專利名稱：獲得透明導(dǎo)電薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種獲得透明導(dǎo)電薄膜的方法。
背景技術(shù)：
在廣泛領(lǐng)域中存在在透明襯底上提供透明導(dǎo)電薄膜的需求，該襯底例如由
玻璃或塑料制成?？捎苡玫膶嵗秊槠嚨?平視"(head-up)型顯/^S，通 常所說的"觸離"，電磁屏麟置，裝有防霧加熱器的冰箱窗口，等等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種相對簡單、便宜和有效的獲得透明導(dǎo)電薄膜的方法。
按照本發(fā)明的總構(gòu)思，提供一種獲得透明導(dǎo)電薄膜的方法，特征在于其包
括步驟
-提供透明襯底
-在透明襯底上沉積厚度不大于IO,的導(dǎo)電薄膜；以及
-以襯底上導(dǎo)電薄膜的多個殘留部分限定一種圖案的方式，從襯底表面的多
個部分移除完整厚度的導(dǎo)電薄膜，該圖案由寬度為10nm-2Mm的線條形成，并且 相鄰線條之間的距離為10nm-2Mm;
所述圖案以，獲得與預(yù)定的導(dǎo)電薄膜所需光學(xué)mt率相對應(yīng)的導(dǎo)電薄膜中 的滿的空間與空的空間的比率的方式預(yù)先確定。
按照本發(fā)明，導(dǎo)電薄膜的部分移除通過穿透掩模(3a; 5a; 31; 2a)的蝕 刻操作來獲得，該掩模通過選自如下的工藝而得到納米壓印平板印刷(ML)、 微撤蟲印刷、聚儲自組裝過程和多孑L氧化鋁的形成戰(zhàn)呈。
該蝕刻過程是穿透沉積在襯底上的薄膜的掩模的部分移除。不受掩模保護 的薄膜區(qū)域中的材料通過在液體環(huán)境(濕蝕刻)或氣體環(huán)境(等離子蝕刻、活 性離 刻)中的化學(xué)或物理蝕刻來移除。掩模的圖案因此轉(zhuǎn)移到薄膜上。
在第一個實施方案中，其中前述的掩模通過納米壓印平板印刷工藝獲得， 均勻?qū)щ姳∧ぷ畛鮢flil真空工藝(熱蒸發(fā)、自化學(xué)蒸氣沉積)和液體工藝(絲網(wǎng)印刷、噴墨工藝、浸漬)沉積在襯底的上面，聚合材料通過旋涂施加到導(dǎo)電 薄膜的上面，提供具有活性表面的模具，該活性表面帶有納米切口，其形成了 一種圖案，該圖案與待轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電薄膜的圖案相對應(yīng)，用壓力將所述模具施加 在聚合材料上以便在聚合材料上得到一系列被空的空間彼此隔開的聚合材l^戔 留部分，以襯底上導(dǎo)電薄膜的多個殘留部分形成所需圖案的方式，在與前述空 的空間相對應(yīng)的區(qū)域進行蝕亥蝶作來移除至達襯底表面的完整厚度的導(dǎo)電材 料。
雌的是，該模具的活性表面具有按照不同幾何圖形(線、點等等)排列
的切口來形成一結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有寬度在10nm和500nm之間的線條，相鄰線條 的距離在10nm和500nm之間，并且所述切口的深度在100nm和1000nm之間。
在第一個實例中，聚合薄膜由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或熱塑性材料 制成，并且在施加模具期間對薄膜進行加熱以使其呈現(xiàn)^f需形狀。在替換的實 例中，聚合材料以環(huán)氧樹脂或丙烯酸樹脂液滴的形式沉積，并通過紫外線照射 使其在施加模具的過程中發(fā)生交聯(lián)。
在設(shè)計用作顯示器的應(yīng)用中，為了獲得具有微米尺寸的導(dǎo)電薄膜區(qū)域的顯 示器，且使每個微米尺寸的導(dǎo)電薄膜都呈現(xiàn)一種納米圖案，可以提供具有微米 突起(reliefs)的模具，并使每一個突起依次具有納米切口。
按照進一步的特征，在按照本發(fā)明的方法中使用的模具可以為例如由硅和 石英制成的剛性模具，或者由摻雜碳的聚二甲基麟(PDMS C)帝喊的軟模具。
在一替換的方法中，使用微接觸印刷工藝，這種工藝皿過在所述模具活 性表面上提供一層聚合材料，從而在導(dǎo)電層的上面施加模具之后，導(dǎo)電層本身 仍然覆蓋著被空的空間分開的聚合材料的多個部分，這樣在與所述空的空間相 對應(yīng)的區(qū)域，有可能隨后M蝕刻移除至達襯底表面的完整厚度的導(dǎo)電層。
為了增加"縱橫比"(例如，在表面上的導(dǎo)電材料的滿的空間與空的空間的 比率)，并且因此在既定的相同娜率下增加導(dǎo)電性，在等離:？1^陟驟中，按 照本發(fā)明的進一步特征，可以設(shè)想使用納米復(fù)合聚合物，這種納米復(fù)合聚合物 包括具有不同選擇性的金屬和氧化物。所,擇性使得金屬層比聚合物層被挖
得更多，這樣得到了具有更高縱橫比的結(jié)構(gòu)。在等離子蝕刻或活性離子蝕刻過 程中，所要建立的在聚合材料和薄膜之間的選擇性很低，因此導(dǎo)致對這兩種材 料相似的蝕刻，但是這種情況不包括特定材料(如PMMA和Si)的組合，其選擇性可以很高。在大多數(shù)情況下，從100-200nm (通常用于NIL和微接Ma^呈) 聚合薄膜開始，可在導(dǎo)電薄膜上得到的厚度不可肖,300nm。在聚合物中包 含顆粒(如金、碳、氧化鋁、硅酸鹽，等等)使得在等離子蝕刻步驟中的阻抗增加。
在進一步的實施方案中，該透明導(dǎo)電薄膜通a^f謂的自組裝型聚合材料制 備。在這種情況下，在導(dǎo)電薄膜沉積之后，例如MPVD (物理蒸氣沉積)、絲 網(wǎng)印刷(SP)或噴墨技術(shù)(U)，所述導(dǎo)電薄膜被分塊的聚合物薄膜覆蓋，其隨 后在相分離(例如，使用熱處理誘導(dǎo))時進行自組裝并呈所需的形狀。通過隨 后的操作，例如通過應(yīng)用紫外線，或者熱處理，皿過化學(xué)移除，聚合物薄膜 的兩個塊中的一個被移除，這樣結(jié)構(gòu)開始呈現(xiàn)出按照所需的形狀排列的數(shù)個空
腔。iKia—步的等離子蝕刻，前述的圖案轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電薄膜上，移除至達襯底 的導(dǎo)電薄膜。當(dāng)然，也在所述進一步實施方案的情況下，為了使之能夠應(yīng)用于 例如顯示器中，可以在該過程中結(jié)合一個微米壓印步驟。
按照更進一步的實施方案，導(dǎo)電薄膜被涂覆鋁膜，該鋁膜受陽極化操作使 其以蜂窩結(jié)構(gòu)進行自組裝。穿透氧化鋁孔的等離T^刻操作能夠移除對應(yīng)于前 述孔的區(qū)域中至達襯底的導(dǎo)電薄膜，以獲得所需圖案向?qū)щ妼由系霓D(zhuǎn)移。


本發(fā)明的進一步特征和優(yōu)點將參照附圖從隨后的描述凸顯出來，該圖僅以
非限制性實例的方式提供，其中
-圖IA、 1B、 1C和2A、 2B、 2C以平行的方式顯示第一個實施方案的兩個 可替換的實例中按照本發(fā)明方法的步驟的順序；
-圖3表示按照本發(fā)明的第一個實施方案的方法的最后一個步驟，所述兩種 情況均表示在圖1和2中；
-圖4是可得到用于導(dǎo)電薄膜的圖案的實例；
-圖5表示按照本發(fā)明的方法在顯示器上的應(yīng)用；
-圖6是圖5的細節(jié)放大-圖7A、 7B分別以N1L,卩微撤蟲技術(shù)的兩種翅詳細說明了在獲得圖5
顯示器方法中4OT的模具；
-圖8A、 8B、 8C、 8D表示按照本發(fā)明的方法的進一步的實li^案；
-圖9是在按照本發(fā)明的方法的進一步變型中使用的復(fù)合聚合物的結(jié)構(gòu)的示
6意-圖10A、 IOBI、 10B2、 IOCI、 10C2、 10D1、 10D2和IOE以兩種可能的
' 表示按照本發(fā)明方法的進一步實施方案；以及
-圖IIA， UB， IIC， IID乾示按照本發(fā)明的進一步實施方案。
具體實施例方式
附圖1和2是按照本發(fā)明方法的第一個實施方案中的兩個變型的示意圖， 其中在透明襯底上的透明導(dǎo)電薄膜中的所需圖^lil納米壓印平版印刷(NIL)
工藝得到。
在圖1和2中表示的方法基本上彼此相同，只是在施加于導(dǎo)電薄膜上的聚 合薄膜的沉積和處理方式方面有所不同。在兩種情況下，起點是剛性或柔性透 明襯底l，例如由玻璃或塑料制成。同樣，在兩種情況下最初沉積至i遞明襯底1 上的是導(dǎo)電薄膜2，其由例如金屬(例如，金，銀或銅)或半導(dǎo)體或氧化物制成。 膜2 M已知類型的任何工藝沉積，例如通il物理蒸氣沉積(PVD)或絲網(wǎng)印 刷或噴墨工藝。導(dǎo)電層的厚度優(yōu)選在0.5^im和lOpm之間。
在圖1A所示實例的情況下，沉積到導(dǎo)電層2上的是均勻?qū)?，該均勻?qū)佑?需要進行納米壓印平版印刷過程的聚合薄膜組成，例如聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)或熱塑性材料薄膜。膜3的厚度i^在100nm和1000nm之間。在圖 2A所示的變型的情況下，使用紫外光的納米壓印平版印刷(UV-NIL)工藝，沉 積聚合材料的液滴3，尤其是環(huán) 脂或丙烯酸樹脂。
在圖1實例的情況的和圖2實例的情況下，還提供剛性(例如，由硅或石 英制成)或柔性(例如，由聚二甲基硅m-PDMS制成)模具4,該模具4的 活性表面4a具有切口 4b，所述切口 4b限定了所需通過導(dǎo)電材料層2轉(zhuǎn)移到襯底 l上的圖案。切口根據(jù)線條排列，所述線條的寬度優(yōu)選為10nm和500nm之間。 相鄰線條的距離優(yōu)選也在10nm和500nm之間。最后切口 4b的深度iM在100nm 和1000nm之間。
在圖l方法的情況下和圖2 (見圖1B， 2B)描繪的情況下，用壓力將模具 4施加在聚合材料層3的上面。在圖1B的情況下，壓力的施加(10-50bar)與加 熱(最高達20(TC)同時發(fā)生，而在圖2B的情況下，壓力的施加(0.5-2bar)與 紫外照射同時發(fā)生，紫外照射可使樹脂3發(fā)生交聯(lián)。這樣，模具4移除后，模 具4上的切口 4b的圖案被轉(zhuǎn)移到聚合材料層3上，從而具有按照模具的凹槽4b的圖案排列的凸起3a。在凸起3a和鄰近的一個突起之間存在構(gòu)成阻擋層的聚合 物3b的薄層，該阻擋層通過等離，刻或活性離，刻(R正)操作移除。由 于得到的產(chǎn)物隨后在凸起3a (圖1C、 2C)之間所包括的區(qū)域^JlJ,lj操作，至 達襯底1表面的完整厚度的導(dǎo)電材料層被移除，而在與聚合材料的多個殘留部 分相對應(yīng)的區(qū)域，只有聚合材料被移除，而不移除導(dǎo)電材料層2。使用圖1或2 的方法得到的產(chǎn)品為圖3中所示的產(chǎn)品，該產(chǎn)品具有導(dǎo)電材料的圖案，例如在 圖4的平面圖顯示的I)IM。與模具4的切口的圖案相對應(yīng)，具有殘留導(dǎo)電材料 2a的圖案被轉(zhuǎn)移到襯底1上。M預(yù)先確定所述圖案，有可冑腿過調(diào)節(jié)導(dǎo)電薄 膜滿的空間與空的空間的比率來控制得到的導(dǎo)電薄膜的光學(xué)娜率。
在以上描述的圖1中所示的實例和圖2中所示的實例的方法艦用來制造 顯示器。圖5表示表面具有涂覆了導(dǎo)電薄膜的子區(qū)50的顯示器，該顯示器是從 圖7A (其表示按照圖5的線VII-VII的截面)所示的類型的模具4開始制備的， 其中對應(yīng)于圖5的微米區(qū)域50,模具的活性表面具有W:突起40，每一個突起 40具有亞納米的結(jié)構(gòu)41 ，以肖灘在對應(yīng)于圖5的每一個子區(qū)50的區(qū)域，按照 圖6所示翻的圖案得到導(dǎo)電材料的沉積。
圖8表示第二個實施方案，其中模具4的切口的圖案,微接觸印刷工藝 被轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電材料2上。這樣，模具4的活性表面4a被提供以一聚合材料層5。 在模具表面4a中的切口的線條具有在O.lnm和2fim之間的寬度，且切口的相鄰 線條的距離在O.bm和2pm之間。在圖8的方法的情況下，不需要在導(dǎo)電層2 上沉積聚合層。 一旦用壓力將模具4施加在導(dǎo)電層2上，在導(dǎo)電層2上留有聚 合材料的沉積部分5a，而在所述殘留部分5a之間的自由空間使得至達襯底表面 的完整厚度的導(dǎo)電層通過M愐被全部移除，從而使得到的最終產(chǎn)品(圖8D) 具有按照對應(yīng)于在模具4的活性表面4a上提供的突起的圖案排列的導(dǎo)電材料2a 的殘留部分。此外，這樣得到的導(dǎo)電材料的排列可以是例如與圖4所示的相似 的排列。
此外，也是在圖8方法的情況下，所述方法可用來向顯示器微米子區(qū)50 中存在的導(dǎo)電材料提供圖6所示類型的納米圖案，如上參考圖5^ 示，其使用 如圖7B中所示的模具。
在圖1中所示方法和圖2中所示方法的情況下，又如圖8所示方法盼隋況 下，可以增加縱橫比，即，在導(dǎo)電薄膜中滿的空間與空的空間的比率，并由此增加導(dǎo)電性，并使用具有不同選擇性的包括金屬和氧化物的納米復(fù)合聚合物，
維^i射率基本相同。在如圖1C、 2C和8C所示的步驟中，所皿擇性使得金 屬層比聚合物層被挖得更多以便得到具有更高縱橫比的結(jié)構(gòu)。圖9是可被引入 到聚合材料3中的切口 30的示意圖。所述切口可以是纖維狀(例如由碳納米管 組膝CNTs),或者薄片狀(由蒙脫石(mormorillonite)或海泡石組成)，球形(由 氧化鋁或氧化硅、a:60或金屬制成)或由任何形狀的金屬顆粒組成。
圖10 ^按照本發(fā)明的方法的進一步實施方案,其中導(dǎo)電薄膜2被分±央涂 敷有聚合薄膜，其隨后在相分離(例如，^ffi熱處理誘導(dǎo))時進行自組裝并呈 預(yù)定的圖案。圖10B1和10B2表示其中聚合層3被轉(zhuǎn)移到具有兩種不同類型的 塊31a、 31b的層31的兩個實例。m隨后的操作，例如通艦用紫外線，或者 熱處理，SSJ131化學(xué)移除，使得兩個塊中的一個(參見圖中的塊31b)被移除， 這樣得到的產(chǎn)品(圖10C1和10C2)具有按照預(yù)定圖案排列的空的空間32。在 這一點上，所述的圖案可通過等離子蝕刻操作轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電薄膜上，這使得在對 應(yīng)于空的空間32的區(qū)域中至達襯底1的完整厚度的導(dǎo)電層2被移除。這樣又一 次得到圖IOE所示的類型的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有按照例如圖4所示類型的圖案分 布的導(dǎo)電材料的殘留部分。
也是在圖10的方法的情況下，當(dāng)然也可以預(yù)期 ^壓印步驟結(jié)合到所述 方法中，來提供圖6所示的用在顯示器的微米子區(qū)50的類型的納米圖案。
此外，在圖10的情況下，可以預(yù)期使用具有如圖9中的納米切口的自組裝 聚合物來增加蝕刻步驟中的選擇性。
圖11表示按照本發(fā)明的方法的進一步實施方案，其中導(dǎo)電薄膜2涂覆有鋁 膜，該,受陽極4t^作以被轉(zhuǎn)化為圖11A中可J^S的具有蜂窩鍋的多子虎化 鶴60。 ^^^具有Mfi:個娜61，該S^I^腚圖熟咧，且械鰣酈對當(dāng) 層封閉，該阻擋層S5^離^^臊作除去，以便頓應(yīng)于雄61 (圖11B)的區(qū) 域得到Mii襯底l表面的完^lf度的導(dǎo)電材料2的相應(yīng)移除。這樣，多 Lfl化, 被移除(圖IIC)，最初具有在100nm和500nm^間厚度的導(dǎo)電薄MMJi51電, 作增加到0.5-5Mm的厚度。
從以上描述中很明顯看出，在按照本發(fā)明的方法的所有實施方案中，導(dǎo)電 薄膜沉積在透明襯底上，然后以襯底上導(dǎo)電薄膜的殘留部分限定一種預(yù)定圖案 的方式，完整厚度的導(dǎo)電薄膜從透明襯底表面的多個部分被移除，其對應(yīng)于導(dǎo)電薄膜中滿的空間與空的空間的比率，以限定得到的產(chǎn)品所需的光學(xué)娜率。當(dāng)然，在不損害本發(fā)明原則的情況下，實施方案和結(jié)構(gòu)細節(jié)可以在所作出 的變化不脫離本發(fā)明范圍的情況下，參照本文中僅為示例性的描述和說明而廣 泛變化。
權(quán)利要求
1. 一種獲得透明導(dǎo)電薄膜的方法，其特征在于該方法包括步驟-提供透明襯底(1)；-在透明襯底(1)上沉積厚度不大于10μm的導(dǎo)電薄膜(2)；以及-以襯底上導(dǎo)電薄膜(2)的多個殘留部分(2a)限定一種圖案的方式，從襯底(1)表面的多個部分除去完整厚度的導(dǎo)電薄膜(2)，該圖案由寬度在10nm和2μm之間的線條形成，相鄰線條的距離在10nm和2μm之間，所述圖案被預(yù)先確定，以獲得與所需光學(xué)透射率相對應(yīng)的滿的空間與空的空間的比率。
2. 按照權(quán)利要求l的方法，其特征在于導(dǎo)電薄膜部分的移除M31穿透掩模 (3a; 5a; 31; 2a)的蝕亥蝶作來獲得，該掩豐MM^自如下的工藝而得到納米壓印平板印刷(NiL)、微接觸印刷、聚合物自組裝ai呈和多 im化鋁的形成漲。
3. 按照權(quán)利要求2的方法，其中前述的掩模M納米壓印平板印刷工藝獲 得，該方法的特征在于均勻的導(dǎo)電薄膜(2)最初沉積在襯底(1)的上面，聚 合材料(3)施加到導(dǎo)電薄膜(2)上，在模具(4)上提供帶有納米切口活性表 面(4a)，所述切口形成了一種圖案，該圖案與待提供給導(dǎo)電薄膜的圖案相對應(yīng)， 用壓力將所述模具(4)施加在聚合材料上以便在聚合材料上得到一系列被空格 彼此隔開的聚合材ia留部分(3a),以導(dǎo)電薄膜的多個殘留部分(2a)在襯底 上形成所需圖案的方式，在與前述空的空間相對應(yīng)的區(qū)域進行蝕亥臊作來移除 至達襯底(1)表面的，厚度的導(dǎo)電材料(2)。
4. 按照權(quán)利要求3的方法，其特征在于模具(4)的活性表面(4a)具有 根據(jù)線條排列的切口，所述線條的寬度在10nm和500nm之間，相鄰線條的距離 在10nm和500nm之間，并且所述切口的深度在100nm和1000nm之間。
5. 按照權(quán)利要求3的方法，其特征在于模具(4)由剛性材料制成，鵬 硅或石英。
6. 按照權(quán)利要求3的方法，其特征在于模具由柔性材料制成，優(yōu)選由聚二 甲基硅氧烷(PDMS)制成。
7. 按照權(quán)利要求3的方法，其特征在于聚合薄膜(3)由聚甲基丙烯酸甲 酯(PMMA)或熱塑性材料制成。
8. 按照權(quán)利要求7的方法，其特征在于導(dǎo)電薄膜(2) iiii選自物理蒸氣 沉積(PVD)、絲網(wǎng)印刷和噴墨技術(shù)的工藝進行沉積。
9. 按照權(quán)利要求3的方法，其特征在于聚合材料由環(huán)WW旨或丙烯酸樹月旨 組成，并且將模具(4)施加到聚合材料上是在壓力下發(fā)生的，并且同時使用紫 外光照射引發(fā)樹脂交聯(lián)。
10. 按照權(quán)利要求3的方法，其特征在于模具移除后，i!31等離子蝕刻或 活性離，刻(R正)操作，除去一薄的聚合材料P且擋層(3b),該聚合物阻擋 層在底部封閉聚合材料的殘留部分Ga)之間的每一個空的空間。
11. 按照權(quán)利要求2的方法，其特征在于該方法用來在顯示結(jié)構(gòu)導(dǎo)電薄膜 的微米子區(qū)(50)中提供納米圖案。
12. 按照權(quán)利要求2的方法，其特征在于使用微接觸印刷工藝，在所述模 具(4)的活性表面(4a)上提供聚合材料層(5)，從而使在壓力下將模具施加 于導(dǎo)電層(2)上之后，該導(dǎo)電層(2)仍然覆蓋有被空的空間分開的聚合材料 的多個部分(5a)，并且隨后在對應(yīng)于所述空的空間的區(qū)域，,嫩i臊作進行 至達襯底(1)表面的完整厚度的導(dǎo)電層(2)的移除。
13. 按照權(quán)利要求3或12的方法，其特征在于該聚合材料是一種包括金屬 和/或氧化物的納米復(fù)合材料，如碳納米管、蒙脫石或海泡石的薄片，包括氧化 鋁、氧化硅、歉60的球狀物，或任何形狀的金屬顆粒。
14. 按照權(quán)利要求2的方法，其特征在于該導(dǎo)電薄膜(2)被分塊的聚合物 薄膜覆蓋，并且在分塊的所述聚合物中進行一操作來引發(fā)相分離，從而使聚合 物按照預(yù)定圖案進行自組裝形成兩分離塊(31a、 31b),所述方法包括移除兩個 塊Gla， 31b)中的一個的進一步操作，這樣得到的空的空間用來實現(xiàn)通過蝕 刻操作在對應(yīng)于所述空的空間的區(qū)域中將完整厚度的導(dǎo)電材料移除。
15. 按照權(quán)禾頓求10的方法，其特征在于通過沉積鋁層荊吏鋁層受陽極化 操作來提供用皿行將導(dǎo)電層從襯底的多個部分移除操作的前述掩模(60)，以 便獲得多孔氧化鋁的蜂窩結(jié)構(gòu)(60)，該結(jié)構(gòu)具有在底部通過阻擋層封閉的空的 空間(6D,該阻擋層通過等離子 1」操作除去，以便產(chǎn)生具有穿透的空腔(61) 的結(jié)構(gòu)，該空腔用來在對應(yīng)于前述空腔(61)的區(qū)鄉(xiāng)除至達襯底()表面的 完整厚度的導(dǎo)電材料，之后氧化鋁層(60)被移除，且通過電鍍操作增加導(dǎo)電 層的厚度。
全文摘要
一種獲得透明導(dǎo)電薄膜(2a)的方法，包括步驟提供透明襯底(1)，在透明襯底(1)上沉積厚度不大于5μm的導(dǎo)電薄膜(2)，以及以襯底(1)上導(dǎo)電薄膜(2)的多個殘留部分限定一種圖案的方式，從襯底(1)表面的多個部分除去完整厚度的導(dǎo)電薄膜(2)，該圖案由寬度在10nm和2μm之間的線條形成，相鄰線條的距離在10nm和2μm之間，所述圖案被預(yù)先確定，以獲得與所需光學(xué)透射比相對應(yīng)的滿的空間與空的空間的比率。
文檔編號H01L21/02GK101276079SQ200810092048
公開日2008年10月1日 申請日期2008年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月28日
發(fā)明者N·利皮拉, S·伯納德, V·G·拉姆伯蒂尼, V·格拉索 申請人:C.R.F.阿西安尼顧問公司