專(zhuān)利名稱(chēng)：覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)以及覆晶薄膜封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)以及覆晶薄膜封裝方法，并 且特別地，本發(fā)明涉及一種可增加耐折度的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)以及 完成該覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的覆晶薄膜封裝方法。
背景技術(shù)：
由于現(xiàn)在電子產(chǎn)品不斷朝小型化、高速化以及高腳數(shù)等特性發(fā)
展，IC的封裝技術(shù)也朝此方向不斷演進(jìn)，液晶顯示器(Liquid Crystal Display, LCD)上的驅(qū)動(dòng)IC也不例外。其中，覆晶薄膜封裝工藝可以 提供上述功能并且可用于軟性電路板，適合使用于液晶顯示器的驅(qū) 動(dòng)IC封裝。
覆晶封裝技術(shù)泛指將芯片翻轉(zhuǎn)后，以面朝下的方式透過(guò)金屬導(dǎo) 體與基板進(jìn)行接合。當(dāng)應(yīng)用于軟性基板時(shí)，其芯片可固定于薄膜上， 僅靠金屬導(dǎo)體與軟性基板電性連接，因此稱(chēng)為覆晶薄膜封裝(Chip On Film, COF)。
請(qǐng)參閱圖1,圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)1的側(cè) 視圖。如圖1所示，覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)1的基板10上設(shè)置導(dǎo)線層 12,并且導(dǎo)線層12上進(jìn)一步設(shè)置絕緣層14。芯片16通過(guò)金屬凸塊 18與導(dǎo)線層12電性連接。芯片16以及金屬凸塊18的周?chē)畛浣^纟彖才才沖牛19,用以固定芯片16以及金屬凸塊18,并且乂t固定芯片16 以及金屬凸塊18進(jìn)一步絕纟彖。
以覆晶薄膜封裝的驅(qū)動(dòng)IC趨向高接腳數(shù)以及更精細(xì)的導(dǎo)線寬 度。然而，在導(dǎo)線寬度越來(lái)越窄的狀況下，軟性基板彎曲時(shí)，導(dǎo)線 有可能受損或斷裂，而降低甚至失去傳輸功能。換言之，覆晶薄膜 封裝結(jié)構(gòu)的耐折度將隨接腳數(shù)以及導(dǎo)線線寬發(fā)展而降低。上述情況 將對(duì)驅(qū)動(dòng)IC的良率以及可靠度造成嚴(yán)重影響。另一方面，由于單 ^立面積內(nèi)的^姿扭卩#t以及導(dǎo)線凄t目才是高，產(chǎn)生的熱量將更不容易逸 散，因此，散熱問(wèn)題也成為覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的研究重點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，可 增加其結(jié)構(gòu)的耐折度，以解決上述問(wèn)題。
根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施例，本發(fā)明的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)包括軟性基 板、導(dǎo)線層、絕緣層以及彈性層。導(dǎo)線層形成于軟性基板的表面上， 并且其包括多條導(dǎo)線。絕緣層形成于導(dǎo)線層上，彈性層則進(jìn)一步形 成于絕緣層上，并且進(jìn)一步對(duì)應(yīng)至少一條導(dǎo)線的位置。
在本具體實(shí)施例中，當(dāng)軟性基板受到外力而彎曲時(shí)，彈性層可 緩沖導(dǎo)線因彎曲而產(chǎn)生的形變，使導(dǎo)線不致因過(guò)度形變而斷裂，因 此，本具體實(shí)施例的彈性層可增加覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的耐折度。
根據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包含設(shè)置于該表 面上并電性連"l妄該導(dǎo)線層的芯片。
根據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，在一種實(shí)施方式中，該 彈性層延伸覆蓋該芯片。根據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，在一種實(shí)施方式中，該 芯片通過(guò)導(dǎo)電凸塊電性連接該導(dǎo)線層。
根據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，在一種實(shí)施方式中，該 芯片是液晶顯示器驅(qū)動(dòng)芯片。
根據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，在一種實(shí)施方式中，該 彈性層通過(guò)網(wǎng)板印刷方式形成于該絕緣層上。
根據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，在一種實(shí)施方式中，該 彈性層由高傳導(dǎo)性材料制成。
根據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，在一種實(shí)施方式中，該 絕緣層上具有至少一個(gè)孔洞，并且該高傳導(dǎo)性材料填充于該至少一
個(gè)孑L洞中以4妻近或4妄觸該導(dǎo)線層。
根據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，在一種實(shí)施方式中，該 高傳導(dǎo)性材料是銀膠(silver epoxy)。
才艮據(jù)本發(fā)明所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，在一種實(shí)施方式中，該 彈性層接地。
根據(jù)另一具體實(shí)施例，彈性層可為高傳導(dǎo)性(高導(dǎo)熱性或高導(dǎo)電 性)材料。在本具體實(shí)施例中，彈性層可以形成于覆晶薄膜結(jié)構(gòu)上熱 量較不易逸散的區(qū)域，例如芯片或是接腳及導(dǎo)線密集的區(qū)域。借助 于彈性體的高導(dǎo)熱性，可幫助覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行散熱。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種覆晶薄膜封裝方法，可增加覆 晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的耐折度，以解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題。根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施例，本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法包含下列步
驟首先，制備軟性基板；接著，在軟性基板的表面上形成導(dǎo)線層， 其中導(dǎo)線層包含多條導(dǎo)線；之后，在導(dǎo)線層上形成絕緣層；最后， 在絕緣層上形成對(duì)應(yīng)至少 一條導(dǎo)線的彈性層。
根據(jù)本具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝方法所完成的覆晶薄膜封 裝結(jié)構(gòu)，當(dāng)軟性基板受到外力而彎曲時(shí)，彈性層可緩沖導(dǎo)線因彎曲 而產(chǎn)生的形變， -使導(dǎo)線不致因過(guò)度形變而斷裂，因此，本具體實(shí)施 例所形成的彈性層可增加覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的耐折度。
根據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，進(jìn)一步包含以覆晶薄膜工藝
根據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，在一種實(shí)施方式中，該彈性 層延伸覆蓋該芯片。
根據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，在一種實(shí)施方式中，該芯片 通過(guò)導(dǎo)電凸塊電性連接該導(dǎo)線層。
根據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，在一種實(shí)施方式中，該芯片 是液晶顯示器驅(qū)動(dòng)芯片。
根據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，在一種實(shí)施方式中，該彈性 層通過(guò)網(wǎng)板印刷方式形成于該絕緣層上。
根據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，在一種實(shí)施方式中，該彈性 層由高傳導(dǎo)性材料制成。
根據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，進(jìn)一步包含下列步驟在該 絕緣層上形成至少一個(gè)孔洞；以及將該高傳導(dǎo)性材料填充于該至少 一個(gè)；L洞中以4妻近或4妾觸該導(dǎo)線層。才艮據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，在一種實(shí)施方式中，該高傳 導(dǎo)性材料是銀膠。
根據(jù)本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法，在一種實(shí)施方式中，該彈性 層接地。
才艮據(jù)另一具體實(shí)施例，上述的覆晶薄膜封裝方法所形成的彈性 層可為高傳導(dǎo)性(高導(dǎo)熱性或高導(dǎo)電性)材料。在本具體實(shí)施例中， 彈性層可以設(shè)置于覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)上熱量較不易逸散的區(qū)域，例 如，芯片或是接腳及導(dǎo)線密集的區(qū)域。借助于彈性體的高導(dǎo)熱性， 可幫助覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行散熱。
關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過(guò)以下的發(fā)明詳述及附圖得 到進(jìn)一步的了解。


圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu) 的示意圖。
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明另 一具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的 示意圖。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu) 的示意圖。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝方法 的步驟流程圖。圖6示出了4艮據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝方法 的步-驟流考呈圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖2，圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的覆晶 薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的示意圖。如圖2所示，覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2用以 將芯片3封裝于軟性基板20上，并且，覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2包含 軟性基板20、導(dǎo)線層22、絕緣層24以及彈性層26。
在本具體實(shí)施例中，導(dǎo)線層22可設(shè)置于軟性基板20的表面200 上，其包含多條導(dǎo)線。請(qǐng)注意，導(dǎo)線層22在實(shí)際應(yīng)用中可為多條 導(dǎo)線組成，并不限于其層狀結(jié)構(gòu)，在本具體實(shí)施例中的導(dǎo)線層22 之所以應(yīng)用"層"這個(gè)字，是為了方便解釋圖標(biāo)，而非限制導(dǎo)線層 22為層狀結(jié)構(gòu)。此外，絕緣層24形成于導(dǎo)線層22之上，用以保護(hù) 整體電路架構(gòu)并對(duì)其絕緣。
在本具體實(shí)施例中，彈性層26形成于絕緣層24之上，并且其 在絕緣層24上的位置對(duì)應(yīng)導(dǎo)線層22中的至少一條導(dǎo)線。在實(shí)際應(yīng) 用中，彈性層26的形成位置可對(duì)應(yīng)導(dǎo)線中4交容易因彎曲形變而斷 裂的部位。因此，當(dāng)專(zhuān)欠性基4反20受到外力作用而彎曲時(shí)，彈性層 26可緩沖對(duì)應(yīng)導(dǎo)線的彎曲形變，由此，彈性層26可增加覆晶薄膜 封裝結(jié)構(gòu)2的耐折度，使對(duì)應(yīng)導(dǎo)線不至于因過(guò)度的彎曲形變而斷裂。 此外，彈性層26可通過(guò)網(wǎng)板印刷或是其他適合工藝形成于絕緣層 24之上。
在本具體實(shí)施例中，芯片3的功能面朝向軟性基^反20，并且， 芯片3的功能面通過(guò)導(dǎo)電凸塊30與導(dǎo)線層22電性連接，進(jìn)而佳j欠 性基板20可通過(guò)導(dǎo)電凸塊30和導(dǎo)線層22與芯片3溝通。此外， 在實(shí)際應(yīng)用中，芯片3與導(dǎo)電凸塊30周?chē)蒳真充絕^彖材^l"28，以固定芯片3與導(dǎo)電凸塊30，并進(jìn)一步提供絕緣功能。在實(shí)際應(yīng)用中， 芯片3可為液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)芯片，用以驅(qū)動(dòng)液晶顯示器面^^的液 晶分子旋轉(zhuǎn)的角度。
請(qǐng)參閱圖3，圖3示出了^4居本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的覆晶 薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的示意圖。如圖3所示，本具體實(shí)施例與上一具體 實(shí)施例不同處在于，本具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的彈性層 26可延伸覆蓋整個(gè)覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2。由此，當(dāng)軟性基板20受 到外力作用而彎曲時(shí)，彈性層26可緩沖覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的各 部分的彎曲形變，使覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的各部分不至于因彎曲形 變而斷裂，由此，彈性層26可增加覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的耐折度。
請(qǐng)參閱圖4，圖4出了^4居本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的覆晶薄 膜封裝結(jié)構(gòu)2的示意圖。如圖4所示，本具體實(shí)施例與上述具體實(shí) 施例不同處在于，本具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的絕緣層24 可具有孔洞240。在實(shí)際應(yīng)用中，孔洞240的數(shù)量根據(jù)使用者或是 i殳計(jì)者需求而定，并不限于本說(shuō)明書(shū)所列舉的具體實(shí)施例。此外， 在實(shí)際應(yīng)用中，孔洞240可選擇性地貫穿絕纟彖層24。
在本具體實(shí)施例中，當(dāng)彈性層26形成于絕緣層24以及孔洞240 上時(shí)，彈性層26可被填充進(jìn)入孔洞240。此外，彈性層26在本具 體實(shí)施例中是高傳導(dǎo)性(高導(dǎo)熱性或高導(dǎo)電性)材料。當(dāng)彈性層26被 填充入孔洞240而4妾近或接觸導(dǎo)線層22時(shí)，由于其高導(dǎo)熱性從而 可幫助導(dǎo)線層22散熱。更進(jìn)一步地，在另一具體實(shí)施例中，彈性 層26也可覆蓋芯片3以及覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的其余部分，以增 加覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)2的散熱效率。
在實(shí)際應(yīng)用中，彈性層26也可具有高導(dǎo)電性，當(dāng)彈性層264妄 觸導(dǎo)線層22并且彈性層26本身接地時(shí)，可進(jìn)一步增強(qiáng)覆晶薄膜封 裝結(jié)構(gòu)2的電性屏蔽。上述具有高傳導(dǎo)性(高導(dǎo)熱性或高導(dǎo)電性)的彈性層26，在實(shí)際 應(yīng)用中可使用軟性金屬以同時(shí)達(dá)到其高傳導(dǎo)性以及緩沖導(dǎo)線層22 的彎曲形變的功能。舉例而言，彈性層26可利用4艮膠(silverepoxy)
或是金來(lái)制成。
綜上所述，本發(fā)明的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)可形成彈性層于絕緣層 上的導(dǎo)線易斷裂的位置，當(dāng)覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的軟性基板受力而彎 曲時(shí)，彈性層可緩沖導(dǎo)線的彎曲形變以避免導(dǎo)線因過(guò)度形變而斷 裂，進(jìn)而增加覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的耐折度。此外，彈性層若具有高 傳導(dǎo)性，也可更進(jìn)一步增強(qiáng)覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的散熱效果以及電性 屏蔽-文應(yīng)。
i青參閱圖5，圖5示出了才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的覆晶 薄膜封裝方法的步驟流程圖。本具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝方法可 完成耐折度較高的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)。
如圖5所示，本具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝方法包含下列步驟 在步驟S40中，制備軟性基板；在步驟S42中，在軟性基板的表面 上形成導(dǎo)線層，其中，導(dǎo)線層包含多條導(dǎo)線；在步驟S44中，在導(dǎo) 線層上形成絕緣層；以及，在步驟S46中，在絕緣層上對(duì)應(yīng)至少一 條導(dǎo)線的位置形成彈性層，以完成覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)。
在實(shí)際應(yīng)用中，本具體實(shí)施例所形成的導(dǎo)線層可由多條導(dǎo)線組 成，并不受限于層狀結(jié)構(gòu)。絕緣層可^f呆護(hù)整體電路架構(gòu)并進(jìn)一步對(duì) 其絕纟彖。此外，彈性層可通過(guò)網(wǎng)^1印刷或是其4也適合的工藝形成于 絕緣層上。另一方面，在另一具體實(shí)施例中，覆晶薄膜封裝方法可 進(jìn)一
線層的步驟<
進(jìn)一步包含以導(dǎo)電凸塊電性連4妄芯片以及導(dǎo)線層的步-驟，以及在芯 片與導(dǎo)電凸塊周?chē)畛浣^緣材料的步驟。此外，在實(shí)際應(yīng)用中芯片可為液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)芯片，用以驅(qū)動(dòng)液晶顯示器面玲反的液晶分子 旋轉(zhuǎn)的角度。
在本具體實(shí)施例中，在絕纟彖層上形成彈性層的位置可對(duì)應(yīng)導(dǎo)線 層中較易受彎曲應(yīng)力的位置。當(dāng)本具體實(shí)施例所完成的覆晶薄膜封 裝結(jié)構(gòu)的軟性基板受力而彎曲時(shí)，彈性體可緩沖導(dǎo)線層的對(duì)應(yīng)位置 的彎曲形變， -使導(dǎo)線層不至于因過(guò)度的彎曲形變而斷裂，進(jìn)而增加 覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的耐折度。
請(qǐng)參閱圖6，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的覆晶 薄膜封裝方法的步驟流程圖。如圖6所示，本具體實(shí)施例與上一具 體實(shí)施例不同處在于，本具體實(shí)施例的覆晶薄膜封裝方法進(jìn)一步包 含下列步驟在步驟S440中，在絕緣層上形成至少一個(gè)孔洞，其 中，孔洞可選擇性地貫穿絕緣層；以及，在步驟S460中，將彈性 層填充至孔洞中以接近或4妻觸導(dǎo)線層。
在實(shí)際應(yīng)用中，步驟S440與步驟S44可在同一工藝(或步驟) 中完成，也就是，絕緣層以及絕緣層的孔洞同時(shí)形成于導(dǎo)線層上。 另一方面，步驟S460與步驟S46也可在同一工藝(或步驟)中完 成，也就是，在絕緣層上以及孔洞中同時(shí)形成彈性體。上述具體實(shí) 施例的各步驟順序可4艮據(jù)使用者或i殳計(jì)者需求而定，并不限于本說(shuō) 明書(shū)所列舉的具體實(shí)施例。
在本具體實(shí)施例中，彈性層可為高導(dǎo)熱性材料，因此，當(dāng)彈性 層被填充進(jìn)入孔洞中以接近或接觸導(dǎo)線層時(shí)，其高導(dǎo)熱特性可幫助 導(dǎo)線層散熱。更進(jìn)一步地，若彈性層同時(shí)形成于芯片以及覆晶薄膜 封裝結(jié)構(gòu)的其余部分，也可進(jìn)一步增加覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)整體的散 熱效率。在另一具體實(shí)施例中，彈性層也可為高導(dǎo)電性材料。當(dāng)彈性層 -故填充進(jìn)入孔洞中以接觸導(dǎo)線層并且彈性層本身接地時(shí)，覆晶薄膜 封裝結(jié)構(gòu)的電性屏蔽也可進(jìn)一步被加強(qiáng)。
在實(shí)際應(yīng)用中，上述具有高傳導(dǎo)性(高導(dǎo)電性或高導(dǎo)熱性)的彈 性層可使用軟性金屬制成，以同時(shí)達(dá)到其高傳導(dǎo)性以及緩沖導(dǎo)線層 形變的功能。舉例而言，彈性層可利用4艮"交或是金來(lái)制成。
綜上所述，本發(fā)明的覆晶薄膜封裝方法可在絕緣層上對(duì)應(yīng)易斷 裂的導(dǎo)線的位置形成彈性層，以完成覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)。當(dāng)軟性基 板受力而彎曲時(shí)，彈性層可緩沖導(dǎo)線的彎曲形變以避免導(dǎo)線因過(guò)度 形變而斷裂，進(jìn)而增加覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的耐折度。此外，彈性層 若具有高傳導(dǎo)性，也可更進(jìn)一步增強(qiáng)覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的散熱效果
以及電性屏蔽歲丈應(yīng)。
相比于現(xiàn)有4支術(shù)，本發(fā)明的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)以及覆晶薄膜封 裝方法可以通過(guò)彈性層緩沖導(dǎo)線受力產(chǎn)生的形變，進(jìn)而增加覆晶薄 膜封裝結(jié)構(gòu)整體的耐折度，使其不因彎曲而造成導(dǎo)線斷裂甚至影響 其良率。此外，若彈性層具有高傳導(dǎo)性，可更進(jìn)一步增強(qiáng)覆晶薄膜 封裝結(jié)構(gòu)的散熱效率以及電性屏蔽效應(yīng)。
通過(guò)以上優(yōu)選具體實(shí)施例的詳述，希望能更加清楚描述本發(fā)明 的特征與精神，而并非以上述所披露的優(yōu)選具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明
的范圍加以限制。相反地，其目的是希望能將各種改變及等同替代 涵蓋于本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明的權(quán)利要求的范 圍應(yīng)該根據(jù)上述的說(shuō)明作最寬廣的解釋?zhuān)灾率蛊浜w所有可能的 改變以及等同替代。主要組件符號(hào)說(shuō)明
1:覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)
12:導(dǎo)線層
16:芯片
19:絕纟彖材剩-
20:軟性基板
24:絕鄉(xiāng)彖層
28:絕緣材料
240:孑U同
30:導(dǎo)電凸塊
S440、 S460:流程步驟。
10:基板
14:絕纟彖層
18:金屬凸塊
2:覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)
22:導(dǎo)線層
26:彈性層
200:表面
3:芯片
S40 S46:流程步驟
權(quán)利要求
1.一種覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，包含軟性基板，具有一表面；導(dǎo)線層，形成于所述表面上，并且所述導(dǎo)線層包含多條導(dǎo)線；絕緣層，形成于所述導(dǎo)線層上；以及彈性層，形成于所述絕緣層上并且對(duì)應(yīng)這些導(dǎo)線中的至少一條導(dǎo)線；其中，當(dāng)所述軟性基板受到外力而彎曲時(shí)，所述彈性層能緩沖所述對(duì)應(yīng)導(dǎo)線的形變。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包含芯片，設(shè)置于所述表面上并電性連接所述導(dǎo)線層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述彈性層 延伸覆蓋所述芯片。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述芯片通 過(guò)導(dǎo)電凸塊電性連接所述導(dǎo)線層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述芯片是 液晶顯示器驅(qū)動(dòng)芯片。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述彈性層 通過(guò)網(wǎng)板印刷方式形成于所述絕緣層上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述彈性層由高傳導(dǎo)性材料制成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述絕緣層 上具有至少一個(gè)孔洞，并且所述高傳導(dǎo)性材料填充于所述至少 一個(gè)孔洞中以4妄近或4妾觸所述導(dǎo)線層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其中，所述高傳導(dǎo) 性材料是銀膠。
10. —種覆晶薄膜封裝方法，包含下列步驟制備軟性基板，其具有一表面； 在所述表面上形成導(dǎo)線層，其包含多條導(dǎo)線； 在所述導(dǎo)線層上形成絕纟彖層；以及在所述絕緣層上形成彈性層，并且所述彈性層對(duì)應(yīng)這些 導(dǎo)線中的至少一條導(dǎo)線，以完成覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)；其中，當(dāng)所述軟性基板受到外力而彎曲時(shí)，所述彈性層 能緩沖所述對(duì)應(yīng)導(dǎo)線的形變。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)，其中該覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)包含軟性基板、導(dǎo)線層、絕緣層以及彈性層。其中，該軟性基板具有一表面；該導(dǎo)線層形成于該表面上并且包含多條導(dǎo)線；該絕緣層形成于該導(dǎo)線層上；該彈性層形成于該絕緣層上，并且其對(duì)應(yīng)這些導(dǎo)線中的至少一條導(dǎo)線。當(dāng)該軟性基板受外力而彎曲時(shí)，該彈性層能緩沖該對(duì)應(yīng)導(dǎo)線的形變。由此，可避免該對(duì)應(yīng)導(dǎo)線因過(guò)度形變而斷裂。本發(fā)明還提供了一種覆晶薄膜封裝方法，可增加覆晶薄膜封裝結(jié)構(gòu)的耐折度，以解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101626010SQ20081013305
公開(kāi)日2010年1月13日 申請(qǐng)日期2008年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月8日
發(fā)明者周忠誠(chéng), 徐嘉宏, 威 王, 陳進(jìn)勇 申請(qǐng)人:瑞鼎科技股份有限公司