專利名稱：非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法， 屬于電器元件及其材料制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
低壓ZnO壓敏電阻是八十年代國外率先研究發(fā)展起來的。低壓 ZnO壓敏電阻具有低壓敏電壓和高介電系數(shù)雙優(yōu)特性，耐浪涌能力也很強(qiáng)，更 重要的是其工藝簡單，不要在高溫下還原燒成，而且燒結(jié)溫度低，使成本大大 降低，它具有造價(jià)低廉、非歐姆特性優(yōu)良、響應(yīng)時(shí)間快、漏電流小、通流容量 大等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備和電力系統(tǒng)以及其它領(lǐng)域。隨著電子產(chǎn)品的小 型化、集成化，對低壓壓敏電阻的需求量愈來愈大，是一種很有發(fā)展前途的復(fù) 合功能電阻元件。
降低壓敏電壓的一般有兩種主要方法， 一是通過改變外型尺寸及工藝方法減 少壓敏元件的厚度以達(dá)到降低壓敏電壓的目的；二是尋找低壓配方，開發(fā)新型 低壓ZnO壓敏電阻材料體系，降低晶界的擊穿電壓。近年來，ZnO壓敏電阻器 采用了疊層片式技術(shù)，可制造非歐姆特性好的低壓ZnO壓敏電阻器，產(chǎn)品的通 流能力也不會(huì)下降，疊片式ZnO壓敏電阻綜合性能較好，但是對工裝設(shè)備及工 藝要求極高，投資巨大。
國內(nèi)外做的比較成熟的壓敏陶瓷電阻主要是Bi系低壓ZnO電阻、高壓高能 ZnO電阻等，而非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷電阻研究的較少，而且低壓化很難。
目前，對低壓ZnO壓敏電阻生產(chǎn)方法的研究主要有稀土摻雜、受主摻雜和 施主摻雜等方面。如有不少人提出用Sr做受主摻雜來改變其壓敏電壓和非線性 系數(shù)，或通過La做施主摻雜等等。但是這些方法制作的樣品普遍都存在壓敏電 壓較高，非線性系數(shù)較低的紕漏，而且這些樣品在性能要求上沒有使較低的壓 敏電壓和較高的非線性系數(shù)兩者統(tǒng)一。這些方法一般解決了壓敏電壓，卻忽略 了非線性系數(shù)，反之亦然。因此，非常需要有新的、性能好的低壓ZnO壓敏陶 瓷電阻，以使其特有的優(yōu)越的電性能更好地為工業(yè)所利用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種非Bi系低壓 ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法，應(yīng)用納米ZnO及其它氧化物添加劑的優(yōu)良特性 對低壓ZnO系壓敏陶瓷材料進(jìn)行改性制造，簡化壓敏陶瓷電阻的制作工藝， 提高低壓ZnO系壓敏陶瓷電阻的性能。
本發(fā)明的技術(shù)方案是先用ZnO加上從一組摻雜元素Al、 Fe、 Eu、 Pr、 La、 Ce、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co、 Pb、 Ti、納米ZnO中任選的氧化物粉(如 Eu203、 Si02、 PbO、納米ZnO等)組成混合原料，然后將該原料在球磨罐中、加入水和酒精研磨混合3 6小時(shí)；將球磨好的料漿干燥、過篩后(可放在 干燥箱里烘干，然后過280-350目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在壓力下壓制成塊，600~750°C 進(jìn)行預(yù)燒，再次研細(xì)后放入球磨罐中加水和酒精研磨6~12小時(shí)；將球磨好的 料漿干燥、過篩后進(jìn)行造粒；造粒工序是將二次球磨后干燥后的粉料加入適量 的聚乙烯醇水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí)，再過40~55目標(biāo)準(zhǔn)篩， 用50 150Mpa壓力預(yù)壓成塊，然后打碎，再次過40~55目標(biāo)準(zhǔn)篩，得到一定 粒度而且均勻分布的粉料；再用50 150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片；然 后將成型的壓制片逐漸加熱到600 ~ 72(TC保溫20 ~ 30分鐘，進(jìn)行排膠(可放在 電阻爐中進(jìn)行，將加入的有機(jī)塑化劑排出，并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，為樣 品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再在980~ 125(TC加熱燒結(jié)并保溫1 ~3小時(shí)(可放到管式 電阻爐中進(jìn)行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到低壓ZnO 壓敏陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工，然后被電極，在600~ 80(TC下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到納米改性低壓ZnO壓敏電阻。在混合 原料中，釆用Pr、 La、 Pb、 Ba、 Sm、 V的氧化物時(shí)摻雜量摩爾百分比為 0.5 ~ 6% (根據(jù)實(shí)際需要確定)；釆用其它摻雜氧化物時(shí)所占的摩爾百分比為 6.5 ~ 10% (根據(jù)實(shí)際需要確定)。'
用本發(fā)明的方法制造低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻時(shí)，應(yīng)依照壓敏陶瓷材 料的壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低、非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著 燒結(jié)溫度的升高而增大、介電損耗隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢來確定具體 的制備方法，從而使其壓敏電壓V^為8~40V/mm,非線性系數(shù)a大于20,漏 電流L為0.15 ~ 0.30mA,介電常數(shù)為(3 7) xl04,介電損耗值tan5為0.2 ~ 0.5。
該方法所制造的低壓ZnO壓敏陶瓷材料，除了主晶相ZnO外，主晶相表面 還有摻雜A1、 Fe、 Eu、 Pr、 La、 Ce、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co、 Pb、 Ti、納米 ZnO中一種或多種物相。
本發(fā)明的有益效果是:釆用除Bi元素外摻雜制造低壓ZnO壓敏陶瓷材料及 電阻的方法，利用納米ZnO的特性，使ZnO晶粒在合適的燒結(jié)溫度下得到充分 的長大，性能穩(wěn)定，工藝簡單，克服了國內(nèi)外ZnO壓敏陶瓷電阻制作工藝復(fù)雜、 性能不穩(wěn)定等缺點(diǎn)，同時(shí)要求的指標(biāo)也實(shí)現(xiàn)了低壓化，使低壓ZnO壓敏具有電 壓隨燒結(jié)溫度升高而降低，非線性系數(shù)隨燒結(jié)溫度升高而升高的總趨勢；
用本發(fā)明制造的壓敏陶瓷電阻，由于摻雜元素在低壓ZnO基體表面析出， 且分布均勻，因此，還具有重復(fù)性、穩(wěn)定性、 一致性好，電參數(shù)值有顯著改進(jìn) 的優(yōu)點(diǎn)；
本發(fā)明制造的非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料體系，基本利用ZnO壓敏電阻 常規(guī)生產(chǎn)設(shè)備及工藝，不需要改變傳統(tǒng)的壓敏電阻工藝生產(chǎn)線，投資較小，能滿足巿場對低壓化的需求，具有極大的巿場潛力。


圖l為本發(fā)明的工藝流程圖
圖2為本發(fā)明實(shí)施例5的V與a隨Ts的變化關(guān)系圖， 圖3為本發(fā)明實(shí)施例5的s與tan5隨Ts的變化關(guān)系圖，
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
實(shí)施例l:如圖1所示，該非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法是， 先用ZnO粉，按摩爾比加上0.5%的1102、 0.3。/。的Si02、 0.7%的0203、 5% 的PbO、 2%的8203、 5%的納米ZnO粉組成混合原料，然后將該原料在行 星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合3小時(shí)；將球磨好的料漿干燥、過篩后 (放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在一定壓力下壓制成塊， 600 750。C進(jìn)行預(yù)燒，再次研細(xì)后放入球磨罐中加水和酒精研磨8~12小時(shí)； 將球磨好的料漿干燥、進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量7。/。的PVA水溶液， 形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí)，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩，用50Mpa壓力預(yù)壓成塊， 然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而且均勻分布的粉料，再用 150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片((p=13mm, d=1.5mm);然后將成型的壓 制片逐漸加熱到68(TC后保溫30分鐘(放在電阻爐中進(jìn)行)，進(jìn)行排膠(將加入 的有機(jī)塑化劑排出，并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再 在IIO(TC加熱燒結(jié)并保溫2小時(shí)(放到管式電阻爐中進(jìn)行)；最后將燒結(jié)好的燒 結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到低壓ZnO壓敏陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工，然后被電極，在600°C 下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到納米改性低壓ZnO壓敏電阻。
用該方法制造的低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容-壓敏雙功能特 性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù) 隨著燒結(jié)溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢； 其壓敏電壓VhnA為28V/mm，非線性系數(shù)oc為21，漏電流^為0.15mA,介電常 數(shù)為2.7xl04,'介電損耗值tan5為0.2。
實(shí)施例2:如圖1所示，該非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法是， 先用ZnO粉，按摩爾比加上0.5 %的Ti02、 0.3 %的Si02、 0.7 %的Cr203、 0.2 %的0)203、 5。/。的PbO 、 2%的8203、 5 %的納米ZnO粉組成混合原料， 然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合3小時(shí)；將球磨好的 料漿干燥、過篩后(放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩)，在一定壓 力下壓制成塊，600 75(TC進(jìn)行預(yù)燒，再次研細(xì)后放入球磨罐中加水和酒精研 磨8 ~ 12小時(shí)；將球磨好的料漿干燥、進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量7%的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí)，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩，用50Mpa 壓力預(yù)壓成塊，然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而且均勻分布 的粉料，再用150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(cp=13mm, d= 1.5mm);然 后將成型的壓制片逐漸加熱到680。C后保溫30分鐘(放在電阻爐中進(jìn)行)，進(jìn)行 排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出，并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，為樣品的燒結(jié) 創(chuàng)造條件)，再在115(TC加熱燒結(jié)并保溫2小時(shí)(放到管式電阻爐中進(jìn)行)；最 后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到低壓ZnO壓敏陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工，然后被電極，在600°C 下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到納米改性低壓ZnO壓敏電阻。
用該方法制造的低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容-壓敏雙功能特 性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù) 隨著燒結(jié)溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢； 其壓敏電壓Vi^為20V/mm,非線性系數(shù)a為23,漏電流k為0.15mA，介電常 數(shù)為2.5xl04,介電損耗值tanS為0.3。
實(shí)施例3:如圖1所示，該非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法是， 先用ZnO粉，按摩爾比加上0.5 %的Ti02、 0.3 %的Si02、 0.5 %的Cr203、 0.5 %的0)203、 0.2。/。的Mn02、 5。/。的PbO、 2%的8203、 7。/。的納米ZnO粉組 成混合原料，然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合3小時(shí)； 將球磨好的料漿干燥、過篩后(放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩), 在一定壓力下壓制成塊，600-750。C進(jìn)行預(yù)燒，再次研細(xì)后放入球磨罐中加水 和酒精研磨8~12小時(shí)；將球磨好的料漿干燥、進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加 入適量7。/。的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí)，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩， 用50Mpa壓力預(yù)壓成塊，然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而且 均勻分布的粉料，再用150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(cp-13mm, d = 1.5mm);然后將成,型的壓制片逐漸加熱到680。C后保溫30分鐘(放在電阻爐中 進(jìn)行)，進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出，并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，為 樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再在1150'C加熱燒結(jié)并保溫1.5小時(shí)(放到管式電阻爐 中進(jìn)行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到低壓ZnO壓敏陶 瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工，然后被電極，在600°C 下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到非Bi系低壓ZnO壓敏電阻。
用該方法制造的低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容-壓敏雙功能特 性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù) 隨著燒結(jié)溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢; 其壓敏電壓VunA為16V/mm，非線性系數(shù)a為27，漏電流乙為0.15mA,介電常數(shù)為2.6xl04,介電損耗值tanS為0.2。
實(shí)施例4:如圖l所示，該非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法是， 先用ZnO粉，按摩爾比加上0.6%的7102、 0.25 0/o的Si。2、 0.5%的0203、 0.5 %的Co203、 0.2 %的Mn02、 5 %的PbO、 2.5 %的B203、 6 %的納米ZnO粉 組成混合原料，然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合3小 時(shí)；將球磨好的料漿干燥、過篩后(放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo) 準(zhǔn)篩)，在一定壓力下壓制成塊，600-750。C進(jìn)行預(yù)燒，再次研細(xì)后放入球磨罐 中加水和酒精研磨8~12小時(shí)；將球磨好的料漿干燥、進(jìn)行造粒(將干燥后的 粉料加入適量7。/。的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí)，再過40目 標(biāo)準(zhǔn)篩，用50Mpa壓力預(yù)壓成塊，然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定 粒度而且均勻分布的粉料，再用150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(cpM3mm, d= 1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到68(TC后保溫30分鐘(放在電阻 爐中進(jìn)行)，進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出，并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度， 為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再在1150'C加熱燒結(jié)并保溫1.5小時(shí)(放到管式電阻 爐中進(jìn)行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到低壓ZnO壓敏 陶瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工，然后被電極，在600°C 下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到納米改性低壓ZnO壓敏電阻。
用該方法制造的低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容-壓敏雙功能特 性，其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù) 隨著燒結(jié)溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢； 其壓敏電壓Vn^為18V/mm，非線性系數(shù)a為30,漏電流L為0.18mA，介電常 數(shù)為2.7xl04,介電損耗值tanS為0.4。
實(shí)施例5:如圖l所示，該非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法是， 先用ZnO粉，按摩爾比加上0.6 %的Ti02、 0.25 %的Si02、 0.4 %的Cr203、 0.6 %的0)203 、 0.3。/。的Mn02、 5。/。的PbO、 2%的8203、 3。/。的納米ZnO粉組 成混合原料，然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合3小時(shí)； 將球磨好的料漿干燥、過篩后(放在干燥箱里6(TC烘干，然后過320目標(biāo)準(zhǔn)篩)， 在一定壓力下壓制成塊，600 75(TC進(jìn)行預(yù)燒，再次研細(xì)后放入球磨罐中加水 和酒精研磨8~12小時(shí)；將球磨好的料漿干燥、進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加 入適量7。/。的PVA水溶液，形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí)，再過40目標(biāo)準(zhǔn)篩， 用50Mpa壓力預(yù)壓成塊，然后打碎，再次過45目標(biāo)準(zhǔn)篩)，得到一定粒度而JL 均勻分布的粉料，再用150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(cp-13mm, d = 1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到680。C后保溫30分鐘(放在電阻爐中 進(jìn)行)，進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出，并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件)，再在1050'C加熱燒結(jié)并保溫1.5小時(shí)(放到管式電阻爐 中進(jìn)行)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫，得到低壓ZnO壓敏陶 瓷材料。
將燒結(jié)得到的低壓ZnO壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工，然后被電極，在600°C 下燒銀，經(jīng)測試后封裝，即可得到納米改性低壓ZnO壓敏電阻。 用該方法制造的低壓ZnO壓敏陶瓷材料或電阻，具有電容-壓敏雙功能特性， 其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低，非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著 燒結(jié)溫度的升高而增大，介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢；其 壓敏電壓Vu^為20V/mm，非線性系數(shù)a為28，漏電流込為0.18mA，介電常數(shù) 為2.4xl04，介電損耗值tan5為0.25。
權(quán)利要求
1. 一種非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法，其特征是先用ZnO加上從一組摻雜元素Al、Ti、Fe、Eu、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pr、La、Pb、Ba、Sm、V的氧化物的任意選擇一部分以及納米ZnO組成混合原料，然后將該原料在球磨罐中，加入水和酒精研磨3～6小時(shí)；將球磨后的料漿干燥、過篩，壓制成塊，600～750℃進(jìn)行預(yù)燒，降溫后再放入球磨罐中加水和酒精研磨6～12小時(shí)；將球磨好的料漿干燥、過篩后，得到均勻分布的混合粉料，再用50～150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片；然后將成型的壓制片逐漸加熱，在600～720℃保溫20～30分鐘，進(jìn)行排膠，再在950～1250℃加熱燒結(jié)并保溫1～3小時(shí)；最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體冷卻到室溫，得到非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料。
2、 根據(jù)權(quán)利要1所述的非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法，其特 征是混合原料中，釆用Pr、 La、 Pb、 Ba、 Sm、 V的氧化物時(shí)摻雜量摩爾 百分比為0.5-6%;釆用其它摻雜氧化物時(shí)所占的摩爾百分比為6.5~10%; 二次球磨后的混合粉料應(yīng)加入聚乙烯醇水溶液，待形狀如魚鱗狀混合均勻時(shí)過 條，預(yù)壓成塊，然后研細(xì)，再次過篩。
3、 根據(jù)權(quán)利要1或2所述的非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法， 其特征是所燒結(jié)的低壓ZnO壓敏陶瓷材料的主晶相ZnO表面還有包含摻雜的 Al、 Ti、 Fe、 Eu、 Ce、 Nd、 B、 Si、 Mn、 Cr、 Co、 Pr、 La、 Pb、 Ba、 Sm 元素中的一種或多種物相。
4、 根據(jù)權(quán)利要3所述的非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法，其特征是依照壓敏陶瓷材料的壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低、非線 性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大、介電損耗隨燒結(jié)溫度的升高而 降低的總趨勢來確定具體的制備方法。
5、 根據(jù)權(quán)利要1所述的非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法制造的 低壓ZnO壓敏陶瓷電阻，其特征是該電阻的壓敏電壓VnnA為8~40V/mm,非 線性系數(shù)a大于20，漏電流k為0.15~0.25mA,介電常數(shù)為3xl04 ~ 7xl04,介 電損耗值tanS為0.2-0.5。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種非Bi系低壓ZnO壓敏陶瓷材料的制造方法，屬于電器元件及其材料制造技術(shù)領(lǐng)域。用ZnO加上從摻雜元素Al、Fe、Eu、Pr、La、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、納米ZnO中任選的氧化物粉組成混合原料，將其混合磨細(xì)，經(jīng)干燥，壓制成塊，600～750℃進(jìn)行預(yù)燒，再放入球磨罐研磨，干燥，過篩后造粒，將粉料壓制成小圓片并逐漸加熱到600～720℃保溫排膠，后進(jìn)一步加熱燒結(jié)并冷卻到室溫，得到低壓ZnO壓敏陶瓷材料；再進(jìn)行表面加工，被電極燒銀，經(jīng)測試后封裝，得到低壓ZnO壓敏電阻。具有制作工藝簡單、成本較低、性能好、使用范圍廣，所生產(chǎn)電阻重復(fù)性、穩(wěn)定性、一致性好，電參數(shù)值有顯著改進(jìn)等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號H01C7/10GK101284730SQ20081005840
公開日2008年10月15日 申請日期2008年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月16日
發(fā)明者嚴(yán)繼康, 孫加林, 杜景紅, 王立惠, 甘國友, 陳敬超 申請人:昆明理工大學(xué)