專利名稱：具有氣隙的過電壓保護裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種過電壓保護裝置，明確地說涉及一種具有氣隙的過電壓保護裝置及 其制造方法。
背景技術(shù)：
過電壓保護裝置已被廣泛用于電話、傳真機、調(diào)制解調(diào)器等各種電子產(chǎn)品中，尤其 是電子通信設(shè)備，以避免因為電壓異?；蜢o電放電(ESD)產(chǎn)生對于所述電子產(chǎn)品的損 害，而導致所述電子產(chǎn)品發(fā)生故障。
業(yè)界已開發(fā)出各式各樣的過電壓保護裝置，以使電子產(chǎn)品符合對于過電壓的承受能 力，例如，瞬態(tài)電壓抑制二極管(Transient Voltage Suppress Diode, TVSD)裝置、多層 壓敏電阻(Multi-LayerVaristor,MLV)裝置等，用以提供線路保護的設(shè)計。此外，中華 民國專利公開號第I253881號也提出一種芯片型微氣隙放電保護元件及其制造方法，其利 用厚膜印刷工藝，在兩個主要放電電極之間形成一微小間隙的氣室，以提供過電壓保護 的功能。然而，上述過電壓保護的設(shè)計，仍存在如下缺點在厚膜印刷工藝中，每印刷 一層材料，即需經(jīng)過燒結(jié)爐燒結(jié)，因此印刷和燒結(jié)工藝不斷重復，耗費相當多的時間與 工作；同時，由于厚膜印刷層的厚度具有一定的范圍，所以氣隙的深度將會受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于這種情況，本發(fā)明提出一種具有氣隙的過電壓保護裝置及其制造方法，其可改 善上述缺點，且符合業(yè)界的需求。
根據(jù)本發(fā)明的過電壓保護裝置包含第一襯底；電極層，其形成于所述第一襯底上； 形成第一溝槽，所述第一溝槽將所述電極層切開且延伸到所述第一襯底內(nèi)；第二襯底， 其具有第二溝槽，所述第二溝槽位于與所述第一溝槽相對的位置且具有與所述第一溝槽
相同的寬度與長度，所述第二襯底覆蓋于所述第一襯底上，以使得所述第一溝槽與所述 第二溝槽接合，其中，由所述第一溝槽與所述第二溝槽形成延伸到所述第一襯底和所述 第二襯底內(nèi)的氣隙。
所述氣隙用以提供過電壓保護，且可依照需求和規(guī)格調(diào)整尺寸，例如氣隙的深度與 寬度，此不會因為工藝而受到限制。
同時，由于利用多層工藝，因此可免除厚膜印刷工藝中不斷重復的印刷和燒結(jié)工藝，本發(fā)明的制造方法與厚膜印刷工藝相比得以簡化。根據(jù)本發(fā)明的一特征，本發(fā)明的電極如果是內(nèi)電極型式，那么所述放電端的尖點即 具有尖端可放電的優(yōu)點，如此可降低裝置的觸發(fā)電壓。
通過以下實施例和圖式說明，可更詳盡地了解本發(fā)明的進一步特征和功能。


圖1A和1B分別是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例形成第一襯底的俯視圖和剖面圖。 圖2A和2B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第一實施例形成電極層的俯視圖和剖面圖。 圖3A和3B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第一實施例形成第一溝槽的俯視圖和剖面圖。 圖4A和4B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第一實施例形成第二襯底的俯視圖和剖面圖。 圖5展示根據(jù)本發(fā)明的所述第一實施例所形成的過電壓保護裝置的剖面圖。 圖6是立體透視圖，其展示根據(jù)本發(fā)明的所述第一實施例所形成的過電壓保護裝置 結(jié)構(gòu)。圖7A和7B分別是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例形成第一襯底的俯視圖和剖面圖。 圖8A和8B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第二實施例形成電極層的俯視圖和剖面圖。 圖9A和9B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第二實施例形成絕緣層的俯視圖和剖面圖。 圖IOA和IOB分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第二實施例形成另一電極層的俯視圖和剖面圖。圖11A和11B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第二實施例形成第一溝槽的俯視圖和剖面圖。圖12A和12B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第二實施例形成第二襯底的俯視圖和剖面圖。圖13展示根據(jù)本發(fā)明的所述第二實施例所形成的過電壓保護裝置的剖面圖。
圖14展示根據(jù)本發(fā)明的第三實施例所形成的過電壓保護裝置的剖面圖。
圖15A及15B分別是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例形成第一襯底的俯視圖和剖面圖。
圖16A及16B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第四實施例形成電極層的俯視圖和剖面圖。
圖17A及17B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第四實施例形成第二襯底的俯視圖和剖面圖。
圖18A及18B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第四實施例形成溝槽的俯視圖和剖面圖。 圖19A是根據(jù)本發(fā)明的所述第四實施例形成第三襯底的剖面圖。圖19B是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例所形成的過電壓保護裝置的剖面圖。 圖20A及20B分別是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例形成第一襯底的俯視圖和剖面圖。 圖21A及21B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第五實施例形成電極層的俯視圖和剖面圖。
圖22A及22B分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第五實施例形成第二襯底的俯視圖和剖 面圖。
圖23分別是根據(jù)本發(fā)明的所述第五實施例形成溝槽的剖面圖。 圖24A是根據(jù)本發(fā)明的所述第五實施例形成第三襯底的剖面圖。 圖24B是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例所形成的過電壓保護裝置的剖面圖。
具體實施方式
參看圖1A到5，圖1A到5是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例形成過電壓保護裝置結(jié)構(gòu)的示 意圖。所述第一實施例的過電壓保護裝置的形成方法包含以下步驟首先，提供第一襯 底(100)(參看圖1A和1B)。接著形成電極層(110)(參看圖2A和2B)。形成第一溝槽 (120)，所述第一溝槽(120)將所述電極層(110)切開且延伸到所述第一襯底(100) 內(nèi)，所述溝槽具有長度L2，所述電極具有寬度L1，其中L2大于L1 (參看圖3A和3B)。提 供第二襯底(130)，其具有第二溝槽(140)，所述第二溝槽(140)位于與所述第一溝 槽(120)相對的位置且具有與所述第一溝槽相同的寬度與長度(參看圖4A和4B)。將所 述第二襯底(130)覆蓋于所述第一襯底(100)上，使得所述第一溝槽(120)與所述 第二溝槽(140)接合，如此以形成所述過電壓保護裝置。所述裝置由所述第一溝槽(120) 與所述第二溝槽(140)形成分別延伸到所述第一襯底(100)和所述第二襯底(130) 內(nèi)的氣隙(150)，且被所述第一襯底、所述電極層和所述第二襯底所包圍(參看圖5)， 所述氣隙U50)用于提供過電壓保護，以避免因為過電壓所造成的損害。圖6是所述第一實施例的立體透視圖，其清楚說明所述第一實施例的各元件之間的 關(guān)系和結(jié)構(gòu)，可進一步了解本發(fā)明的技術(shù)特征，其中所述電極(110)的鄰接處的二端 (111、 112)形狀為平頭狀；在另一實施例中，所述二端也可為尖端狀。參看圖7A到13，圖7A到13是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例形成過電壓保護裝置結(jié)構(gòu)的 示意圖。所述第二實施例的過電壓保護裝置包含多層結(jié)構(gòu)，其形成方法則包含以下步驟 提供第一襯底(200)(參看圖7A和7B);形成電極層(210)(參看圖8A和8B);接著在 所述電極層(210)上，形成絕緣層(215)(參看圖9A和9B);在所述絕緣層(215)上， 又形成另一電極層(210a)(參看圖10A和10B)。在不同的實施例中，過電壓保護裝置可
以上述堆疊方式形成多個電極層，而在每個電極層之間均形成絕緣層，如此以形成多層 結(jié)構(gòu)。
然后形成第一溝槽(220)，所述第一溝槽(220)將所述多層結(jié)構(gòu)切開且延伸到所 述第一襯底(200)內(nèi)(參看圖11A和11B)。提供第二襯底(230)，其具有第二溝槽(240)， 所述第二溝槽(240)位于與所述第一溝槽(220)相對的位置且具有與所述第一溝槽相 同的寬度與長度(參看圖12A和12B)。再將所述第二襯底(230)覆蓋于所述第一襯底(200) 上，以使得所述第一溝槽(220)與所述第二溝槽(240)接合。所述過電壓保護裝置的 氣隙(250)由所述第一溝槽(220)與所述第二溝槽(240)形成，且延伸到所述第一 襯底(200)和所述第二襯底(230)內(nèi)，從而被所述第一襯底、所述多層結(jié)構(gòu)和所述第 二襯底所包圍(參看圖13)。
圖14是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例形成過電壓保護裝置結(jié)構(gòu)的剖視圖，所述過電壓保 護裝置結(jié)構(gòu)和工藝與本發(fā)明的其它實施例相似，只是其中第一電極層(310)與氣隙(350) 在垂直于紙面方向上平行配置。所述第一電極層(310)可接地，第二電極層(310a) 可為放電電極，例如數(shù)據(jù)線，如此形成饋通型式(Feed-through)的氣隙的過電壓保護 裝置。也就是說，所述第二電極層(310a)可放電到所述第一電極層(310)，以形成過 電壓保護。
參看圖15A到19B，圖15A到19B是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例形成過電壓保護裝置結(jié) 構(gòu)的示意圖。所述第四實施例的過電壓保護裝置的形成方法包含以下步驟首先，提供 第一襯底(400)(參看圖15A和15B)。接著形成電極層(410)于所述第一襯底"00) 上(參看圖16A和16B),其中所述電極層(410)的形狀可為I字型或T字型。再 形成第二襯底(430)于所述電極層(410)上(參看圖17A和17B)。形成溝槽(420)， 所述溝槽(420)將所述第二襯底(430)與所述電極層(410)切開且延伸到所述第一 襯底(100)內(nèi)(參看圖18A和18B)，所述溝槽具有長度L2，所述電極具有寬度L1，其 中L2大于L1。所述溝槽形成所述電極層之第一端(411)與第二端(412),所述第 一端與第二端可分別為尖端狀。提供第三襯底(440)(參看圖19A)，將所述第 三襯底(440)覆蓋于所述第二襯底(430)上，以形成所述過電壓保護裝置(參看圖 19B)。所述溝槽(420)由所述第一襯底、電極層、第二襯底與第三襯底形成，用于提 供過電壓保護，以避免因為過電壓所造成的損害。
參看圖20A到24B，圖20A到24B是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例形成過電壓保護裝置結(jié) 構(gòu)的示意圖。所述第五實施例的過電壓保護裝置的形成方法包含以下步驟首先，提供
第一襯底(500)(參看圖20A和20B)。接著形成電極層(510)于所述第一襯底(500)
上(參看圖21A和21B)，其中所述電極層(510)的形狀可為I字型或T字型。再 形成第二襯底(530)于所述電極層(510)上(參看圖22A和22B)。形成溝槽(520)， 所述溝槽(520)將所述第一襯底(500)、所述第二襯底(530)與所述電極層(510) 切開(參看圖23)，所述溝槽具有長度L2，所述電極具有寬度L1，其中L2大于L1。所述 溝槽形成所述電極層之第一端(511)與第二端(512)，所述第 一 端與第二端可 分別為尖端狀。提供第三襯底(540)(參看圖24A)與第四襯底(550)，將所述第 三襯底(540)覆蓋于所述第二襯底(530)上且將所述第四襯底(550)配置于所述 第一襯底(500)下，以形成所述過電壓保護裝置(參看圖24B)。所述溝槽(520)由所 述第一襯底、電極層、第二襯底、第三襯底與第四襯底形成，用于提供過電壓保護，以 避免因為過電壓所造成的損害。
本發(fā)明所論及的電極層可為金、銀、鈀、鉑、鎢、銅等金屬之一、其任意組合的合 金和包含其任意組合的混合材料所形成，且所述電極層可為I型或T型電極。同時，通過 切開所述第一溝槽形成電極層的第一端與第二端，所述第一端與所述第二端可分別形成 尖端狀，具有尖端放電的功能。此外，所述電極層中可加入一納米管，以降低觸發(fā)電壓，
其中所述納米管可為納米碳管或納米鋁管和包含所述納米管的混合物。同時，本發(fā)明所 論及的第二襯底與第一襯底分別由絕緣材料形成，且可為多層薄膜(Multi-layer thin film),所述絕緣材料可包含鋁元素，例如氧化鋁(A1203)，鈦元素或硅元素。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非用以限定本發(fā)明的申請專利范圍；所有其 它未脫離本發(fā)明所揭示的精神下所完成的等效變化或修改均應包含在所附權(quán)利要求書 內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種過電壓保護裝置，其包含第一襯底，其具有第一溝槽；電極層，其配置于所述第一襯底上，所述第一溝槽將所述電極層切開且延伸到所述第一襯底內(nèi)；第二襯底，其具有第二溝槽，所述第二溝槽位于與所述第一溝槽相對的位置且具有與所述第一溝槽相同的寬度與長度，所述第二襯底覆蓋于所述第一襯底上，以使得所述第一溝槽與所述第二溝槽接合。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層可為金、銀、鈀、鉑、鎢、 銅等金屬之一，其任意組合的合金和包含其任意組合的混合材料。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層中可進一步加入一納米管， 以降低觸發(fā)電壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的過電壓保護裝置，其中所述納米管可為納米碳管或納米鋁管， 和包含所述納米管的混合物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的過電壓保護裝置，其中所述第一襯底與第二襯底分別為絕 緣材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的過電壓保護裝置，其中所述絕緣材料至少包含鋁元素、鈦元 素或硅元素。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層可為I型或T型電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的過電壓保護裝置，其中所述第一溝槽具有長度L2，所述電極 具有寬度L1， L2>L1。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的過電壓保護裝置，其中通過所述電極層具有第一端與第二端， 所述第一端與所述第二端為尖端狀或平頭狀。
10. —種制造過電壓保護裝置的方法，其包含-提供第一襯底；在所述第 一 襯底上形成電極層；形成第一溝槽，所述第一溝槽將所述電極層切開且延伸到所述第一襯底內(nèi)； 提供第二襯底，其具有第二溝槽，所述第二溝槽位于與所述第一溝槽相對的位置 且具有與所述第一溝槽相同的寬度與長度；以及將所述第二襯底覆蓋于所述第一襯底上，以使得所述第一溝槽與所述第二溝槽接合。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其還包括以金、銀、鈀、鉑、鉤、銅金屬之一、其任 意組合的合金和包含其任意組合的混合材料形成所述電極層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其還包括使用一納米管形成所述電極層，以降低觸發(fā)電壓。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述納米管可使用納米碳管或納米鋁管和包含所 述納米管的混合物形成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其還包括以絕緣材料形成所述第一襯底與第二襯底。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述絕緣材料可用鋁元素、鈦元素或硅元素形成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述電極層可由I型或T型電極形成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一溝槽具有長度L2，所述電極具有寬度 Ll， L2>U。
18. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中通過所述電極層具有第一端與第二端，所述第一 端與所述第二端為尖端狀或平頭狀。
19. 一種過電壓保護裝置，其包含第一襯底，其具有第一溝槽；多層結(jié)構(gòu)，其以堆疊方式配置于所述第一襯底上，其中所述多層結(jié)構(gòu)包括至少兩 個電極層，且各所述至少兩個電極層之間均有一絕緣層，所述第一溝槽將所述多層 結(jié)構(gòu)切開且延伸到所述第一襯底內(nèi)；第二襯底，其具有第二溝槽，所述第二溝槽位于與所述第一溝槽相對的位置且具有與所述第一溝槽相同的寬度與長度，所述第二襯底覆蓋于所述第一襯底上，以使 得所述第一溝槽與所述第二溝槽接合。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的過電壓保護裝置，其中所述至少兩個電極層可為金、銀、鈀、 鉑、鎢、銅金屬之一、其任意組合的合金和包含其任意組合的混合材料。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的過電壓保護裝置，其中所述至少兩個電極層之間可進一步加 入一納米管，以降低觸發(fā)電壓。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的過電壓保護裝置，其中所述納米管可為納米碳管或納米鋁管 和包含所述納米管的混合物。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的過電壓保護裝置，其中所述第一襯底與第二襯底分別為絕緣 材料。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的過電壓保護裝置，其中所述絕緣材料至少包含鋁元素、鈦元 素或硅元素。
25. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的過電壓保護裝置，其中所述至少兩個電極層可分別為I型或T 型電極。
26. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的過電壓保護裝置，其中所述第一溝槽具有長度L2，所述至少 兩個電極層具有最大寬度L1， L2>L1。
27. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的過電壓保護裝置，其中通過所述至少兩個電極層具有多個第 一端與多個第二端，所述多個第一端與所述多個第二端為尖端狀或平頭狀。
28. —種形成過電壓保護裝置的方法，其包含提供第一襯底；在所述第一襯底上形成多層結(jié)構(gòu)，其中所述多層結(jié)構(gòu)由至少兩個電極層形成，且 各所述至少兩個電極層之間均形成一絕緣層；形成第一溝槽，所述第一溝槽將所述多層結(jié)構(gòu)切開且延伸到所述第一襯底內(nèi)； 提供第二襯底，其具有第二溝槽，所述第二溝槽位于與所述第一溝槽相對的位置且具有與所述第一溝槽相同的寬度與長度；將所述第二襯底覆蓋于所述第一襯底上，使得所述第一溝槽與所述第二溝槽接 合°
29. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其還包括以金、銀、鈀、鉑、鎢、銅金屬之一、其任 意組合的合金和包含其任意組合的混合材料形成所述至少兩個電極層。
30. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其還包括使用一納米管形成所述至少兩個電極層，以 降低觸發(fā)電壓。
31. 根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述納米管可用納米碳管或納米鋁管和包含所述 納米管的混合物形成。
32. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其還包括以絕緣材料形成所述第一襯底與第二襯底。
33. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述絕緣材料可使用鋁元素、鈦元素或硅元素形 成。
34. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述至少兩個電極層可分別由I型或T型電極形 成。
35. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第一溝槽具有長度L2，所述至少兩個電極層 具有最大寬度L1， L2>L1。
36. 根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中通過所述至少兩個電極層具有多個第一端與多個第 二端，所述多個第一端與所述多個第二端為尖端狀或平頭狀。
37. —種過電壓保護裝置，其包含第一襯底；電極層，其配置于所述第一襯底上；第二襯底，其配置于所述電極層上且具有溝槽，所述溝槽將所述第二襯底與所 述電極層切開且延伸到所述第 一 襯底內(nèi)； 第三襯底，其覆蓋于所述第二襯底上。
38. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層可為金、銀、鈀、鉑、鴇、 銅金屬之一，其任意組合的合金和包含其任意組合的混合材料。
39. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層中可進一步加入一納米 管，以降低觸發(fā)電壓。
40. 根據(jù)權(quán)利要求39所述的過電壓保護裝置，其中所述納米管可為納米碳管或納米鋁 管，和包含所述納米管的混合物。
41. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的過電壓保護裝置，其中所述第一襯底、第二襯底與第三 襯底分別為絕緣材料。
42. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的過電壓保護裝置，其中所述絕緣材料至少包含鋁元素、鈦元 素或硅元素。
43. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層可為I型或T型電極。
44. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的過電壓保護裝置，其中所述溝槽具有長度L2，所述電極具有 寬度U， L2>U。
45. 根據(jù)權(quán)利要求37所述的過電壓保護裝置，其中通過電極層具有第一端與第二端，所 述第一端與所述第二端為尖端狀或平頭狀。
46. —種制造過電壓保護裝置的方法，其包含提供第一襯底；在所述第 一 襯底上形成電極層； 在所述電極層上形成第二襯底；形成溝槽，所述溝槽將所述第二襯底與所述電極層切開且延伸到所述第一襯底 內(nèi)；提供第三襯底，其覆蓋于所述第二襯底上。
47. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其還包括以金、銀、鈀、鉑、鎢、銅金屬之一、其任 意組合的合金和包含其任意組合的混合材料形成所述電極層。
48. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其還包括使用一納米管形成所述電極層，以降低觸發(fā)電壓。
49. 根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其中所述納米管可使用納米碳管或納米鋁管和包含所述納米管的混合物形成。
50. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其還包括以絕緣材料形成所述第一襯底、第二襯底 與第三襯底。
51. 根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中所述絕緣材料可用鋁元素、鈦元素或硅元素形成。
52. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中所述電極層可由I型或T型電極形成。
53. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中所述溝槽具有長度L2，所述電極具有寬度L1， L2>L1。
54. 根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中通過所述電極層具有第一端與第二端，所述第一 端與所述第二端可分別形成尖端狀或平頭狀。
55. —種過電壓保護裝置，其包含-第一襯底；電極層，其配置于所述第一襯底上；第二襯底，其配置于所述電極層上且具有溝槽，所述溝槽將所述第一襯底、所 述第二襯底與所述電極層切開；第三襯底，其覆蓋于所述第二襯底上； 第四襯底，其形成于該第一襯底下。
56. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層可為金、銀、鈀、鉑、鎢、 銅金屬之一，其任意組合的合金和包含其任意組合的混合材料。
57. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層中可進一步加入一納米 管，以降低觸發(fā)電壓。
58. 根據(jù)權(quán)利要求57所述的過電壓保護裝置，其中所述納米管可為納米碳管或納米鋁 管，和包含所述納米管的混合物。
59. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的過電壓保護裝置，其中所述第一襯底、第二襯底、第三 襯底與第四襯底分別為絕緣材料。
60. 根據(jù)權(quán)利要求59所述的過電壓保護裝置，其中所述絕緣材料至少包含鋁元素、鈦元 素或硅元素。
61. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的過電壓保護裝置，其中所述電極層可為I型或T型電極。
62. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的過電壓保護裝置，其中所述溝槽具有長度L2，所述電極具有 寬度L1， L2>L1。
63. 根據(jù)權(quán)利要求55所述的過電壓保護裝置，其中通過所述電極層具有第一端與第二端，所述第一端與所述第二端可分別為尖端狀或平頭狀。
64. —種制造過電壓保護裝置的方法，其包含-提供第一襯底；在所述第 一 襯底上形成電極層； 在所述電極層上形成第二襯底；形成溝槽，所述溝槽將所述第一襯底、所述第二襯底與所述電極層切開； 提供第三襯底，其覆蓋于所述第二襯底上 在所述第 一襯底下形成第四襯底。
65. 根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其還包括以金、銀、鈀、鉑、鎢、銅金屬之一、其任 意組合的合金和包含其任意組合的混合材料形成所述電極層。
66. 根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其還包括使用一納米管形成所述電極層，以降低觸發(fā) 電壓。
67. 根據(jù)權(quán)利要求66所述的方法，其中所述納米管可使用納米碳管或納米鋁管和包含所 述納米管的混合物形成。
68. 根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其還包括以絕緣材料形成所述第 一 襯底、第二襯底、 第三襯底與第四襯底。
69. 根據(jù)權(quán)利要求68所述的方法，其中所述絕緣材料可用鋁元素、鈦元素或硅元素形成。
70. 根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其中所述電極層可由I型或T型電極形成。
71. 根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其中所述溝槽具有長度L2，所述電極具有寬度L1， L2>L1。
72. 根據(jù)權(quán)利要求64所述的方法，其中通過所述電極層具有第一端與第二端，所述第一 端與所述第二端可分別形成尖端狀或平頭狀。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種過電壓保護裝置及其制造方法。所述過電壓保護裝置通過使用延伸到一第一襯底及一第二襯底內(nèi)之氣隙來提供過電壓保護。所述氣隙由所述第一襯底上之第一溝槽與該第二襯底上之第二溝槽形成。
文檔編號H01T4/00GK101340061SQ20071030715
公開日2009年1月7日 申請日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月4日
發(fā)明者劉德邦 申請人:佳邦科技股份有限公司