例六圖7C-7E)及位于第二延伸結(jié)構(gòu)上方的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖中未示出，需參考實(shí)施例六圖7C-7E);以及位于第一柵極金屬層1120上方的第一層迭柵極金屬層1112a、1114a、1116a和位于第二柵極金屬層1150上方的第二層迭柵極金屬層1112c、1114c、1116c。多層金屬層1112、1114、 1116蝕刻分割后形成位于不同層面的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板(本實(shí)施例取圖中的一個(gè)第一類電容極板1114b為例)和數(shù)個(gè)第二類電容極板(如圖中1112b、1116b)的多層電容極板；第一類電容極板1114b和第二類電容極板1112b、1116b相互交替間隔配置。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖12未示出，需參考實(shí)施例六圖7A-2)之間及靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)電性連接，即是使得第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與漏極金屬層1130 電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)(圖12未示出，需參考實(shí)施例六圖 7A-2)之間及靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)電性連接，即是使得第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與源極金屬層1140電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第一層迭柵極金屬層(如圖中1112a、 1114a、1116a)之間及靠近第一柵極金屬層1120的第一層迭柵極金屬層1112a與第一柵極金屬層1120之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔(如圖中l(wèi)llla、1113a、1115a及圖中未示出的通孔)，通過(guò)注入相鄰的第一層迭柵極金屬層之間及靠近第一柵極金屬層1120的第一層迭柵極金屬層1112a與第一柵極金屬層1120之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬(未示出)將相鄰的第一層迭柵極金屬層(如圖中1112a、1114a、1116a)電性連接，同時(shí)將第一層迭柵極金屬層(如圖中1112a、1114a、1116a)與第一柵極金屬層1120電性連接。蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第二層迭柵極金屬層(如圖中1112c、1114c、1116c)之間及靠近第二柵極金屬層1150的第二層迭柵極金屬層1112c與第二柵極金屬層1150之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔(如圖中l(wèi)llla、1113a、1115a及圖中未示出的通孔)，通過(guò)注入相鄰的第二層迭柵極金屬層(如圖中1112c、1114c、1116c)之間及靠近第二柵極金屬層 1150的第二層迭柵極金屬層1112c與第二柵極金屬層1150之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬(未不出)將相鄰的第二層迭柵極金屬層(如圖中1112c、1114c、1116c)電性連接，同時(shí)將第二柵極金屬層1150與第二層迭柵極金屬層(如圖中1112c、1114c、1116c)電性連接。任意一層第一類電容極板(如本實(shí)施例如中的第一類電容極板1114b)均與該層第一類電容極板(如本實(shí)施例如中的第一類電容極板1114b)所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)(未示出)連接；任意一層第二類電容極板(如本實(shí)施例如中的第一類電容極板1112b、 1116b)均與該層第二類電容極板(如本實(shí)施例如中的第一類電容極板1112b、1116b)所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)(未示出)連接。以致，第一類電容極板1114b通過(guò)與第一層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，又由于第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與漏極金屬層1130電性連接，使得第一類電容極板1114b均與漏極金屬層1130電性連接；第二類電容極板1112b、1116b通過(guò)與第二層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，又由于第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與源極金屬層1140電性連接，使得第二類電容極板1112b、1116b均與源極金屬層1140電性連接。漏極金屬層1130、第一柵極金屬層1120、源極金屬層1140、第二柵極金屬層1150通過(guò)分割區(qū)(例如漏極金屬層1130、第一柵極金屬層1120之間的分割區(qū)1125)相互分割隔離，沉積電介質(zhì)層用于在分割區(qū)填充電介質(zhì)；沉積電介質(zhì)層用于將蝕刻分割金屬層所形成的絕緣分割區(qū)填充電介質(zhì)。上述實(shí)施例所披露的技術(shù)方案在不脫離本發(fā)明精神的基礎(chǔ)上還存在較多形式上的變形，例如，金屬層、電介質(zhì)層的增加或減少，及調(diào)整導(dǎo)出柵極、源極的不同方式，或是芯片類型的改變，這些變形形式均毫無(wú)疑慮的被發(fā)明人看作是本發(fā)明的組成部分。上述實(shí)施例，是基于但可不限制于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal OxideSemiconductor Field-Effect Transistor, M0SFET)。其中，低端(Low Side)的 MOSFET亦可在本領(lǐng)域中被技術(shù)人員稱之為低側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管；高端(High Side)的MOSFET亦可本領(lǐng)域中被技術(shù)人員稱之為高側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。一個(gè)顯而易見(jiàn)的優(yōu)勢(shì)是，電容直接集成于MOSFET上，取代了以鍵合金線來(lái)連接 MOSFET和外置電容的方式，極大的消除了連線離散電感。另一個(gè)有益效果是，由于電容極板和電介質(zhì)層的存在，相當(dāng)于增加了硅片襯底的厚度和機(jī)械強(qiáng)度，硅片襯底于晶圓背部研磨(Wafer Backside Grinding)的工藝步驟中，對(duì)于娃片襯底自身應(yīng)力(Stress)的抑制， 抑或控制整塊晶圓的曲翹度(Warpage)，都是極為有效的，依據(jù)該優(yōu)點(diǎn)，可以減薄硅片襯底取得較低的MOSFET導(dǎo)通電阻?；诎雽?dǎo)體器件輕薄及良好散熱性能的需求，半導(dǎo)體器件的塑封厚度(Mold Cap) 也趨于減薄的勢(shì)態(tài)，然，極薄的塑封厚度勢(shì)必造成塑封工藝中的環(huán)氧樹(shù)脂的表面封裝空洞(Package Void)的出現(xiàn),甚至于露出晶圓顆粒(Die Exposed),—個(gè)避免該缺陷的直接有效的措施是減薄晶圓。故，本發(fā)明的晶圓機(jī)械強(qiáng)度的增加取得的另一個(gè)在芯片封裝 (ICAssembly)工藝中的杰出成績(jī)也是可見(jiàn)的。通過(guò)說(shuō)明和附圖，給出了具體實(shí)施方式
的特定結(jié)構(gòu)的典型實(shí)施例。盡管上述發(fā)明提出了現(xiàn)有的較佳實(shí)施例，然，這些內(nèi)容并不作為局限。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)掌握，本發(fā)明具有多種其他特殊形式，無(wú)需過(guò)多實(shí)驗(yàn)，就能將本發(fā)明應(yīng)用于這些實(shí)施例。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，閱讀上述說(shuō)明后，各種變化和修正無(wú)疑將顯而易見(jiàn)。例如，本發(fā)明是以MOS晶體管為例說(shuō)明，根據(jù)同樣的發(fā)明理念，本發(fā)明也可應(yīng)用于雙極晶體管電路。因此，所附的權(quán)利要求書應(yīng)看作是涵蓋本發(fā)明的真實(shí)意圖和范圍的全部變化和修正。在權(quán)利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價(jià)的范圍與內(nèi)容，都應(yīng)認(rèn)為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成有一個(gè)旁路電容，其中于一娃片襯底頂面上設(shè)置有構(gòu)成第一晶體管柵極電極的第一柵極金屬層及構(gòu)成第一晶體管漏極電極的漏極金屬層，和構(gòu)成第二晶體管柵極電極的第二柵極金屬層及構(gòu)成第二晶體管源極電極的源極金屬層；硅片襯底頂面上方設(shè)置有平行于硅片襯底的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板和數(shù)個(gè)第二類電容極板的多層電容極板，且在硅片襯底頂面與硅片襯底頂面上方的一塊電容極板間以及在相鄰的兩塊電容極板間填充有電介質(zhì)層；第一類電容極板和第二類電容極板相互交替間隔配置，且第一類電容極板均與漏極金屬層電性連接用于構(gòu)成所述旁路電容的一個(gè)電極，第二類電容極板均與源極金屬層電性連接用于構(gòu)成所述旁路電容的另一個(gè)電極。
2.如權(quán)利要求I所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，第一晶體管的源極形成于所述硅片襯底的底面，第一晶體管的漏極、柵極形成于硅片襯底頂面；第二晶體管的漏極形成于所述硅片襯底的底面，第二晶體管的源極、柵極形成于硅片襯底頂面。
3.如權(quán) 利要求2所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第一柵極金屬層上方設(shè)有一第一層迭柵極金屬層；其中，第一層迭柵極金屬層用于與所述第一柵極金屬層電性連接以將第一晶體管的柵極導(dǎo)出。
4.如權(quán)利要求2所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第二柵極金屬層上方設(shè)有一第二層迭柵極金屬層；其中，第二層迭柵極金屬層用于與所述第二柵極金屬層電性連接以將第二晶體管的柵極導(dǎo)出。
5.如權(quán)利要求2所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述漏極金屬層設(shè)有一第一延伸結(jié)構(gòu)，且任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第一延伸結(jié)構(gòu)上方設(shè)有一第一層迭延伸結(jié)構(gòu)；其中，第一層迭延伸結(jié)構(gòu)用于與所述第一延伸結(jié)構(gòu)電性連接以將第一晶體管漏極導(dǎo)出。
6.如權(quán)利要求2所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述源極金屬層設(shè)有一第二延伸結(jié)構(gòu)，且任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第二延伸結(jié)構(gòu)上方設(shè)有一第二層迭延伸結(jié)構(gòu)；其中，第二層迭延伸結(jié)構(gòu)用于與所述第二延伸結(jié)構(gòu)電性連接以將第二晶體管源極導(dǎo)出。
7.如權(quán)利要求5所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，在相鄰第一層迭延伸結(jié)構(gòu)間的電介質(zhì)層中及在靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔，并通過(guò)注入通孔中的金屬將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一晶體管的漏極電性連接。
8.如權(quán)利要求6所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，在相鄰第二層迭延伸結(jié)構(gòu)間的電介質(zhì)層中及在靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)間的電介質(zhì)層中設(shè)有多個(gè)通孔，并通過(guò)注入通孔中的金屬將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二晶體管的源極電性連接。
9.如權(quán)利要求I所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，第一類電容極板與第二類電容極板縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第二類電容極板間的第一類電容極板所在的層面中設(shè)置絕緣于第一類電容極板的第二類連接層；在第二類電容極板與第二類連接層之間及源極金屬層與靠近源極金屬層的第二類電容極板之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔，并通過(guò)注入通孔中的金屬將第二類電容極板相互電性連接，同時(shí)將第二類電容極板與源極金屬層電性連接。
10.如權(quán)利要求I所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，第一類電容極板與第二類電容極板縱向交錯(cuò)配置，用于在相鄰的第一類電容極板間及第一類電容極板與漏極金屬層間的第二類電容極板所在的層面中設(shè)置絕緣于第二類電容極板的第一類連接層；在第一類電容極板與第一類連接層之間及漏極金屬層與靠近漏極金屬層的第一類連接層之間的電介質(zhì)層中設(shè)置通孔，并通過(guò)注入通孔中的金屬將第一類電容極板相互電性連接，同時(shí)將第一類電容極板與漏極金屬層電性連接。
11.如權(quán)利要求5所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，任意一層所述的第一類電容極板均與該層第一類電容極板所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)連接。
12.如權(quán)利要求11所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述源極金屬層設(shè)有一第二延伸結(jié)構(gòu)，且任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第二延伸結(jié)構(gòu)上方設(shè)有一第二層迭延伸結(jié)構(gòu)，其中任意一層所述的第一類電容極板均與該層第一類電容極板所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)分割絕緣。
13.如權(quán)利要求6所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，任意一層所述的第二類電容極板均與該層第二類電容極板所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)連接。
14.如權(quán)利要求13所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述漏極金屬層設(shè)有一第一延伸結(jié)構(gòu)，且任意一層所述的電容極板所在的層面均在所述第一延伸結(jié)構(gòu)上方設(shè)有一第一層迭延伸結(jié)構(gòu)，其中任意一層所述的第二類電容極板均與該層第二類電容極板所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)分割絕緣。
15.如權(quán)利要求I所述的集成一個(gè)電容的雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，第一柵極金屬層、漏極金屬層、源極金屬層、第二柵極金屬層通過(guò)分割區(qū)相互分割隔離，且分割區(qū)填充有電介質(zhì)；任意一層電容極板所在的層面均包含絕緣分割區(qū)且絕緣分割區(qū)均填充有電介質(zhì)。
16.如權(quán)利要求I所述的集成一個(gè)電容的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，第一晶體管為一高端MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,第二晶體管為一低端MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
17.一種在雙MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管上集成一個(gè)電容的方法，其特征在于，包括以下步驟于第一晶體管、第二晶體管所在的硅片襯底頂面上多次沉積電介質(zhì)層和多次沉積金屬層，以形成娃片襯底頂面上電介質(zhì)層與金屬層交替的多層電介質(zhì)層與多層金屬層；其中，沉積電介質(zhì)層后對(duì)電介質(zhì)層進(jìn)行蝕刻，用于形成電介質(zhì)層中的多個(gè)通孔；其中，沉積金屬層后對(duì)金屬層進(jìn)行蝕刻分割，用于將金屬層分割成不同的金屬區(qū)域，一部分金屬區(qū)域形成電容極板，且沉積金屬層的同時(shí)還利用金屬填充電介質(zhì)層中所包含的通孔；任意一層金屬層蝕刻分割后均形成該金屬層所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)和第二層迭延伸結(jié)構(gòu)，以及第一層迭柵極金屬層和第二層迭柵極金屬層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，硅片襯底頂面包含構(gòu)成第一晶體管漏極電極的漏極金屬層、構(gòu)成第一晶體管柵極電極的第一柵極金屬層，構(gòu)成第二晶體管源極電極的源極金屬層、構(gòu)成第二晶體管柵極電極的第二柵極金屬層；漏極金屬層包含一個(gè)第一延伸結(jié)構(gòu)，源極金屬層包含一個(gè)第二延伸結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一層迭延伸結(jié)構(gòu)位于所述第一延伸結(jié)構(gòu)上方，所述第二層迭延伸結(jié)構(gòu)位于所述第二延伸結(jié)構(gòu)上方；以及所述第一層迭柵極金屬層位于所述第一柵極金屬層上方，所述第二層迭柵極金屬層位于所述第二柵極金屬層上方。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，所述多層金屬層蝕刻分割后形成位于不同層面的包含數(shù)個(gè)第一類電容極板和數(shù)個(gè)第二類電容極板的多層電容極板；第一類電容極板和第二類電容極板相互交替間隔配置。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第二類電容極板間的第一類電容極板所在的層面中形成有絕緣于第一類電容極板的第二類連接層；蝕刻電介質(zhì)層在第二類電容極板與第二類連接層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔， 并通過(guò)注入第二類電容極板與第二類連接層之間的電介質(zhì)層中通孔中的金屬將第二類電容極板相互電性連接。
22.如權(quán)利要求20所述的方法,其特征在于,多層金屬層蝕刻分割后在相鄰的第一類電容極板間及第一類電容極板與漏極金屬層間的第二類電容極板所在的層面中形成有絕緣于第二類電容極板的第一類連接層；蝕刻電介質(zhì)層在第一類電容極板與第一類連接層之間及漏極金屬層與靠近漏極金屬層的第一類連接層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，并通過(guò)注入第一類電容極板與第一類連接層之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將第一類電容極板相互電性連接，通過(guò)注入靠近漏極極金屬層的第一類連接層與漏極金屬層間之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將第一類連接層與漏極金屬層電性連接。
23.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，蝕刻電介質(zhì)層在源極金屬層與靠近源極金屬層的第二類電容極板之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，并通過(guò)注入源極金屬層與靠近源極金屬層的第二類電容極板之間電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將第二類電容極板與源極金屬層電性連接。
24.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第一延伸結(jié)構(gòu)的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將第一層迭延伸結(jié)構(gòu)與第一延伸結(jié)構(gòu)電性連接。
25.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)之間及靠近第二延伸結(jié)構(gòu)的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)電性連接，同時(shí)將第二層迭延伸結(jié)構(gòu)與第二延伸結(jié)構(gòu)電性連接。
26.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第一層迭柵極金屬層之間及靠近第一柵極金屬層的第一層迭柵極金屬層與第一柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第一層迭柵極金屬層之間及靠近第一柵極金屬層的第一層迭柵極金屬層與第一柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第一層迭柵極金屬層電性連接，同時(shí)將第一層迭柵極金屬層與第一柵極金屬層電性連接。
27.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，蝕刻電介質(zhì)層在相鄰的第二層迭柵極金屬層之間及靠近第二柵極金屬層的第二層迭柵極金屬層與第二柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中蝕刻出多個(gè)通孔，通過(guò)注入相鄰的第二層迭柵極金屬層之間及靠近第二柵極金屬層的第二層迭柵極金屬層與第二柵極金屬層之間的電介質(zhì)層中的通孔中的金屬將相鄰的第二層迭柵極金屬層電性連接，同時(shí)將第二層迭柵極金屬層與第二柵極金屬層電性連接。
28.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，任意一層所述的第一類電容極板均與該層第一類電容極板所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)連接，且與該層第一類電容極板所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)分割絕緣。
29.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，任意一層所述的第二類電容極板均與該層第二類電容極板所在層面的第二層迭延伸結(jié)構(gòu)連接，且與該層第二類電容極板所在層面的第一層迭延伸結(jié)構(gòu)分割絕緣。
30.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，漏極金屬層、第一柵極金屬層、源極金屬層、第二柵極金屬層通過(guò)分割區(qū)相互分割隔離，沉積電介質(zhì)層用于在分割區(qū)填充電介質(zhì)；沉積電介質(zhì)層用于將蝕刻分割金屬層所形成的絕緣分割區(qū)填充電介質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明一般涉及一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，更確切的說(shuō)，本發(fā)明涉及一種集成有一個(gè)電容的雙金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法。本發(fā)明的電容直接集成于雙金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管上，取代了以鍵合金線來(lái)連接金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管和外置電容的方式，極大的消除了連線離散電感。由于電容極板和電介質(zhì)層的存在，相當(dāng)于增加了硅片襯底的厚度和機(jī)械強(qiáng)度，依據(jù)該優(yōu)點(diǎn)，可以減薄硅片襯底取得較低的雙金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通電阻。
文檔編號(hào)H01L21/70GK102610609SQ201110028409
公開(kāi)日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者哈姆扎·耶爾馬茲, 安荷·叭剌, 薛彥迅, 魯軍 申請(qǐng)人:萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體股份有限公司