專利名稱：半導(dǎo)體元件、顯示裝置、光電裝置及上述的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件、顯示裝置、光電裝置及上述的制造方法，且特別是有關(guān)于一種互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著顯示科技的日益進(jìn)步，人們借著顯示裝置的輔助可使生活更加便利， 為求顯示器輕、薄的特性，因此平面顯示器(Flat Panel Display, FPD)成為目前的主流。一般來(lái)說(shuō)，平面顯示器的顯示區(qū)域中的半導(dǎo)體元件可分為低溫多晶硅 (Low Temperature Poly-Silicon, LTPS)金屬氧化物半導(dǎo)體以及非晶硅 (Amorphous Silicon, a-Si)薄膜晶體管。由于低溫多晶硅金屬氧化物半導(dǎo)體 的電子遷移率(Mobility)可以達(dá)到200cn^/V-sec以上，因此低溫多晶硅金屬 氧化物半導(dǎo)體的尺寸可設(shè)計(jì)地更小，進(jìn)而同時(shí)提升平面顯示器的開口率 (Aperture Ratio, AR)以及減少功率消耗。然而，當(dāng)?shù)蜏囟嗑Ч杞饘傺趸锇雽?dǎo)體的尺寸變小時(shí)，低溫多晶硅金屬 氧化物半導(dǎo)體的溝道區(qū)長(zhǎng)度也隨之變小。若以一般的設(shè)計(jì)參數(shù)來(lái)驅(qū)動(dòng)此低溫 多晶硅金屬氧化物半導(dǎo)體時(shí)，則會(huì)產(chǎn)生溝道區(qū)與漏極相接處的電子能量升高 的情形，使漏電流的現(xiàn)象更為嚴(yán)重，此即為短溝道效應(yīng)(Short Channel Effect), 進(jìn)而使低溫多晶硅金屬氧化物半導(dǎo)體的電性劣化。圖1繪示已知一種低溫多晶硅金屬氧化物半導(dǎo)體元件的局部剖面圖。請(qǐng) 參照?qǐng)Dl，低溫多晶硅金屬氧化物半導(dǎo)體元件IOO包括一P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件110以及一N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件120。其中，P型金屬氧化物半 導(dǎo)體元件110包括一第一島狀多晶硅(poly-silicon island) 112、 一覆蓋于第 一島狀多晶硅112上的柵絕緣層114以及一位于柵絕緣層114上的第一柵極 116，而N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件120包括一第二島狀多晶硅122以及一位 于柵絕緣層114上的第二柵極126。如圖1所示，P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件110具有多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)112a 的結(jié)構(gòu)。而N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件120的第二島狀多晶硅122具有多個(gè) N型重?fù)诫s區(qū)122a及多個(gè)輕摻雜漏極LDDN'。 一般而言，N型金屬氧化物半 導(dǎo)體元件120通常通過(guò)N型輕摻雜漏極LDDN'來(lái)解決短溝道效應(yīng)的問(wèn)題，但 P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件110的短溝道效應(yīng)所導(dǎo)致其電性劣化的情形較鮮 少受到正視，甚至認(rèn)為P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件110并不會(huì)需要較小的溝 道來(lái)改善元件的特性，而以其它方式來(lái)改善，例如P型金屬氧化物半導(dǎo)體元 件110的第一島狀多晶硅112的結(jié)晶大小接近N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件120 的第二島狀多晶硅122的結(jié)晶大小。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件及其制造方法，以制作出由P型金屬氧化物 半導(dǎo)體元件及N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件所構(gòu)成的半導(dǎo)體元件，其中P型金 屬氧化物半導(dǎo)體元件與N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件皆具有輕摻雜漏極 (LDD)。本發(fā)明另提供一種顯示裝置的制造方法，以制作出具有上述的半導(dǎo)體元 件的顯示裝置。本發(fā)明又提供一種光電裝置的制造方法，以制作出具有上述的半導(dǎo)體元 件的光電裝置。本發(fā)明提出一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其方法包括于一基板上形成 一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件以及一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件，其中P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件包括一第一島狀多晶硅、 一覆蓋于第一島狀多晶硅上 的柵絕緣層以及一位于柵絕緣層上的第一柵極，而第一柵極位于第一島狀多 晶硅上方。此外，P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的制造方法包括首先，于柵絕 緣層與第一柵極上形成一第一圖案化光刻膠層，且第一圖案化光刻膠層具有 多個(gè)第一開口。接著，以第一圖案化光刻膠層為光掩膜，對(duì)第一島狀多晶硅 進(jìn)行P型離子注入，以于第一開口下方的部分第一島狀多晶硅中形成多個(gè)P 型重?fù)诫s區(qū)。然后，移除部分的第一圖案化光刻膠層，以形成一具有多個(gè)第 二開口的第二圖案化光刻膠層，且各第二開口的尺寸實(shí)質(zhì)上大于各第一開口 的尺寸。之后，以第一柵極與第二圖案化光刻膠層為光掩膜，對(duì)第一島狀多 晶硅進(jìn)行P型離子注入，以于第二開口下方的另一部分第一島狀多晶硅中形 成多個(gè)P型輕摻雜區(qū)，而位于第一柵極下方的第一島狀多晶硅則當(dāng)作一溝道 區(qū)，以使得溝道區(qū)位于P型重?fù)诫s區(qū)與P型輕摻雜區(qū)之間，其中溝道區(qū)的距 離實(shí)質(zhì)上小于3微米，且P型輕摻雜區(qū)至少其中一者的距離實(shí)質(zhì)上為溝道區(qū) 的距離的10%至80%。本發(fā)明另提出一種顯示裝置的制造方法，此顯示裝置的制造方法包含如 上述的半導(dǎo)體元件的制造方法。本發(fā)明又提出一種光電裝置的制造方法，此光電裝置的制造方法包含如 上述的半導(dǎo)體元件的制造方法。本發(fā)明提供再一種半導(dǎo)體元件，其包括一基板、至少一 P型金屬氧化物 半導(dǎo)體元件以及至少一N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件。P型金屬氧化物半導(dǎo)體 元件配置于基板上，且P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件包括一第一島狀多晶硅、 一覆蓋于第一島狀多晶硅上的柵絕緣層以及一位于柵絕緣層上的第一柵極。 第一柵極位于第一島狀多晶硅上方，而第一島狀多晶硅中具有多個(gè)P型重?fù)?雜區(qū)、多個(gè)P型輕雜區(qū)以及一位于P型輕雜區(qū)的溝道區(qū)。其中，溝道區(qū)的距 離實(shí)質(zhì)上小于3微米，且P型輕摻雜區(qū)至少其中一者的距離實(shí)質(zhì)上為溝道區(qū) 的距離的10%至80%。 N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件配置于基板上，且N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件包括一第二島狀多晶硅、 一覆蓋于第二島狀多晶硅上的 柵絕緣層以及一位于柵絕緣層上的第二柵極。第二柵極位于第二島狀多晶硅上方，而第二島狀多晶硅中具有多個(gè)N型重?fù)诫s區(qū)、多個(gè)N型輕雜區(qū)以及一 位于N型輕雜區(qū)的溝道區(qū)。本發(fā)明另提出一種顯示裝置，此顯示裝置包含如上述的半導(dǎo)體元件。 本發(fā)明又提出一種光電裝置，此光電裝置包含如上述的半導(dǎo)體元件。 本發(fā)明的半導(dǎo)體元件由P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件及N型金屬氧化物半 導(dǎo)體元件所構(gòu)成，其中P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件與N型金屬氧化物半導(dǎo)體 元件皆具有輕摻雜漏極(P型輕摻雜漏極與N型輕摻雜漏極)。因此，P型金 屬氧化物半導(dǎo)體元件與N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的短溝道效應(yīng)皆可獲得改 善。此外，P型輕摻雜漏極在制作上并無(wú)增加成本的疑慮。


圖1繪示已知一種低溫多晶硅金屬氧化物半導(dǎo)體元件的局部剖面圖。 圖2A繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的局部剖面圖。 圖2B繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的制造方法流 程圖。圖3 A 3E繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的制造流 程剖面圖。圖3F及圖3G為已知P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件于不同條件時(shí)，其漏極 電流與柵極電壓曲線。圖3H及31為本發(fā)明的一實(shí)施例的P型金屬氧化物半導(dǎo)體于不同操作電 壓時(shí)，其漏極電流與柵極電壓曲線。圖3J為本發(fā)明的一實(shí)施例的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的起始電壓與已 知P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的起始電壓與輕摻雜區(qū)長(zhǎng)度比較圖。圖4繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的局部剖面圖。圖4A繪示一種實(shí)施例的N型摻雜區(qū)的局部剖面示意圖。圖4B及圖4B，繪示另一種實(shí)施例的N型摻雜區(qū)的局部剖面示意圖。圖4C繪示又一種實(shí)施例的N型摻雜區(qū)的局部剖面示意圖。圖5A 圖5E繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的制造流程剖面圖。圖6A繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置的示意圖。圖6B繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的頭電裝置的示意圖。附圖標(biāo)號(hào)-100:低溫多晶硅金屬氧化物半導(dǎo)體元件 102:曲線110: P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件 112:第一島狀多晶硅112a: P型重?fù)诫s區(qū)114:柵絕緣層 116:第一柵極120: N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件 122:第二島狀多晶硅122a: N型重?fù)诫s區(qū)126:第二柵極LDDN': N型輕摻雜漏極200:半導(dǎo)體元件 202:基板 204:緩沖層210: P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件 212:第一島狀多晶硅212a、 212a': P型重?fù)诫s區(qū) 212c:溝道區(qū)214:柵絕緣層 216:第一柵極220: N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件 222:第二島狀多晶硅 222a、 LDDN: N型摻雜區(qū) 226:第二柵極 302:曲線510:層間介電層520:接觸導(dǎo)體530:圖案化平坦層540:導(dǎo)電層600:光電裝置602:顯示裝置604:電子元件612:顯示面板622:像素陣列基板632:另一基板632a:透明電極642:顯示介質(zhì)Al、 Al'、 A2、 A2，區(qū)域Dl、 D2、 D2'、 D3: N型離子注入工藝HI:第一開口H2:第二開口L:溝道區(qū)長(zhǎng)度LDDP: P型輕摻雜漏極PRh第一圖案化光刻膠層PR2:第二圖案化光刻膠層S201、 S203、 S205、 S207:步驟 S203'、 S207，: P型離子注入工藝Wl:第一接觸窗開口 W2:第二接觸窗開口具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并 配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖2A繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體元件的局部剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A， 本實(shí)施例的半導(dǎo)體元件200的制造方法包括于一基板202上形成一 P型金屬 氧化物半導(dǎo)體元件210以及一 N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220，其中P型金 屬氧化物半導(dǎo)體元件210包括一第一島狀多晶硅(poly-silicon island) 212、 一覆蓋于第一島狀多晶硅212上的柵絕緣層214以及一位于柵絕緣層214上 的第一柵極216。如圖2A所示，第一柵極216位于第一島狀多晶硅212上方。 以下說(shuō)明P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210的制造方法，如圖2B所示。圖2B繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的制造方法流 程圖，其中此制造方法至少包括四個(gè)步驟。圖3A 3E繪示本發(fā)明的一實(shí)施例 的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的制造流程剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2B及圖3A， 首先，在步驟S201中，于柵絕緣層214與第一柵極216上形成一第一圖案化 光刻膠層PR1，且第一圖案化光刻膠層PR1具有多個(gè)第一開口H1。在本實(shí)施 例中，于形成第一圖案化光刻膠層PR1之前，可選擇性地先在基板202上形 成一緩沖層204。然后，于緩沖層204上形成一第一島狀多晶硅212。承上述，本實(shí)施例的第一島狀多晶硅212的形成方法如下。首先，于基 板202上形成一非晶硅層。接著，對(duì)非晶硅層進(jìn)行一熱退火工藝，以將非晶 硅層轉(zhuǎn)換為一多晶硅層，其中熱退火工藝?yán)缡且患す鉄嵬嘶鸸に?laserannealing process)。之后，圖案化多晶硅層以形成第一島狀多晶硅212，其中 圖案化多晶硅層的方法可以采用光刻工藝與刻蝕工藝等工藝步驟。然而，本 發(fā)明并不限定第一島狀多晶硅212的形成方法，熟悉本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員當(dāng) 可采用其他方式于基板202上制作第一島狀多晶硅212。另外，本實(shí)施例亦可 直接購(gòu)買具有第一島狀多晶硅212的基板202來(lái)進(jìn)行后續(xù)的工藝或者是以噴 墨法、網(wǎng)版印刷法、涂布及光刻顯影法、沉積及光刻顯影法或其它合適的方 式來(lái)制作第一島狀多晶硅212。如圖3A所示，接著在第一島狀多晶硅212上依序形成柵絕緣層214、第 一柵極216及第一圖案化光刻膠層PR1。值得注意的是，第一圖案化光刻膠 層PR1的形成方法例如是利用一道掩膜工藝在基板202上形成一具有多個(gè)第 一開口 Hl的第一圖案化光刻膠層PR1，以使第一圖案化光刻膠層PR1覆蓋 第一柵極216、柵絕緣層214及第一島狀多晶硅212，但不限于此，第一圖案 化光刻膠層PR1亦可使用噴墨法、網(wǎng)版印刷法或其它合適的方式來(lái)制作第一 圖案化光刻膠層PR1。接著，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2B及圖3B。在步驟S203中，以第一圖案化光刻膠 層PR1為光掩膜，對(duì)第一島狀多晶硅212進(jìn)行P型離子注入工藝S203'，以 于第一開口 Hl下方的部分第一島狀多晶硅212中形成多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū) 212a'。詳言之，形成多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)212a'的方法例如是通過(guò)離子注入(ion implantation)的方式于第一開口 HI下方的部分區(qū)域Al及Al'的第一島狀多 晶硅212中形成P型離子，以完成P型重?fù)诫s區(qū)212a'的制作。然后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2B及圖3C。在步驟S205中，移除部分的第一圖案 化光刻膠層PR1，以形成一具有多個(gè)第二開口 H2的第二圖案化光刻膠層PR2， 且各第二開口 H2的尺寸實(shí)質(zhì)上大于各第一開口 Hl的尺寸。如圖3B及圖3C 所示，移除部分的第一圖案化光刻膠層PR1的方法例如是一灰化(Ashing) 工藝，其可利用氣體等離子體，例如氧氣等離子體、氫氣等離子體、氮?dú)?等離子體、或其它合適的氣體等離子體、或上述的組合，對(duì)第一圖案化光刻膠層PR1進(jìn)行一非等向刻蝕工藝而形成第二圖案化光刻膠層PR2。由于灰化工藝為非等向刻蝕工藝，所以第一圖案化光刻膠層PR1的膜層 厚度會(huì)變薄而形成第二圖案化光刻膠層PR2。從另一個(gè)角度來(lái)看，第一開口 Hl的會(huì)擴(kuò)大而形成第二開口 H2。換言之，第二開口 H2的尺寸實(shí)質(zhì)上大于第 一開口 Hl的尺寸，且第二圖案化光刻膠層PR2的厚度實(shí)質(zhì)上小于第一圖案 化光刻膠層PR1的厚度。 '如圖3C所示，在本實(shí)施例中，第二i案化光刻膠層PR2的邊緣會(huì)切齊第 一柵極216的邊緣。在其他實(shí)施例中，第二圖案化光刻膠層PR2的邊緣可內(nèi) 縮至第一柵極216的邊緣內(nèi)。換句話說(shuō)，在完成上述的灰化工藝后，第二圖 案化光刻膠層PR2的邊緣以不超出第一柵極216的邊緣為原則。之后，請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2B及圖3D。在步驟S207中，以第一柵極216與第 二圖案化光刻膠層PR2為光掩膜，對(duì)第一島狀多晶硅212進(jìn)行P型離子注入 工藝S207'，以于第二開口 H2下方的另一部分區(qū)域A2及A2'的第一島狀多晶 硅中212形成多個(gè)P型輕摻雜漏極LDDP，而P型輕摻雜漏極LDDP亦可稱 為P型輕摻雜區(qū)。此外，位于第一柵極216下方的第一島狀多晶硅212則當(dāng) 作一溝道區(qū)212c。亦即，溝道區(qū)212c位于各P型重?fù)诫s區(qū)212a之間，也位 于各P型輕摻雜漏極LDDP之間。溝道區(qū)212c的距離，例如長(zhǎng)度(L)，實(shí)質(zhì)上小于3微米(micron)。然 而，當(dāng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210的溝道區(qū)212c的長(zhǎng)度L小于3微米時(shí)， 則通常需要考慮短溝道效應(yīng)所衍伸出的問(wèn)題。因此，本實(shí)施例的P型金屬氧 化物半導(dǎo)體元件210采用P型輕摻雜漏極LDDP來(lái)改善短溝道效應(yīng)，且所述 多個(gè)P型輕摻雜漏極LDDP其中至少一者的距離實(shí)質(zhì)上為該溝道區(qū)212c的距 離(例如長(zhǎng)度L)的10% 80%。較佳地，所述多個(gè)P型輕摻雜區(qū)至少其中一者 的距離實(shí)質(zhì)上為該溝道區(qū)的20%至60%。再者，為均衡各P型輕摻雜漏極 LDDP的效果，較佳地，各P型輕摻區(qū)距離實(shí)上質(zhì)相等，但不限于此。于其 它實(shí)施例，各P型輕摻區(qū)距離可不相等。此外，本實(shí)施例利用第一柵極216及/或第一柵極216上的第二圖案化光 刻膠層PR2作為光掩膜來(lái)對(duì)第一島狀多晶硅212進(jìn)行P型離子注入工藝 S207'，以形成P型輕摻雜漏極LDDP。上述至此，P型金屬氧化物半導(dǎo)體元 件210已大致制作完成。如圖3D所示，第一島狀多晶硅212、柵絕緣層214以及第一柵極216即 可構(gòu)成P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210，其中第一島狀多晶硅212包括溝道區(qū) 212c、 P型重?fù)诫s區(qū)212a以及P型輕摻雜漏極LDDP。在移除圖3D中的第二 圖案化光刻膠層PR2之后，便可獲得P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210，如圖 3E所示。圖3F及圖3G為傳統(tǒng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體于不同操作電壓時(shí)，其漏極 電流與柵極電壓曲線，其中橫軸所表示的是柵極電壓(VG)，而縱軸所表示的 是漏極電流(Id)。圖3F中所述的傳統(tǒng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體的電性曲線圖， 其溝道區(qū)的長(zhǎng)度為大于或等于3微米，且不具有輕摻雜區(qū)(LDD)時(shí)，不管圖 3F中于各點(diǎn)所代表的操作電壓絕對(duì)值(IVdl)，如A點(diǎn)代表0.1伏特(V)、 B點(diǎn) 代表1伏特(V)、 C點(diǎn)代表2伏特(V)、 D點(diǎn)代表4伏特(V)、 E點(diǎn)代表6伏特(V) 以及F點(diǎn)代表8伏特(V)并配合柵極電壓(VG)，例如-10V~+10V，則操作電 壓如何的變動(dòng)，其電性曲線圖于漏極電流以1E-9為例當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在漏極電流 驟降的部分所對(duì)應(yīng)的柵極電壓(VG)且定義為起始電壓(Vt)仍為收斂，即趨近0 伏特(V)，意即元件不受溝道長(zhǎng)度的影響且不需要輕摻雜區(qū)(LDD)。圖3G所述的傳統(tǒng)P型金屬氧化物半導(dǎo)體的電性圖，為其溝道區(qū)的長(zhǎng)度為 小于3微米，例如1.5微米，且不具有輕摻雜區(qū)(LDD)時(shí)，可以發(fā)現(xiàn)，如圖3F 所述不同點(diǎn)的操作電壓絕對(duì)值(IVdl)并配合起始柵極電壓(VG)，例如 -10V~+10V，其電性曲線圖于漏極電流(Id)以1E-9為例當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在漏極電流 驟降的部分所對(duì)應(yīng)的柵極電壓(VG)且定義為起始電壓(Vt)為發(fā)散，意即不同點(diǎn) 的操作電壓，可獲得不同的起始電壓(Vt)且起始電壓(Vt)亦隨著操作電壓遞增 而從X方向遞增，而導(dǎo)致元件特性的偏移程度過(guò)于嚴(yán)重，意即元件受短溝道效應(yīng)(short channel effect)的影響非常嚴(yán)重。圖3H及圖31為本發(fā)明的一實(shí)施例的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件于不同 操作電壓時(shí)，其漏極電流(Id)與柵極電壓(VG)曲線，其中橫軸所表示的是柵極 電壓(VG),而縱軸所表示的是漏極電流(Id)。圖3H與圖3I中的P型金屬氧化 物半導(dǎo)體元件210的溝道區(qū)長(zhǎng)度為小于3微米，以1.5微米為例，但不限于此 值，只要是溝道區(qū)長(zhǎng)度大于0微米且小于3微米則可適用之，而P型輕摻雜 漏極LDDP的長(zhǎng)度分別是以約0.4微米與約0.8微米為例來(lái)說(shuō)明，但不限于此 值，只要是以上述發(fā)明的所述多個(gè)P型輕摻雜漏極LDDP其中至少一者的距 離(例如長(zhǎng)度)實(shí)質(zhì)上為該溝道區(qū)212c的距離的10%~80%。較佳地，所述多個(gè) P型輕摻雜區(qū)至少其中一者的距離實(shí)質(zhì)上為該溝道區(qū)的20%至60%。由圖3H 與圖31可知，且于如圖3F上所述的不同操作電壓絕對(duì)值(IVdl)下并配合起始 電壓(Vt)，例如-10V~+10V，其電性曲線圖于漏極電流(Id)以1E-9為例當(dāng)標(biāo) 準(zhǔn)時(shí)，在漏極電流驟降的部分所對(duì)應(yīng)的柵極電壓(VG)且定義為起始電壓(Vt) 傾向一致性，即呈現(xiàn)收斂現(xiàn)象，相較于己知圖3G所示的P型金屬氧化物半導(dǎo) 體元件(溝道區(qū)小于3微米，且無(wú)P型輕摻雜漏極)的所述多個(gè)曲線，在漏 極電流驟降的部分所對(duì)應(yīng)到的所對(duì)應(yīng)的柵極電壓(VG)且定義為起始電壓(Vt) 會(huì)呈現(xiàn)發(fā)散(divergence)的現(xiàn)象。因此，已知P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的 元件特性具有嚴(yán)重的偏移量，而本實(shí)施例的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210 的P型輕摻雜漏極LDDP可大幅改善改善元件特性的偏移程度。圖3J為本發(fā)明的一實(shí)施例的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件與已知P型金屬 氧化物半導(dǎo)體元件的起始電壓(thresholdvoltage)與輕摻雜區(qū)(LDD)長(zhǎng)度比較 圖，且輕摻雜區(qū)(LDD)亦稱為P型輕摻雜漏極(LDDP)。其中曲線102為不同 條件下P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210的特征曲線代表起始電壓發(fā)散程度或 偏移量，而曲線302為不同條件下P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的特征曲線代 表實(shí)量測(cè)出的起始電壓值。詳細(xì)而言，特征曲線102上的各點(diǎn)的條件為如上 所述的不同操作電壓絕對(duì)值(IVdl)并配合柵極電壓(VG)，例如-10V~+10V，其電性曲線圖于漏極電流以1E-9為例當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)所對(duì)應(yīng)的柵極電壓(VG)且定義 為起始電壓(Vt)，以最大值起始電壓與最小值起始電壓的絕對(duì)差值，而各點(diǎn)的 P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的條件如下a'點(diǎn)為傳統(tǒng)元件，且其溝道區(qū)長(zhǎng)度小 于3微米，例如1.5微米，并無(wú)輕摻雜區(qū)(LDD)、 b'為本發(fā)明的元件，而溝 道區(qū)長(zhǎng)度小于3微米，例如1.5微米，且有輕摻雜區(qū)(LDD)并以輕摻雜區(qū)長(zhǎng) 度實(shí)質(zhì)上0.4微米為例、c，為本發(fā)明的元件，而溝道區(qū)長(zhǎng)度小于3微米，例 如1.5微米，且有輕摻雜區(qū)(LDD)并以輕摻雜區(qū)長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上0.6微米為例以 及d'為本發(fā)明的元件，而溝道區(qū)長(zhǎng)度小于3微米，例如1.5微米，且有輕 摻雜區(qū)(LDD)并以輕摻雜區(qū)長(zhǎng)度實(shí)質(zhì)上0.8微米為例?？梢灾?，a'點(diǎn)的條件 具有很大的起始電壓偏移量。但本發(fā)明的b，至d，點(diǎn)條件，無(wú)太大的差異，且 趨近為OV，代表其起始電壓偏移量非常的小。特征曲線302所有的條件同于 特征曲線102，雖然，特征曲線302上的各點(diǎn)起始電壓值無(wú)太大的差異，但因 特征曲線102上的起始電壓偏移量，而可知道，本發(fā)明所述的設(shè)計(jì)模式，可 有效的抑制起始電壓偏移量，即短溝道效應(yīng)，而具有穩(wěn)定的元件特性。另外， 圖3J中各點(diǎn)所述的溝道長(zhǎng)度與LDD長(zhǎng)度是為范例，非為限制于此值，僅要 符合本發(fā)明所述的該P(yáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的該溝道區(qū)的距離實(shí)質(zhì)上小 于3微米，且所述多個(gè)P型輕摻雜區(qū)至少其中一者的距離實(shí)質(zhì)上為該溝道區(qū) 的10%至80°/。。較佳地，所述多個(gè)P型輕摻雜區(qū)至少其中一者的距離實(shí)質(zhì)上 為該溝道區(qū)的20%至60%。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件200是由P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210以及N型 金屬氧化物半導(dǎo)體元件220所構(gòu)成，其中P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210的 制作過(guò)程己于前述中說(shuō)明。接下來(lái)，將說(shuō)明N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220 的制作過(guò)程。在此需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210 與N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220在制作上并無(wú)絕對(duì)的順序性。亦即，可先 完成P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210，再完成N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220。 抑或，先完成N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220,再完成P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210。圖4繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的局部剖面圖。 請(qǐng)參照?qǐng)D4，本實(shí)施例的N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220包括一第二島狀多 晶硅222以及一位于柵絕緣層214上的第二柵極226，其中第二柵極226位于 第二島狀多晶硅222上方。而N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220的制造方法包 括對(duì)部分第二島狀多晶硅222進(jìn)行N型離子注入，以形成多個(gè)N型摻雜區(qū)222a 及LDDN。在本實(shí)施例中，N型摻雜區(qū)222a例如是N型重?fù)诫s區(qū)，而N型摻 雜區(qū)LDDN例如是N型輕摻雜區(qū)。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明并不限定形成N型摻雜區(qū)222a及LDDN的步驟。 圖4A、圖4B、圖4B，及圖4C繪示三種實(shí)施例的N型摻雜區(qū)的局部剖面示意 圖。請(qǐng)參考圖4A，在本實(shí)施例中，在完成第二島狀多晶硅222的制作后，即 對(duì)部分第二島狀多晶硅222進(jìn)行不同劑量的N型離子注入工藝Dl，以形成N 型摻雜區(qū)222a及LDDN。在另一實(shí)施例中，為求工藝的便利性，N型摻雜區(qū)222a及LDDN的制作 方法可分別類似于P型重?fù)诫s區(qū)212a及P型輕摻雜漏極LDDP的制作方法。 首先，請(qǐng)參考圖4B，于第二島狀多晶硅222上方完成柵絕緣層214的制作后， 再對(duì)部分第二島狀多晶硅222進(jìn)行N型離子注入工藝D2，以形成N型摻雜 區(qū)222a。然后，請(qǐng)參考圖4B，，于柵絕緣層214上方完成第二柵極226的制 作后，再對(duì)部分第二島狀多晶硅222進(jìn)行N型離子注入工藝D2'，以形成N 型摻雜區(qū)LDDN。請(qǐng)參考圖4C，在又一實(shí)施例中，于柵絕緣層214上方完成第二柵極226 的制作后，再對(duì)部分第二島狀多晶硅222進(jìn)行不同劑量的N型離子注入工藝 D3，以形成N型摻雜區(qū)222a及LDDN。值得注意的是，上述的N型摻雜區(qū)222a及LDDN在制作并無(wú)絕對(duì)的順 序性。此外，N型摻雜區(qū)222a、柵絕緣層214及第二柵極226在制作沒(méi)有絕 對(duì)的順序性，且N型摻雜區(qū)LDDN、柵絕緣層214及第二柵極226在制作也沒(méi)有絕對(duì)的順序性。亦即，本發(fā)明并不限定形成N型摻雜區(qū)222a及LDDN 的制作方法。請(qǐng)參考圖4、圖4A、圖4B、圖4B，或圖4C。然而，形成N型摻雜區(qū)222a 及LDDN的制造方法也可以有很多型態(tài)。例如使用兩道掩膜工藝來(lái)定義N型 摻雜區(qū)222a及LDDN，或是只用一道掩膜工藝搭配其他工藝方法(例如灰化 工藝)來(lái)完成N型摻雜區(qū)222a及LDDN的制作。抑或，任何可以形成N型 摻雜區(qū)222a及LDDN的工藝方法。亦即，本發(fā)明的N型金屬氧化物半導(dǎo)體 元件220的制造方法及形成步驟并不局限于上述說(shuō)明。在形成P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210及N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220 之后，便可依序完成半導(dǎo)體元件200的其他制作步驟。圖3A 圖3E、圖4、 圖4A、圖4B、圖4B'、 4C及圖5A 圖5E繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體 元件的制造流程剖面圖。其中P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210的制造流程可 參考圖3A 3E，而N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210的制造流程可參考與圖4、 圖4A、圖4B、圖4B'、 4C相關(guān)的說(shuō)明。然而，本發(fā)明的P型金屬氧化物半 導(dǎo)體元件210與N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220在制作上并無(wú)絕對(duì)的順序性。在完成P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210與N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220 后，半導(dǎo)體元件200的后續(xù)制作步驟請(qǐng)直接參照?qǐng)D5A。首先，于第一柵極216、 第二柵極226與柵絕緣層214上形成一層間介電層510。也就是說(shuō)，層間介電 層510形成于P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210與N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件 220的上方，其中P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件210具有P型輕摻雜漏極LDDP， 而N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220具有N型摻雜區(qū)LDDN(N型輕摻雜漏極)。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D5B，圖案化層間介電層510與柵絕緣層214，以于層間 介電層510與柵絕緣層214中形成多個(gè)對(duì)應(yīng)于N型摻雜區(qū)222a以及P型重?fù)?雜區(qū)212a的第一接觸窗開口 Wl。其中，在本實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)至第一接觸窗 開口 Wl的N型摻雜區(qū)222a例如是N型重?fù)诫s區(qū)。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D5C，于第一接觸窗開口 Wl中形成多個(gè)與N型摻雜區(qū)222a以及P型重?fù)诫s區(qū)212a電連接的接觸導(dǎo)體520。之后，請(qǐng)參照?qǐng)D5D，于層間介電層510與接觸導(dǎo)體520上選擇性形成一 圖案化平坦層530,且圖案化平坦層530中具有多個(gè)第二接觸窗開口 W2 (圖 5D僅繪示一個(gè)為例)。而后，如圖5E所示，于圖案化平坦層530上形成一導(dǎo)電層540，以使得 導(dǎo)電層540通過(guò)第二接觸窗開口 W2與部分接觸導(dǎo)體520電連接。換句話說(shuō)， 介電層510與部分多個(gè)接觸導(dǎo)體520上形成一導(dǎo)電層540，以使得導(dǎo)電層540 與部分接觸導(dǎo)體520電連接。上述至此，半導(dǎo)體元件200已大致制作完成。必需說(shuō)明的是，N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220具有N型摻雜區(qū)LDDN 的條件可不相同于本發(fā)明所述的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220具有P型摻 雜區(qū)LDDP的條件。然而，較佳地，N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件220具有N 型摻雜區(qū)LDDN的條件相同于于本發(fā)明所述的P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件 220具有P型摻雜區(qū)LDDP的條件。上述的半導(dǎo)體元件200結(jié)構(gòu)與其制造方法亦可應(yīng)用在顯示裝置及其制造 方法上，而半導(dǎo)體元件200可運(yùn)用于顯示裝置的像素區(qū)(未繪示)、周邊驅(qū) 動(dòng)電路區(qū)(未繪示)以及其他外部元件(未繪示)中其中至少一者。較佳地， 半導(dǎo)體元件200可運(yùn)用于顯示裝置的像素區(qū)(未繪示)，但不限于此。若， 運(yùn)用于顯示裝置的像素區(qū)(未繪示)，則導(dǎo)電層540可稱為像素電極。其中 顯示裝置的架構(gòu)如圖6A所示。圖6A繪示本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示裝置的示 意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6A，本實(shí)施例的顯示裝置602包括至少一顯示面板612，而 顯示面板612的成品至少包含一像素陣列基板622、 一相對(duì)于此像素陣列基板 622的另一基板632及一設(shè)置于像素陣列基板622與另一基板632之間的顯示 介質(zhì)642。其中像素陣列基板622具有上述的半導(dǎo)體元件200，且另一基板632 選擇性具有一透明電極632a。此外，當(dāng)顯示介質(zhì)642為液晶材料時(shí)，顯示裝 置602稱為液晶顯示面板(如穿透型顯示面板、半穿透型顯示面板、反射 型顯示面板、彩色濾光片于主動(dòng)層上(color filter on array)的顯示面板、主動(dòng)層于彩色濾光片上(array on color filter)的顯示面板、垂直配向型(VA)顯 示面板、水平切換型(IPS)顯示面板、多域垂直配向型(MVA)顯示面板、 扭曲向列型(TN)顯示面板、超扭曲向列型(STN)顯示面板、圖案垂直配 向型(PVA)顯示面板、超級(jí)圖案垂直配向型(S-PVA)顯示面板、先進(jìn)大視 角型(ASV)顯示面板、邊緣電場(chǎng)切換型(FFS)顯示面板、連續(xù)焰火狀排列 型(CPA)顯示面板、軸對(duì)稱排列微胞型(ASM)顯示面板、光學(xué)補(bǔ)償彎曲 排列型(OCB)顯示面板、超級(jí)水平切換型(S-IPS)顯示面板、先進(jìn)超級(jí)水 平切換型(AS-IPS)顯示面板、極端邊緣電場(chǎng)切換型(UFFS)顯示面板、高 分子穩(wěn)定配向型顯示面板、雙視角型(dual-view)顯示面板、三視角型 (triple-view) 顯示面板、三纟隹顯示面板(three-dimensional)或其它型面板、 或上述的組合)，亦稱為非自發(fā)光顯示面板。若顯示介質(zhì)642為電激發(fā)光材 料，顯示裝置602則稱為電激發(fā)光顯示面板(如磷光電激發(fā)光顯示面板、 熒光電激發(fā)光顯示面板、或上述的組合)，亦稱為自發(fā)光顯示面板，且其電 激發(fā)光材料可為有機(jī)材料、有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料、或上述的組合，再者，上 述材料的分子大小包含小分子、高分子、或上述的組合。若，顯示介質(zhì)642 同時(shí)包含液晶材料及電激發(fā)光材料，則顯示裝置602稱為混合式(hybrid)顯 示面板或半自發(fā)光顯示面板。然而，上述的半導(dǎo)體元件200的結(jié)構(gòu)及其制造方法還可運(yùn)用在光電裝置 的結(jié)構(gòu)及其制造方法上，其中光電裝置的架構(gòu)如圖6B所示。圖6B繪示本發(fā) 明的一實(shí)施例的光電裝置的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6B，本實(shí)施例的光電裝置600 包括一顯示裝置602以及與此顯示裝置602電連接的一電子元件604。本實(shí)施 例的電子元件604包括如控制元件、操作元件、處理元件、輸入元件、存 儲(chǔ)元件、驅(qū)動(dòng)元件、發(fā)光元件、保護(hù)元件、感測(cè)元件、檢測(cè)元件、或其它功 能元件、或前述的組合。而光電裝置600的類型包括可攜式產(chǎn)品(如手機(jī)、 攝影機(jī)、照相機(jī)、筆記型電腦、游戲機(jī)、手表、音樂(lè)播放器、電子信件收發(fā) 器、地圖導(dǎo)航器、數(shù)字相片、或類似的產(chǎn)品)、影音產(chǎn)品(如影音放映器或類似的產(chǎn)品)、熒幕、電視、看板、投影機(jī)內(nèi)的面板等。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法可制作出由P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件及N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件所構(gòu)成的半導(dǎo)體元件，其中P型金屬氧化物半 導(dǎo)體元件與N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件皆具有輕摻雜漏極。因此，P型金屬 氧化物半導(dǎo)體元件及N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的短溝道效應(yīng)都可同時(shí)獲得 改善。此外，本發(fā)明是以不需進(jìn)行掩膜對(duì)位便可以達(dá)到自我對(duì)準(zhǔn)的效果來(lái)獲得P 型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的輕摻雜漏極，如此可避免制作輕摻雜漏極時(shí)可能 發(fā)生的掩膜對(duì)位誤差的問(wèn)題。簡(jiǎn)言之，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件的制造方法不僅 具有較佳的工藝良品率，還可節(jié)省制作掩膜的成本。雖然本發(fā)明己以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域相關(guān)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn) 飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括于一基板上形成一P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件以及一N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件，其中所述P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件包括一第一島狀多晶硅、一覆蓋于所述第一島狀多晶硅上的柵絕緣層以及一位于所述柵絕緣層上的第一柵極，而所述第一柵極位于所述第一島狀多晶硅上方，所述P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的制造方法包括于所述柵絕緣層與所述第一柵極上形成一第一圖案化光刻膠層，且所述第一圖案化光刻膠層具有多個(gè)第一開口；以所述第一圖案化光刻膠層為光掩膜，對(duì)所述第一島狀多晶硅進(jìn)行P型離子注入，以于所述多個(gè)第一開口下方的部分所述第一島狀多晶硅中形成多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)；移除部分的所述第一圖案化光刻膠層，以形成一具有多個(gè)第二開口的第二圖案化光刻膠層，且各所述第二開口的尺寸實(shí)質(zhì)上大于各所述第一開口的尺寸；以及以所述第一柵極與所述第二圖案化光刻膠層為光掩膜，對(duì)所述第一島狀多晶硅進(jìn)行P型離子注入，以于所述多個(gè)第二開口下方的另一部分所述第一島狀多晶硅中形成多個(gè)P型輕摻雜區(qū)，而位于所述第一柵極下方的所述第一島狀多晶硅則當(dāng)作一溝道區(qū)，以使得所述溝道區(qū)位于所述多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)與所述多個(gè)P型輕摻雜區(qū)之間，其中所述溝道區(qū)的距離實(shí)質(zhì)上小于3微米，且所述多個(gè)P型輕摻雜區(qū)至少其中一者的距離實(shí)質(zhì)上為所述溝道區(qū)的10％至80％。
2、如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述第一 島狀多晶硅的形成方法包括于所述基板上形成一非晶硅層；對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行一熱退火工藝，以將所述非晶硅層轉(zhuǎn)換為一多晶硅層；以及圖案化所述多晶硅層，以形成所述第一島狀多晶硅。
3、 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述熱退 火工藝包括一激光熱退火工藝。
4、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，移除部分 的所述第一 圖案化光刻膠層的方法包括灰化。
5、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，還包括移 除所述第二圖案化光刻膠層。
6、 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述N型 金屬氧化物半導(dǎo)體元件包括一第二島狀多晶硅以及一位于所述柵絕緣層上的 第二柵極，其中所述第二柵極位于所述第二島狀多晶硅上方，而所述N型金 屬氧化物半導(dǎo)體元件的制造方法包括對(duì)部分所述第二島狀多晶硅進(jìn)行N型離 子注入，以形成多個(gè)N型摻雜區(qū)。
7、 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述多個(gè) N型摻雜區(qū)包括多個(gè)N型輕摻雜區(qū)以及多個(gè)N型重?fù)诫s區(qū)。
8、 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，還包括 于所述第一柵極、所述第二柵極與所述柵絕緣層上形成一層間介電層； 圖案化所述層間介電層與所述柵絕緣層，以于所述層間介電層與所述柵絕緣層中形成多個(gè)對(duì)應(yīng)于所述N型摻雜區(qū)以及所述多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)的第一 接觸窗開口；以及于所述多個(gè)第一接觸窗開口中形成多個(gè)與所述多個(gè)N型摻雜區(qū)以及所述 多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)電連接的接觸導(dǎo)體。
9、 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，還包括 于所述層間介電層與所述多個(gè)接觸導(dǎo)體上形成一圖案化平坦層，且所述圖案化平坦層中具有多個(gè)第二接觸窗開口；以及于所述圖案化平坦層上形成一導(dǎo)電層，以使得所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第二 接觸窗開口與部分所述多個(gè)接觸導(dǎo)體電連接。
10、 如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，還包括: 于所述層間介電層與部分多個(gè)接觸導(dǎo)體上形成一導(dǎo)電層，以使得所述導(dǎo)電層與部分所述多個(gè)接觸導(dǎo)體電連接。
11、 一種顯示裝置的制造方法，其特征在于，包含如權(quán)利要求1所述的 制造方法。
12、 一種光電裝置的制造方法，其特征在于，包含如權(quán)利要求1所述的制造方法。
13、 一種半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括 一基板；至少一 P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件，配置于所述基板上，且所述P型金 屬氧化物半導(dǎo)體元件包括一第一島狀多晶硅、 一覆蓋于所述第一島狀多晶硅 上的柵絕緣層以及一位于所述柵絕緣層上的第一柵極，且所述第一柵極位于 所述第一島狀多晶硅上方，而所述第一島狀多晶硅中具有多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)、 多個(gè)P型輕雜區(qū)以及一位于所述多個(gè)P型輕雜區(qū)的溝道區(qū)，其中，所述溝道 區(qū)的距離實(shí)質(zhì)上小于3微米，且所述多個(gè)P型輕摻雜區(qū)至少其中一者的距離 實(shí)質(zhì)上為所述溝道區(qū)的10%至80%;以及至少一N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件，配置于所述基板上，且所述N型金 屬氧化物半導(dǎo)體元件包括一第二島狀多晶硅、所述覆蓋于所述第二島狀多晶 硅上的柵絕緣層以及一位于所述柵絕緣層上的第二柵極，且所述第二柵極位 于所述第二島狀多晶硅上方，而所述第二島狀多晶硅中具有多個(gè)N型重?fù)诫s 區(qū)、多個(gè)N型輕雜區(qū)以及一位于所述多個(gè)N型輕雜區(qū)的溝道區(qū)。
14、 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包括 于所述第一柵極、所述第二柵極與所述柵絕緣層上形成一層間介電層，且所述層間介電層與所述柵絕緣層中具有多個(gè)對(duì)應(yīng)于所述N型摻雜區(qū)以及所述多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)的第一接觸窗開口；以及于所述多個(gè)第一接觸窗開口中形成多個(gè)與所述多個(gè)N型摻雜區(qū)以及所述 多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)電連接的接觸導(dǎo)體。
15、 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包括于所述層間介電層與所述多個(gè)接觸導(dǎo)體上形成一圖案化平坦層，且所述圖案化平坦層中具有多個(gè)第二接觸窗開口；以及于所述圖案化平坦層上形成一導(dǎo)電層，以使得所述導(dǎo)電層通過(guò)所述第二 接觸窗開口與部分所述多個(gè)接觸導(dǎo)體電連接。
16、 如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于，還包括 于所述層間介電層與部分多個(gè)接觸導(dǎo)體上形成一導(dǎo)電層，以使得所述導(dǎo)電層與部分所述多個(gè)接觸導(dǎo)體電連接。
17、 一種顯示裝置，其特征在于，包含如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體元件。
18、 一種光電裝置，其特征在于，包含如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體元件。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件、顯示裝置、光電裝置及上述的制造方法，其中，制造方法包括于基板上形成一P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件及一N型金屬氧化物半導(dǎo)體元件。其中，P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件包括第一島狀多晶硅、一覆蓋于第一島狀多晶硅上的柵絕緣層以及一位于柵絕緣層上的第一柵極。此外，P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的制造方法包括對(duì)第一島狀多晶硅進(jìn)行P型離子注入，以形成多個(gè)P型重?fù)诫s區(qū)及多個(gè)P型輕摻雜區(qū)，其中溝道區(qū)的距離實(shí)質(zhì)上小于3微米，且P型輕摻雜區(qū)至少其中一者的距離實(shí)質(zhì)上為溝道區(qū)的距離的10％至80％。P型輕摻雜區(qū)改善P型金屬氧化物半導(dǎo)體元件的短溝道效應(yīng)。
文檔編號(hào)H01L29/66GK101330047SQ200810144230
公開日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2008年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月25日
發(fā)明者林昆志, 胡晉瑋 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司