專(zhuān)利名稱(chēng)：發(fā)光二極管封裝陣列、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝陣列、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，且特別 有關(guān)于一種能夠在膠座的表面上形成光吸收片的發(fā)光二極管封裝陣列、封裝 結(jié)構(gòu)及封裝方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有耗電量低、元 件壽命長(zhǎng)、無(wú)須暖燈時(shí)間及反應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，加上其體積小、耐震動(dòng)、適 合量產(chǎn)，容易配合應(yīng)用需求而制成極小或陣列式的組件，因此發(fā)光二極管已 普遍使用于信息、通訊及消費(fèi)性電子產(chǎn)品的指示燈與顯示裝置上，如行動(dòng)電 話及個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant, PDA)屏幕背光源、各種戶外顯示 器、交通號(hào)志燈及車(chē)燈等。以戶外顯示器來(lái)說(shuō)，由于其環(huán)境光源種類(lèi)繁多，這些環(huán)境光往往會(huì)對(duì)顯 示器內(nèi)部的發(fā)光二極管所發(fā)出的光線造成影響，并降低其可識(shí)度。為使發(fā)光 二極管所發(fā)出的光線較為清晰可見(jiàn)， 一般用來(lái)作為戶外顯示器的發(fā)光光源的 發(fā)光二極管，其在封裝結(jié)構(gòu)上具有別于一般常見(jiàn)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的設(shè) 計(jì)，以增加顏色對(duì)比，使發(fā)光二極管的亮度及顏色更加鮮明。為達(dá)上述效果，目前坊間有以下兩種做法1. 在形成膠座的塑料中摻入黑色顏料，以形成黑色的膠座；但此種黑色 膠座會(huì)影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光效率。2. 以人工刷墨的方式在膠座表面上涂布一層黑色顏料，以作為涂布層； 然而，這種以人工在膠座表面上進(jìn)行刷墨以形成涂布層的方式，不但不符合 現(xiàn)今工業(yè)的自動(dòng)化生產(chǎn)趨勢(shì)，更容易因人為因素而導(dǎo)致涂布層涂布不均而使 產(chǎn)品良率下降。發(fā)明內(nèi)容有鑒于現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在不影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光效率的前提 下，提高表面具吸光功效的膠座的制程效率，本發(fā)明遂提供一種發(fā)光二極管 封裝陣列、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，其將借由自動(dòng)化量產(chǎn)的光吸收片接合于膠 座表面，以于不影響發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的出光效率的前提下，提高發(fā)光二 極管封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)能及良率。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝陣列，其包括多個(gè)膠座、多個(gè)引腳單元、 框架、多個(gè)光吸收片、多個(gè)發(fā)光二極管芯片以及多個(gè)封裝膠體。其中，該些 膠座以陣列方式排列，且各膠座分別具有第一表面以及凹陷部。該些引腳單 元系以陣列方式連接于一金屬板，且各引腳單元包括至少一對(duì)引腳，其中各 引腳單元是部分地埋置于膠座內(nèi)，而各引腳的一端暴露于其所對(duì)應(yīng)的膠座的 凹陷部?jī)?nèi)。該框架組接于該金屬板上，且各光吸收片是以陣列方式連接至該 框架，并接合于對(duì)應(yīng)的該膠座的第一表面而暴露出該凹陷部。該些發(fā)光二極 管芯片是分別配置于該些膠座的該凹陷部?jī)?nèi)而與該些引腳電性連接，其中各 該膠座的該凹陷部?jī)?nèi)配置有該些發(fā)光二極管芯片至少其中之一。該些封裝膠 體則是分別配置于膠座上而覆蓋住膠座的凹陷部。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括膠座、至少一對(duì)引腳單元、 光吸收片、至少一發(fā)光二極管芯片以及封裝膠體。其中，膠座具有第一表面 以及凹陷部，各引腳是部分地埋置于膠座內(nèi)，并暴露出一端于膠座的凹陷部 內(nèi)，光吸收片則是接合于對(duì)應(yīng)的該膠座的第一表面而暴露出該凹陷部。發(fā)光 二極管芯片是配置于膠座的凹陷部?jī)?nèi)而與該些引腳電性連接，封裝膠體則是 配置于膠座上而覆蓋住凹陷部。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝方法，其先形成多個(gè)引腳單元及以陣列 方式排列的多個(gè)膠座，其中該些引腳單元以陣列方式連接于一金屬板，且各 膠座分別具有第一表面以及凹陷部，而各引腳單元具有至少一對(duì)引腳，各引 腳單元的該些引腳的一端位于該凹陷部?jī)?nèi)。之后，提供連接有多個(gè)以陣列方 式排列的光吸收片的框架。然后，將該框架組接于該金屬板上，以使各光吸 收片接合于對(duì)應(yīng)的該膠座的第一表面而暴露出該凹陷部。接續(xù)，將至少一發(fā) 光二極管芯片放置于各膠座的凹陷部?jī)?nèi)，并令各發(fā)光二極管芯片與該些引腳 電性連接。之后，在各膠座上形成一封裝膠體，以覆蓋住該凹陷部。本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝方法，其先形成至少一對(duì)^ 1腳與 一膠座，其中該膠座具有一第一表面以及一凹陷部，且該些引腳的一端位于該凹陷部 內(nèi)。之后，將光吸收片接合于膠座的第一表面而暴露出該凹陷部。然后，將 至少 一發(fā)光二極管芯片放置于膠座的凹陷部?jī)?nèi)，并令發(fā)光二極管芯片與該些 引腳電性連接，再于膠座上形成一封裝膠體，以覆蓋住該凹陷部。本發(fā)明是以自動(dòng)化量產(chǎn)的方式生產(chǎn)光吸收片，并將此光吸收片接合于膠 座表面，以吸收射至膠座表面的光線。透過(guò)此技術(shù)手段，本發(fā)明可以有效地 提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)能及良率。


圖1為本發(fā)明的膠座與引腳單元在第一實(shí)施例中的俯視示意圖。圖2為本發(fā)明的光吸收片及其所連接的框架在第一實(shí)施例中的仰視示意圖。圖3為本發(fā)明的框架與金屬板在第一實(shí)施例中的組合示意圖。 圖4A為本發(fā)明的膠座在第二實(shí)施例中的俯視示意圖。 圖4B為本發(fā)明的膠座在第二實(shí)施例中的仰視示意圖。 圖5為本發(fā)明的光吸收片在第二實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖6A為本發(fā)明的膠座與光吸收片結(jié)合后在第二實(shí)施例中的俯視示意圖。 圖6B為本發(fā)明的膠座與光吸收片結(jié)合后在第二實(shí)施例中的仰視示意圖。 圖7A至圖7C為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在第一實(shí)施例中的部分封 裝流程中的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明100 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)101 金屬板 103 定位孔110 膠座111 第一表面112 凹陷部113 第二表面114 接合槽115 側(cè)表面120引腳單元122a引腳122b引腳130光吸收片132接合面134超音波熔接槽136卡勾部140框架142定位凸點(diǎn)144本體145連接翼的第一端146連接翼147連接翼的第二端150發(fā)光二極管芯片160封裝膠體具體實(shí)施方式
說(shuō)明書(shū)第4/8頁(yè)以下將配合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明 如何應(yīng)用技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題并達(dá)成技術(shù)功效的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并 據(jù)以實(shí)施。圖1繪示為本發(fā)明的膠座與引腳單元在第一實(shí)施例中的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝方法的步驟包括先形成多個(gè)膠座110與 多個(gè)引腳單元120。在本實(shí)施例中，其例如是先經(jīng)由沖壓(stamping)及電鍍 (electroplating)制程而在一金屬板101上形成以陣列方式排列的多個(gè)引腳單元 120，且每一引腳單元120均包括至少一對(duì)引腳122a及引腳122b。然后，以埋入射出(insert molding)的方式形成以陣列方式排列的多個(gè)膠座 110，以使各個(gè)引腳單元120的引腳122a及引腳122b均部分地埋于其所對(duì)應(yīng) 的膠座110內(nèi)。而且，每一膠座110均具有凹陷部112，各引腳單元120中 的引腳122a及引腳122b的一端即是分別暴露在對(duì)應(yīng)的膠座110的凹陷部112 內(nèi)，另一端則是分別延伸出膠座110的兩側(cè)，以便于與其它電子裝置(未繪示)電性連接。換言的，后續(xù)配置于膠座110的凹陷部112內(nèi)的發(fā)光二極管 芯片即是透過(guò)引腳122a及引腳122b而與其它電子裝置電性連接。在此，金屬板101可以是銅、鐵或其它導(dǎo)電性佳的金屬板或合金板。也 就是說(shuō)，引腳122a與引腳122b的材質(zhì)可以是銅、鐵或其它導(dǎo)電性佳的金屬 或合金。膠座110的材質(zhì)則可以是聚鄰苯二曱酰胺(polyphthalamide, PPA)或 其它常用來(lái)作為發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的膠座的熱塑性樹(shù)脂。當(dāng)然，在其它實(shí)施例中，也可以先形成多個(gè)膠座110,再分別于各膠座 110上形成引腳122a與引腳122b。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以自行依據(jù)實(shí)際需求來(lái) 決定膠座110與引腳122a及引腳122b的制程順序。此外，在本發(fā)明的其它 實(shí)施例中，更可以在金屬板101上形成引腳單元120的同時(shí)， 一并形成多個(gè) 具有散熱效果的芯片承載座(圖未繪)，以于后續(xù)封裝制程中用來(lái)承載發(fā)光 二極管芯片。值得一提的是，雖然在本實(shí)施例中每一引腳單元120均包括三對(duì)引腳 122a與引腳122b，但其并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以依據(jù)實(shí)務(wù) 上的需求來(lái)決定單一發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)的引腳的對(duì)數(shù)。圖2繪示為本發(fā)明的光吸收片及其所連接的框架在第一實(shí)施例中的仰視 圖。圖3繪示為本發(fā)明的框架與金屬板在第一實(shí)施例中的組合示意圖。請(qǐng)參 照?qǐng)D2與圖3，在形成膠座IIO與引腳單元120之后，接著即是提供連接有 以陣列方式排列的多個(gè)光吸收片130的框架140,并將框架140組接于金屬 板101上，再4吏各光吸收片130接合至對(duì)應(yīng)的膠座110的第一表面111上。 其中，光吸收片130接合于凹陷部112處有開(kāi)孔設(shè)計(jì)，使膠座110的凹陷部 112可以4皮充分暴露出來(lái)。具體來(lái)說(shuō)，光吸收片130可以與膠座IIO具有相同的主要材質(zhì)，且除了 主要材質(zhì)外，光吸收片130的組成材料亦包括可吸收多數(shù)色光的顏料，如黑 色顏料。由此可知，這些以塑料材料或熱塑性樹(shù)脂所制成的光吸收片130可 以輕易地透過(guò)自動(dòng)化的方式量產(chǎn)，因而具有制程時(shí)間短的特性。此外，金屬板101例如是具有至少一定位孔103 (如圖1所示)，且框 架140例如是具有至少一定位凸點(diǎn)142 (如圖2所示)，而本實(shí)施例即是在 接合時(shí)可透過(guò)將框架140的定位凸點(diǎn)142穿設(shè)于金屬板101的定位孔103內(nèi)， 以使框架140與金屬板101完成定位，以利于后續(xù)進(jìn)行各光吸收片130與對(duì)應(yīng)的膠座110的定位與接合。其中，本實(shí)施例是利用超音波熔接的方式將光 吸收片130接合于膠座110的第一表面111,且為了方便進(jìn)行接合作業(yè)，各 光吸收片130例如是具有超音波熔接槽134,位于其與膠座110的第一表面 111接合的接合面132的邊緣，如圖2所示。當(dāng)然，除了以超音波熔接外，光吸收片130也可以是借由其它方式與膠 座110接合，以下將舉實(shí)施例說(shuō)明之。圖4A繪示為本發(fā)明的膠座在第二實(shí)施例中的俯視示意圖，圖4B繪示為 本發(fā)明的膠座在第二實(shí)施例中的仰視示意圖，圖5則繪示為本發(fā)明的光吸收 片在第二實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)示意圖。雖然圖中僅繪示出單一膠座及光吸收片為 例做說(shuō)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以了解，在本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝陣列中， 所有膠座及光吸收片均具有相同的設(shè)計(jì)。請(qǐng)參照?qǐng)D4A及圖4B，在第二實(shí)施例中，膠座IIO具有至少一接合槽114， 其是由連接膠座110的第一表面lll與第二表面113的側(cè)表面115往第二表 面113延伸。具體來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例的膠座110例如是具有二接合槽114,且 其是分別從相對(duì)的兩側(cè)表面115往第二表面113延伸。如圖5所示，另一方 面，每一光吸收片130則具有與其所對(duì)應(yīng)的接合槽114數(shù)量相同的卡勾部 136。在本實(shí)施例中，這些卡勾部136是從光吸收片130的兩側(cè)朝遠(yuǎn)離接合面 132的方向延伸。承上所述，光吸收片130即是借其卡勾部136卡嵌于膠座110的接合槽 114內(nèi)而與膠座IIO彼此接合，如圖6A及圖6B所示。在此，本發(fā)明并不限 定膠座110的接合槽114以及光吸收片130的卡勾部136的數(shù)量本領(lǐng)域技術(shù) 人員可以依據(jù)實(shí)務(wù)上的需求來(lái)改變膠座110的接合槽114以及光吸收片130 的卡勾部136的數(shù)量，但其仍屬本發(fā)明所保護(hù)的范疇。圖7A至圖7C繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在第一實(shí)施例中的部 分封裝流程中的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D7A，在將光吸收片130接合于各膠座 IIO之后，接著即是將發(fā)光二極管芯片150放置于膠座110的凹陷部112內(nèi)， 并分別將發(fā)光二極管芯片150的兩端電極電性連接至引腳122a與引腳122b。 其中，發(fā)光二極管芯片150可以是紅光發(fā)光二極管芯片、藍(lán)光發(fā)光二極管芯 片或綠光發(fā)光二極管芯片，且其例如是借由覆晶接合(flip chip bonding)技術(shù) 而與引腳122a電性連接，并透過(guò)打線接合(wire bonding)技術(shù)而與引腳122b電性連接。而且，雖然本實(shí)施例在每一膠座110的凹陷部112內(nèi)僅配置單一發(fā)光二 極管芯片150,但其并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以自行依據(jù)實(shí) 際需求來(lái)決定單一膠座110內(nèi)所配置的發(fā)光二極管芯片150的數(shù)量。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D7B,在各膠座110上形成封裝膠體160 ，以覆蓋住放 置有發(fā)光二極管芯片150的凹陷部112。其中，封裝膠體160是用以保護(hù)放 置在凹陷部112內(nèi)的發(fā)光二極管芯片150免受于外界溫度、濕氣與噪聲的影 響，且封裝膠體160例如是以點(diǎn)膠(dispensing)的方式形成。此外，封裝膠體 160中也可以摻有熒光粉(未繪示)，因此當(dāng)發(fā)光二極管芯片150所發(fā)出的 光線照射到熒光粉而使其激發(fā)出另一種顏色的可見(jiàn)光時(shí)，發(fā)光二極管芯片當(dāng)透過(guò)上述制程而在膠座110內(nèi)完成發(fā)光二^ L管芯片150的配置，并于 膠座110上形成封裝膠體160后，接著即可對(duì)金屬板101及框架140進(jìn)行切 割，以切割出圖7C所示的多個(gè)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100。特別的是，請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D2，框架140包括本體144與多個(gè)連接翼146， 其中各連接翼146的第一端145是連接于本體144，第二端147則是連接于 光吸收片130。而且，各連接翼146的第二端147的寬度是小于第一端145 的寬度。以本實(shí)施例來(lái)說(shuō)，連接翼146例如是成三角狀，且此三角狀的連接 翼146是透過(guò)其中一頂點(diǎn)與光吸收片130連接。如此一來(lái)，本實(shí)施例在切割 框架140的過(guò)程中，可于各連接翼146的第二端147稍施剪切力即可輕易地 將光吸收片130與框架140切離，進(jìn)而避免在切割框架140的過(guò)程中因剪切 力過(guò)大而導(dǎo)致光吸收片130變形。值得注意的是，雖然上述實(shí)施例是在完成封裝膠體160的制程后始進(jìn)行 框架140與金屬板101的切割制程，但本發(fā)明并未將框架140與金屬板101 的切割制程順序限定于此。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知道，實(shí)際上也可以在框架 140與金屬板101完成組接后，即進(jìn)行框架140與金屬板101的切割制程， 以切割出多個(gè)內(nèi)部埋置有引腳單元120,且第一表面lll接合有光吸收片130 的膠座110。后續(xù)再分別于各膠座110的凹陷部112中配置發(fā)光二極管芯片 150，并且在膠座IIO上形成封裝膠體160覆蓋住凹陷部112,即完成各發(fā)光 二極管封裝結(jié)構(gòu)100的封裝制程。綜上所述，本發(fā)明是以自動(dòng)化量產(chǎn)的方式生產(chǎn)光吸收片，并將此光吸收 片接合于膠座表面，以吸收射至膠座表面的光線。因此，與現(xiàn)有技術(shù)以人工 刷墨在膠座表面形成光吸收層的方式相較之下，本發(fā)明不但可以有效地減少 發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)所需的制程時(shí)間，更可以避免在人工刷墨過(guò)程中，發(fā)生 因人為因素導(dǎo)致刷墨質(zhì)量不良的問(wèn)題。由此可知，本發(fā)明可有效地提高發(fā)光 二極管封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)能及良率。雖然本發(fā)明所公開(kāi)的實(shí)施方式如上，惟所述的內(nèi)容并非用以直接限定本 發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員，在不脫離本發(fā) 明所公開(kāi)的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式上及細(xì)節(jié)上作些許的更 動(dòng)。本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種發(fā)光二極管封裝陣列，包括多個(gè)膠座，該些膠座以陣列方式排列，且各該膠座分別具有一第一表面以及一凹陷部；多個(gè)引腳單元，該些引腳單元以陣列方式連接于一金屬板，其中各該引腳單元包括至少一對(duì)引腳，且各該引腳單元是部分地埋置于該些膠座其中之一內(nèi)，而各該引腳的一端暴露于其所對(duì)應(yīng)的該膠座的該凹陷部?jī)?nèi)；一框架，組接于該金屬板上；多個(gè)光吸收片，該些光吸收片以陣列方式連接至該框架，且各該光吸收片接合于對(duì)應(yīng)的該膠座的第一表面而暴露出該凹陷部；多個(gè)發(fā)光二極管芯片，分別配置于該些膠座的該凹陷部?jī)?nèi)而與該些引腳電性連接，其中各該膠座的該凹陷部?jī)?nèi)配置有該些發(fā)光二極管芯片至少其中之一；以及多個(gè)封裝膠體，分別配置于該些膠座上而覆蓋住該些凹陷部。
2、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝陣列，其中該金屬板具有至少一定位孔，且該框架具有至少一定位凸點(diǎn)，而該定位凸點(diǎn)穿:^殳于該定位孔內(nèi)。
3、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝陣列，其中各該膠座更具有一第 二表面、多個(gè)側(cè)表面以及至少一接合槽，該第二表面相對(duì)于該第一表面，該 些側(cè)表面連接該第一表面與該第二表面，該接合槽由該些側(cè)表面其中之一延 伸至部分第二表面，且各該光吸收片具有一接合面以及至少一卡勾部，且該 卡勾部從該光吸收片的一側(cè)朝遠(yuǎn)離該接合面的方向延伸，并卡嵌于該接合槽。
4、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝陣列，其中各該光吸收片具有一 接合面以及位于該接合面邊緣的一超音波熔接槽，且該接合面與對(duì)應(yīng)的該膠 座的該第一表面接合。
5、 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝陣列，其中該框架包括一本體；以及多個(gè)連接翼，分別具有一第一端與一第二端，其中各該連接翼的該第一 端連接于該本體，且各該連接翼的該第二端連接于該些光吸收片其中之一， 而各該連接翼的該第二端的寬度小于該第一端的寬度。
6、 如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝陣列，其中該框架的該些連接翼呈三角狀，且各該連接翼以 一頂點(diǎn)連接于該些光吸收片其中之一 。
7、 一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括 一月交座，具有一第一表面以及一凹陷部；至少一對(duì)引腳，且該些引腳部分地埋置于該膠座內(nèi)，而各該引腳的一端暴露于該月交座的該凹陷部?jī)?nèi)；一光吸收片，接合于該膠座的第一表面而暴露出該凹陷部；至少 一發(fā)光二極管芯片，配置于該膠座的該凹陷部?jī)?nèi)而與該些引腳電性連接；以及一封裝膠體，分別配置于該膠座上而覆蓋住該凹陷部。
8、 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該膠座更具有一第二 表面、多個(gè)側(cè)表面以及至少一接合槽，該第二表面相對(duì)于該第一表面，該些 側(cè)表面連接該第一表面與該第二表面，該接合槽由該些側(cè)表面其中之一延伸 至部分第二表面，且該光吸收片具有一接合面以及至少一^j^勾部，且該卡勾 部從該光吸收片的一側(cè)朝遠(yuǎn)離該接合面的方向延伸，并卡嵌于該接合槽。
9、 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中該光吸收片具有一接 合面以及位于該接合面邊緣的 一超音波熔接槽，且該接合面與該膠座的該第 一表面接合。
10、 一種發(fā)光二極管封裝方法，包括下列步驟形成多個(gè)引腳單元及以陣列方式排列的多個(gè)膠座，其中該些引腳單元以 陣列方式連接于一金屬板，且各該膠座分別具有一第一表面以及一凹陷部， 而各該引腳單元具有至少一對(duì)引腳，各該引腳單元的該些引腳的一端位于該 凹陷部?jī)?nèi)；提供連接有以陣列方式排列的多個(gè)光吸收片的一框架； 將該框架組接于該金屬板上，以使各該光吸收片接合于對(duì)應(yīng)的該膠座的第一表面而暴露出該凹陷部；將至少一發(fā)光二極管芯片放置于各該膠座的該凹陷部?jī)?nèi)，并令各該發(fā)光二極管芯片與該些引腳電性連接；于各該膠座上形成一封裝膠體，以覆蓋住該凹陷部；以及 對(duì)該金屬板及組接于其上的該框架進(jìn)行切割，以使該些引腳單元及該些光吸收片分別與該金屬板及該框架分離。
11、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管封裝方法，其中該金屬板具有至少 一定位孔，且該框架具有至少一定位凸點(diǎn)，而將該框架組接于該金屬板上的 方法為令該定位凸點(diǎn)穿設(shè)于該定位孔內(nèi)。
12、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管封裝方法，其中各該膠座更具有一 第二表面、多個(gè)側(cè)表面以及至少一接合槽，該第二表面相對(duì)于該第一表面， 該些側(cè)表面連接該第 一表面與該第二表面，該接合槽由該些側(cè)表面其中之一 延伸至部分第二表面，且各該光吸收片具有一接合面以及至少一卡勾部，且 該卡勾部乂人該光吸收片的一側(cè)朝遠(yuǎn)離該接合面的方向延伸，而各該光吸收片 接合于對(duì)應(yīng)的該膠座的第一表面的方法為將各該光吸收片的該卡勾部卡嵌于 其所對(duì)應(yīng)的該月交座的該接合槽內(nèi)。
13、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管封裝方法，其中各該光吸收片具有一接合面以及位于該接合面邊緣的一超音波熔接槽，而各該光吸收片的該接 合面透過(guò)超音波熔接而接合于對(duì)應(yīng)的該膠座的第 一表面。
14、 如權(quán)利要求IO所述的發(fā)光二極管封裝方法，其中切割該金屬板及組 接于其上的該框架的步驟是于將該框架組接于該金屬板上之后，以及將該些 發(fā)光二極管芯片分別放置于該些膠座的該些凹陷部?jī)?nèi)之前執(zhí)行。
15、 一種發(fā)光二極管封裝方法，包括下列步驟形成至少一對(duì)引腳與一膠座，其中該月交座具有一第一表面以及一凹陷部， 且該些引腳的一端位于該凹陷部?jī)?nèi)；將一光吸收片接合于該膠座的第 一表面而暴露出該凹陷部；將至少一發(fā)光二極管芯片放置于各該膠座的該凹陷部?jī)?nèi)，并令各該發(fā)光 二極管芯片與該些引腳電性連接；以及于各該膠座上形成一封裝膠體，以覆蓋住該凹陷部。
16、 如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝方法，其中該膠座更具有一第 二表面、多個(gè)側(cè)表面以及至少一接合槽，該第二表面相對(duì)于該第一表面，該 些側(cè)表面連接該第 一表面與該第二表面，該接合槽由該些側(cè)表面其中之一延 伸至部分第二表面，且該光吸收片具有一接合面以及至少一-^勾部，且該卡 勾部從該光吸收片的一側(cè)朝遠(yuǎn)離該接合面的方向延伸，而該光吸收片接合于槽內(nèi)。
17、如權(quán)利要求15所述的發(fā)光二極管封裝方法，其中該光吸收片具有一接合面以及位于該接合面邊緣的一超音波熔接槽，而該光吸收片的該接合面 透過(guò)超音波熔接而接合于該膠座的該第一表面。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝陣列、封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法，其以自動(dòng)化量產(chǎn)的方式生產(chǎn)光吸收片，并將此光吸收片接合于膠座表面，以吸收射至膠座表面的光線。因此，與現(xiàn)有技術(shù)中必須以人工在膠座表面進(jìn)行刷墨來(lái)形成涂布層的方式相較之下，不但可以有效地減少發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)所需的制程時(shí)間，更可以避免在人工刷墨過(guò)程中，發(fā)生因人為因素導(dǎo)致刷墨質(zhì)量不良的問(wèn)題，進(jìn)而有效地提高發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)能及良率。
文檔編號(hào)H01L25/00GK101621052SQ20081013299
公開(kāi)日2010年1月6日 申請(qǐng)日期2008年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月4日
發(fā)明者朱新昌, 李廷璽 申請(qǐng)人:一詮精密工業(yè)股份有限公司