專利名稱：具有直通芯片連接的前端處理晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，并且尤其涉及用于這種裝置的電連接。
相關(guān)申請的交叉引用本申請依據(jù)35 U.S.C. 119(e)要求2006年12月29日提交的序列號(hào)60/882， 671 的美國臨時(shí)申請的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，并且還作為2006年6月6日提交的第11/422， 551美國專利申 請的延續(xù)部分，其全部內(nèi)容通過引用被結(jié)合在本文中，如同在本文中全部闡述。
背景技術(shù)：
往往希望能夠以有效的方式穿過芯片形成電連接以便于將其連接到另一個(gè)元 件。在多數(shù)情況下，與用傳統(tǒng)方法所做的一樣，這意味著過孔的使用并涉及連接，這些連 接與形成在芯片的周邊上或周邊附近的連接相反，在芯片的裝置的附近構(gòu)成。在完全處理的(即裝置支承(device-bearing))芯片上使用直通芯片過孔的 一個(gè)缺點(diǎn)是完全形成的芯片顯著地比一片可比較的空白晶片或部分處理的芯片的成本更 昂貴。如果在用于電連接的過孔的對準(zhǔn)中產(chǎn)生錯(cuò)誤，則可能損壞在芯片或一個(gè)或多個(gè)金屬 化層上的裝置，或者不能作出希望的連接。在兩種情況下，結(jié)果都可能是無用的芯片，需要廢棄該芯片。

發(fā)明內(nèi)容
我們已經(jīng)發(fā)明了一種方法，以使與裝置支承芯片協(xié)同的直通芯片電連接的使 用有關(guān)的風(fēng)險(xiǎn)和成本最小化。利用一種包括在空白晶片上形成直通芯片連接的實(shí)施方式，有利地消除了損 壞裝置的風(fēng)險(xiǎn)(因?yàn)闆]有裝置損壞)。此外，如果發(fā)生提供的晶片不能用的問題，也降低 成本影響，因?yàn)榫€沒有進(jìn)行任何裝置創(chuàng)造或后端處理過程。另一種實(shí)施方式包括在已經(jīng)形成裝置的晶片上形成直通芯片連接，但是還沒 有完成添加金屬互連層的后端處理。利用該實(shí)施方式，在第一金屬層沉積之后但在第二金屬層沉積之前，或者一般地說，在可能作為后端處理的一部分沉積的任何"n"層沉積之 前，可以在沒有污染風(fēng)險(xiǎn)的情況下形成可能對處理非常靈敏并且需要平坦的極其沒有缺點(diǎn) 的區(qū)域的晶體管，從而提高晶體管產(chǎn)量，同時(shí)還獲得選路的益處，因?yàn)檫^孔可以在后端處 理期間在第一金屬層沉積之前形成。在本文中說明的優(yōu)點(diǎn)和特征是可以從代表性的實(shí)施例中獲得的眾多優(yōu)點(diǎn)和特 征中的幾個(gè)，并且僅出現(xiàn)用于幫助理解本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解它們并不被認(rèn)為是對如權(quán)利要求 所限定的本發(fā)明的限制，或者對相當(dāng)于權(quán)利要求的限制。例如， 一些優(yōu)點(diǎn)是互相對立的， 因?yàn)樗鼈儾荒芡瑫r(shí)存在于單個(gè)實(shí)施例中。類似地， 一些優(yōu)點(diǎn)適用于本發(fā)明的一個(gè)方面，而 不適用于其他方面。因此，特征和優(yōu)點(diǎn)的總結(jié)不應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為在確定等效性方面是決定性的。 本發(fā)明的附加的特征和優(yōu)點(diǎn)將在以下說明中從附圖中以及從權(quán)利要求書中變得顯而易見。


圖1以簡化的形式圖解了將要用于說明處理的空白晶片的部分；
圖2以簡化的形式圖解了在過孔形成之后的圖1的晶片的部分；圖3以簡化的形式圖解了在巳經(jīng)用金屬填充了簡單過孔和環(huán)狀過孔的其中之一 之后的圖2的過孔；圖4以簡化的形式圖解了在完成前端處理之后的圖1的晶片的部分；圖5以簡化的形式圖解了將要用于說明替換處理的前端處理晶片的部分；圖6以簡化的形式圖解了在過孔形成之后的前端處理晶片的部分；圖7以簡化的形式圖解了在其已經(jīng)填充有所需的導(dǎo)電填充材料之后的圖6的過
孔；圖8以簡化的形式圖解了已經(jīng)在后端處理期間添加了金屬-1層之后的圖7的結(jié) 構(gòu)；和圖9A至9D圖解了變化方法中的順序步驟。
具體實(shí)施例方式通過引用結(jié)合在本文中的序列號(hào)為11 / 329,481、 11 / 329,506、 11 / 329,539、 11 / 329,540、 11 / 329,556、 11 / 329,557、 11 / 329,558、 11 / 329,574、 11 / 329,575、 11 / 329,576、 11 / 329,873、 11 / 329,874、 11 / 329,875、 11 / 329,883、 11 / 329,885、 11 / 329,886、 11 / 329,887、 11 / 329,952、 11 / 329,953、 11 / 329,955、 11 / 330,011、 11 / 556,747 和11 /422,551的美國專利申請描述了用于在半導(dǎo)體晶片中形成小的、深的過孔和用于半
6導(dǎo)體晶片的電觸點(diǎn)的各種技術(shù)。我們的技術(shù)考慮到以前無法獲得的過孔密度和位置，并且 可以在芯片或者晶片比例上執(zhí)行。如果所希望的是建立直通芯片電連接，但使涉及完全處理晶片(即裝置支承晶
片)的風(fēng)險(xiǎn)最小化，則可以使用以下方法。綜上所述，該方法直接包括在它們應(yīng)當(dāng)與一旦完成前端處理時(shí)將位于晶片上的 裝置相關(guān)的位置上在空白晶片中形成過孔，使過孔導(dǎo)電，然后在晶片上制造裝置，從而借 助于裝置制造處理獲得裝置和直通芯片連接之間的連接。具體地，處理從空白晶片，例如硅(Si)、鍺(Ge)、硅-鍺(SiGe)、砷化 鎵(GaAs)、磷化銦(InP)或其他晶片開始。圖1以簡化的形式圖解了將要用于說明處理的空白晶片102的部分100的橫截 面。注意為了陳述簡化，使比例大體上失真。接下來，如果已經(jīng)形成裝置，則在與獲得其的地方相對應(yīng)的晶片上，在預(yù)先選 擇的位置在晶片中形成過孔。取決于特定的實(shí)施方式，可能包括使用例如上述結(jié)合申請所 描述的技術(shù)之一來形成過孔。換句話說，或者此外，過孔可以通過包括例如激光打孔的其 他處理來形成。圖2以簡化的形式圖解了在過孔202、 204、 206形成之后的空白晶片102的部 分IOO。如圖所示，部分中的過孔包括一個(gè)簡單過孔202和兩個(gè)環(huán)狀過孔204、 206。注意， 因?yàn)槭褂铆h(huán)狀過孔，所以過孔沒有完全貫穿晶片，而是在離晶片的底面104的短距離處停 止，以防止中心柱脫落。 —旦過孔已經(jīng)形成，通過用可以經(jīng)得起特定前端處理步驟和具體地，裝置建立 中所涉及的溫度和應(yīng)力的導(dǎo)體來填充過孔，使過孔導(dǎo)電。例如，如果將要進(jìn)行CMOS處理， 則導(dǎo)體可以是任何Au、 Cu、 Ni、 W、 Ti或者任何其他金屬，或者可以經(jīng)得起CMOS處理 中所涉及的溫度的合金。選擇性地，可以在用導(dǎo)體填充之前用電介質(zhì)或絕緣體層涂敷過孔， 以防止或確保導(dǎo)體不會(huì)與基板短接。取決于特定的實(shí)施方式，可以包括使用汽相沉積處理、電鍍處理或?qū)е逻^孔填 充的任何其他處理來填充過孔。換句話說，如果使用環(huán)狀過孔處理，則環(huán)狀過孔可以被填 充適當(dāng)堅(jiān)固的絕緣體，并且中心柱可以被完整保留(即未去除)，以便在前端處理期間， 中心柱可以被適當(dāng)?shù)負(fù)诫s，從而本身充當(dāng)導(dǎo)體并在這種過孔中根本不需要任何金屬。圖3以簡化的形式圖解了在已經(jīng)用金屬208填充簡單過孔202并且也用有金屬 208填充環(huán)狀過孔202之一 (其中心柱已去除)及因去除而留下的空間之后的過孔202、204、 206。注意環(huán)狀過孔204、 206都已經(jīng)填充有適當(dāng)?shù)慕^緣體210。但是，在第二環(huán)狀過 孔206之內(nèi)的中心柱212沒有被去除，以使其可以在前端處理期間變成導(dǎo)體。在已經(jīng)使用環(huán)狀過孔的情況下，現(xiàn)在可以使晶片的底面104變薄以露出導(dǎo)體金 屬208或中心柱212的底部。如將要識(shí)別的，變薄不會(huì)影響中心柱212被保留的地方的過 孔206，因?yàn)榻^緣體210將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。?dāng)然，如果不使用環(huán)狀過孔，則過孔可 以貫穿晶片或者如期望的未貫穿晶片，記住，后一種情況將可能需要變薄，除非例如計(jì)劃 電容性連接。在另一個(gè)替換的變化例中，過孔不會(huì)完全貫穿晶片，并且晶片的底部和過孔之 間的區(qū)域被維持在足夠的尺寸，以使其可以在前端處理期間變成裝置區(qū)域。此時(shí)，完成當(dāng)前方法的處理，并且現(xiàn)在晶片包含整套導(dǎo)電過孔。此后，晶片可以以傳統(tǒng)的方式進(jìn)行正常的前端和后端處理和切割。 一旦處理完 成，最后的芯片將具有與通過執(zhí)行上述結(jié)合方法之一所能具有的相同類型的直通芯片連 接，但是處于更低的風(fēng)險(xiǎn)并且可能具有較高的產(chǎn)量。圖4以簡化的形式圖解了在完成前端處理之后的圖1的晶片的部分。因此，如 圖4所示，晶片變成前端處理過的晶片400并且現(xiàn)在包括可以出現(xiàn)裝置的摻雜區(qū)域402。 有利地，借助于其相對于裝置的位置，過孔現(xiàn)在被電連接至裝置的適當(dāng)部分。.在將要形成對處理可能非常靈敏并且需要平坦且極其沒有缺點(diǎn)的區(qū)域，從而必 須在沒有可能發(fā)生在過孔形成期間的污染風(fēng)險(xiǎn)的情況下形成的晶體管的情形中，則可以使 用以下方法。綜上所述，該方法直接包括直到前端處理完成才在晶片上形成裝置，但是在后 端處理的一個(gè)或多個(gè)階段開始之前，在前端處理晶片中形成過孔，使得過孔導(dǎo)電，然后進(jìn) 行一個(gè)或多個(gè)附加的后端處理階段。圖5以簡化的形式圖解了將要用于說明替換處理的前端處理過的晶片502的部 分500。如圖所示，晶片502包含在摻雜區(qū)域504中已形成的裝置。但是，此時(shí)，增加金 屬互連層的后端處理沒有發(fā)生。接下來，在用于連接至裝置或者避開裝置的適當(dāng)?shù)奈恢锰幵诰行纬蛇^孔。 取決于特定的實(shí)施方式，這可以包括使用例如上述結(jié)合申請所描述的技術(shù)之一來形成過 孔。換句話說，或者此外，過孔可以通過包括例如激光打孔的其他處理來形成。圖6以簡化的形式圖解了在過孔602、 604、 606形成之后的前端處理過的晶片 502的部分500。如圖所示，部分500中的過孔包括一個(gè)簡單過孔602 (可以或者不能包含
8任意的電介質(zhì)或絕緣體涂層)以及兩個(gè)環(huán)狀過孔604、 606。注意，因?yàn)槭褂铆h(huán)狀過孔，所 以過孔沒有完全貫穿晶片，而是在離晶片502的底面506的短距離處停止，以防止中心柱 脫落。 —旦過孔已經(jīng)形成，通過用導(dǎo)電的充填材料填充過孔來使得過孔導(dǎo)電。取決于 特定的實(shí)施方式，這可以包括使用汽相沉積處理、電鍍處理或?qū)е逻^孔填充的任何其他處 理來填充過孔。取決于特定的實(shí)施方式，可以用與用于將要形成的金屬層相同的材料，例 如鋁、鎢或銅來填充過孔，其可以是不同于將要用于形成金屬層的材料，例如，金、銀或 鎳，或者在直接連接至裝置的情況下，是與過孔到達(dá)并且將附接的裝置的特定部分相匹配 的材料，例如，使用與場效應(yīng)晶體管的柵極材料相匹配的多晶硅。圖7以簡化的形式圖解了在已經(jīng)用希望的導(dǎo)電填充材料608填充圖6的過孔 602、 604、 606之后的過孔602、 604、 606。注意，如圖所示，并且在填充導(dǎo)體之前，已 經(jīng)用適當(dāng)?shù)慕^緣體610填充環(huán)狀過孔，并且每個(gè)環(huán)狀過孔604、 606的中心柱已經(jīng)被去除。在使用環(huán)狀過孔的情形中，則晶片502的底面506現(xiàn)在可以變薄以露出導(dǎo)電填 充材料608。換句話說，此后，變薄(如果需要)可以發(fā)生在某點(diǎn)。接下來，后端處理可以從放下第一后端連接層(這里稱為"金屬-l"層)開始。圖8以簡化的形式圖解了已經(jīng)在后端處理期間添加金屬-1層800之后的圖7的 結(jié)構(gòu)。有利地，通過使用該方法，給定過孔的導(dǎo)電填充材料608可以直接連接至金屬 -1層800，或者如所期望的不直接連接至金屬-1層800，在前一種情況下，這可以通過沉 積金屬-1層800簡單地發(fā)生，以便金屬-1層800的一部分直接接觸并覆蓋過孔的導(dǎo)電填充 材料608，諸如如圖8所示。換句話說，并且有利地，在一個(gè)實(shí)例的實(shí)施方式中，例如，如果使用電鍍處理， 則金屬-1層的形成可以作為過孔填充處理的一部分存在。采用這種方法，將用用于金屬-1 層800的路線和露出的將被填充的過孔使晶片圖案化。此后，籽晶層(seedlayer)被涂布 以促進(jìn)電鍍，然后電鍍發(fā)生。如此，在籽晶(seed)所在地形成的電鍍"覆蓋層"將固有 地形成金屬-l層800。此外，通過選擇性的圖案化，如所需要的，特定的過孔可以"向上" 貫穿金屬化層，以連接至一個(gè)或多個(gè)特定的金屬化層(例如，任何金屬-2到金屬-N，其中 "N"是最外層)?？梢允褂眠M(jìn)一步有利的替換變化方法，其中必須連接至金屬-2至金屬-N層中 的一個(gè)或多個(gè)。除了光致抗蝕劑可以用于使覆蓋層圖案化之外，該變化方法類似于緊接的
9在先方法?？梢允褂玫囊环N光致抗蝕劑是可以用于選擇性地覆蓋一定過孔的"固體"光致 抗蝕劑，以致盡管所有的過孔都形成在晶片中，也使那些將連接到金屬-l層的過孔露出以 用于第一輪電鍍。作為非限制的實(shí)例，適當(dāng)?shù)?固體"光致抗蝕劑材料包括市場上可得到 的來自E. I. du Pont de Nemours & Co的Riston②干膜光致抗蝕劑系列商品，或者在適當(dāng)薄 片厚度中有效的其他類似的光致抗蝕劑。具體地，對于Riston⑧干膜光致抗蝕劑系列商品， 可以使用光致抗蝕劑的Riston PlateMaster、EtchMaster和TentMaster系歹U商iS 。如Riston 的光致抗蝕劑產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)是其可以作為薄片被放置在表面上并且其具有剛性。剛性意味著 其可以通過其能夠覆蓋過孔并允許其在隨后的時(shí)間點(diǎn)被容易地再次露出的方式被圖案化。 換句話說，如果非故意的過孔填充不是任何理由的問題，則可以使用傳統(tǒng)的非固體或粘性 的光致抗蝕劑。圖9A到9D圖解了在晶片902的實(shí)例部分900上進(jìn)行的不同的方法中的順 序步驟，包括固體光致抗蝕劑的使用，晶片902在其上已經(jīng)在裝置區(qū)域904中具有裝置并 且如本文中所描述的已經(jīng)形成的過孔906、 908、 910、 912。通過固體光致抗蝕劑905的使用和圖案化，將以其導(dǎo)電填充劑連接至金屬-1層 的過孔906的填充與金屬-l層的形成通過用導(dǎo)電填充材料608電鍍而同時(shí)發(fā)生(圖9A)， 以使電鍍"覆蓋層"形成金屬-1層，同時(shí)固體光致抗蝕劑905防止其他過孔908、 910、 912 被導(dǎo)電填充材料608或者光致抗蝕劑本身填充。應(yīng)當(dāng)注意， 一定水平的規(guī)劃將是必須的，以便保證沒有部分金屬化層超過將連 接至隨后的金屬化層的過孔。如果這不能避免，則過孔將需要在其金屬化和改道之前在一 個(gè)或多個(gè)金屬化層之內(nèi)被填充。有利地，沒有出現(xiàn)大的問題，因?yàn)樵趯又凶鞒龅慕饘倩?部分原因首先是改道?；氐皆摲椒?，第一 "固體"光致抗蝕劑905層被去除，并且新的"固體"光致 抗蝕劑905層被涂布以保護(hù)金屬-l層和過孔910、 912，過孔910、 912將連接至其他層并 被圖案化以露出過孔908，過孔908將在形成金屬-2層的同時(shí)被填充，籽晶層被涂布并進(jìn) 行電鍍，以填充過孔并使用電鍍"覆蓋層"作為金屬-2層(圖9B)。對連續(xù)的的金屬化層反復(fù)地重復(fù)該方法(圖9C、圖9D)，直到所有的過孔都 已經(jīng)如需要的被連接，其中可以使用傳統(tǒng)的后端處理來形成剩余的金屬化層(即直通金屬 -N)。顯著地，雖然當(dāng)前的后端處理可以包括10至12層以上(即N^0、 11、 12或以上)， 但是有利地，無論最終需要的后端層的數(shù)目，該方法可以是相同的。選擇性地，代替緊接著完成前端處理之后的蝕刻和制造過孔，可以使用兩種替 換方法中的任何一個(gè)。在一個(gè)替換方案中，可以進(jìn)行前端處理直到裝置的部件被添加，然后過孔建立和填充可以與部件的建立同時(shí)發(fā)生，例如，可以在柵極導(dǎo)體(對于晶體管的柵 極)沉積的同時(shí)對過孔進(jìn)行蝕刻和填充。在另一個(gè)替換方案中，可以如上完成前端處理， 但是后端處理將僅僅直到金屬-"X"層才完成(其中N是完成的集成電路芯片的層的最后 的總數(shù)并且KX〈N)，然后過孔將被蝕刻和填充達(dá)到那層。此后，后端處理將繼續(xù)，并且， 選擇性地，在完成一些附加的層數(shù)之后，在完成金屬-N層之前，可以重復(fù)該處理。也應(yīng)注意，本文中的方法也允許后端處理停止在裝置測試?yán)绾唵喂δ艿闹虚g 點(diǎn)，以便如果任何給定模具是不起作用的或者全部的晶片具有不足的產(chǎn)量，則處理可以被 停止或者僅對通過該中間測試的芯片繼續(xù)。因此應(yīng)該理解本說明書(包括附圖)僅表示一些說明性的實(shí)施例。為了方便讀 者，上述說明集中在所有可能的實(shí)施例的代表性實(shí)例，教導(dǎo)本發(fā)明的原理的實(shí)例。本說明 書沒有試圖詳盡地列舉所有可能的變化例。對于本發(fā)明的特定部分可能不出現(xiàn)替換的實(shí)施 例，或者進(jìn)一步未描述的替換的實(shí)施例對一部分是可以獲得的，不被認(rèn)為是放棄那些替換 的實(shí)施例。普通的技術(shù)人員之一將領(lǐng)會(huì)許多未描述的實(shí)施例結(jié)合了本發(fā)明的相同原理并且 相等同。
權(quán)利要求
1.一種方法，其特征在于，包括在裝置支承半導(dǎo)體晶片中形成過孔；使所述裝置支承半導(dǎo)體晶片中的所述過孔中的至少一些過孔導(dǎo)電；以及對所述裝置支承半導(dǎo)體晶片進(jìn)行后端處理，以在導(dǎo)電過孔和金屬化層之間建立電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成過孔包括 形成環(huán)狀過孔。
3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述環(huán)狀過孔包括 去除至少一個(gè)中心柱。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，使空白半導(dǎo)體晶片中的所述過孔中的至少 一些過孔導(dǎo)電包括用金屬、金屬合金、多晶硅的其中之一填充所述過孔。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述過孔包括 形成金屬化層的同時(shí)填充所述過孔。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬化層是第一金屬層。
7. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬化層是第N金屬層。
8. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬化層是第一金屬層和第N金屬層 之間的金屬層。
9. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述金屬化層的同時(shí)填充所述過孔包括涂布固體光致抗蝕劑； 使所述固體光致抗蝕劑圖案化； 將籽晶層涂布到通過圖案化而露出的區(qū)域；和 電鍍所述籽晶層。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，填充所述過孔包括 在形成至少一個(gè)金屬化層之后填充所述過孔。
11. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述裝置支承半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行所述 后端處理發(fā)生在使所述裝置支承半導(dǎo)體晶片中的至少一些過孔導(dǎo)電之后。
12. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述裝置支承半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行所述 后端處理包括經(jīng)由電鍍處理建立金屬-X層，其中X在1和N之間。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，X等于 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11或12中的一個(gè)。
14. 如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，X大于IO。
15. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在所述后端處理的執(zhí)行開始之后，但在后端處理的執(zhí)行完成之前，對所述半導(dǎo)體晶片 上的裝置執(zhí)行功能測試。
16. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在至少一個(gè)過孔之上涂布固體光致抗蝕劑，使得在所述固體光致抗蝕劑圖案化、電鍍 處理執(zhí)行以及所述固體光致抗蝕劑去除之后，所述至少一個(gè)過孔將不會(huì)填充有電鍍金屬。
17. —種方法，其特征在于，包括 在裝置支承半導(dǎo)體晶片中形成過孔；使所述裝置支承半導(dǎo)體晶片中的至少一些所述過孔導(dǎo)電；以及 處理所述裝置支承半導(dǎo)體晶片，以在導(dǎo)電過孔和傳導(dǎo)半導(dǎo)體層之間建立電連接。
18. —種方法，其特征在于，包括 在空白半導(dǎo)體晶片中形成過孔；使所述空白半導(dǎo)體晶片中的所述過孔中的至少一些過孔導(dǎo)電；以及在所述空白晶片上進(jìn)行前端處理，以在所述晶片上建立裝置，所述晶片被連接到導(dǎo)電 過孔。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，形成所述過孔包括 形成環(huán)狀過孔。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，形成所述環(huán)狀過孔包括 去除至少一個(gè)中心柱。
21. 如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，形成所述環(huán)狀過孔包括 至少一個(gè)中心柱保持原樣，使得能夠在所述空白半導(dǎo)體晶片的前端處理期間實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電。
22. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，使所述空白半導(dǎo)體晶片中的所述過孔中的至少一些過孔導(dǎo)電包括用金屬或金屬合金的其中之一填充所述過孔。
23. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，形成所述過孔包括 形成所述過孔至比將穿過所述晶片的深度小的深度。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，進(jìn)行前端處理包括在位于至少一個(gè)過孔的底部附近的區(qū)域中形成裝置。
25. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述進(jìn)行前端處理包括:在位于至少一個(gè)過孔的外端附近的區(qū)域中形成裝置。
26. 如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括使所述晶片的最靠近至少一個(gè)過孔的底部的一側(cè)變薄。
全文摘要
一種方法，包括在裝置支承半導(dǎo)體晶片中形成過孔，使裝置支承半導(dǎo)體晶片中的至少一些過孔導(dǎo)電，以及對裝置支承半導(dǎo)體晶片進(jìn)行后端處理，以便在導(dǎo)電過孔和金屬化層之間建立電連接。一種替換的方法，包括在裝置支承半導(dǎo)體晶片中形成過孔，使裝置支承半導(dǎo)體晶片中的至少一些過孔導(dǎo)電，以及處理裝置支承半導(dǎo)體晶片，以便在導(dǎo)電過孔和傳導(dǎo)半導(dǎo)體層之間建立電連接。
文檔編號(hào)H01L21/4763GK101663742SQ200780047912
公開日2010年3月3日 申請日期2007年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月29日
發(fā)明者約翰·特雷扎 申請人:丘費(fèi)爾資產(chǎn)股份有限公司