專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，尤其涉及一種在數(shù) 據(jù)線上沉積透明導電層的薄膜體管陣列基板及其制造方法，屬于電子設備制 造領域。
背景技術：
如圖4所示，為現(xiàn)有技術薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖，其中數(shù)據(jù) 線41為薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的像素電極42提供數(shù)據(jù)信號，當 數(shù)據(jù)線41出現(xiàn)斷路情況時，會導致TFT-LCD面板上出現(xiàn)一條亮線或暗線，造 成嚴重的線性不良現(xiàn)象?，F(xiàn)有技術中通常采用化學氣相沉積(chemical vapor deposition,以下簡稱CVD)方法來修復數(shù)據(jù)線41斷路的問題，但是這種 方法會造成像素不良，對良品率和維修成功率產(chǎn)生較大影響，使得TFT-LCD 的顯示性能下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于^_供一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，當數(shù)據(jù) 線出現(xiàn)斷^各情況時，不用維修即可修復，避免線性不良問題，提高TFT-LCD 的良品率。
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極， 在所述數(shù)據(jù)線的上方形成有與所述數(shù)據(jù)線接觸的透明導電層，所述透明導電 層與所述像素電極不相連。
本發(fā)明提供了 一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括在玻璃基板上依次形成柵線層、柵絕緣層、有源層、及源漏電極和數(shù)據(jù)線層，還包括
步驟1、在形成柵線層、柵絕緣層、有源層、源漏電極和數(shù)據(jù)線層的玻
璃基板上，沉積鈍化層；
步驟2、在完成步驟1的玻璃基板上，通過光刻工藝和刻蝕工藝形成過
孔，同時刻蝕位于數(shù)據(jù)線上方的鈍化層；
步驟3、在完成步驟2的玻璃基板上，沉積透明導電層；
步驟4、在完成步驟3的玻璃基板上，通過光刻工藝和刻蝕工藝形成像
素電極，同時保留數(shù)據(jù)線上方的透明導電層，所述數(shù)據(jù)線上方的透明導電層
與所述像素電極不相連。
本發(fā)明提供的薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，在數(shù)據(jù)線的上方形成 有與數(shù)據(jù)線接觸的透明導電層，當數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷路情況時，能通過與數(shù)據(jù)線
接觸的透明導電層傳送數(shù)據(jù)信號，避免了線性不良問題，由于不用維修即可 修復，因而不會造成像素不良，提高了 TFT-LCD的良品率。


圖1為本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板具體實施例的結構示意圖； 圖2為圖1中A-A向的剖面圖3為本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板的制造方法具體實施例的流程圖； 圖4為現(xiàn)有技術薄膜晶體管陣列基板的結構示意圖。
具體實施例方式
下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。 如圖1所示，為本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板具體實施例的結構示意圖， 包括柵線、數(shù)據(jù)線11和像素電極12,其中在數(shù)據(jù)線11的上方形成有與數(shù)據(jù) 線11接觸的透明導電層13，透明導電層13和像素電極12不相連。
透明導電層13的材料可以與像素電極12相同，且與像素電極12形同層上。
下面通過薄膜晶體管陣列基板的制造過程說明本發(fā)明的技術方案。
如圖2所示，為圖1中A-A向的剖面圖，包括玻璃基板21、柵線層22、 柵絕緣層23、有源層(包括非晶硅層24和摻雜非晶硅層25 )、源漏電極28、 數(shù)據(jù)線ll、鈍化層26、過孔27、像素電極12和透明導電層13,其中源漏電 極28的源電極與數(shù)據(jù)線11連接。該薄膜晶體管陣列基板的制造過程為在 玻璃基板21上依次形成柵線層22、柵絕緣層23、非晶硅層24、摻雜非晶硅 層25、源漏電極28和數(shù)據(jù)線11;沉積鈍化層26,通過光刻工藝和刻蝕工藝 形成過孔27,與此同時，刻蝕位于數(shù)據(jù)線11上方的鈍化層，暴露出數(shù)據(jù)線 11;沉積透明導電層，通過光刻工藝和刻蝕工藝形成像素電極12，同時保留 數(shù)據(jù)線11上方的透明導電層13,且使得透明導電層13與像素電極12不相 連。
本實施例在數(shù)據(jù)線11上方形成有與數(shù)據(jù)線11接觸的透明導電層13，相 當于在數(shù)據(jù)線11上添加了一層導電層，當數(shù)據(jù)線11出現(xiàn)斷路情況時，能通 過與數(shù)據(jù)線11接觸的透明導電層13傳送數(shù)據(jù)信號，避免了線性不良問題， 由于不用維修即可修復，因而不會造成像素不良，提高了 TFT-LCD的良品率。
如圖3所示，為本發(fā)明薄膜晶體管陣列基板的制造方法具體實施例的流 程圖，具體包括如下步驟
步驟101、在玻璃基板上依次形成柵線層、柵絕緣層、有源層、及源漏 電極和數(shù)據(jù)線層；
步驟102、在形成柵線層、柵絕緣層、有源層、源漏電極和數(shù)據(jù)線層的 玻璃基板上，沉積鈍化層；
步驟103、在完成步驟102的玻璃基板上，通過光刻工藝和刻蝕工藝形 成過孔，同時刻蝕位于數(shù)據(jù)線上方的鈍化層，暴露出數(shù)據(jù)線；
步驟104、在完成步驟103的玻璃基板上，沉積透明導電層；
步驟105、在完成步驟104的玻璃基板上，通過光刻工藝和刻蝕工藝形成像素電極，同時保留數(shù)據(jù)線上方的透明導電層，數(shù)據(jù)線上方的透明導電層 與像素電極不相連。
本實施例在數(shù)據(jù)線上方保留透明導電層，相當于在數(shù)據(jù)線上添加了一層 導電層，當數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷路情況時，能通過與數(shù)據(jù)線接觸的透明導電層傳送 數(shù)據(jù)信號，避免了線性不良問題，由于不用維修即可修復，因而不會造成像
素不良，提高了 TFT-LCD的良品率。
最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其 限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術 人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或 者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技
術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。
權利要求
1、一種薄膜晶體管陣列基板，包括柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線的上方形成有與所述數(shù)據(jù)線接觸的透明導電層，所述透明導電層與所述像素電極不相連。
2、 才艮據(jù)權利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述透 明導電層的材料與所述像素電極相同，并且與所述像素電極形成在同層上。
3、 一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括在玻璃基板上依次形成 柵線層、4冊絕緣層、有源層、及源漏電極和數(shù)據(jù)線層，其特征在于，還包括步驟1、在形成柵線層、柵絕緣層、有源層、源漏電極和數(shù)據(jù)線層的玻 璃基板上，沉積鈍化層；步驟2、在完成步驟1的玻璃基板上，通過光刻工藝和刻蝕工藝形成過 孔，同時刻蝕位于翁:據(jù)線上方的鈍化層；步驟3、在完成步驟2的玻璃基板上，沉積透明導電層；步驟4、在完成步驟3的玻璃基板上，通過光刻工藝和刻蝕工藝形成像 素電極，同時保留數(shù)據(jù)線上方的透明導電層，所述數(shù)據(jù)線上方的透明導電層 與所述像素電極不相連。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，其中薄膜晶體管陣列基板包括柵線、數(shù)據(jù)線和像素電極，在數(shù)據(jù)線的上方形成有與數(shù)據(jù)線接觸的透明導電層，透明導電層與像素電極不相連。制造方法包括在玻璃基板上依次形成柵線層、柵絕緣層、有源層、及源漏電極和數(shù)據(jù)線層；沉積鈍化層；通過光刻工藝和刻蝕工藝形成過孔，同時刻蝕位于數(shù)據(jù)線上方的鈍化層；沉積透明導電層；通過光刻工藝和刻蝕工藝形成像素電極，同時保留數(shù)據(jù)線上方的透明導電層，數(shù)據(jù)線上方的透明導電層與像素電極不相連。本發(fā)明避免了線性不良問題，且不需要維修從而避免造成像素不良，提高了TFT-LCD的良品率。
文檔編號H01L23/522GK101515587SQ20081005793
公開日2009年8月26日 申請日期2008年2月21日 優(yōu)先權日2008年2月21日
發(fā)明者華 劉, 權基瑛, 偉 申 申請人:北京京東方光電科技有限公司