一種新型大容量存取裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種新型大容量存取裝置，包括數(shù)據(jù)輸入單元、SDRAM單元、Nand Flash存儲單元、斷電保護(hù)電路、SD卡單元、LCD觸摸屏和中央處理單元，數(shù)據(jù)輸入單元、SDRAM單元、Nand Flash存儲單元、斷電保護(hù)電路、SD卡單元和LCD觸摸屏分別電連接中央處理單元，本實用新型設(shè)計合理，使用方便，體積小，容量大，靠性高，采用NAND和SD相結(jié)合的方式，使得數(shù)據(jù)保存更安全，數(shù)據(jù)隨取隨用，操作簡單明了，有很好的應(yīng)用前景。
【專利說明】
一種新型大容量存取裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實用新型具體涉及一種新型大容量存取裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)在人們在使用電腦時常常需要存取大量的數(shù)據(jù)記錄或者照片，但是在現(xiàn)在的方案中，常常只采用SD卡存取，存取速度慢，可靠性不高，有時候會出現(xiàn)SD卡損壞或者部分扇區(qū)壞掉，特別是在消費(fèi)機(jī)中，存在丟失記錄的情況，給客戶造成損失。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的是為解決上述不足，提供一種新型大容量存取裝置。
[0004]本實用新型的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0005]—種新型大容量存取裝置，包括數(shù)據(jù)輸入單元、SDRAM單元、Nand Flash存儲單元、斷電保護(hù)電路、SD卡單元、IXD觸摸屏和中央處理單元，數(shù)據(jù)輸入單元、SDRAM單元、NandFlash存儲單元、斷電保護(hù)電路、SD卡單元和LCD觸摸屏分別電連接中央處理單元。
[0006]中央處理單元采用AT91RM9200的ARM芯片。
[0007]Nand Flash存儲單元采用K9F1208存儲器。
[0008]斷電保護(hù)電路連接中央處理單元內(nèi)部的譯碼器。
[0009]本實用新型具有如下有益的效果:
[0010]本實用新型設(shè)計合理，使用方便，體積小，容量大，靠性高，采用NAND和SD相結(jié)合的方式，使得數(shù)據(jù)保存更安全，數(shù)據(jù)隨取隨用，操作簡單明了，有很好的應(yīng)用前景。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為本實用新型的SD卡單元連接中央處理單元電路圖；
[0013]圖3為本實用新型的NandFlash存儲單元電路圖；
[0014]圖4為本實用新型的SDRAM單元電路圖；
[0015]圖5為本實用新型的斷電保護(hù)電路圖。
【具體實施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步的說明:
[0017]如圖1所示，一種新型大容量存取裝置，包括數(shù)據(jù)輸入單元1、SDRAM單元2、NandFlash存儲單元3、斷電保護(hù)電路4、SD卡單元5、LCD觸摸屏6和中央處理單元7，數(shù)據(jù)輸入單元1、SDRAM單元2、Nand Flash存儲單元3、斷電保護(hù)電路4、SD卡單元5和LCD觸摸屏6分別電連接中央處理單元7。
[0018]中央處理單元采用AT91RM9200的ARM芯片。
[0019]Nand Flash存儲單元采用K9F1208存儲器。
[0020]斷電保護(hù)電路連接中央處理單元內(nèi)部的譯碼器。
[0021]存儲系統(tǒng)由SDRAM、NandFlash和SD卡組成。
[0022]NAND FLASH存儲器沒有地址線，只有數(shù)據(jù)線，8個I/O引腳充當(dāng)數(shù)據(jù)、地址、命令的復(fù)用端口。8根數(shù)據(jù)線分別和中央處理單元的數(shù)據(jù)線DATA0-DATA7相連。芯片上的ALE和CLE分別是地址鎖存和命令鎖存使能信號，當(dāng)ALE為高電平時，數(shù)據(jù)接口的數(shù)據(jù)在寫信號的上升延鎖存到FLASH內(nèi)部的地址寄存器；當(dāng)CLE為高電平時，數(shù)據(jù)接口的數(shù)據(jù)在寫信號的上升延鎖存到FLASH內(nèi)部的命令寄存器。R/B引腳指示設(shè)備操作狀態(tài)是Busy或Ready。
[0023]SDRAM單元:HY57V561620的13根地址線與中央處理單元的LADDR13-LADDRI相連，數(shù)據(jù)線連接CPU的數(shù)據(jù)總線LDATA15-LDATA0。由于數(shù)據(jù)總線為16位，所以HY57V561620的地址線AO接中央處理單元的地址線1^01?1。冊57￥561620的Bank選擇信號BA0/1接中央處理單元的高位地址線LADDR24/23。
[0024]斷電保護(hù)電路的輸出接至中央處理單元的譯碼電路和存貯器電路，當(dāng)需斷電保護(hù)時，開關(guān)Kl閉合，蓄電池接入電路;未斷電時，+5V電源一方面通過BG3供給譯碼電路及存貯器RAM芯片，另一方面通過BG2和R4給蓄電池充電，所以蓄電池平時處于浮充狀態(tài)，同時，+5V電源又使BGl導(dǎo)通，輸出“ O”電平到各譯碼器的第4引腳端(賦能端)，以保證譯碼器正常工作。
【主權(quán)項】
1.一種新型大容量存取裝置，包括數(shù)據(jù)輸入單元、SDRAM單元、NandFlash存儲單元、斷電保護(hù)電路、SD卡單元、LCD觸摸屏和中央處理單元，其特征在于:數(shù)據(jù)輸入單元、SDRAM單元、Nand Flash存儲單元、斷電保護(hù)電路、SD卡單元和IXD觸摸屏分別電連接中央處理單元。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型大容量存取裝置，其特征在于:所述的中央處理單元采用AT91RM9200的ARM芯片。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型大容量存取裝置，其特征在于:所述的NandFlash存儲單元采用K9F1208存儲器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型大容量存取裝置，其特征在于:所述的斷電保護(hù)電路連接中央處理單元內(nèi)部的譯碼器。
【文檔編號】G11C16/06GK205582489SQ201620242743
【公開日】2016年9月14日
【申請日】2016年3月28日
【發(fā)明人】彭岳林
【申請人】東莞市君容信息技術(shù)有限公司