專利名稱：薄膜晶體管陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種陣列基板的制作方法，且特別是有關(guān)于一種薄膜晶 體管陣列基板的制作方法。
背景技術(shù)：
一般而言，薄膜晶體管液晶顯示器主要由薄膜晶體管陣列基板(thin film transistor array substrate)、樂》色濾光P車歹!j基板(color filter substrate)、、液晶層 (liquid crystal layer)和背光模塊所構(gòu)成。圖1A至圖1F為一種已知薄膜晶體管陣列基板的制作流程圖，而圖中僅 繪示一組像素以及接墊為例作說明。如圖1A所示，首先提供基板10，并通 過第一道掩膜工藝于基板10上形成柵極圖案20、第一接墊圖案22以及第一 電極圖案24。接著，在基板10上連續(xù)沉積柵極絕緣層30及半導(dǎo)體層(圖未示)， 以覆蓋住柵極圖案20、第一接墊圖案22以及第一電極圖案24。然后，請參 照圖1B，通過第二道掩膜工藝圖案化半導(dǎo)體層，以在對應(yīng)于柵極圖案20的 柵極絕緣層30上形成通道層40，并于通道層40上方選擇性地形成歐姆接觸 層42。 一般而言，通道層40的材質(zhì)為非晶硅(amorphoussilicon)。之后，請參 照圖1C，通過第三道掩膜工藝，在通道層40上對應(yīng)于柵極圖案20的兩側(cè)形 成源極圖案50以及漏極圖案60，并且在對應(yīng)于第一電極圖案24上方的柵極 絕緣層30上形成第二電極圖案64。如圖1C所示，歐姆接觸層42用以降低 通道層40與源極圖案50之間以及通道層40與漏極圖案60之間的接觸阻抗。 并且柵極圖案20、通道層40、源極圖案50以及漏極圖案60構(gòu)成薄膜晶體管 T，而第一電極圖案24、柵極絕緣層30及第二電極圖案64構(gòu)成一種金屬層/絕緣層/金屬層(Metal-Insulator-Metal， MIM)結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存電容Cst。接著，請參照圖1D，于基板10上形成圖案化保護層70，其中圖案化保 護層70具有第一開口 Hl、第二開口 H2以及第三開口 H3，第一開口 Hl暴露 出部分漏極圖案60，而第二開口 H2以及第三開口 H3分別暴露出對應(yīng)于第一 接墊圖案22上方的部分柵極絕緣層30以及部分第二電極圖案64。然后，請參照圖1E，經(jīng)由一刻蝕工藝，移除第二開口 H2所暴露的柵極 絕緣層30。之后，請參照圖1F，通過第五道掩膜工藝于圖案化保護層70上 形成像素電極80以及第二接墊圖案82。由圖1F可知，像素電極80會透過第 一開口 Hl與漏極圖案60電性連接，并且透過第三開口 H3與第二電極圖案 64電性連接，而第二接墊圖案82會透過第二開口 H2與第一接墊圖案22電 性連接。在像素電極80以及第二接墊圖案82制作完成之后，便完成了薄膜 晶體管陣列基板IOO的制作。然而，如圖1E所示，以干式刻蝕工藝進行移除第二開口H2所暴露的柵 極絕緣層30時，容易使得開口處的柵極絕緣層30產(chǎn)生底切現(xiàn)象(imdercut)， 如圖1F'所示，使得后續(xù)工藝的第二接墊圖案82在沉積時容易形成斷路，進 而影響第二接墊圖案82與第一接墊圖案22之間信號的傳遞。另一方面，以 干式刻蝕工藝移除第二開口 H2中的柵極絕緣層30時，刻蝕反應(yīng)氣體容易在 第一開口 Hl形成預(yù)期外的副產(chǎn)物(by-product)沉積，影響像素電極80與漏極 圖案60的接觸情形，致使像素電極80與漏極圖案60之間產(chǎn)生接觸阻抗 (contact resistance)過高或無法導(dǎo)通導(dǎo)致信號傳遞失效等問題。此外，以干式刻蝕工藝移除第一接墊圖案22上方的柵極絕緣層30時， 由于電漿所產(chǎn)生的高能粒子會轟擊圖案化保護層70表面，將使得圖案化保護 層70的表面粗糙度增加，也會使得圖案化保護層70的厚度縮減，此現(xiàn)象尤 以有機絕緣材質(zhì)的圖案化保護層70最為嚴重。如此一來，過于粗糙且厚度不 均的圖案化保護層70會影響光線通過的表現(xiàn)，使得顯示畫面產(chǎn)生顯示不均 (mum)的5見象，影響薄膜晶體管液晶顯示器的顯示品質(zhì)。為了要解決保護層表面過于粗糙進而影響顯示品質(zhì)的問題， 一種已知的解決方式是在刻蝕第二開口 H2所暴露的柵極絕緣層30之后，再額外進行一 道類似去光阻(stripping)工藝的改質(zhì)步驟(treatment step)，用以改善保護層70 的平坦度。然而，增加上述改質(zhì)步驟會相對拉長薄膜晶體管陣列基板的制作 時程，造成產(chǎn)量減少，而導(dǎo)致制造成本增加。圖2A至圖2D繪示為另一種已知薄膜晶體管陣列基板的制作流程的部分 步驟，薄膜晶體管陣列基板200具有由第一電極圖案24、柵極絕緣層30以及 像素電極80所構(gòu)成一種金屬層/絕緣層/銦錫氧化層(Metal-Insulator-ITO， Mil) 結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存電容Cst。薄膜晶體管陣列基板200的前段制作流程與上述圖 1A至圖1C類似，而其后段的制作流程如圖2A至圖2D所繪示。如圖2A所 示，在圖案化保護層70的步驟中，通過半調(diào)式掩膜(half-tone mask)工藝除了 形成第一開口 Hl以及第二開口 H2以外，在第一電極圖案24上方形成厚度 不同的第一區(qū)塊70A及第二區(qū)塊70B。接著，如圖2B所示，移除第二開口 H2中的柵極絕緣層30后。之后，如圖2C所示，進行一灰化工藝(ashing)以 移除厚度較小的第一區(qū)塊70A，并暴露出部分柵極絕緣層30。之后，圖案化 保護層70與部分柵極絕緣層30在灰化工藝后會進行一道表面處理工藝，而 此表面處理工藝通常是利用例如光阻剝離液的化學(xué)劑來進行。接著，如圖2D 所示，形成像素電極80以及第二接墊圖案82。因此，薄膜晶體管陣列基板中 的第一電極圖案24、柵極絕緣層30以及像素電極80構(gòu)成Mil型態(tài)的儲存電 容Cst。承上述，在上述具有Mil型態(tài)的儲存電容的薄膜晶體管陣列基板制作方 式中，由于需利用一道半調(diào)式掩膜工藝來進行制作，而伴隨著半調(diào)式掩膜工 藝必須搭配灰化工藝，以移除保護層中厚度較小的第一區(qū)塊70A，因此，同 樣會拉長薄膜晶體管陣列基板的制作時程，致使制造成本增加。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種薄膜晶體管制作方法，其可改善保護層表面粗糙、均勻度不佳或工藝中產(chǎn)生副產(chǎn)物等問題。本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其包括下列步驟。首 先，提供具有陣列排列的多個像素區(qū)以及周邊線路區(qū)的基板。接著，分別形 成柵極圖案于每一像素區(qū)內(nèi)的基板上，并且形成多個第一接墊圖案于周邊線 路區(qū)內(nèi)的基板上。之后，依序形成柵極絕緣層以及半導(dǎo)體層于基板上，以覆 蓋柵極圖案以及第一接墊圖案。接著，形成圖案化光阻層于半導(dǎo)體層上，其 中圖案化光阻層包括第一光阻區(qū)塊以及第二光阻區(qū)塊，第一光阻區(qū)塊位于柵 極圖案上方，第二光阻區(qū)塊對應(yīng)于柵極圖案以外的區(qū)域并具有多個第一開口， 第一開口位于第一接墊圖案上方，且第一光阻區(qū)塊的厚度大于第二光阻區(qū)塊 的厚度。繼之，通過圖案化光阻層作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除第一開 口所對應(yīng)的半導(dǎo)體層以及部分的柵極絕緣層。之后，縮減圖案化光阻層的厚 度直到第二光阻區(qū)塊被移除。接著，通過剩余的圖案化光阻層作為罩幕來進 行刻蝕工藝，以移除被暴露的半導(dǎo)體層以及對應(yīng)于第一開口的柵極絕緣層。 之后，移除剩余的圖案化光阻層。接著，分別形成源極圖案以及漏極圖案于 每一像素區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體層上，其中源極圖案以及漏極圖案分別位于柵極圖案 的相對兩側(cè)，并且在周邊線路區(qū)內(nèi)形成多個第二接墊圖案，第二接墊圖案分 別經(jīng)由第一開口電性連接至所對應(yīng)的第一接墊圖案。之后，形成圖案化保護 層于柵極絕緣層上，以覆蓋源極圖案、漏極圖案以及第二接墊圖案，圖案化 保護層在每一像素區(qū)內(nèi)具有第二開口，暴露出所對應(yīng)的源極圖案或漏極圖案， 且圖案化保護層在周邊線路區(qū)內(nèi)具有多個第三開口，分別暴露出第二接墊圖案。 在本發(fā)明的一實施例中，在形成柵極絕緣層以及半導(dǎo)體層于基板上之前， 更包括分別形成電極圖案于每一像素區(qū)內(nèi)的基板上。此時，每一像素電極所 電性連接的源極圖案或漏極圖案可以延伸至所對應(yīng)的電極圖案上方，而每一 像素區(qū)內(nèi)的第二開口位于所對應(yīng)的電極圖案上方。此外，圖案化保護層在每 一像素區(qū)內(nèi)還可以具有第四開口，暴露出所對應(yīng)的電極圖案上方的柵極絕緣 層，而每一像素電極更經(jīng)由所對應(yīng)的第四開口連接至第四開口所暴露的柵極 絕緣層。在本發(fā)明的一實施例中，上述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法更包括 分別形成像素電極于每一像素區(qū)內(nèi)的圖案化保護層上，并且形成多個第三接 墊圖案于周邊線路區(qū)內(nèi)的圖案化保護層上。每一像素電極經(jīng)由所對應(yīng)的第二 開口電性連接至第二開口所暴露的源極圖案或漏極圖案，而第三接墊圖案分 別經(jīng)由第三開口電性連接至所對應(yīng)的第二接墊圖案。本發(fā)明另提出一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括下列步驟。首 先，提供一具有陣列排列的多個像素區(qū)以及位于像素區(qū)外圍的周邊線路區(qū)的 基板。接著，分別形成柵極圖案于每一像素區(qū)內(nèi)的基板上，并且形成多個第 一接墊圖案于周邊線路區(qū)內(nèi)的基板上。之后，依序形成柵極絕緣層、半導(dǎo)體 層以及金屬層于基板上，以覆蓋柵極圖案以及第一接墊圖案。接著，形成圖 案化光阻層于金屬層上，其中圖案化光阻層包括第一光阻區(qū)塊、第二光阻區(qū) 塊以及第三光阻區(qū)塊，第一光阻區(qū)塊以及第二光阻區(qū)塊位于柵極圖案上方， 每一像素區(qū)內(nèi)的第一光阻區(qū)塊位于所對應(yīng)的第二光阻區(qū)塊的相對兩側(cè)，第三 光阻區(qū)塊對應(yīng)于柵極圖案以外的區(qū)域并具有多個第一開口，第一開口位于第 一接墊圖案上方，且第一光阻區(qū)塊的厚度大于第二光阻區(qū)塊的厚度，而第二 光阻區(qū)塊的厚度大于第三光阻區(qū)塊的厚度。之后，通過圖案化光阻層作為罩 幕來進行刻蝕工藝，以移除第一開口所對應(yīng)的金屬層、半導(dǎo)體層以及部分的 柵極絕緣層。接著，縮減圖案化光阻層的厚度直到第三光阻區(qū)塊被移除。在上述第三光阻區(qū)塊被移除之后，再通過剩余的圖案化光阻層作為罩幕 來進行刻蝕工藝，以移除被暴露的金屬層以及半導(dǎo)體層。接著，縮減圖案化 光阻層的厚度直到第二光阻區(qū)塊被移除。繼之，通過剩余的圖案化光阻層作 為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除被暴露的金屬層、部份的半導(dǎo)體層以及對應(yīng) 于第一開口的柵極絕緣層，而分別形成源極圖案以及漏極圖案于每一像素區(qū) 內(nèi)的柵極圖案的相對兩側(cè)。之后，移除剩余的圖案化光阻層。接著，形成圖 案化保護層于柵極絕緣層上，以覆蓋源極圖案以及漏極圖案，圖案化保護層 在每一像素區(qū)內(nèi)具有第二開口，暴露出所對應(yīng)的源極圖案或漏極圖案，且圖案化保護層在周邊線路區(qū)內(nèi)具有多個第三開口，分別暴露出第一接墊圖案。 之后，分別形成像素電極于每一像素區(qū)內(nèi)的圖案化保護層上，并且形成多個 第二接墊圖案于周邊線路區(qū)內(nèi)的圖案化保護層上，其中每一像素電極經(jīng)由所 對應(yīng)的第二開口電性連接至第二開口所暴露的源極圖案或漏極圖案，而第二 接墊圖案分別經(jīng)由第三開口電性連接至所對應(yīng)的第一接墊圖案。
在本發(fā)明的一實施例中，在形成柵極絕緣層以及半導(dǎo)體層于基板上之前， 更包括分別形成一第一電極圖案于每一像素區(qū)內(nèi)的基板上。此時，圖案化保 護層在每一像素區(qū)內(nèi)還可以更具有第四開口，暴露出第一電極圖案上方的柵 極絕緣層，而每一像素電極更經(jīng)由所對應(yīng)的第四開口連接至第四開口所暴露 的柵極絕緣層。此外，上述的圖案化光阻層更可以選擇性地形成第四光阻區(qū) 塊，其位于第一電極圖案的上方，且第四光阻區(qū)塊的厚度以及第一光阻區(qū)塊 的厚度實質(zhì)上相等。另外，薄膜晶體管陣列基板的制作方法更可以包括通過 第四光阻區(qū)塊作為罩幕來刻蝕金屬層以及半導(dǎo)體層，以在第一電極圖案的上 方形成第二電極圖案，其中圖案化保護層在每一像素區(qū)內(nèi)更具有第四開口， 暴露出所對應(yīng)的第二電極圖案，而每一像素電極更經(jīng)由所對應(yīng)的第四開口連 接至第四幵口所暴露的第二電極圖案。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的圖案化保護層的材質(zhì)為有機絕緣材質(zhì)。 在本發(fā)明的一實施例中，上述形成圖案化光阻層于半導(dǎo)體層上的方法包 括下列步驟。首先，形成光阻材料層于半導(dǎo)體層上。接著，通過半調(diào)式或灰 調(diào)式掩膜來圖案化光阻材料層，以同時形成第一光阻區(qū)塊、第二光阻區(qū)塊以 及第一開口。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的縮減圖案化光阻層的厚度的方法包括進 行一灰化工藝。
在本發(fā)明的一實施例中，上述的半導(dǎo)體層包括通道層以及位于通道層上 的歐姆接觸層。在一實施例中，在形成源極圖案以及漏極圖案時，更移除源 極圖案以及漏極圖案所暴露的歐姆接觸層以及部分的通道層。本發(fā)明于半導(dǎo)體層以及金屬層的圖案化工藝中，將覆蓋在第一接墊圖案上方的柵極絕緣層 同時移除。
本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方是在進行半導(dǎo)體層的圖案化步驟 中便開始進行柵極絕緣層的移除步驟，可以免除保護層的刻蝕工藝，有效解 決已知保護層表面粗糙、均勻度不佳、產(chǎn)生底切現(xiàn)象或產(chǎn)生副產(chǎn)物造成接觸 不良等的問題，使得顯示品質(zhì)更佳。本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方
法省略了已知在刻蝕工藝之后的改質(zhì)步驟或者制作Mil型態(tài)儲存電容時的灰 化工藝，有助于簡化生產(chǎn)流程，降低工藝復(fù)雜度與工藝成本，進而提升工藝 良率。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并 配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖1A至圖1F為已知一種薄膜晶體管陣列基板的制作流程圖。
圖1F，為已知一種第二接墊圖案形成斷路的薄膜晶體管陣列基板示意圖。
圖2A至圖2D繪示為已知另一種薄膜晶體管陣列基板的制作流程的部分
步驟
圖3A至圖3H為本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管陣列基板的制作流程示意圖。
圖4A至圖4H進一步繪示本發(fā)明的第二實施例的另一種薄膜晶體管陣列 基板的制作流程示意圖。
圖5A至圖5H為本發(fā)明第三實施例的薄膜晶體管陣列基板的制作流程示 意圖。
圖6A至圖6H進一步繪示本發(fā)明的第四實施例的另一種薄膜晶體管陣列 基板的制作流程示意圖。 附圖標號-10、 310:基板
20、 320:柵極圖案 22、 322:第一接墊圖案 24、 324':第一電極圖案 30、 330:柵極絕緣層 40、 342:通道層 42、 344:歐姆接觸層 50、 360S:源極圖案 60、 360D:漏極圖案 64、 364:第二電極圖案 70、 370:圖案化保護層 70A:第一區(qū)塊 70B:第二區(qū)塊
80:像素電極
82、 362:第二接墊圖案
100、 200、 300、 400、 500、 600:薄膜晶體管陣列基板
310A:像素區(qū)
310B:周邊線路區(qū)
324:電極圖案
340:半導(dǎo)體層
350:圖案化光阻層
350A:第一光阻區(qū)塊
350B:第二光阻區(qū)塊
350C:第三光阻區(qū)塊
350D:第四光阻區(qū)塊
360:金屬層380:像素電極 382:第三接墊圖案
HI:第一開口 H2:第二開口 H3:第三開口 H4:第四開口 M:掩膜 Ml:非透光區(qū) M3:透光區(qū) M2:半透光區(qū) M2A:第一半透光區(qū)
M2B:第二半透光區(qū)
T:薄膜晶體管 Cst:儲存電容
具體實施例方式
由于已知薄膜晶體管陣列基板工藝在形成保護層之后，必須進行刻蝕工 藝以移除接墊上方的柵極絕緣層，而進行保護層的刻蝕工藝會破壞保護層表 面以及產(chǎn)生不必要的副產(chǎn)物或其他問題，因此本發(fā)明提出在形成保護層之后， 無須刻蝕保護層的制作方法，如此一來，可以有效避免己知刻蝕保護層所引 起的種種問題。
本發(fā)明所提出的技術(shù)可以有效克服保護層受后續(xù)柵極絕緣層的刻蝕工藝 的影響，使得薄膜晶體管陣列基板具有較佳的特性與生產(chǎn)良率，更進一步讓 應(yīng)用此薄膜晶體管陣列基板的薄膜晶體管液晶顯示器具有較優(yōu)質(zhì)的畫面顯示 品質(zhì)。以下詳細列舉數(shù)個薄膜晶體管陣列基板的制作方法來說明本發(fā)明的技 術(shù)內(nèi)容。第一實施例
圖3A到圖3H為本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管陣列基板的制作流程示 意圖。請參照圖3A，首先提供一具有陣列排列的多個像素區(qū)310A以及周邊 線路區(qū)310B的基板310,為方便說明于圖中僅繪示一個像素區(qū)310A作代表 說明?；?10的材質(zhì)例如是玻璃、石英或塑膠等透光的基板。接著，于每 一像素區(qū)310A內(nèi)的基板310上分別形成柵極圖案320，并且于周邊線路區(qū) 310B內(nèi)的基板310上形成多個第一接墊圖案322，而形成柵極圖案320以及 第一接墊圖案322的方法例如可先形成第一金屬層(未繪示)于基板310上， 之后再將第一金屬層(未繪示)圖案化，以形成柵極圖案320以及第一接墊 圖案322。此外，第一金屬層例如是通過濺鍍(sputtering)、蒸鍍(evaporation) 或是其他薄膜沉積技術(shù)所形成，而第一金屬層的圖案化例如是通過微影刻蝕 工藝來進行。在本實施例中，于形成柵極圖案320以及第一接墊圖案322的 同時，選擇性地于每一像素區(qū)310A內(nèi)的基板310上形成電極圖案324。
之后，如圖3B所示，依序形成柵極絕緣層330以及半導(dǎo)體層340于基板 310上，以覆蓋柵極圖案320、第一接墊圖案322以及電極圖案324，其中柵 極絕緣層330的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其迭層等介電材料， 而形成柵極絕緣層330的方法例如是通過化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)或其他合適的薄膜沉積技術(shù)。此外，在本實施例中，半導(dǎo) 體層340包括通道層342以及位于通道層342上的歐姆接觸層344，而通道層 342以及歐姆接觸層344的材質(zhì)例如分別是非晶硅以及N型重摻雜的非晶硅， 且其形成方法例如是化學(xué)氣相沉積法。
接著，請繼續(xù)參照圖3B，于半導(dǎo)體層340上形成圖案化光阻層350，其 中圖案化光阻層350主要是由第一光阻區(qū)塊350A以及第二光阻區(qū)塊350B所 構(gòu)成，其中第一光阻區(qū)塊350A設(shè)置在對應(yīng)于柵極圖案320的上方，第二光阻 區(qū)塊350B設(shè)置在對應(yīng)于柵極圖案320以外的區(qū)域并具有多個位在對應(yīng)于第一 接墊圖案322上方的第一開口 Hl，且第一光阻區(qū)塊350A的厚度大于第二阻區(qū)塊350B的厚度。形成上述圖案化光阻層350的方法例如先以旋轉(zhuǎn)涂布法、 噴嘴/旋轉(zhuǎn)涂布法(slit/spin coating)或非旋轉(zhuǎn)涂布法(spin-less coating)將材料層 涂布于半導(dǎo)體層340上。此材料層通常具有感光特性，并經(jīng)由使用具有不同 光穿透率區(qū)域的半調(diào)式掩膜M或灰調(diào)式掩膜M進行曝光后，再進行顯影、硬 烤等程序，以同時形成第一光阻區(qū)塊350A、第二光阻區(qū)塊350B以及第一開 口H1。更詳細地說，上述的半調(diào)式掩膜M例如包括對應(yīng)第一開口H1且穿透 率100%的透光區(qū)M3、對應(yīng)第一光阻區(qū)塊350A且穿透率0%的非透光區(qū)Ml 以及對應(yīng)第二光阻區(qū)塊350B且穿透率20% 50%的半透光區(qū)M2。當然，用 以形成上述圖案化光阻層350的掩膜M中，其透光區(qū)M3、半透光區(qū)M2以 及非透光區(qū)Ml的穿透率數(shù)值僅用以代表各區(qū)之間的相對透光率，本發(fā)明并不 限定掩膜M中各區(qū)的透光率的絕對數(shù)值。繼之，如圖3C所示，以圖案化光阻層350作為罩幕來進行刻蝕工藝，以 移除第一開口 Hl所對應(yīng)的半導(dǎo)體層340以及部分的柵極絕緣層330，其中刻 蝕工藝例如是以干式刻蝕工藝為例。接著，如圖3D所示，縮減圖案化光阻層 350的厚度直到第二光阻區(qū)塊350B被移除，其中縮減圖案化光阻層350的厚 度的方法例如是利用氧電漿進行灰化工藝。然后，通過剩余的圖案化光阻層 350如圖中的第一光阻區(qū)塊350A作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除被暴露的 半導(dǎo)體層340以及對應(yīng)于第一開口H1的柵極絕緣層330，之后，再移除剩余 的圖案化光阻層350，如圖3E所示。值得注意的是，不同于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明在上述圖案化半導(dǎo)體層340的 工藝中，先將覆蓋在第一接墊圖案322上方的柵極絕緣層330同時移除。如 此一來，可以省去在保護層370(繪示于圖3G)形成后的柵極絕緣層330刻蝕工 藝，避免后續(xù)刻蝕工藝對于保護層370的破壞。接著，如圖3F所示，分別形成源極圖案360S以及漏極圖案360D于每一 像素區(qū)310A內(nèi)的半導(dǎo)體層340上，其中源極圖案360S以及漏極圖案360D 分別位于柵極圖案320的相對兩側(cè)，而柵極圖案320、通道層342、源極圖案360S以及漏極圖案360D構(gòu)成薄膜晶體管T。同時，在周邊線路區(qū)310B內(nèi)形 成多個第二接墊圖案362,第二接墊圖案362分別經(jīng)由第一開口H1電性連接 至所對應(yīng)的第一接墊圖案322。在本實施例中，歐姆接觸層344用以降低源極 圖案360S與通道層342之間以及漏極圖案360D與通道層342之間的接觸阻 抗，為了避免位于通道層342上方的歐姆接觸層344造成源極圖案360S與漏 極圖案360D之間形成短路，影響薄膜晶體管T的元件開關(guān)特性，因此在形成 源極圖案360S以及漏極圖案360D時，更移除源極圖案360S以及漏極圖案 360D所暴露的歐姆接觸層344。
此外，請繼續(xù)參照圖3F，在本實施例中，漏極圖案360D延伸至所對應(yīng) 的電極圖案324上方，使得電極圖案324、柵極絕緣層330以及部分漏極圖案 360D構(gòu)成金屬層/絕緣層/金屬層(Metal-Insulator-Metal， MIM)結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存 電容。當然，延伸至電極圖案324上方的圖案也可以是源極圖案360S，本發(fā) 明并不以此為限。
之后，如圖3G所示，于柵極絕緣層330上形成圖案化保護層370，以覆 蓋源極圖案360S、漏極圖案360D以及第二接墊圖案362。圖案化保護層370 在每一像素區(qū)310A內(nèi)具有第二開口H2，暴露出所對應(yīng)的漏極圖案360D。當 然在其他種類的薄膜晶體管T中，第二開口 H2也可以暴露出源極圖案360S。 在本實施例中，第二開口H2會位于所對應(yīng)的電極圖案324上方。圖案化保護 層370在周邊線路區(qū)310B內(nèi)具有多個分別暴露出第二接墊圖案362的第三開 口H3。圖案化保護層370的材質(zhì)可以是如壓克力樹脂的有機絕緣材質(zhì)，此有 機絕緣材質(zhì)通常具有感光性質(zhì)，且圖案化保護層370的形成方法通常是先通 過旋轉(zhuǎn)涂布法進行涂布后，再經(jīng)過軟烤、曝光、顯影、硬烤等步驟。
值得注意的是，本發(fā)明的圖案化保護層370中的第二開口 H2以及第三開 口H3僅使用微影工藝，并且，第三開口H3直接暴露出第二接墊圖案362， 因此不需再對柵極絕緣層330進行刻蝕，可以使得圖案化保護層370免于刻 蝕工藝的破壞，進而避免保護層370產(chǎn)生表面粗糙、均勻度不佳、抑或是產(chǎn)生底切現(xiàn)象或產(chǎn)生預(yù)期外副產(chǎn)物的問題，進而提升薄膜晶體管T的生產(chǎn)良率 以及縮短制造流程，并且降低成本。另一方面，也可以使得應(yīng)用此薄膜晶體 管陣列基板的薄膜晶體管液晶顯示器具有較佳的顯示品質(zhì)。之后，如圖3H所示，于每一像素區(qū)310A內(nèi)的圖案化保護層370上分別 形成像素電極380，并且形成多個第三接墊圖案382于周邊線路區(qū)310B內(nèi)的 圖案化保護層370上，其中每一像素電極380經(jīng)由所對應(yīng)的第二開口 H2電性 連接至第二開口 H2所暴露的漏極圖案360D，而第三接墊圖案382分別經(jīng)由 第三開口 H3電性連接至所對應(yīng)的第二接墊圖案362。上述形成像素電極380 以及第三接墊圖案382的方法例如先形成電極材料層(未繪示)于圖案化保護 層370、漏極圖案360D與第二接墊圖案362上，再圖案化電極材料層(未繪示)， 其中形成電極材料層的方法例如是通過濺鍍形成銦錫氧化物層或銦鋅氧化物 層。當然，在其他種類的薄膜晶體管中，每一像素電極380也可以是電性連 接至所對應(yīng)的源極圖案360S，本發(fā)明不以此為限。如此，大致完成薄膜晶體 管陣列基板300的制作。承接上述實施例，實務(wù)上設(shè)計者可因應(yīng)不同的產(chǎn)品需求或線路布局考量， 將金屬層/絕緣層/金屬層(MIM)結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存電容置換成金屬層/絕緣層/銦 錫氧化層(MII)結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存電容，以增加設(shè)計余裕度(design margin),進一 步使得此薄膜晶體管陣列基板的應(yīng)用更為廣泛。下文舉一種具有Mil結(jié)構(gòu)型 態(tài)的儲存電容的薄膜晶體管陣列基板的制作流程為例作說明。第二實施例圖4A與圖4H進一步繪示本發(fā)明的第二實施例的另一種薄膜晶體管陣列 基板的制作流程。為簡化說明，本實施例不再對所述這些與圖3A 3H所示的 制作流程類似的部份加以說明。如圖4F所示，與第一實施例相較，本實施例 的漏極圖案360D或源極圖案360S不會延伸至電極圖案324上方。接著，如 圖4G所示，圖案化保護層370在每一像素區(qū)310A內(nèi)更具有第四開口 H4， 以暴露出所對應(yīng)的電極圖案324上方的柵極絕緣層330。之后，如圖4H所示，在形成像素電極380以及第三接墊圖案382之后，每一像素電極380更經(jīng)由 所對應(yīng)的第四開口 H4連接至第四開口 H4所暴露的柵極絕緣層330，使得電 極圖案324、柵極絕緣層330以及像素電極380構(gòu)成金屬層/絕緣層/銦錫氧化 層的MII結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存電容。前述實施例是以五道掩膜工藝為例來進行薄膜晶體管陣列基板的制作， 值得一提的是，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作更可利用四道掩膜工藝 完成，下文列舉幾種僅以四道掩膜工藝來進行制作的薄膜晶體管陣列基板制 作流程為例作說明。第三實施例圖5A到圖5H為本發(fā)明第三實施例的薄膜晶體管陣列基板的制作流程示 意圖。圖5A與圖3A的所示的制作流程類似，惟本實施例的第一電極圖案324 相當于第一實施例中的電極圖案324。如圖5B所示，與第一實施例相較，本 實施例在形成柵極絕緣層330、半導(dǎo)體層340之后，將金屬層360—并形成于 基板310上，金屬層360覆蓋每一像素區(qū)310A及周邊線路區(qū)310B，包含覆 蓋柵極圖案320以及第一接墊圖案322，其中半導(dǎo)體層340包括通道層342以 及位于通道層342上的歐姆接觸層344。接著，請繼續(xù)參照圖5B，于金屬層360上形成圖案化光阻層350，其中 圖案化光阻層350主要是由第一光阻區(qū)塊350A、第二光阻區(qū)塊350B以及第 三光阻區(qū)塊350C所構(gòu)成，其中第一光阻區(qū)塊350A以及第二光阻區(qū)塊350B 位在對應(yīng)于柵極圖案320上方，且每一像素區(qū)310A內(nèi)的第一光阻區(qū)塊350A 位于所對應(yīng)的第二光阻區(qū)塊350B的相對兩側(cè)。第三光阻區(qū)塊350C對應(yīng)于柵 極圖案320以外的區(qū)域并具有多個位于第一接墊圖案322上方的第一開口H1， 且第一光阻區(qū)塊350A的厚度大于第二光阻區(qū)塊350B的厚度，而第二光阻區(qū) 塊350B的厚度大于第三光阻區(qū)塊350C的厚度。在本實施例中，形成上述圖 案化光阻層350的方法與前述類似，惟本實施例中的半調(diào)式掩膜M或灰調(diào)式 掩膜M包括對應(yīng)第一開口 Hl且穿透率100%的透光區(qū)M3、對應(yīng)第一光阻區(qū)塊350A且穿透率0%的非透光區(qū)Ml、對應(yīng)第二光阻區(qū)塊350B且穿透率20 60%的第一半透光區(qū)M2A以及對應(yīng)第三光阻區(qū)塊350C且穿透率40% 80% 的第二半透光區(qū)M2B。當然，用以形成上述圖案化光阻層350的掩膜M中， 其透光區(qū)M3、第一半透光區(qū)M2A、第二半透光區(qū)M2B以及非透光區(qū)M1的 穿透率數(shù)值僅用以代表各區(qū)之間的相對穿透率，本發(fā)明并不限定掩膜M中各 區(qū)的透光率的絕對數(shù)值。繼之，如圖5C所示，通過圖案化光阻層350作為罩幕來進行刻蝕工藝， 以移除第一開口 Hl所對應(yīng)的金屬層360、半導(dǎo)體層340以及部分的柵極絕緣 層330，其中刻蝕工藝可以是干式刻蝕工藝、濕式刻蝕工藝或二者搭配使用。 接著，如圖5D所示，縮減圖案化光阻層350的厚度直到第三光阻區(qū)塊350C 被移除，其中縮減圖案化光阻層350的厚度的方法例如是利用氧電漿進行灰 化工藝。接著，通過剩余的圖案化光阻層350，例如是第一光阻區(qū)塊350A以 及第二光阻區(qū)塊350B作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除被暴露的金屬層360 以及半導(dǎo)體層340。接著，如圖5E所示，縮減圖案化光阻層350的厚度直到 第二光阻區(qū)塊350B被移除。之后，如圖5F所示，通過剩余的圖案化光阻層350，例如是第一光阻區(qū) 塊350A作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除被暴露的金屬層360、部份的半導(dǎo) 體層340以及對應(yīng)于第一開口 Hl的柵極絕緣層330，而于每一像素區(qū)310A 內(nèi)的柵極圖案320的相對兩側(cè)分別形成源極圖案360S以及漏極圖案360D。 詳細來說，在本實施例中，在形成源極圖案360S以及漏極圖案360D時，更 移除源極圖案360S以及漏極圖案360D所暴露的歐姆接觸層344以及部分的 通道層342，使得歐姆接觸層344可以降低源極圖案360S與通道層342之間 以及漏極圖案360D與通道層342之間的接觸阻抗，并且可以確保薄膜晶體管 T的元件開關(guān)特性。接著，再將剩余的圖案化光阻層350移除。接著，如圖5G所示，于柵極絕緣層330上形成圖案化保護層370，保護 層370覆蓋每一像素區(qū)310A及周邊線路區(qū)310B，包含覆蓋源極圖案360S以及漏極圖案360D，圖案化保護層370在每一像素區(qū)310A內(nèi)具有第二開口H2， 暴露出所對應(yīng)的源極圖案360S或漏極圖案360D，且圖案化保護層370在周 邊線路區(qū)310B內(nèi)具有多個第三開口 H3，分別暴露出第一接墊圖案322。在本 實施例中，圖案化保護層370在每一像素區(qū)310A內(nèi)更具有暴露出對應(yīng)于第一 電極圖案324上方的柵極絕緣層330的第四開口 H4，其中圖案化保護層370 的材質(zhì)與形成方法例如與第一實施例類似，不再贅述。值得注意的是，不同于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明于半導(dǎo)體層340以及金屬層360 的圖案化工藝中，將覆蓋在對應(yīng)于第一接墊圖案322上方的柵極絕緣層330 同時移除，而非等到保護層370形成后才對柵極絕緣層330進行刻蝕工藝。 此外，在圖案化保護層370的工藝中，第二開口H2以及第三開口H3或第四 開口 H4僅使用微影工藝，其中第三開口 H3直接暴露出第一接墊圖案322， 因此在第三開口 H3形成后勿需再使用刻蝕工藝移除第三開口 H3中的柵極絕 緣層330，因此可以避免后續(xù)刻蝕工藝對于保護層370可能造成的破壞。另一 方面，在本實施例中，通道層342、源極圖案360S以及漏極圖案360D可以 整合于同一掩膜工藝中進行制作，相較于第一實施例，可以進一步省略一道 掩膜工藝。因此本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板可以使得圖案化保護層370免 于刻蝕工藝的破壞，進而避免已知之保護層370表面粗糙、均勻度不佳、抑 或是產(chǎn)生底切現(xiàn)象或產(chǎn)生預(yù)期外副產(chǎn)物的問題，提升薄膜晶體管T的生產(chǎn)良 率以及縮短制造流程，降低成本。之后，如圖5H所示，于每一像素區(qū)310A內(nèi)的圖案化保護層370上分別 形成像素電極380，并且形成多個第二接墊圖案362于周邊線路區(qū)310B內(nèi)的 圖案化保護層370上，其中每一像素電極380經(jīng)由所對應(yīng)的第二開口 H2電性 連接至第二開口 H2所暴露的源極圖案360S或漏極圖案360D。第二接墊圖案 362分別經(jīng)由第三開口 H3電性連接至所對應(yīng)的第一接墊圖案322，此外，每 一像素電極380更經(jīng)由所對應(yīng)的第四開口 H4連接至第四開口 H4所暴露的柵 極絕緣層330。上述像素電極380與第二接墊圖案362的材質(zhì)以及形成方法與第一實施例類似，不再累述。請繼續(xù)參照圖5H，更詳細地說，第二接墊圖案362分別經(jīng)由第三開口 H3電性連接至所對應(yīng)的第一接墊圖案322，使得薄膜晶體管陣列基板的外接 電路的信號可以通過第二接墊圖案362而順利地傳遞至第一接墊圖案322，或 者第一接墊圖案322也可以將接收來自薄膜晶體管陣列基板內(nèi)的信號通過第 二接墊圖案362而順利地傳遞至外界。由于本發(fā)明于圖案化保護層370形成 后不需刻蝕工藝，因此可以有效避免第二接墊圖案362在第三開口 H3中因底 切現(xiàn)象或副產(chǎn)物阻隔而與第一接墊圖案322接觸不良的問題。另外，像素電 極380經(jīng)由第四開口 H4連接至柵極絕緣層330，可以使得第一電極圖案324、 柵極絕緣層330以及像素電極380構(gòu)成一種金屬層/絕緣層/銦錫氧化層的MII 結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存電容。當然，本發(fā)明并不以此為限。在實務(wù)上，設(shè)計者可因 應(yīng)不同的產(chǎn)品需求或線路布局考量，將金屬層/絕緣層/銦錫氧化層Mil結(jié)構(gòu) 型態(tài)的儲存電容置換成金屬層/絕緣層/金屬層MIM結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存電容，以 下再舉一種利用四道掩膜工藝進行制作的具有MIM結(jié)構(gòu)型態(tài)儲存電容的薄膜 晶體管陣列基板的制作流程加以說明。第四實施例圖6A至圖6H進一步繪示本發(fā)明的第四實施例的另一種薄膜晶體管陣列 基板的制作流程示意圖。為簡化說明，本實施例不再對所述這些與圖5A至圖 5H所示的制作流程類似的部份加以說明。如圖6B所示，與第三實施例相較， 本實施例的圖案化光阻層350更包括位在對應(yīng)于第一電極圖案324上方的第 四光阻區(qū)塊350D，且第四光阻區(qū)塊350D的厚度以及第一光阻區(qū)塊350A的 厚度實質(zhì)上相等。接著，如圖6C 圖6F所示，通過第四光阻區(qū)塊350D作為 罩幕來刻蝕金屬層360以及半導(dǎo)體層340，以及在第一電極圖案324的上方形 成第二電極圖案364，如圖6E所示。此處的第二電極圖案364例如是由通道 層324、歐姆接觸層344以及金屬層360所構(gòu)成。然后，如圖6G所示，本實施例所形成的保護層370在每一像素區(qū)310A內(nèi)更具有第四開口H4，以暴露出所對應(yīng)的第二電極圖案364。之后，如圖6H 所示，在形成像素電極380以及第二接墊圖案362之后，每一像素電極380 更經(jīng)由所對應(yīng)的第四開口H4連接至第四開口H4所暴露的第二電極圖案364， 因而使得第一電極圖案324、柵極絕緣層330以及第二電極圖案364構(gòu)成金屬 層/絕緣層/金屬層的MIM結(jié)構(gòu)型態(tài)的儲存電容。綜上所述，本發(fā)明主要將接墊圖案上方的柵極絕緣層的移除步驟提前至 半導(dǎo)體的圖案化步驟中，使得本發(fā)明于圖案化保護層形成之后，不需進行柵 極絕緣層的刻蝕工藝，可以有效避免已知圖案化保護層容易發(fā)生的表面粗糙、 均勻度不佳、底切現(xiàn)象或產(chǎn)生副產(chǎn)物等問題，因而可以省略改質(zhì)步驟或者已 知在制作Mil結(jié)構(gòu)型態(tài)儲存電容時的灰化工藝步驟。在本發(fā)明的部分實施例 中，薄膜晶體管陣列基板的制作流程可以簡化至四道掩膜工藝，因此本發(fā)明 可以使得簡化生產(chǎn)流程以及有效降低成本。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤 飾，因此本發(fā)明的保護范圍當權(quán)利要求所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括提供一基板，所述基板上具有一像素區(qū)以及位于所述像素區(qū)外圍的一周邊線路區(qū)；于所述像素區(qū)內(nèi)的所述基板上分別形成一柵極圖案，并且形成一第一接墊圖案于所述周邊線路區(qū)內(nèi)的所述基板上；于所述基板上依序形成一柵極絕緣層以及一半導(dǎo)體層，以覆蓋所述柵極圖案以及所述第一接墊圖案；于所述半導(dǎo)體層上形成一圖案化光阻層，其中所述圖案化光阻層包括一第一光阻區(qū)塊以及一第二光阻區(qū)塊，所述第一光阻區(qū)塊位于所述柵極圖案上方，所述第二光阻區(qū)塊對應(yīng)于所述這些柵極圖案以外的區(qū)域并具有一第一開口，所述第一開口位于所述第一接墊圖案上方，且所述第一光阻區(qū)塊的厚度大于所述第二光阻區(qū)塊的厚度；通過所述圖案化光阻層作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除所述第一開口所對應(yīng)的所述半導(dǎo)體層以及部分的所述柵極絕緣層；去除部分所述圖案化光阻層的厚度直到所述第二光阻區(qū)塊被移除；通過剩余的所述圖案化光阻層作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除被暴露的所述半導(dǎo)體層以及對應(yīng)于所述第一開口的所述柵極絕緣層；移除剩余的所述圖案化光阻層；于所述像素區(qū)內(nèi)的所述半導(dǎo)體層上分別形成一源極圖案以及一漏極圖案，其中所述源極圖案以及所述漏極圖案分別位于所述柵極圖案的相對兩側(cè)，并且在所述周邊線路區(qū)內(nèi)形成一第二接墊圖案，所述這些第二接墊圖案分別經(jīng)由所述這些第一開口電性連接至所對應(yīng)的所述第一接墊圖案；以及于所述柵極絕緣層上形成一圖案化保護層，以覆蓋所述源極圖案、所述漏極圖案以及部分所述第二接墊圖案，所述圖案化保護層在所述像素區(qū)內(nèi)具有一第二開口，暴露出所對應(yīng)的所述源極圖案或所述漏極圖案，且所述圖案化保護層在所述周邊線路區(qū)內(nèi)具有一第三開口，分別暴露出所述這些第二接墊圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法另包括在所述基板上形成所述柵極絕緣層以及所述半導(dǎo)體層之前， 分別形成一電極圖案于所述像素區(qū)內(nèi)的所述基板上。
3. 如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述像素電極電性連接的所述源極圖案或所述漏極圖案延伸至所對應(yīng)的所述電 極圖案上方。
4. 如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所 述像素區(qū)內(nèi)的所述第二開口位于所對應(yīng)的所述電極圖案上方。
5. 如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所 述圖案化保護層在所述像素區(qū)內(nèi)另具有一第四開口，暴露出所對應(yīng)的所述電 極圖案上方的所述柵極絕緣層，而所述像素電極是經(jīng)由所對應(yīng)的所述第四開 口連接至所述第四開口所暴露的所述柵極絕緣層。
6. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所 述圖案化保護層的材質(zhì)為有機絕緣材質(zhì)。
7. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，于 所述半導(dǎo)體層上形成所述圖案化光阻層的步驟包括-于所述半導(dǎo)體層上形成一光阻材料層；以及通過一半調(diào)式或灰調(diào)式掩膜來圖案化所述光阻材料層，以同時形成所述 第一光阻區(qū)塊、所述第二光阻區(qū)塊以及所述第一開口。
8. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，去 除所述圖案化光阻層的厚度的步驟包括進行一灰化工藝。
9. 如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所 述半導(dǎo)體層包括一通道層以及位于所述通道層上的一歐姆接觸層。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 形成所述源極圖案以及所述漏極圖案的步驟包括移除所述源極圖案以及所述 漏極圖案所暴露的所述歐姆接觸層以及部分的所述通道層。
11.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述方法另包括于所述像素區(qū)內(nèi)的所述圖案化保護層上分別形成一像素電 極，并且于所述周邊線路區(qū)內(nèi)的所述圖案化保護層上形成一第三接墊圖案， 其中部分所述像素電極經(jīng)由所對應(yīng)的所述第二開口電性連接至所述第二開口 所暴露的所述源極圖案或所述漏極圖案，而所述第三接墊圖案經(jīng)由所述第三 開口電性連接至所對應(yīng)的所述第二接墊圖案。
12. 如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述方法更包括于所述圖案化保護層在所述像素區(qū)內(nèi)形成一第四開口，暴露 出所述第一電極圖案上方的所述柵極絕緣層，而所述像素電極更經(jīng)由所對應(yīng) 的所述第四開口連接至所述第四開口所暴露的所述柵極絕緣層。
13. —種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括 提供一基板，所述基板上具有一像素區(qū)以及位于所述像素區(qū)外圍的一周邊線路區(qū)；于所述像素區(qū)內(nèi)的所述基板上分別形成一柵極圖案，并且形成一第一接 墊圖案于所述周邊線路區(qū)內(nèi)的所述基板上；于所述基板上依序形成一柵極絕緣層、 一半導(dǎo)體層以及一金屬層，以覆 蓋所述柵極圖案以及所述第一接墊圖案；于所述金屬層上形成一圖案化光阻層，其中所述圖案化光阻層包括一第 一光阻區(qū)塊、 一第二光阻區(qū)塊以及一第三光阻區(qū)塊，所述第一光阻區(qū)塊以及 所述第二光阻區(qū)塊位于所述柵極圖案上方，所述像素區(qū)內(nèi)的所述第一光阻區(qū) 塊位于所對應(yīng)的所述第二光阻區(qū)塊的相對兩側(cè)，所述第三光阻區(qū)塊對應(yīng)于所 述柵極圖案以外的區(qū)域并具有一第一開口，所述第一開口位于所述第一接墊 圖案上方，且所述第一光阻區(qū)塊的厚度大于所述第二光阻區(qū)塊的厚度，而所述第二光阻區(qū)塊的厚度大于所述第三光阻區(qū)塊的厚度；通過所述圖案化光阻層作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除所述這些第一開口所對應(yīng)的所述金屬層、所述半導(dǎo)體層以及部分的所述柵極絕緣層； 去除部分所述圖案化光阻層的厚度直到所述第三光阻區(qū)塊被移除； 通過剩余的所述圖案化光阻層作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除被暴露的所述金屬層以及所述半導(dǎo)體層；去除部分所述圖案化光阻層的厚度直到所述第二光阻區(qū)塊被移除； 通過剩余的所述圖案化光阻層作為罩幕來進行刻蝕工藝，以移除被暴露的所述金屬層、部份的所述半導(dǎo)體層以及對應(yīng)于所述第一開口的所述柵極絕緣層，而分別形成一源極圖案以及一漏極圖案于一像素區(qū)內(nèi)的所述柵極圖案的相對兩側(cè)；移除剩余的所述圖案化光阻層；以及于所述柵極絕緣層上形成一圖案化保護層，以覆蓋所述源極圖案以及所 述漏極圖案，所述圖案化保護層在所述像素區(qū)內(nèi)具有一第二開口，暴露出所 對應(yīng)的所述源極圖案或所述漏極圖案，且所述圖案化保護層在所述周邊線路 區(qū)內(nèi)具有一個第三開口，分別暴露出所述第一接墊圖案。
14. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述方法另包括于所述像素區(qū)內(nèi)的所述圖案化保護層上形成一像素電極，以使得部分所 述像素電極經(jīng)由所對應(yīng)的所述第二開口電性連接至所述第二開口所暴露的所 述源極圖案或所述漏極圖案，以及部分所述像素電極經(jīng)由所述第三開口電性 連接至所對應(yīng)的所述第一接墊圖案。
15. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述方法另包括在形成所述柵極絕緣層以及所述半導(dǎo)體層于所述基板上之 前，于所述像素區(qū)內(nèi)的所述基板上分別形成一第一電極圖案。
16. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述圖案化保護層的材質(zhì)為有機絕緣材質(zhì)。
17. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 形成所述圖案化光阻層于所述半導(dǎo)體層上的步驟包括形成一光阻材料層于所述半導(dǎo)體層上；以及通過一半調(diào)式或灰調(diào)式掩膜來圖案化所述光阻材料層，以同時形成所述 第一光阻區(qū)塊、所述第二光阻區(qū)塊、所述第三光阻區(qū)塊以及所述第一開口。
18. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 縮減所述圖案化光阻層的厚度的步驟包括進行一灰化工藝。
19. 如權(quán)利要求13所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述半導(dǎo)體層包括一通道層以及位于所述通道層上的一歐姆接觸層。
20. 如權(quán)利要求19所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 形成所述源極圖案以及所述漏極圖案的步驟包括移除所述源極圖案以及所述 漏極圖案所暴露的所述歐姆接觸層以及部分的所述通道層。
21. 如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述方法另包括于所述像素區(qū)內(nèi)的所述圖案化保護層上形成一像素電極，其 中部分所述像素電極經(jīng)由所對應(yīng)的所述第二開口電性連接至所述第二開口所 暴露的所述源極圖案或所述漏極圖案，且所述圖案化保護層在所述像素區(qū)內(nèi) 更具有一第四開口，暴露出所述第一電極圖案上方的所述柵極絕緣層，而部 分所述像素電極是經(jīng)由所對應(yīng)的所述第四開口連接至所述第四開口所暴露的 所述柵極絕緣層。
22. 如權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述圖案化光阻層包括一第四光阻區(qū)塊，其位于所述這些第一電極圖案的上 方，且所述第四光阻區(qū)塊的厚度以及所述第一光阻區(qū)塊的厚度實質(zhì)上相等。
23. 如權(quán)利要求22所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述方法還另包括通過所述第四光阻區(qū)塊作為罩幕來刻蝕所述金屬層以及所 述半導(dǎo)體層，以在所述第一電極圖案的上方形成一第二電極圖案。
24.如權(quán)利要求23所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述圖案化保護層在所述像素區(qū)內(nèi)另具有一第四開口，暴露出所對應(yīng)的所述 第二電極圖案，而所述像素電極更經(jīng)由所對應(yīng)的所述第四開口連接至所述第 四開口所暴露的所述第二電極圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，該方法包括下列步驟先于基板上分別形成柵極圖案與第一接墊圖案，并依序形成柵極絕緣層與半導(dǎo)體層覆蓋上述二圖案。接著，形成圖案化光阻層，并調(diào)整圖案化光阻層在不同區(qū)域的光阻區(qū)塊厚度與適當圖案。再經(jīng)由刻蝕工藝、縮減圖案化光阻層工藝，以移除位于第一接墊圖案上方的半導(dǎo)體層與柵極絕緣層。之后，移除圖案化光阻層，形成源極圖案、漏極圖案與第一接墊圖案電性連接的第二接墊圖案。接著，形成圖案化保護層于柵極絕緣層上，而圖案化保護層具有暴露出源極圖案或漏極圖案的第二開口與暴露出第二接墊圖案的第三開口。
文檔編號H01L21/84GK101330062SQ20081014423
公開日2008年12月24日 申請日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月25日
發(fā)明者方國龍, 曾賢楷, 林漢涂, 詹勛昌 申請人:友達光電股份有限公司