專利名稱：電子部件模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種帶有至少一個(gè)多層的電路支承體組件的電子部件模塊。
背景技術(shù)：
在部件技術(shù)中，總是努力使得這些部件模塊一方面應(yīng)當(dāng)效率越來(lái)越 高，而另一方面這些部件模塊應(yīng)當(dāng)越來(lái)越小。新材料、工藝技術(shù)以及裝配 技術(shù)方案能夠?qū)崿F(xiàn)具有更快的開關(guān)循環(huán)和更為緊湊的構(gòu)型的電子元件。在 這種小型化中出現(xiàn)的一個(gè)問題是，將這種部件模塊工作時(shí)出現(xiàn)的廢熱散 發(fā)。這種部件模塊的緊湊性以不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中著重是多層的電路 支承體組件，因?yàn)橥ㄟ^(guò)將面積重新分布在第三維度中可以極大地減小通常
的二維電路板。通常，引出損耗熱的問題源自以下情況對(duì)于電路支承體 組件可用的電絕a料僅僅能夠?qū)崿F(xiàn)有限的熱傳導(dǎo)。
針對(duì)具有損耗的電器件的散熱的材料技術(shù)和工藝技術(shù)解決方案尤其 是在功率電子學(xué)中已公開。在WO 2004/045016 A2中公開了一種使用 LTCC (低溫共燒陶瓷)的多層陶瓷襯底的復(fù)合結(jié)構(gòu)，其中在該陶資襯底 之下構(gòu)建了金屬支承體，并且功率部件安裝在該陶瓷襯底的上側(cè)上。通過(guò) 陶瓷襯底，構(gòu)建了金屬熱通孔，這些通孔引導(dǎo)至金屬支承體，以^更能夠在 垂直方向上將所產(chǎn)生的廢熱散發(fā)。
另 一熱耦合可以如下實(shí)現(xiàn)將功率部件直接安裝到電路支承體的開口 中的金屬支承體上。這種擴(kuò)展方案在US 2003/0062185 Al和US 2004/0222433 Al中被公開。
在陶瓷電路支承體和金屬冷卻體之間的連接在此例如可以通過(guò)粘合 連接、釬焊連接來(lái)建立或者在將陶瓷共燒(Cofiring)期間中建立。然而， 這些解決方案是對(duì)部件(例如發(fā)光二極管)的二維布置而設(shè)計(jì)的，并且所 產(chǎn)生的廢熱實(shí)際上^(5L僅垂直于金屬支承體的平面向下散良。
對(duì)于四層的、耐熱的電路支承體，也可以設(shè)計(jì)為，考慮LTCC技術(shù)，該技術(shù)實(shí)際上能夠?qū)崿F(xiàn)無(wú)限的層數(shù)，以及熱通孔和被沖壓的窗。此外，可 能的是，將機(jī)械和電復(fù)合結(jié)構(gòu)中的多個(gè)陶瓷電路支承體通過(guò)所謂的 陣
列(Ball-Grid-Array)彼此堆疊為三維的模塊。然而，在這些模塊中，并 不能夠容易地實(shí)現(xiàn)器件的冷卻。
此外，在已知的部件模塊中，由于熱在其中的垂直散發(fā)，所以多個(gè)電 路支承體組件彼此不可能堆疊。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的任務(wù)是，實(shí)現(xiàn)一種電子部件模塊，其可以被緊湊地構(gòu) 建，并且能夠?qū)崿F(xiàn)更好的散熱。
該任務(wù)通過(guò)一種具有根據(jù)權(quán)利要求1所述的特征的電子部件模塊來(lái) 解決。
根據(jù)該解決方案的電子部件模塊包括至少一個(gè)多層的第一電路支承 體組件和冷卻裝置，其中冷卻裝置與電路支承體組件的上側(cè)接觸，特別是 盡可能大面積地接觸，并且被構(gòu)建為使得在電子部件模塊工作中產(chǎn)生的廢 熱可以在關(guān)于電路支承體組件的設(shè)置和取向的橫向方向上通過(guò)冷卻裝置 歉義。該擴(kuò)展方案一方面能夠?qū)崿F(xiàn)帶有多層的電路支承體組件的緊湊的部 件模塊，其中所產(chǎn)生的廢熱可以通過(guò)改進(jìn)的方案被散發(fā)。由此，不再進(jìn)行 熱的垂直歉t，而是進(jìn)行水平的歉義，其中必須構(gòu)建通孔來(lái)保持與金屬支 承體的接觸。廢熱散義的這種方案能夠?qū)崿F(xiàn)電路支承體組件的、關(guān)于電子 部件模塊的緊湊的類似立方體的構(gòu)型的改善的可堆疊性。在多層的電路支 承體組件側(cè)面將廢熱橫向向外引出也能夠?qū)崿F(xiàn)元件的更為有效和更為高 效的散熱。為了保持在電路支承體組件和散熱器之間的熱阻盡可能小，對(duì) 于冷卻裝置優(yōu)選的是使用一種具有盡可能大的熱傳導(dǎo)能力的材料。
優(yōu)選的是，冷卻裝置在橫向方向上至少在電路支承體組件的一個(gè)側(cè)面 上延伸超出電路支承體組件的范圍。由此，可以實(shí)現(xiàn)有效的M和與電子 部件模塊的殼體的簡(jiǎn)單接觸。
冷卻裝置至少局部板狀地構(gòu)建。由此，可以實(shí)現(xiàn)與電子電路支承體組 件的比較大面積的接觸。
優(yōu)選的是，冷卻裝置至少局部構(gòu)建為電子部件模塊的殼體的側(cè)壁。由 此，可以實(shí)現(xiàn)非常緊湊的布置?？梢栽O(shè)計(jì)的是，至少一個(gè)多層的電路支承體組件具有至少一個(gè)隔離 層、 一個(gè)器件層和一個(gè)印制導(dǎo)線層。所提及的層可以關(guān)于它們的彼此的布 置而改變，以及可以關(guān)于它們的數(shù)量而改變?？梢栽O(shè)計(jì)的是，在層序列中， 器件層接在絕緣層之后，而印制導(dǎo)線層接在器件層之后。也可以設(shè)計(jì)的是， 印制導(dǎo)線層是最上層，隨后跟隨有器件層以及隨后是絕緣層。也可以設(shè)計(jì) 的是，在器件層和印制導(dǎo)線層之間構(gòu)建另一絕緣層。在印制導(dǎo)線層的與器 件層或者必要時(shí)存在的另外的絕緣層背離的側(cè)上可以優(yōu)選地設(shè)置冷卻裝 置。此外，另外的冷卻裝置也可以接在絕緣層之后，由此電路支承體組件 兩側(cè)地(上和下)分別設(shè)置有冷卻裝置用于橫向散熱。
優(yōu)選的是，在第一電路支承體組件和第二電路支承體組件之間構(gòu)建有 中間層，特別是絕緣的中間層，并且在電路支承體組件的與該中間層背離 的上側(cè)上分別設(shè)置冷卻裝置。印制導(dǎo)線層優(yōu)選地與中間層鄰接，并且冷卻 裝置有利地與絕緣層鄰接。
在中間層的對(duì)置的側(cè)上可以分別設(shè)置電路支承體組件，電路支承體組 件針對(duì)層布置和層的數(shù)量可以相同地構(gòu)建，或者也可以不同地構(gòu)建。
冷卻裝置優(yōu)選在它們的邊緣區(qū)域上在電路支承體組件的側(cè)面彼此相 連，特別是通過(guò)導(dǎo)熱的間隔元件相連。該連接可以優(yōu)選通過(guò)垂直取向的間 隔元件來(lái)構(gòu)建，這些間隔元件特別是導(dǎo)熱地構(gòu)建。由此，可以實(shí)現(xiàn)一種電 子部件模塊，該電子部件模塊在中間層的對(duì)置的側(cè)上分別具有多層的電路 支承體，其中電路支承體組件在它們的暴露的上側(cè)、特別^本上水平的 上側(cè)上至少局部地分別與冷卻裝置相連。冷卻裝置直接地位于該上側(cè)上。 這種三明治狀的布置能夠?qū)崿F(xiàn)部件模塊的非常緊湊的實(shí)現(xiàn)形式，該部件模
塊保證了更好的散熱，其中所述三明治狀的布置在堆疊中具有冷卻裝置， 特別是冷卻層；接在其后的多層的笫一電路支承體組件；隨后的中間層； 隨后又是多層的第二電路支承體組件；以及最后又是冷卻裝置。此外，這 種三明治狀結(jié)構(gòu)可以任意多次皿此堆疊。
然而，冷卻裝置、電路支承體組件以及中間層的任意其他的堆疊順序 也是可能的。
冷卻層在電路支承體組件的露出的上側(cè)上的布置以及特別是其中水 平的冷卻裝置在垂直方向上通過(guò)間隔元件相連的實(shí)現(xiàn)形式，能夠?qū)崿F(xiàn)冷卻 裝置同時(shí)是電子部件模塊的殼體。
在此，也可以設(shè)計(jì)的是，中間層、特別是PCB襯底或者DCB (直接銅接合氮化鋁村底)襯底同樣被散熱地構(gòu)建。例如可以設(shè)計(jì)的是，中間層 具有金屬芯、特別是鋁芯或者銅芯。當(dāng)存在借助模制引線框架技術(shù)
(Molded-Lead-Frame-Technik)的連接時(shí)，所示的發(fā)明證明是特別有利 的。在此，可以以模制引線框架技術(shù)實(shí)施包括有中間層、電路支承體組件 以及冷卻裝置的單個(gè)的或者所有元件。在這種實(shí)施形式中，電路支承體組 件的所有層可以至少局部地也空間彎曲地構(gòu)建，由此不僅絕緣層而且器件 層以及印制導(dǎo)線層都可以空間彎曲。由此，任意器件都可以通過(guò)其基本上 所有的暴露的面來(lái)冷卻。于是，也可以設(shè)計(jì)的是，M的印制導(dǎo)線或者金 屬深沖件(例如鋁深沖件或者銅深沖件)可以被至少局部地以塑料來(lái)壓力 注塑包封，并且這些擴(kuò)展方案以及普遍化最后僅^f5l取決于在電子部件模塊
中的電流和熱負(fù)載的總和以及絕緣強(qiáng)度。由此，可以實(shí)現(xiàn)將電流引導(dǎo)和冷 卻集成。此外，電路支承體組件的外側(cè)形成了包括任意的冷卻肋的殼體， 并且具有嵌體模型(Inlay-Mold)用于絕緣，然而其中可以實(shí)現(xiàn)后面的層 的熱耦合。與澆鑄實(shí)施形式相比，在這種三明治狀擴(kuò)展方案中也可以實(shí)現(xiàn) 的是，不設(shè)置電路支承體組件與中間層的粘合。在冷卻裝置中優(yōu)選地可以 設(shè)置如下區(qū)段該區(qū)段同時(shí)構(gòu)建為插頭或者插座用于冷卻裝置的電接觸。
優(yōu)選的是，冷卻裝置中的至少一個(gè)和/或中間層中的至少一個(gè)和/或電 路支承體組件中的至少一個(gè)可以以模制引線框架技術(shù)來(lái)構(gòu)建。
優(yōu)選的是，冷卻裝置至少局部地由金屬構(gòu)建，并且有利地構(gòu)建為金屬板。
冷卻裝置優(yōu)選至少局部地作為中間層設(shè)置在第一電路支承體組件和 多層的第二電路支承體組件之間。由此，可以通過(guò)冷卻裝置實(shí)現(xiàn)兩個(gè)電路 支承體組件的橫向冷卻。此外，進(jìn)一步可以改善結(jié)構(gòu)的緊湊性。
可以設(shè)置至少一個(gè)第三電路支承體組件，其與另一冷卻裝置接觸，其 中與第 一和第二電路支承體組件接觸的冷卻裝置通過(guò)至少 一個(gè)間隔元件
與另一冷卻裝置相連。
優(yōu)選的是，在第三電路支承體組件和第一或第二電路支承體組件之間 構(gòu)建至少一個(gè) 陣列和/或至少一個(gè)彈性接觸部和/或至少一個(gè)可插接的 桿作為電接觸部。由此，在元件熱膨脹時(shí)也可以保證可靠的接觸。未設(shè)置 在共同的中間層或者冷卻裝置的對(duì)置側(cè)上的電路支承體組件的電接觸由 此可以以多種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。根據(jù)制造技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)盡可能最好的電接觸。
優(yōu)選的是，在冷卻裝置中構(gòu)建穿通的電接觸部，特別是通孔，用于使兩個(gè)電路支承體組件彼此接觸，其中電接觸部與冷卻裝置絕緣。
優(yōu)選的是，至少一個(gè)電路支承體組件具有多個(gè)LTCC層，這些層優(yōu) 選具有集成的器件。由此，電子部件模塊的三維的堆疊形狀能夠以緊湊和 類似立方體的方式實(shí)現(xiàn)，并且以金屬-陶瓷-復(fù)合結(jié)構(gòu)的散熱方案來(lái)實(shí) 現(xiàn)。
優(yōu)選的是,將用于電子部件模塊的外部電接觸的插接連接部安裝到冷 卻裝置中。當(dāng)至少一個(gè)冷卻裝置是電子部件模塊的殼體壁時(shí)，這是特別有 利的。該殼體壁可以是主散熱器。
優(yōu)選的是，間隔元件電絕緣地構(gòu)建，并且通過(guò)這種間隔元件相連的冷 卻裝置優(yōu)選可以置于不同的電勢(shì)上。可以設(shè)計(jì)的是，電子部件模塊的電接 觸向外通過(guò)至少兩個(gè)位于不同的電勢(shì)的冷卻裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)或者構(gòu)建。
優(yōu)選的是，至少在冷卻裝置的邊緣區(qū)域上構(gòu)建有冷卻肋。
優(yōu)選的是，冷卻裝置在橫向方向上延伸，并且由此在電路支承體組件 的側(cè)面延伸超出間隔元件的位置。這意味著，垂直取向的間隔元件從冷卻 裝置的邊緣區(qū)域朝向電路支承體組件的方向插入，使得在水平方向上構(gòu)建 有冷卻裝置的自由端部。在冷卻裝置的這些邊緣區(qū)域上可以優(yōu)選地構(gòu)建冷 卻肋。所產(chǎn)生的廢熱的散發(fā)由此可以被進(jìn)一步改進(jìn)。
其他的有利的實(shí)施形式由以下借助示意圖進(jìn)一步闡述的實(shí)施例中得到。


以下將借助示意圖詳細(xì)地闡述本發(fā)明的實(shí)施例。其中 圖l示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第一實(shí)施例的截面圖 圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第二實(shí)施例的截面圖 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第三實(shí)施例的截面圖 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第四實(shí)施例的截面圖 圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第五實(shí)施例的截面圖 圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的電子部件模塊的第六實(shí)施例的截面圖 圖7示出了電子部件模塊的第七實(shí)施例的截面圖；圖8示出了電子部件模塊的第八實(shí)施例的截面圖；以及 圖9示出了電子部件模塊的第九實(shí)施例的截面圖。
具體實(shí)施例方式
在附圖中，相同的或者功能相同的要素設(shè)置有相同的參考標(biāo)記。
在圖1中示出了部件模塊系統(tǒng)l的第一實(shí)施例的截面圖，該系統(tǒng)包括 三個(gè)電子部件模塊2、 3和4。第一電子部件模塊2包括多層的第一電路 支承體組件21和多層的第二電路支承體組件22。在兩個(gè)電路支承體組件 21和22之間是中間層或者設(shè)置有中間層23，該中間層在該實(shí)施例中構(gòu)建 為金屬板。該中間層23構(gòu)建為用于冷卻電子部件模塊2，并且以下被稱 為冷卻裝置23或者冷卻層。這種冷卻裝置23由此被構(gòu)建為與電路支承體 組件21和22的上側(cè)通過(guò)平面的區(qū)域直接彼此靠置。通過(guò)這種設(shè)置，特別 是在橫向方向(x方向)可以構(gòu)建冷卻裝置23與電路支承體組件21和22 之間的比較大的接觸區(qū)域，由此可以實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的散熱。特別地，這種平面 的接觸區(qū)域在x-z平面(垂直于圖平面)的整個(gè)面積區(qū)域上延伸。
在該實(shí)施例中，多層的第一電路支承體組件21具有三個(gè)垂直^目疊 設(shè)置的LTCC層21a至21c。在LTCC層21a至21c中構(gòu)建有未被具體表 示的部件和印制導(dǎo)線。如可以看到的那樣，在層21c上設(shè)置了集成電路 21d,該集成電路定位在凹進(jìn)部分21e中，該凹進(jìn)部分構(gòu)建在層21a以及 層21b中。在所示的實(shí)施例中，設(shè)置在冷卻裝置23的對(duì)置的側(cè)上的多層 的第二電路支承體組件22同樣包括三個(gè)LTCC層22a至22c,這些層同 樣構(gòu)建為L(zhǎng)TCC-玻璃陶瓷。在此，在層22c上也設(shè)置了集成電路22d， 該集成電路定位在層22a和22b的凹進(jìn)部分22e中。
如從圖1的視圖中可以看到的那樣，冷卻裝置23在x方向延伸，并 且由此在整個(gè)部件模塊系統(tǒng)1的橫向或者水平方向上延伸超出兩個(gè)電路 支承體組件21和22的范圍。為了使兩個(gè)電路支承體組件21和22電接觸， 在冷卻裝置23中構(gòu)建電接觸的通孔23a、 23b、 23c和23d。然而，這些 為了電接觸而設(shè)置的通孔23a至23d與冷卻裝置23電絕緣。在該實(shí)施例 中，冷卻裝置23也在垂直于圖平面走向的平面(X-z平面)中延伸超出 兩個(gè)電路支承體組件21和22的范圍。然而，也可以設(shè)計(jì)為，冷卻裝置僅 僅在所示的截面圖的右邊或者左邊在橫向方向(x方向)上延伸超出電路 支承體組件23和22的構(gòu)型。通過(guò)冷卻裝置23可以將電子部件模塊2工作時(shí)產(chǎn)生的廢熱側(cè)向(x 方向)地向外傳導(dǎo)，特別是在電路支承體組件21和22的側(cè)面在橫向方向 上散發(fā)。在三維的視圖中，這種橫向散熱于是在x-z平面中是可能的， 因?yàn)槔鋮s裝置23也優(yōu)選在z方向(垂直于圖平面)上相應(yīng)地延伸。
如圖1所示，部件模塊系統(tǒng)1具有設(shè)置在第一電子部件模塊2之下的 第二電子部件模塊3，該模塊類似于第一電子部件模塊2地構(gòu)建。該部件 模塊3也具有兩個(gè)多層的電路支承體組件31和32,它們?cè)谠搶?shí)施例中分 別也包括三個(gè)LTCC層31a、 31b、 31c或者32a、 32b和32c，它們構(gòu)建 為L(zhǎng)TCC玻璃陶瓷層。這里也設(shè)置冷卻裝置33作為支承體，其中電路支 承體組件31和32以上側(cè)在對(duì)置的側(cè)上與冷卻裝置33鄰接。
在LTCC層31c或者32c中分別設(shè)置有集成電路31d或者32d。這里 也為此分別在設(shè)置于其上的層中構(gòu)建有凹進(jìn)部分31e和32e。為了4吏在冷 卻裝置33的對(duì)置的側(cè)上設(shè)置的電路支承體組件31和32電接觸，在冷卻 裝置33中構(gòu)建有垂直通孔33a、 33b、 33c和33d形式的電接觸部。這些 通孔33a至33d也與金屬冷卻裝置33電絕緣地設(shè)置。
為了使第一電子部件模塊2與第二電子部件模塊3電連接，在所示的 實(shí)施形式中構(gòu)建有所謂的 陣列61和62，這些陣列與LTCC層22a或 31a的上側(cè)或者外側(cè)22f和31f接觸。
類似于電子部件模塊2和3地構(gòu)建了部件模塊系統(tǒng)1的第三電子部件 模塊4。第三電子部件模塊4在y方向上設(shè)置在第二電子部件模塊3之下， 使得通過(guò)部件模塊系統(tǒng)1構(gòu)建緊湊的類似立方體的造型的三維堆疊形狀， 該系統(tǒng)具有金屬—陶瓷復(fù)合結(jié)構(gòu)的散熱方案。
第三電子部件模塊4也包括中央的金屬的、板狀的冷卻裝置43，其 中在該冷卻裝置43的對(duì)置的側(cè)上構(gòu)建有多層的電路支承體組件41和42。 在此，電路支承體組件41和42也分別具有三個(gè)LTCC -玻璃陶瓷層41a、 41b、 41c或42a、 42b、 42c。集成電路41d或42d設(shè)置在LTCC層41c 和42c上。為此，凹進(jìn):部分41e或42e又構(gòu)建在位于其上的層41a、 41b 或42a、 42b中。在此，為了使兩個(gè)電路支承體組件41和42電接觸，也 在冷卻裝置43中構(gòu)建了通孔43a、 43b、 43c和43d形式的電接觸部，它 們是電絕緣的。
兩個(gè)冷卻裝置33和43被構(gòu)建為在它們的大小上相應(yīng)于冷卻裝置23。 在冷卻裝置23、33和43的邊緣區(qū)域上分別構(gòu)建有間隔元件51和52以建立冷卻裝置23和33或33和43之間的連接。每個(gè)間隔元件51和52 都具有芯區(qū)域51a或52a，該芯區(qū)域被護(hù)層元件51b或52b包圍。芯區(qū)域 51a、 52a可以構(gòu)建為孔。為了部件模塊系統(tǒng)1的元件的安裝和固定，可 以設(shè)置有螺旋連接，其中螺桿可以插入這些孔以及在冷卻裝置23、 33和 43的邊緣區(qū)域上同樣構(gòu)建以及示出的孔中。
然而也可以為，例如通過(guò)鉚釘連接來(lái)構(gòu)建連接。在芯區(qū)域51a和52a 中，于是插入鉚接元件或者螺栓。
間隔元件51和52被導(dǎo)熱地構(gòu)建，并且設(shè)置用于將部件模塊系統(tǒng)1 中產(chǎn)生的廢熱橫向im。如從圖1的視圖中可以看到的那樣，間隔元件 51和52在x方向上定位，使得它們基本上與冷卻層23、 33和43的側(cè)邊 緣齊平地i殳置。
第二電子部件模塊3也通過(guò) 陣列63和64與第三電子部件模塊4 電接觸，這些球柵陣列構(gòu)建在相應(yīng)的層32a和41a的上側(cè)32f和41f上。
此夕卜，電接觸部以J^陣列65和66的形式設(shè)置在層42a的外側(cè)或者 上側(cè)42f上，以便必要時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)與另一電子部件模塊接觸或者甚至與另 一部件模塊系統(tǒng)接觸。通過(guò)借助艱鼢陣列61至66的接觸，可以平衡由于 元件的熱失配而產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，也就;U兌，這些元件具有明顯不同的熱 膨脹系數(shù)。
通過(guò)使所產(chǎn)生的廢熱側(cè)向散發(fā)以及冷卻裝置23、 33和43超出電路支 承體組件21、 22、 31、 32、 41和42的范圍的構(gòu)型，可以結(jié)合側(cè)面地設(shè)置 于這些電路支承體組件21、 22、 31、 32、 41和42的間隔元件51和52來(lái) 實(shí)現(xiàn)有效的散熱方案。然而，此外也可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)部件模塊系統(tǒng)l的非常 緊湊的構(gòu)型。
相應(yīng)的電路支承體組件21、 22、 31、 32、 41和42的陶資LTCC層 的數(shù)目和設(shè)置可以以多種方式不同于圖1所示的實(shí)施例，并且也可以完全 不同地設(shè)置和構(gòu)思。重要的是，冷卻裝置23、 33和43定位和構(gòu)建為使得 可以實(shí)現(xiàn)橫向的冷卻方案。
陶乾LTCC層21a至21c、 22a至22c、 31a至31c、 32a至32c、 41a 至41c以及43a至43c實(shí)現(xiàn)為電路的支承體，其中該電路例如可以通過(guò)絲 網(wǎng)印刷的印制導(dǎo)線來(lái)制造。例如可以通過(guò)粘合連接或者釬焊連接或者通過(guò) 燒結(jié)工藝而將電路支承體組件21、 22、 31、 32、 41和42施加到相應(yīng)的冷 卻裝置23、 33和43上。冷卻裝置23、 33和43的金屬材料被選擇或者作為合金或者復(fù)合材料制造，使得該材料一方面針對(duì)所需的溫度窗與所提及 的層的陶瓷熱匹配，并且另一方面具有盡可能高的導(dǎo)熱能力。這種相互的
匹配的例子可以在如下的實(shí)現(xiàn)方式中看到，其中電路支承體組件21、 22、 31、 32、 41和42的層如已經(jīng)闡述的那樣構(gòu)建為L(zhǎng)TCC玻璃陶瓷層，并且 冷卻裝置23、 33和43由銅-鉬復(fù)合原料構(gòu)建。這種銅—鉬復(fù)合原料優(yōu)選 具有8ppm/K的膨脹系數(shù)以及200W/mK至300W/mK的導(dǎo)熱性。膨脹系 數(shù)在此選擇為非常接近所使用的LTCC陶乾的膨脹系數(shù)。
可以設(shè)計(jì)為，圖1中所示的電子部件模塊系統(tǒng)1設(shè)置在(未示出的) 殼體中。為了從該殼體中散熱，可以在殼體和至少一個(gè)冷卻裝置23、 33 和43和/或至少一個(gè)間隔元件51、 52之間構(gòu)建導(dǎo)熱的接觸部。于是可以 設(shè)計(jì)為，例如圖1中右邊的垂直邊緣區(qū)域靠置在殼體的內(nèi)壁上，其中該邊 緣區(qū)域由冷卻裝置23、33和43的邊緣以及間隔元件51和52的邊^(qū)J成。 部件模塊系統(tǒng)1可以擰緊在殼體上。在部件模塊系統(tǒng)1和殼體之間也可以 構(gòu)建多個(gè)接觸部用于散熱。
除了在根據(jù)圖1的實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)的自陣列61至66之外，也可以通 過(guò)彈性接觸或者通過(guò)可插接的多管腳連接器(Stiftleisten)來(lái)設(shè)計(jì)電接觸， 如在所謂的雙列直插(Dual-In-Line,DIL)殼體中可以實(shí)現(xiàn)的那樣，這些 彈性接觸或者多管腳連接器捕獲可能存在的熱失配。此外，對(duì)于彈性接觸
或者多管腳連接器所需的在各個(gè)平面之間的較大的垂直距離(y方向)對(duì) 于在相鄰的平面之間有大的電勢(shì)差的情況也用于更好的電絕緣。替代^ 陣列61至66，例如也可以設(shè)置接合線。
如果在電路支承體組件之間的電壓距離(Spannungsabstand )進(jìn)一 步增大，則可以設(shè)計(jì)為，至少一個(gè)絕緣膜(例如由Kapton構(gòu)成)設(shè)置到 所產(chǎn)生的中間區(qū)域中。這例如在根據(jù)圖2的截面圖的部件模塊系統(tǒng)1的構(gòu) 型中示出。部件模塊系統(tǒng)l的該實(shí)施例對(duì)應(yīng)于才艮據(jù)圖1的構(gòu)型，并且因此 出于清楚的原因僅僅示出了上級(jí)元件的參考標(biāo)記，這些上級(jí)元件的詳細(xì)的 構(gòu)型已經(jīng)在針對(duì)圖1的闡述中詳細(xì)說(shuō)明。
與根據(jù)圖l的構(gòu)型不同，圖2中的實(shí)施形式具有絕緣膜7，該膜設(shè)置 在第二電子部件模塊3和第三電子部件模塊4之間。在該實(shí)施例中構(gòu)建為 Kapton膜的該絕緣膜7特別是設(shè)置在多層的電路支承體組件32和多層的 電路支承體組件41之間。如在此可以看到的那樣，該絕緣膜7與電路支 承體組件32的LTCC層32a間隔地定位，并且也與電路支承體組件41 的LTCC層41a間隔地定位。此外，膜7具有沖裁部或者凹進(jìn)部分71和72，以便能夠使艱鼢陣列 63和64或者替代的電連接穿過(guò)。如可以看到的那樣，凹進(jìn)部分71和72 被設(shè)計(jì)為使得自陣列63和64與絕緣膜7間隔地設(shè)置。在水平方向(x 方向)上，絕緣膜7延伸超出電路支承體組件32和41的范圍。
然而，也可以設(shè)計(jì)為，絕緣膜7具有如下選擇的大小使得絕緣膜7 僅僅在水平方向上在艱鼢陣列63和64之間延伸。在這種構(gòu)型中，絕緣膜 7置于電路支承體組件32和4 1之間的間隙中。絕緣膜在此可以松散地 置于該間隙中。通過(guò)該絕緣膜7可以延長(zhǎng)電路支承體組件32和41之間的 空氣隙，使得可以防止從電路支承體組件32的LTCC層至電路支承體組 件41的LTCC層的飛弧。附加地或者替代地，這種絕緣膜7也可以設(shè)置 在電路支承體組件22和31之間。絕緣膜7也可以固定在電路支承體組件 32或41之一上，例如粘合在其上。也可以設(shè)計(jì)為，絕緣膜7固定在間隔 元件52上。
在圖3中示出了帶有多個(gè)電子部件模塊2、 3和4，的部件模塊系統(tǒng)1 的另一實(shí)施例的截面圖。與相L據(jù)圖l和圖2的實(shí)施形式不同，在該實(shí)現(xiàn)形 式中，電子部件模塊4，構(gòu)建有只有唯一的多層電路支承體組件41，。該電 路支承體組件41，設(shè)置在冷卻裝置8上，該冷卻裝置8構(gòu)建為最下面的散 熱層。該冷卻裝置8實(shí)現(xiàn)為整個(gè)部件模塊系統(tǒng)1的主散熱器，并且不但在 水平方向而且在垂直方向都設(shè)計(jì)為比冷卻裝置23和33具有更大的尺寸。 在下側(cè)8a上未裝配冷卻片或者金屬的冷卻裝置8，并且由此沒有電子器 件或者元件或者電路支承體。特別地，冷卻裝置8在此可以用作整個(gè)部件 模塊系統(tǒng)l的殼體的殼體壁。
如從圖3的視圖中可以看到的那樣，在該冷卻裝置8中構(gòu)建了穿通的 凹進(jìn)部分81，插接連接裝置9安裝在該凹進(jìn)部分中。插接連接裝置9具 有固定地設(shè)置在凹進(jìn)部分81中的插接元件9a，該元件可以從外部到達(dá)， 并且插接元件9b可以引入其中。由此，可以實(shí)現(xiàn)外部的電接觸。在集成 到冷卻裝置8中的插接元件9a上安裝(特別是釬焊)有電接觸部91、 92 和93,這些接觸部與電路支承體組件41，的LTCC層41a，電連接。也可以 設(shè)計(jì)為，在冷卻裝置23和33中構(gòu)建有凹進(jìn)部分，于是較大的插接元件 9a可以延伸通過(guò)這些凹進(jìn)部分，并且至電子部件模塊2和3的相應(yīng)的電 路支承體組件的電接觸是可能的。
也可以i殳計(jì)為，在冷卻裝置8的下側(cè)8a未裝配的情況下，可以進(jìn)行 至另一冷卻體的全面的連接，或者進(jìn)行例如至部件模塊系統(tǒng)1的未被示出的殼體的殼體底部的完全的連接，該殼體底部于是用作另外的冷卻體。
各個(gè)平面或者各個(gè)電子部件模塊2至4或者2至4，可以以不同的功能 和功能性構(gòu)建。這樣，例如可以設(shè)計(jì)為，具有較高電壓和電流的功率電子 器件與控制功能(控制器)以及數(shù)字元件在空間上隔離，由此可以防止不 希望的或者破壞性的相互作用。例如，這在根據(jù)圖2的實(shí)施形式中被實(shí)現(xiàn)。
在才艮據(jù)圖4的截面圖中示出了電子部件模塊系統(tǒng)1的另一擴(kuò)展方案。 與才艮據(jù)圖3的實(shí)施形式不同，在此間隔元件51和52電絕緣地構(gòu)建，由此 能夠?qū)崿F(xiàn)的是，冷卻裝置23，和33，可以位于不同的電勢(shì)上。特別地，護(hù) 層元件51b和52b由電絕緣材料構(gòu)建。如果將導(dǎo)電零件設(shè)置為連接元件， 則在芯區(qū)域51a和52a中的連接也由電絕緣材料構(gòu)建，或者至少電絕緣。 通過(guò)4吏用這種電絕緣的間隔元件51和52以及必要時(shí)4吏用附加的殼體，冷 卻裝置23，、 33，和8，可以分別置于電珞技術(shù)上有利的電勢(shì)上。由此，這些 冷卻裝置附加地也可以用作至用電器的引導(dǎo)電流的連接，其中該用電器通 過(guò)例如焊接的或者硬釬焊的線纜10a和10b連接。此外，電連接可以通過(guò) 插接連接來(lái)實(shí)現(xiàn)。在此，冷卻裝置可以構(gòu)建為使得它承擔(dān)插座或者插頭的 功能。
為了能夠?qū)崿F(xiàn)線纜10a和10b的這種電接觸，在+艮據(jù)圖4的擴(kuò)展方案 中i更計(jì)為，將間隔元件51和52在x方向上朝著電子部件模塊2、 3和4， 的電路支承體組件方向推移。冷卻層23，、 33，和8，因此具有自由的邊緣區(qū) 域，因?yàn)殚g隔元件51和52在橫向方向上不再與冷卻裝置23，、 33，和8， 齊平地設(shè)置。
在圖5中以截面圖示出了帶有多個(gè)電子部件模塊2、 3和4，的部件模 塊系統(tǒng)的另 一實(shí)施例。在才艮據(jù)圖4的構(gòu)型中由于間隔元件的電絕緣而可能 出現(xiàn)的、間隔元件51和52的熱阻的劣化可以通過(guò)如才艮據(jù)圖5的擴(kuò)展方案 中所實(shí)現(xiàn)的對(duì)流冷卻來(lái)降低。為此，在根據(jù)圖5的擴(kuò)展方案中設(shè)計(jì)了，水 平取向的冷卻片或者冷卻裝置23"、 33"，和8"在7jC平方向(x方向)上進(jìn) 一步伸出間隔元件51和52的位置。此外，可以在冷卻裝置23"的延長(zhǎng)的 邊緣區(qū)域23e和23g上構(gòu)建附加的冷卻凸起部23f和23h。類似地，這通 過(guò)在冷卻裝置33"的延長(zhǎng)的邊緣區(qū)域33e和33g上構(gòu)建多個(gè)冷卻凸起部33f 和33h來(lái)實(shí)現(xiàn)。相應(yīng)地，這在冷卻裝置8，，中實(shí)現(xiàn)，其中冷卻凸起部82a 和83a構(gòu)建在水平延長(zhǎng)的邊緣區(qū)域82和83上。在所示的實(shí)施例中，冷卻 凸起部23f、 23h、 33f、 33h、 82a和83a在垂直方向(y方向)上向上取 向。然而，這僅僅是示例性的，并且這些冷卻凸起部也可以垂直向下或者也可以在其他方向取向。
通過(guò)設(shè)置這些冷卻凸起部23f、 23h、 33f、 33h、 82a和83a，可以實(shí) 現(xiàn)冷卻裝置23"、 33，，和8"的表面增大，并由此可以改善在橫向或者水平 方向的散熱。
在圖6所示的截面圖中示出了部件模塊系統(tǒng)1的另一實(shí)施形式。在該 實(shí)施形式中，冷卻裝置23"，、 33"，和8"彼此間隔地i殳置。冷卻裝置23，"、 33"，盆狀地構(gòu)建，并且例如可以實(shí)現(xiàn)為鑄件。由此，在該擴(kuò)展方案中，間 隔元件集成到相應(yīng)的冷卻層23"，和33"，中。由此，可以在堆疊時(shí)構(gòu)建防 塵和防濺水的多層殼體。在銜接處設(shè)置有密封環(huán)12a和12b。這些密封環(huán) 12a和12b例如可以由鋁、銅、Viton、塑料等等構(gòu)成。此外，在組裝之 后，通過(guò)液相或者氣相涂層(例如聚對(duì)二甲苯(Parylene))的密封同樣 是可能的。冷卻肋23f和23h的構(gòu)建也可以延伸超出冷卻裝置23"，的整個(gè) 上側(cè)。在此，例如也可以設(shè)置螺旋連接用于安裝部件模塊，其中這里也可 以將螺旋元件旋入孔(例如圖1中的芯區(qū)域51、 52a)中，其中可以在冷 卻裝置8"中構(gòu)建相應(yīng)的螺紋。
通過(guò)將損耗熱從各單個(gè)平面在橫向方向上散&,實(shí)現(xiàn)了可堆疊性以及 緊湊的構(gòu)型。各平面在模塊的芯區(qū)域中電通孔敷鍍(durchkontaktieren )， 而熱接觸在空間分上離地在周邊區(qū)域中進(jìn)行。該周邊區(qū)域同時(shí)具有^^穩(wěn)、定 作用的機(jī)械功能，并且甚至形成了完整的殼體。自然，帶有間隔元件的結(jié) 構(gòu)也可以以相反的方式中央地設(shè)置并且被電路支承體包圍，然而部分功
能、如殼體的功能就不再被提供。導(dǎo)熱的間隔元件可以與水平的金屬支承 體(冷卻層)擰合，使得每個(gè)平面在模塊連接到一起之前可以被單個(gè)地測(cè) 試。此外，循環(huán)的冷卻劑可以流過(guò)間隔元件和平面，以使得溫度均勻，或 者主動(dòng)地降低溫度。冷卻劑例如可以按照用于提高熱容量的"熱管"原理 來(lái)經(jīng)歷相變。
在圖7所示的截面圖中，示出了帶有電子部件模塊2"的部件模塊系 統(tǒng)1的另一實(shí)施形式。部件模塊2"具有多層的第一電路支承體組件21， 和多層的第二電路支承體組件22"。在此，在第一電路支承體組件21，和 第二電路支承體組件22"之間有絕緣的中間層24。在電路支承體組件21， 和22"的與該中間層24背離的上側(cè)上分別i殳置有冷卻裝置25和26。多層 的第一電路支承體組件21，在所示的實(shí)施形式中包括兩個(gè)絕緣層21a，和 21c，、嵌入其中的器件層21b，以及印制導(dǎo)線層21d，。印制導(dǎo)線層21d，與 中間層24鄰接。絕緣層21a，和21c，以及中間層24不包含所示的通孔敷鍍(所謂的通孔Via)用于使設(shè)置在兩側(cè)的層電接觸。這些通孔例如也能夠 實(shí)現(xiàn)冷卻裝置25的電接觸，以便能夠?qū)崿F(xiàn)外部的接觸，當(dāng)電流引導(dǎo)未能 由印制導(dǎo)線層21d，承擔(dān)或者不應(yīng)當(dāng)由其承擔(dān)時(shí)，同樣實(shí)現(xiàn)如通過(guò)冷卻裝 置25的電流引導(dǎo)。
類似于第一電路支承體組件21，地構(gòu)建了第二電路支承體組件22"。 第二電路支承體組件也具有兩個(gè)絕緣層22b，，和22d"，在它們之間構(gòu)建了 器件層22c"。在絕緣層22b"和中間層24之間構(gòu)建了印制導(dǎo)線層22a"，除 了絕緣層22b"和22d"以及器件層22c，，之外該印制導(dǎo)線層與第二電路支 承體組件22"關(guān)聯(lián)。與下部的絕緣層22d"鄰接地設(shè)置有另外的冷卻裝置 26。
這種構(gòu)造不僅可以以LTCC技術(shù)實(shí)現(xiàn)，而且也可以以傳統(tǒng)的技術(shù)實(shí) 現(xiàn)。器件層21b，和22c"于是由SMD部件或者接線的部件構(gòu)成。朝向冷 卻裝置25和26的絕緣層或者與這些冷卻裝置鄰接的絕緣層21a，和22d" 實(shí)施為具有高導(dǎo)熱性的電絕緣的隔離物。朝向印制導(dǎo)線層21d，和22a"的 絕緣層21c，或者22b"通過(guò)施加到印制導(dǎo)線層21d，和22a"上的釬焊停止漆 (Loetstopp-Lack)來(lái)實(shí)現(xiàn)。中間層24通過(guò)例如FR4或者FR5材料構(gòu)成 的印刷電路板來(lái)形成。印刷電路板也可以實(shí)施為柔性的電路板，其也稱為 柔性板。此外，可以設(shè)計(jì)為借助模制引線框架技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)中間層24、印 制導(dǎo)線層21d，和22a，，以及絕緣層21a，、 21c，或者22b"和22d"。
在所說(shuō)明的實(shí)施形式中，除了冷卻裝置25和26之外，中間層24和/ 或一個(gè)或多個(gè)絕緣層21a，、 21c，、 22b，，和22d"可以以機(jī)械的方式支承， 或者有利于部件模塊系統(tǒng)1的機(jī)械堅(jiān)固性。
冷卻裝置25和26優(yōu)選在其邊緣區(qū)域上在電路支承體組件21，和22" 側(cè)面彼此相連，特別是通過(guò)導(dǎo)熱的間隔元件彼此相連'該連M選可以通 過(guò)未示出的垂直取向的間隔元件來(lái)構(gòu)建，這些間隔元件特別是導(dǎo)熱地構(gòu) 建。通過(guò)所說(shuō)明的構(gòu)型，可以實(shí)現(xiàn)如下的電子部件模塊2":該電子部件 模塊在中間層24的彼此對(duì)置的側(cè)上分別具有多層的電路支承體組件21， 和22",其中電路支承體組件21，和22"在其暴露的上側(cè)上、特別U本 上在水平的上側(cè)上至少局部地分別與冷卻裝置25和26相連。冷卻裝置 25和26直接位于這些上側(cè)上。
在圖8所示的截面圖中示出了部件模塊系統(tǒng)1的另一實(shí)施形式。該實(shí) 施形式對(duì)應(yīng)于圖7中所示的實(shí)施形式，然而具有間隔元件51，，該間隔元 件垂直取向，并且同時(shí)用作散熱器，并且由此能夠?qū)崿F(xiàn)兩個(gè)冷卻裝置25和26的散熱。在間隔元件51上構(gòu)建有多個(gè)冷卻肋51c，，這些冷卻肋基本 上水平取向，并且背離電路支承體組件21，和22"地延伸。
在圖9所示的截面圖中示出了部件模塊系統(tǒng)1的另一實(shí)施形式。如從 圖9的視圖中可以看到的那樣，冷卻裝置25，包含用于冷卻介質(zhì)的通道 25a，。隨后構(gòu)建有中間層24，其實(shí)現(xiàn)與位于其下的印制導(dǎo)線層21d，的電 絕緣。在器件層21b，的兩側(cè)上設(shè)置有絕緣層21a，和21c，，它們防止了不 希望的電連接。所提及的層21a，至21d，與電路支承體組件2"，關(guān)聯(lián)。與圖 7和8所示的部件模塊系統(tǒng)1的實(shí)施形式不同，現(xiàn)在器件層21b，的散熱通 過(guò)兩個(gè)設(shè)置在兩側(cè)的冷卻裝置25，和26，進(jìn)行。
在所有的實(shí)施形式中，冷卻裝置也可以在水平方向上不同地i殳計(jì)，并 且具有不同的構(gòu)型。特別是為了能夠?qū)⒘硗獾碾娮釉O(shè)置到部件模塊系 統(tǒng)中，在冷卻裝置中也可以設(shè)置一個(gè)或多個(gè)凹進(jìn)部分。于是，也可以設(shè)計(jì) 為，附加地在部件模塊系統(tǒng)l中設(shè)置有點(diǎn)火變壓器，使得部件模塊系統(tǒng)l 例如可以用于氣體放電燈驅(qū)動(dòng)。電子鎮(zhèn)流器或者燈驅(qū)動(dòng)設(shè)備也可以設(shè)置在 該系統(tǒng)中。然而也可以設(shè)計(jì)為，這種部件模塊系統(tǒng)l構(gòu)建用于汽車技術(shù)領(lǐng) 域，并且例如設(shè)計(jì)用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制。
在這些實(shí)施形式中示例性地將集成電路構(gòu)建在LTCC層上。附加地 或者替代集成電路，也可以設(shè)置其他部件，例如功率晶體管、電阻或者發(fā) 光二極管。將這些集成電游4殳置在靠置于冷卻裝置的LTCC層上的優(yōu)點(diǎn) 是，無(wú)需穿過(guò)位于其上的LTCC層的通孔敷鍍。此外，通過(guò)該構(gòu)型可以 實(shí)現(xiàn)至冷卻裝置的更好的散熱。就此而言，較大的橫向靠置的面可以實(shí)現(xiàn) 特別有效的水平散熱，而無(wú)需附加的通孔，因?yàn)殡娐分С畜w組件直接連接 至冷卻裝置。
權(quán)利要求
1. 一種電子部件模塊，具有至少一個(gè)多層的第一電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)和冷卻裝置(23，33，43)，其特征在于，冷卻裝置(23，33，43)與電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)的上側(cè)接觸，其中冷卻裝置(23，33，43)被構(gòu)建為使得在電子部件模塊(2，3，4)工作中產(chǎn)生的廢熱能夠在關(guān)于電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)的設(shè)置的橫向方向上通過(guò)冷卻裝置(23，33，43)散發(fā)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件模塊，其特征在于，冷卻裝置(23， 33， 43)在橫向方向上至少在電路支承體組件(21， 22; 31, 32; 41， 42) 的一個(gè)側(cè)面上延伸超出電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42)的范 圍。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子部件模塊，其特征在于，冷卻裝 置(23， 33， 43)至少局部板狀地構(gòu)建。
4. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征在于， 冷卻裝置(23， 33， 43; 8)至少局部構(gòu)建為電子部件模塊(2, 3， 4; 2，； 4，)的殼體的側(cè)壁。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征在于， 在第一電路支承體組件(21, 22; 31， 32; 41， 42)和第二電路支承體組 件(21， 22; 31， 32; 41， 42)之間構(gòu)建中間層(23， 33， 43; 24)，特 別是絕緣的中間層，并且在電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42) 的與該中間層(23， 33， 43; 24 )背離的上側(cè)上分別設(shè)置有冷卻裝置(23, 33， 43)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子部件模塊，其特征在于，至少一個(gè)多 層的電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 21，； 22")具有至少一 個(gè)絕緣層(21a，， 21c，； 22b"， 22d")、至少一個(gè)器件層(21b，， 22c") 以及至少一個(gè)印制導(dǎo)線層(21d，， 22a")。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子部件模塊，其特征在于，印制導(dǎo)線層 (21d，， 22a")與中間層(24)鄰接，并且冷卻裝置(23， 33, 43; 25,26; 25，， 26，)與絕緣層(21a，， 21c，； 22b", 22d")鄰接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5至7中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征在 于，冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8，， 8")在邊緣區(qū)域上在電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 22，； 41，)的側(cè)面彼此 相連，特別是通過(guò)導(dǎo)熱的間隔元件(51， 51，； 52)相連。
9. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征在于， 冷卻裝置(23， 33， 43)至少局部地由金屬構(gòu)建。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征在 于，冷卻裝置(23， 33， 43)至少局部地作為中間層設(shè)置在第一電路支承 體組件(21, 22; 31， 32; 41， 42 )和第二電路支承體組件(21, 22; 31, 32; 41, 42)之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件模塊，其特征在于，設(shè)置至少一 個(gè)第三電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42)，所述第三電路支承 體組件與另一冷卻裝置(23， 33， 43)接觸，其中與第一電路支承體組件(21, 22; 31， 32; 41， 42)和第二電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42)接觸的冷卻裝置(23， 33, 43 )通過(guò)至少一個(gè)間隔元件(51， 52) 與另一冷卻裝置(23， 33， 43)相連。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子部件模塊，其特征在于，在第三電 路支承體組件(21， 22; 31, 32; 41， 42)和第一電路支承體組件(21， 22; 31, 32; 41， 42)或第二電路支承體組件(21, 22; 31， 32; 41， 42) 之間構(gòu)建ttf車列(61至66)和/或彈性接觸部和/或可插接的桿作為電接 觸部。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10至12中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征 在于，在冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8")中構(gòu)建穿通 的電接觸部(23a至23d; 33a至33d; 43a至43d)，用于使彼此相疊設(shè) 置的電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 22，； 41，)接觸，其中 電接觸部(23a至23d; 33a至33d; 43a至43d)與冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23,，，； 8; 8")絕緣。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10至12中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征 在于，至少一個(gè)電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 22，； 41，) 具有多個(gè)LTCC層(21a至21c; 22a至22c; 31a至31c; 32a至32c; 41a 至41c; 42a至42c; 22a，至22c，； 41a，至41c，)，這些層具有集成的器件。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子部件模塊，其特征在于，將插接連 接(9)引入冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8")中，用于 電子部件模塊(2， 3， 4; 2，； 4，)的外部電接觸。
16. 根據(jù)權(quán)利要求8或11所述的電子部件模塊，其特征在于，間隔 元件(51， 52)電絕緣地構(gòu)建，并且通過(guò)間隔元件(51， 52)相連的冷卻 裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8")能夠置于不同的電勢(shì)上。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電子部件模塊，其特征在于，部件模塊 的電接觸向外通過(guò)至少兩個(gè)位于不同電勢(shì)的冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23"，； 8; 8")來(lái)實(shí)現(xiàn)。
18. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征在 于，至少在冷卻裝置(23; 33; 43; 23，； 23"; 23，"； 8; 8")的邊緣區(qū) 域上構(gòu)建有冷卻肋(23f, 23h; 33f, 33h; 82a， 83a)。
19. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的電子部件模塊，其特征在 于，至少一個(gè)電路支承體組件(21， 22; 31， 32; 41， 42; 21，， 22,; 22"; 41，)和/或至少一個(gè)中間層(24)和/或至少一個(gè)冷卻裝置(23; 33; 43; 23，; 23"; 23，，，； 25， 26; 25，， 26，; 8; 8")以模制引線框架技術(shù)來(lái)構(gòu)建。
全文摘要
一種電子部件模塊，具有至少一個(gè)多層的第一電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)和冷卻裝置(23，33，43)，其中冷卻裝置(23，33，43)與電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)的上側(cè)接觸，其中冷卻裝置(23，33，43)被構(gòu)建為使得在電子部件模塊(2，3，4)工作中產(chǎn)生的廢熱能夠在關(guān)于電路支承體組件(21，22；31，32；41，42)的設(shè)置的橫向方向上通過(guò)冷卻裝置(23，33，43)散發(fā)。
文檔編號(hào)H01L25/07GK101427371SQ200780013789
公開日2009年5月6日 申請(qǐng)日期2007年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月19日
發(fā)明者伯恩哈德·西塞格, 斯特芬·沃爾特, 理查德·馬茨 申請(qǐng)人:奧斯蘭姆有限公司