專利名稱：光纖激光器用光纖及其制造方法、光纖激光器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及具備稀土族添加芯和包層的大功率的光纖激光器用光纖及其 制造方法和光纖激光器。
背景技術：
為了用于激光加工、醫(yī)療等，需要開發(fā)更大功率的廉價的光源。對于這些 需求，由于光纖激光器能夠高效率且簡單地取出高質量的激光而受到矚目。
作為用于這種大功率光纖激光器的光纖有圖9所示的光纖91。該光纖91 是具備摻雜了稀土族元素(Yb、 Er、 Er/Yb、 Tm、 Nd等)的芯92和由第一包 層93a、第二包層93b構成的包層93的雙包層光纖。另外，雖然沒有圖示， 但在第二包層93b的外周上設有由紫外線固化型樹脂等構成的包覆層。
從多模LD(半導體激光器)出射的光作為激勵光Le9入射到光纖91的一個 端部。在第一包層93a內聚光的激勵光Le9在光纖91中傳輸，激勵芯92的稀 土族添加元素。于是，振蕩光從被激勵的稀土族元素傳輸至芯92,并從光纖 91的另一端出射大功率的激光振蕩光L9。
而且，作為與本申請發(fā)明相關的現有技術文獻信息，有以下的信息。
專利文獻l特開平5 - 249328號>^才艮
但是在現有的光纖91中，使用Yb添加(摻雜)芯來作為芯92時，激光 振蕩光L9相對于激勵光Le9的光/光轉換效率約為80% ，約有20%的能量變 成熱。
因此，在現有的光纖91中，伴隨光纖激光器的大功率化，光纖91的溫度 上升，尤其是光纖91的入射端附近的溫度上升大，有可能損傷光纖91的包覆 層，因此存在光纖激光器的輸出受限制的問題。
此外，作為大功率光纖激光器的限制因素有光纖非線性、光纖的損壞、激 勵方式等各種問題。也就是說，在現有的光纖91中，隨著光纖激光器的大功 率化，需要大的激勵光功率，導致雙包層光纖中的能量密度過剩，從而產生發(fā)熱、光纖非線性、光纖損壞等問題。
在現狀的光纖激光器中，還要求均衡地去除這些限制因素。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明的目的在于提供抑制光纖激光器中的光纖溫度上升、謀求激
本發(fā)明是為了實現上述目的而實施的，本發(fā)明的第一方面是光纖激光器用 光纖，具備添加了稀土族元素的稀土族添加芯和形成在上述稀土族添加芯周圍 的包層，從上述包層的端部入射激勵光，激勵稀土族元素以輸出大功率的激光 振蕩光，并且，上述稀土族添加芯沿長度方向被分割成多個芯區(qū)域，添加在各 芯區(qū)域的稀土族元素的添加濃度不同。
本發(fā)明的第二方面如第一方面的光纖激光器用光纖，其中，上述多個芯區(qū) 域的各自的添加濃度以長度方向的中央部為中心對稱。
本發(fā)明的第三方面如第一方面或第二方面的光纖激光器用光纖，其中，上 述多個芯區(qū)域的長度方向的長度不同。
本發(fā)明的第四方面如第一方面'至第三方面的任一光纖激光器用光纖，其
中，使用時長度方向的溫度分布在17(TC以下。
本發(fā)明的第五方面如第一方面或第二方面的光纖激光器用光纖，其中，上 述多個芯區(qū)域是將具有500ppm、 700ppm、 11 OOppm中任一添加濃度的稀土族
添力cr芯纟且合而成的。
本發(fā)明的第六方面是第一方面至第五方面中任一方面的光纖激光器用光 纖的制造方法，其中，制作多根分別具有稀土族元素的添加濃度不同的稀土族 添加芯的分段光纖，并將各分段光纖的終端之間熔接。
本發(fā)明的第七方面是光纖激光器，具備第一至第五方面的任一光纖激光 器用光纖；與上述光纖激光器用光纖的端部連接的光耦合器；以及使激勵光經 由上述光耦合器入射到包層的多個光源。
根據本發(fā)明，可以簡單地控制沿光纖長度方向的激勵光的吸收特性，可以 將光纖的沿長度方向的溫度分布平坦化。
本發(fā)明者們在研究開發(fā)光纖激光器時，首先研究了熱效應，進而研究了光 纖非線性(非線性光學效應)、光纖的損壞、激勵方式，并為了均衡地去除這 4個限制(問題)因素而不斷地進行了研究開發(fā)。
在熱效應中，由于光纖的包覆部分損壞，因此光纖斷線、轉換效率下降， 從而導致輸出功率下降。作為對策有使用粗徑光纖、空氣包層、耐熱包覆層等。 此外，因光纖非線性而使激光的輸出飽和。作為對策有MFD的放大、光纖的 短尺寸化等。光纖損壞有光纖熔斷、光纖端面的損傷等，作為對策有MFD(模 場直徑)的放大、玻璃結構的改善等。在激勵方式中有可能發(fā)生在光纖的入射 端的熱集中。作為對策有側面激勵等。
此外，芯的折射率的不均勻也有可能影響光束質量，但只要均衡地去除上 述限制因素就基本能夠解決現有光纖激光器用光纖的問題。于是，本發(fā)明者們 基于上述觀點進行深入研究的結果，實現了本發(fā)明。


圖1是表示本發(fā)明優(yōu)選實施方式的光纖激光器用光纖的示意圖。 圖2是表示光纖激光器用光纖的限制因素的一個例子的圖。 圖3是表示現有光纖的熱分析的一個例子的圖。的圖。
圖5是表示Yb濃度與吸收損失的關系和本實施方式的光纖激光器用光纖 中的第一、第二芯區(qū)域的Yb濃度的一個例子的圖。
圖6表示Yb濃度與吸收損失的關系和本實施方式的光纖激光器用光纖中 的第三芯區(qū)域的Yb濃度的一個例子的圖。
圖7是^(吏用了圖1所示的光纖激光器用光纖的光纖激光器的示意圖。
圖8示表示圖1所示的光纖激光器用光纖的制造方法的一個例子的示意圖。
圖9是現有光纖激光器用光纖的示意圖。 符號說明
1光纖激光器用光纖 2稀土族添加芯
2a、 2b.......2n-l、 2n芯區(qū)域
3包層
31第一包層 32第二包層 L激光激勵光 Le激勵光
具體實施例方式
下面按照

本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。首先利用圖7說明表示本發(fā)明 如圖7所示，本實施方式的光纖激光器71主要由具備光源而輸出激光振 驅動裝置構成。
光學部72由后述的本實施方式的光纖激光器用光纖1和分別設置在該光 纖激光器用光纖1的兩個端部附近(在后述的兩個光耦合部76a、 76b的外測) 的光源部73A、 73B構成。
光源部73A由用于輸出大功率激勵光的多個激勵用光源74、分別與這些 激勵用光源74連接的多條激勵用光路75、和分別與這些激勵用光路75光學 連接并將來自各激勵用光源74的出射光耦合到光纖激光器用光纖1的光耦合 器76構成。
各激勵用光源74使用廉價的適合光傳輸的多模LD。在本實施方式中作為 一個例子使用了出射波長入e( 915nm或975 - 980nm )的激勵光Le的多模LD。
各激勵用光源74在各光源部73A、 73B中串連連接，這些與上述驅動裝 置連接。各激勵用光源74使用多模光纖和光波導。光耦合器76使用多路耦合 器或激勵耦合器。
在光纖激光器用光纖1的兩個端部的兩個光耦合器76的內側，設置有用 于反射激勵入射到光纖激光器用光纖1的激勵光Le的光反射部77a、 77b。在 本實施方式中，在光纖激光器用光纖l中形成兩個透過具有激勵光波長的光、 而對于具有振蕩光波長的光則具有高的反射率的FBD(光纖布拉格光柵)，作為 光反射部77a、 77b。
成為光反射部77b (光纖激光器用光纖1的激光振蕩光L的出射側)的 FBG與成為光反射部77a的FBG的柵間隔形成得不同，以使得一部分地反射
激光振蕩光。
圖1是表示本發(fā)明優(yōu)選實施方式的光纖激光器用光纖的示意圖。 如圖1所示，本發(fā)明的光纖激光器用光纖1具有通過進行規(guī)定的激勵而發(fā) 光的發(fā)光功能，并通過使該發(fā)出的光進行反射激勵而成為激光振蕩介質。
該光纖激光器用光纖1由添加了稀土族的稀土族添加芯2和形成在該稀土 族添加芯2周圍的包層3構成。
在稀土族添加芯2中微量地添加(摻雜)了 Yb、 Er、 Er/Yb、 Tm、 Nd等 稀土族元素。在本實施方式中，激勵光Le的波長未入e(915nm或975 - 980nm)， 為了出射波長入(1030- 1100nm)的激光L,作為稀土族元素使用了 Yb。 Yb 是適合波長入e的激勵光L的吸收和波長入光的放大(受激發(fā)射)的稀土族元 素。
在光纖激光器用光纖l中，為了將光纖的沿長度方向的溫度分布平坦化，
將稀土族添加芯2沿光纖的長度方向分割成多個芯區(qū)域2a、 2b.......2n-l、 2n,
添加在各芯區(qū)域2a、 2b、……2n-l、 2n的添加稀土族元素的添加濃度不同。
在圖1的例子中，在兩端的芯區(qū)域2a、 2n的添加濃度最低，從芯區(qū)域2a、 2n向芯區(qū)域2b、 2n-l即向光纖長度方向的中心，添加濃度逐漸變高，并且多
個芯區(qū)域2a、 2b.......2n-l、 2n的添加濃度以光纖長度方向的中央部為中心
對稱(添加濃度分布線對稱)。進而在該結構的基礎上，也可以像此后利用圖 4說明的那樣使各芯區(qū)域2a、 2b.......2n-l、 2n的長度一部分不同。
在這些情況下，不僅可以將光纖激光器用光纖1用于通常使用的只從一側 入射激勵光的光纖激光器，還可以用于像圖7的光纖激光器71那樣從兩側入 射激勵光Le的類型的光纖激光器。
包層3是由用石英材料制成、且作為激勵波導的內側的第一包層31和設 置在其外周、且用石英材料制成的第二包層32構成的雙包層型。在本實施方 式中，在第一包層31中形成了將沿光纖的長度方向貫通的多個通孔排列成蜂 窩狀的光學晶體結構，以使得用稀土族添加芯2和包層3構成PCF (光學晶體 光纖)。
接著，更加詳細說明光纖激光器用光纖1的一個例子。 對于激勵方式沒有特殊的限定，在圖7的光纖激光器71中可以采用側面激勵也可以采用端面激勵。首先對現有的光纖91進行了動作時的熱分析。其 結果如圖3所示。其中，作為激勵用光源73使用了波長為977nm、輸出為6.5kw 的多模LD，稀土族添加芯2的直徑-50iim、至第一包層31的直徑為d jum、 添加在芯中的Yb濃度=100ppm、激勵光Le的吸收損失=0.5dB/m(@977nm)、 至第二包層32的直徑為d+100jum。
如圖3所示，現有的光纖91，越接近兩端部光纖溫度越高，即使至第一 包層31的直徑d大到600jam,在兩端部也成為約265。C的高溫。
雖然只要加長光纖的長度就可以降低光纖的溫度從而使熱均衡，但是由于 會受到非線性光學效應的影響，而不能大功率化。
于是，考慮到光纖非線性，對作為非線性效應的光纖中的受激喇曼散射 (SRS)和光纖中的受激布里淵散射(SBS)進行了研究。
在此，所謂受激喇曼散射是指，光入射到介質中時由于入射光和由入射光 產生的光學聲子(晶格的光學振動)之間的相互作用而產生的散射。該散射光 叫作斯托克斯散射光。在喇曼散射中產生的斯托克斯散射光無論是前方散射還 是后方散射都能觀測到同等程度。作為光纖非線性閾值的SRS閾值Pthr用式 (1)來表示。
式l
Pthr=16Aeff/gRLeff (l)
Aeff:有效截面面積Leff:光纖有效長度gR:喇曼增益系數
根據式(l)，由于隨著LD的入射功率變大光纖產生的熱也增加，因此有 時在使用頻帶以外的頻帶出現波峰。這種現象會給光纖的輸出帶來壞影響，因 此需要隨著輸入功率的增大而抑制熱的影響。
另外，所謂受激布里淵散射是指，由于入射光與通過介質中的聲波(晶格 的聲音振動)之間的相互作用而產生的散射。在受激布里淵散射中產生的斯托 克斯散射光只產生后方散射。作為光纖非線性閾值的SBS閾值Pthr用式(2) 來表示。
式2
Pthb=21 Aeff/gBLeff (1+△ VP/ △ VB) (2)
Aeff:有效截面面積Leff:光纖有效長度gB:布里淵增益系數△ VB:布里淵增益波傳寬度 AVp:激勵光波i普寬度
從式(2)可知，入射光強度變大，反射光強度會增加。與此同時，透過 光強度飽和，產生輸出飽和。實際上SRS的影響要遠大于SBS的影響，因此 主要考慮SRS的發(fā)生閾值就可以。
此外，從式(l)、 (2)可知，SRS和SBS的發(fā)生閾值與光纖的芯的有效 截面面積成正比、與光纖的有效長度成反比。也就是說，為了抑制SRS和SBS, 需要加大光纖的有效截面面積、縮短光纖有效長度。
人們已知，單純的玻璃體的破壞閾值是3GW/cm2(30W/jam2),但是若實 施了光纖加工(包括摻雜等)，其閾值會下降。例如具有10kW的功率的光纖， MFD需要36Mm以上。
作為光纖激光器用光纖的限制因素的一個例子，用圖2匯總表示了芯部玻 璃的破壞閾值為500MW/cm2時的情況。如圖2所示，若要獲得10kW的輸出， 需要MFD》51 jum(Aeff> 1000|Lim2)。另外，若要在MFD=51 jum的光纖中抑 制SRS，則光纖長度約需要短于33m、最好約在30m以下。而且，若考慮熱 光學問題(熱光學閾值)，則需要抽出功率》300W/m。因此，在這種情況下， 為了在圖2中的掛網部分A的范圍內獲得10kW的^r出，以成為圖2中的點X 的方式設計圖1的光纖激光器用光纖1。
考慮以上幾點，本實施方式的光纖激光器用光纖l在各芯區(qū)域2a、2b.......
2n-l、 2n的長度方向的長度不同，約5m以上，輸出在5kW以上，最好在10kW 以上，使用(工作)時的長度方向的溫度分布在光纖的全長上為170。C以下即 可。
若更具體一些，則如圖4所示，光纖激光器用光纖1的多個芯區(qū)域包括 由第一芯區(qū)域2a、第二芯區(qū)域2b以及第三芯區(qū)域2c構成的共計5個芯區(qū)域， 第一芯區(qū)域2a和第二芯區(qū)域2b約為5m、第三芯區(qū)域2c約為10m。
而且，在光纖激光器用光纖1中，考慮圖5和圖6所示的Yb濃度和吸收
損失(吸收特性)，各芯區(qū)域2a、 2b.......2n-l、 2n是通過將具有500ppm、
700ppm、 1100ppm中任一添加濃度的稀土族添加芯組合而成的。
在本實施方式中，第一芯區(qū)域2a的Yb的濃度為500ppm、第二芯區(qū)域2b 的Yb的濃度為700ppm、第三芯區(qū)域2c的Yb的濃度為1000ppm。
以滿足這些條件的方式制作光纖激光器用光纖1之后，對光纖激光器用光
纖1入射波長975 - 980nm的激勵光，則熱特性如圖4中的實線所示。因此， 光纖激光器用光纖1具有如下特性輸出在10kW以上，且使用時的光纖溫度 在光纖全長上為170。C以下。
在以下的說明中，將在光纖激光器用光纖1中包含第一至第三芯區(qū)域2a-2c 的部分分別示為fiber 1 ( fl )、 fiber2 ( f2 )、 fiber3 ( f3 )。吸收損失在波長977nm 中，在fiberl為0.3dB/m、在fiber2為0.4dB/m、在fiber3為0.6dB/m。在圖7 的光纖激光器71中使用圖4的光纖激光器用光纖1時，在兩端分別連接光耦 合器75即可。
為了進4亍比4交，在圖4中用虛線示出了現有光纖91的熱特性。光纖91的 全長由fiber3構成，是圖3的用虛線(d=600|im)表示的部分。此外，光纖 激光器用光纖1的芯直徑和包層直徑與光纖91相同。
從圖4可知，光纖激光器用光纖1在光纖全長上的使用時的長度方向的溫 度分布為170。C以下，但是現有光纖91雖然在中央部附近為17(TC以下，可是 在接近光源的作為激勵光導入部的兩端部為265°C,溫度非常高。
下面說明光纖激光器用光纖1的制作方法的一個例子。
首先，制作細徑石英棒，其配置在中心，將預制件(坯料)拉絲后成為 稀土族添加芯2;細徑石英管，其排列在該細徑石英棒的周圍，將預制件拉絲 后構成成為第一包層31的蜂窩狀光學晶體；以及石英套管，對其插入這些細 徑石英棒和細徑石英管。
細徑石英棒，首先用MCVD法利用原料氣體和氳氧燃燒器制作添加了稀 土族元素Yb (作為Yb原料，例如使用了 Yb (DPM) 3。 DPM是二羥基二苯 曱烷)的石英棒。將該石英棒在規(guī)定的氣氛中(例如由流量為10L/min的He、 以及流量為200cc/min的(312構成的氣體)、規(guī)定的溫度(例如約1500°C )下 進行加熱處理后，用與通常的光纖的拉絲方法同樣的方法拉絲，就可獲得細徑 石英棒。為了制作上述fiberl至fiber3，制作了 Yb的濃度分別為500ppm、 700ppm、 11 OOppm的3種細徑石英棒。
此外，細徑石英管可利用與細徑棒同樣的方法對市場上銷售的合成石英管 (例如信越石英^^司制的F300 )進行加熱處理和4i絲處理來獲得。
將通過上述方法獲得的細徑石英棒和細徑石英管分別切割成規(guī)定的長度。 對于細徑石英管來說，進行該切割時封閉兩端。之后，為了去除附著在各切割 部表面的污跡和垃圾，利用流水沖掉碎片等大的垃圾之后用乙醇進行超聲波清
洗。利用純凈水沖掉游離在各切割部的表面的污跡和垃圾之后利用1-2%的
氟酸進行酸洗，以進行表面精加工。
之后，將細徑石英棒和捆在該細石英棒周圍的多根細徑石英管插入石英套
管中制成PCF用預制件。此時，為了不使細徑石英管之間相互交叉、使兩端 部排列在相同的位置，在插入石英管內時最好在純凈水中一邊施加超聲波的微 振動一邊進行。
具體是，在裝有純凈水的超聲波清洗器中將規(guī)定尺寸的石英套管傾斜地立 起來配置，在該石英套管內依次排列細徑石英棒和細徑石英管，做成PCF預 制件。因為石英套管的長度方向的尺寸精度會給該排列帶來很大影響，所以該 內徑變動被調整在士0.1mm以下。
將獲得的PCF預制件裝入干燥用容器內，將附著的水分蒸發(fā)干燥之后進行 脫水處理。該干燥處理利用真空容器，利用油壓旋轉式真空泵將真空容器內抽 真空來進行。
在PCF用預制件中的石英套管的兩端熔接石英毛坯管之后，在石英毛坯管 的側以規(guī)定的比例(例如以Cb為200cc/min、 02為50cc/min的比例)導入Cl2 和02的同時在石英毛坯管側以規(guī)定的比例(例如以約80Pa (0.6Torr) /min的 比例)進行排氣，用Cl2和02將石英套管的內部置換一定時間。
之后，再以規(guī)定的比例(例如以20 cc/min的比例)導入C2F6,在將PCF 用預制件內的壓力保持一定(例如約73Pa(0.55Torr))的狀態(tài)下，利用氫氧燃 燒器加熱PCF用預制件。由此，在進行石英套管內的脫水處理的同時進行細 徑石英棒、細徑石英管、以及石英套管的表面蝕刻處理。
在該表面蝕刻處理、脫水處理之后， 一邊從石英坯料管側導入Cl2和02、
一邊封閉石英坯料管。之后，再次利用氬氧燃燒器加熱PCF用預制件，將細 徑石英棒、細徑石英管、以及石英套管熔接一體化。
之后利用通常的光纖拉絲工序將該熔接一體化的PCF用預制件拉絲成規(guī) 定的光纖直徑(外徑d))，在該線上包覆紫外線(UV)固化樹脂，從而獲得由
在中心的添加了 Yb的稀土族添加芯2和在該稀土族添加芯2的外周形成蜂窩 狀的周期結構的通孔的包層3構成的PCF。
在如此獲得的PCF中，制作了稀土族添加芯2的Yb的濃度分別為500ppm、 700ppm、 1100ppm的3種PCF(成為作為3才艮分段光纖的fiberl-3)。
將該Yb的濃度不同的fiber 1-3切割成所需的長度后利用熔接將終端之間連 接，即可獲得本實施方式的光纖激光器用光纖1。
具體如下。例如，只將切割成約5m的fiberl的一個終端部分的UV固化 樹脂r去除(圖8 (a))、利用熔接機在該去除了 UV固化樹脂r的終端部分熔 接同樣被去除了終端部分的UV固化樹脂r的約5m長的fiber2 (圖8 (b))。 之后，在熔接部分的UV固化樹脂r被去除的部分再次包覆UV固化樹脂r(圖 8(c))。利用這種連接方法將fiberl-3連接，即可獲得圖4種示出一例的約30m 的光纖激光器用光纖1。
與圖7的光纖激光器71的動作一起說明本實施方式的作用。
若利用驅動裝置驅動各激勵用光源74，則從各激勵光源74出射激勵光， 來自光源部73A、73B內的所有激勵用光源74的激勵光在各光耦合部75耦合， 激勵光Le從兩側分別入射到光纖激光器用光纖1。
入射的激勵光Le在光纖激光器用光纖1的內部被放大，進而通過光反射 部77a、 77b的激光振蕩器的全反射鏡作用和輸出鏡作用，產生大功率的激光 振蕩光L，從光纖激光器用光纖1的出射端輸出。
度方向將光纖激光器用光纖1的稀土族添加芯2分割成多個芯區(qū)域2a、 2b.......
2n-l、 2n，并且使添加在各芯區(qū)域2a、 2b......、 2n-l、 2n的稀土族元素的添加
濃度不同。
稀土族添加光纖的吸收特性很大程度地依賴于添加物的濃度。因此，通過
控制，使得在光纖的長度方向上添加在各芯區(qū)域2a、 2b....... 2n-l、 2n的稀
土族添加元素的添加濃度適當地不同，從而可以在光纖激光器用光纖1的全長 上比現有光纖更好地抑制導入激勵光Le時產生的熱。由此可以抑制因發(fā)熱而 導致的光輸出的下降。
也就是說，在光纖激光器用光纖l中，通過在光纖的長度方向上控制光纖
激光器用稀土族添加光纖的吸收特性以使其不同，從而可以實現平坦的溫度分 布。
因此，根據光纖激光器用光纖1，能夠簡單地在光纖長度方向上形成平坦 化的溫度分布，利用該光纖激光器用光纖1能夠獲得大功率的光纖激光器。
在利用圖4的例子那樣的光纖激光器用光纖1構成光纖激光器71時，在 各光耦合器76將來自多個激勵用光源74的波長975nm的激勵光耦合，可以 從光纖激光器用光纖1的兩側入射此光，并且可以減少光纖內(尤其是端部) 的熱損失。
因此，可以將激光振蕩光L相對于激勵光Le的光/光轉換效率提高到超過 過去的界限的大于80%,輸出波長1030- 1100nm的大功率的激光振蕩光L。
此外，根據本發(fā)明的制造方法，可以簡單且高精度地制造圖1和圖4所示 地光纖激光器用光纖1。
權利要求
1.一種光纖激光器用光纖，具備添加了稀土族元素的稀土族添加芯和形成在上述稀土族添加芯周圍的包層，從上述包層的端部入射激勵光，激勵稀土族元素以輸出大功率的激光振蕩光，其特征在于，上述稀土族添加芯沿長度方向被分割成多個芯區(qū)域，添加在各芯區(qū)域的稀土族元素的添加濃度不同。
2. 根據權利要求1所述的光纖激光器用光纖，其中，上述多個芯區(qū)域的各自的添加濃度以長度方向的中央部為中心對稱。
3. 根據權利要求1或2所述的光纖激光器用光纖，其中，上述多個芯區(qū)域的長度方向的長度不同。
4. 根據權利要求1至3中任意一項所述的光纖激光器用光纖，其中， 使用時長度方向的溫度分布在170。C以下。
5. 根據權利要求1或2所述的光纖激光器用光纖，其中， 上述多個芯區(qū)域是將具有500ppm、 700ppm、 1100ppm中任一添加濃度的稀土族添加芯組合而成的。
6. —種光纖激光器用光纖的制造方法，制造權利要求1至5中任意一項 所述的光纖激光器用光纖，其中，制作多根分別具有稀土族元素的添加濃度不同的稀土族添加芯的分段光 纖，將各分段光纖的終端之間熔接。
7. —種光纖激光器，具備權利要求1至5中任意一項所述的光纖激光器用光纖； 與上述光纖激光器用光纖的端部連接的光耦合器；以及 使激勵光經由上述光耦合器入射到包層的多個光源。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供抑制光纖激光器中的光纖溫度上升、謀求激光的大功率化的光纖激光器用光纖及其制造方法和光纖激光器。本發(fā)明的光纖激光器用光纖，具備添加了稀土族元素的稀土族添加芯(2)和形成在上述稀土族添加芯周圍的包層(3)，從包層(3)的端部入射激勵光(Le)，激勵稀土族元素以輸出大功率的激光振蕩光(L)，并且，上述稀土族添加芯(2)沿長度方向被分割成多個芯區(qū)域(2a、2b、……2n-1、2n)，添加在各芯區(qū)域(2a、2b、……2n-1、2n)的稀土族元素的添加濃度不同。
文檔編號H01S3/06GK101359803SQ20081014422
公開日2009年2月4日 申請日期2008年7月25日 優(yōu)先權日2007年7月27日
發(fā)明者大薗和正, 兵 姚, 小島正嗣, 本鄉(xiāng)晃史 申請人:日立電線株式會社