專利名稱：封裝基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線路板及其制作方法與半導(dǎo)體元件，且特別是有關(guān)于 一種封裝基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
就半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域中常見的倒裝芯片接合技術(shù)而言，通常是在晶圓的
主動(dòng)面上形成芯片墊之后，于各個(gè)芯片墊上制作一芯片凸塊(chip bump), 以作為由晶圓切割所形成的芯片電性連接至承載器的中介。由于芯片凸塊 以面陣列的方式排列于芯片的主動(dòng)面上，使得倒裝芯片接合技術(shù)適于運(yùn)用 在高接點(diǎn)數(shù)及高接點(diǎn)密度的芯片封裝結(jié)構(gòu)。此外，相較于打線接合技術(shù)，由 于芯片凸塊可在芯片與承載器之間提供較短的訊號(hào)傳輸路徑，使得倒裝芯 片接合技術(shù)可提升芯片封裝結(jié)構(gòu)的電性效能(electrical performance )。
傳統(tǒng)倒裝芯片封裝(flip-chip package)采用可控制坍塌芯片連接 (controlled collapse chip connection, C4 )的4支術(shù),其具有凸塊自我 對(duì)位與可維持芯片與封裝基板之間距等優(yōu)點(diǎn)。其中，封裝基板通常為有機(jī) 材料形成的聚合物基板且耐熱性較低，所以芯片與聚合物基板接合時(shí)所進(jìn) 行的回焊制程的溫度不能過(guò)高。因此，封裝基板的各個(gè)接合墊上會(huì)預(yù)先形 成一由低熔點(diǎn)焊料組成的基板凸塊(substrate b腿p )，使得上述回焊制程 進(jìn)行時(shí)，基板凸塊熔融而包覆對(duì)應(yīng)的未熔融的芯片凸塊(熔點(diǎn)較高)以形 成一接合凸塊(joint bump)，而達(dá)成電性連接芯片與封裝基板的目的。
現(xiàn)有在封裝基板的接合墊上形成低熔點(diǎn)的基板凸塊的方式包括網(wǎng)板印 刷與電鍍等。請(qǐng)參考圖1，其繪示已知的一種封裝基板的剖面示意圖。隨著 芯片線路布局朝向高積集度發(fā)展，封裝基板100的相鄰接合墊110的間距 (pitch) dl將對(duì)應(yīng)地縮短，且接合墊110的分布密度也對(duì)應(yīng)增加。
若以網(wǎng)板印刷的方式來(lái)形成基板凸塊，將受限于網(wǎng)板本身的制作與印 刷焊料的極限，而無(wú)法形成符合此高密度需求的基板凸塊，且過(guò)小的接合 墊110的間距dl也容易使得填入的基板凸塊130誤橋接，而影響制程良率。 因此，以電鍍方式形成基板凸塊的方法被提出，用以符合高積集度的基板 制作需求。
然而，考慮光阻曝光時(shí)的對(duì)位誤差，已知制作封裝基板100上的基板 凸塊130時(shí)，必須在焊罩層120的開口 122之外預(yù)留部分的面積，使得所 形成的基板凸塊130會(huì)覆蓋部份的焊罩層120。當(dāng)封裝基板100進(jìn)行熱制程或?qū)嶋H應(yīng)用于倒裝芯片封裝時(shí)，便可能因?yàn)楹刚謱?20與封裝基板100的 熱膨脹系數(shù)(coefficient of thermal expansion, CTE)不匹配，使得接 合凸塊受到下方的焊罩層120的應(yīng)力作用而自接合墊110上剝離或脫落，因 而影響芯片封裝結(jié)構(gòu)的可靠度。
由此可見，上述現(xiàn)有的封裝基板在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便 與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決封裝基板存在的問(wèn)題，相關(guān)廠 商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展 完成，而一般產(chǎn)品又沒(méi)有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問(wèn)題，此顯然是相關(guān)業(yè) 者急欲解決的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的封裝基板存在的缺陷，而提供一種新 的封裝基板，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其具有高密度分布的基板凸塊，以應(yīng) 用于高積集度的芯片封裝技術(shù)中，并有助于提高芯片封裝結(jié)構(gòu)的可靠度,從 而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種封裝基板的制作方法，所要解決的 技術(shù)問(wèn)題是使其適于形成高密度分布的基板凸塊，且具有較高的制程良率， 從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種封裝基板，其包括一基層、 一表層線路層、多個(gè)導(dǎo)電塊 與一圖案化焊罩層。表層線路層配置于基層的一表面，且表層線路層具有 多個(gè)接合墊。導(dǎo)電塊分別配置于接合墊上。圖案化焊罩層配置于基層的表 面上，并位于導(dǎo)電塊所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外，以暴露出導(dǎo)電塊。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述圖案化焊罩層更可位于接合墊所對(duì)應(yīng)的 區(qū)域之外，以暴露出接合墊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述導(dǎo)電塊包括多個(gè)金屬柱。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述導(dǎo)電塊的材質(zhì)包括銅。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的基層上可具有一芯片接合區(qū)，且接合 墊呈陣列排列于芯片接合區(qū)內(nèi)。此外，圖案化焊罩層暴露出芯片接合區(qū)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述封裝基板還包括一有機(jī)可焊性保護(hù)層 (organic solderabilUy preservatives, OSP),其配置于導(dǎo)電塊與接合
墊表面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述基層包括多個(gè)介電層與至少一內(nèi)層線路 層，且內(nèi)層線路層配置于兩相鄰的介電層之間。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種封裝基板的制作方法，其包括下列步驟。首先，提供一 基層。接著，形成一電鍍種子層于基層的一表面上。接著，覆蓋一第一圖案 化罩幕于基層的表面上，且第一圖案化罩幕暴露出部分的電鍍種子層。接 著，電鍍形成一表層線路層于第一圖案化罩幕所暴露的電鍍種子層上，其中 表層線路層具有多個(gè)接合墊。之后，覆蓋一第二圖案化罩幕于第一圖案化 罩幕與表層線路層上，且第二圖案化罩幕暴露出每一接合墊的至少部份區(qū) 域。之后，電鍍形成多個(gè)導(dǎo)電塊于第二圖案化罩幕所暴露的接合墊上。之 后，移除第一圖案化罩幕與第二圖案化罩幕。然后，移除表層線路層以外的 電鍍種子層。然后，形成一圖案化焊罩層于基層的表面上，且圖案化焊罩 層暴露出導(dǎo)電塊。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，上述形成圖案化焊罩層的方法包括下列步驟。 首先，形成一焊罩材料層于基層的表面上，使其覆蓋表層線路層與導(dǎo)電塊。 接著，對(duì)焊罩材料層進(jìn)行一圖案化制程，以移除導(dǎo)電塊所對(duì)應(yīng)的焊罩材料 層。此外，上述圖案化制程包括對(duì)焊罩材料層進(jìn)行一微影制程。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在上述封裝基板的制作方法中，還使圖案化 焊罩層暴露出接合墊。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述基層上具有一芯片接合區(qū)，且接合墊呈 陣列排列于芯片接合區(qū)內(nèi)。此外，在上述封裝基板的制作方法中，還使圖 案化焊罩層暴露出芯片接合區(qū)。
在本發(fā)明的 一 實(shí)施例中，上述封裝基板的制作方法還包括在形成圖案 化罩幕層之后，對(duì)導(dǎo)電塊與接合墊進(jìn)行一表面處理。此外，上述表面處理 包括形成一有機(jī)可焊性保護(hù)層于導(dǎo)電塊與接合墊表面。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第一圖案化罩幕或第二圖案化罩幕包括
干膜光阻(dry film photoresist )。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案 可知，本發(fā)明借由上述制程在封裝基板上制作高密度分布的基板凸塊，以符 合高積集度的封裝需求。此外，本發(fā)明更進(jìn)一步對(duì)基板凸塊的形成位置與 形狀進(jìn)行設(shè)計(jì)，使得焊罩層位于基板凸塊對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外，因此可避免因 焊罩層之熱膨脹所造成的可靠度低落等問(wèn)題。
綜上所述，本發(fā)明特具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類產(chǎn)品 中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，在技術(shù)上有較大的 進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，從而更加適于實(shí)用。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)i兌明如下。


圖1繪示已知的一種封裝基板的剖面示意圖。
圖2A繪示本發(fā)明第 一 實(shí)施例的 一種封裝基板的俯視示意圖。 圖2B繪示圖2A的封裝基板沿著線I-1'的剖面示意圖。 圖3A至圖31繪示圖2B的封裝基板的制作方法的過(guò)程示意圖。 圖4繪示圖2B的封裝基板應(yīng)用于一芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。 圖5 A繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的 一種封裝基板的俯視示意圖。 圖5B繪示圖5A的封裝基板沿著線I1-II'的剖面示意圖。 圖6A繪示本發(fā)明第三實(shí)施例的一種封裝基板的俯視示意圖。 圖6B繪示圖6A的封裝基板沿著線in-in，的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特 征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
第一實(shí)施例
圖2A繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的一種封裝基板的俯視示意圖，圖2B繪 示圖2A的封裝基板沿著線I-I'的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖M與圖2B，第一 實(shí)施例的封裝基板300包括一基層310、一表層線路層320、多個(gè)導(dǎo)電塊330 與一圖案化焊罩層340。表層線路層320配置于基層310的一表面Sl，且表 層線路層320具有多個(gè)接合墊322。導(dǎo)電塊330分別配置于接合墊322上， 用以作為基板凸塊。此外，圖案化焊罩層340配置于基層310的表面Sl上， 并位于導(dǎo)電塊330所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外，以暴露出導(dǎo)電塊330。
在第一實(shí)施例中，導(dǎo)電塊330包括多個(gè)金屬柱，且其材質(zhì)包括銅。此 外，封裝基板300還包括一有機(jī)可焊性保護(hù)層350 (圖2A省略繪示)，其配 置于導(dǎo)電塊330與接合墊322表面。有機(jī)可焊性保護(hù)層350可避免導(dǎo)電塊 330與接合墊322因接觸外界空氣而氧化，如此即可延長(zhǎng)導(dǎo)電塊330制作完 成之后的保存時(shí)間。當(dāng)封裝基板300與一芯片進(jìn)行后續(xù)的倒裝芯片接合制 程之前，封裝基板300會(huì)預(yù)先受熱而使得有機(jī)可焊性保護(hù)層350揮發(fā)。
第一實(shí)施例的封裝基板300的基層310包括多個(gè)介電層312、至少一內(nèi) 層線路層314 (圖2B示意地繪示兩層)與多個(gè)導(dǎo)電孔道316，且封裝基板 300還包括另一表層線路層360。各個(gè)內(nèi)層線路層314配置于兩相鄰的介電 層312之間，且表層線路層360配置于基層310的相對(duì)于表面Sl的另一表 面S2上。此外，各個(gè)導(dǎo)電孔道316貫穿介電層312的其中之一。導(dǎo)電孔道 316的其中之一電性連接表層線路層320與鄰近的內(nèi)層線路層314，且導(dǎo)電
孔道316的其中之一電性連接內(nèi)層線路層314，且導(dǎo)電孔道316的其中之一 電性連接表層線路層360與鄰近的內(nèi)層線路層314。
圖3A至圖3I繪示圖2B之封裝基板的制作方法的過(guò)程示意圖。首先， 請(qǐng)參考圖3A，提供一基層310。接著，例如以賊鍍的方式形成一電鍍種子 層L于基層310的表面Sl上。
接著，請(qǐng)參考圖3B，覆蓋一第一圖案化罩幕M1于基層310的表面Sl 上，且第一圖案化罩幕M1暴露出部分的電鍍種子層L。值得注意的是，第一 圖案化罩幕M1可借由預(yù)先全面形成一干膜光阻于表面Sl上，且再對(duì)于千 膜光阻進(jìn)行微影制程而完成。
接著，請(qǐng)參考圖3C，電鍍形成一表層線路層320于第一圖案化罩幕M1 所暴露的電鍍種子層L上，其中表層線路層320具有多個(gè)接合墊322。
之后，請(qǐng)參考圖3D,覆蓋一第二圖案化罩幕M2于第一圖案化罩幕M1 與表層線路層320上，且第二圖案化罩幕M2暴露出每一接合墊322的至少 部份區(qū)域。值得注意的是，第二圖案化罩幕M2可借由預(yù)先全面形成一干膜 光阻于第一圖案化罩幕M1與表層線路層320上，且再對(duì)于干膜光阻進(jìn)行微 影制程而完成。
之后，請(qǐng)參考圖3E，電鍍形成多個(gè)導(dǎo)電塊330于第二圖案化罩幕MZ所 暴露的接合墊322上。接著，如圖3E與圖3F所示，移除第一圖案化罩幕 Ml與第二圖案化罩幕M2。若第一圖案化罩幕M1與第二圖案化罩幕M2為干 膜光阻，則移除第一圖案化罩幕M1與第二圖案化罩幕M2的方式可借由氫 氧化鈉水溶液或有機(jī)溶劑來(lái)移除第一圖案化罩幕Ml與第二圖案化罩幕M2。
然后，請(qǐng)參考圖3F與圖3G,移除表層線路層320以外的電鍍種子層L。 在此必須說(shuō)明的是，移除表層線路層320以外的電鍍種子層L是借由以下 步驟完成。預(yù)先在表層線路層3"上形成一第三圖案化罩幕(未繪示)，其 暴露表層線路層320之外的電鍍種子層L。接著，經(jīng)由蝕刻制程移除暴露于 第三圖案化罩幕之外的電鍍種子層L。最后，移除第三圖案化罩幕。
然后，請(qǐng)參考圖3H,形成一圖案化焊罩層340于基層310的表面Sl上， 且圖案化焊罩層340暴露出導(dǎo)電塊330。值得說(shuō)明的是，形成上述圖案化焊 罩層340的方法包括預(yù)先形成一焊罩材料層(未繪示)于基層310的表面 Sl上，使其覆蓋表層線路層320與導(dǎo)電塊330,接著再對(duì)焊罩材料層進(jìn)行 一圖案化制程(微影制程)，以移除導(dǎo)電塊330所對(duì)應(yīng)的焊罩材料層，而形 成圖案化焊罩層340。至此，封裝基板300基本上已制作完成。
然后，請(qǐng)參考圖31,可對(duì)導(dǎo)電塊330與接合墊322進(jìn)行一表面處理， 其例如形成一有機(jī)可焊性保護(hù)層350于導(dǎo)電塊330與接合墊322表面。此 夕卜，在另一實(shí)施例中，在封裝基板300的無(wú)鉛表面處理的選擇中，除了上述 常見的有機(jī)可焊性保護(hù)層350之外，化鍍鎳金、浸鍍銀、浸鍍錫與無(wú)鉛噴
錫都是可依設(shè)計(jì)者的需求而采用的表面處理的方式之一。
請(qǐng)參考圖4，其繪示圖2B之封裝基板應(yīng)用于一芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。 芯片封裝結(jié)構(gòu)30包括一芯片32、封裝基板30G與多個(gè)芯片凸塊34。芯片 32配置于封裝基板300之表層線路層320的上方，且芯片32朝向表層線路 層320的表面S3具有多個(gè)芯片墊32a。此外，芯片凸塊34對(duì)應(yīng)連接于芯片 墊32a與導(dǎo)電塊330之間，使得芯片32與封裝基板300電性連接。另夕卜， 焊球36配置于基層310的遠(yuǎn)離芯片32的一側(cè)，以作為電性連接下一層級(jí) 的電子裝置(未繪示)之用。
值得注意的是，芯片凸塊34并不會(huì)與圖案化焊罩層340有所接觸，且 芯片凸塊34與圖案化焊罩層34G保持一特定距離。
第二實(shí)施例
圖5A繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的一種封裝基板的俯視示意圖，圖5B繪 示圖5A的封裝基板沿著線II-II'的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖5A與圖5B,第二 實(shí)施例的封裝基板400與第一實(shí)施例的封裝基板300的主要不同之處在于， 第二實(shí)施例的封裝基板400的圖案化焊罩層"0還可位于接合墊422所對(duì) 應(yīng)的區(qū)域之外，以暴露出接合墊422與其上的導(dǎo)電塊430。
第三實(shí)施例
圖6A繪示本發(fā)明第三實(shí)施例的一種封裝基板的俯視示意圖，圖6B繪 示圖6A的封裝基板沿著線I11-ffl'的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖6A與圖6B，本實(shí) 施例的封裝基板500與上述實(shí)施例的封裝基板300、 400的主要不同之處在 于圖案化焊罩層540暴露出整個(gè)區(qū)域(與芯片接合之區(qū)域)的接合墊522 與導(dǎo)電塊530。更詳細(xì)而言，封裝基板500在基層510上具有一芯片接合區(qū) A，接合墊522與其上的導(dǎo)電塊530呈陣列排列于芯片接合區(qū)A內(nèi)，而圖案 化焊罩層540暴露出芯片接合區(qū)A。上述第二實(shí)施例與第三實(shí)施例的焊罩層 設(shè)計(jì)皆可或多或少減少焊罩層材料的使用量，并有助于降低制作焊罩層時(shí) 所使用的光^的復(fù)雜度,，因，匕可進(jìn)一步節(jié)省制程成，j簡(jiǎn)化制程； ，、
一、 本發(fā)明借由電鍍的方式來(lái)形成導(dǎo)電塊，所以在相鄰接合墊的間距 縮短的情形下，導(dǎo)電塊仍可被準(zhǔn)確地形成于對(duì)應(yīng)的接合墊上，因此可符合 高積集度的封裝需求。
二、 本發(fā)明在形成接合墊之后，先形成作為基板凸塊的導(dǎo)電塊，再形 成焊罩層，因此焊罩層不會(huì)位于導(dǎo)電塊下方，可有效避免已知因焊罩層的 熱膨脹所造成的問(wèn)題，進(jìn)而提高產(chǎn)品的可靠度。
三、 本發(fā)明可對(duì)焊罩層的位置進(jìn)行設(shè)計(jì)，例如使焊罩層僅暴露出導(dǎo)電 塊，或使焊罩層同時(shí)暴露出導(dǎo)電塊與接合墊，或甚至使焊罩層暴露出封裝 基板上的整個(gè)芯片接合區(qū)，因此不僅制程較為簡(jiǎn)單且具彈性，更有助于節(jié)
省制作成本。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例 所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與》爹飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種封裝基板，其特征在于包括一基層；一表層線路層，配置于該基層的一表面，其中該表層線路層具有多個(gè)接合墊；多個(gè)導(dǎo)電塊，分別配置于所述的接合墊上；以及一圖案化焊罩層，配置于該基層的該表面上，并位于這些導(dǎo)電塊所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外，以暴露出這些導(dǎo)電塊。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于其中該圖案化焊罩層 還位于所述的接合墊所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外，以暴露出所述的接合墊。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于其中所述的導(dǎo)電塊包 括多個(gè)金屬柱。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于其中所述的導(dǎo)電塊的 材質(zhì)包括銅。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于其中該基層上具有一 芯片接合區(qū)，且所述的接合墊呈陣列排列于該芯片接合區(qū)內(nèi)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝基板，其特征在于其中該圖案化焊罩層 暴露出該芯片接合區(qū)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于還包括一有機(jī)可焊性 保護(hù)層，配置于所述的導(dǎo)電塊與所述的接合墊表面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于其中該基層包括多個(gè) 介電層與至少一內(nèi)層線路層，且該內(nèi)層線路層系配置于兩相鄰的介電層之 間。
9、 一種封裝基板的制作方法，其特征在于包括 提供一基層；形成一電鍍種子層于該基層的一表面上；覆蓋一第一圖案化罩幕于該基層的該表面上，且該第一圖案化罩幕暴 露出部分的該電鍍種子層；電鍍形成一表層線路層于該第一圖案化罩幕所暴露的該電鍍種子層 上，其中該表層線路層具有多個(gè)接合墊；覆蓋一第二圖案化罩幕于該第一圖案化罩幕與該表層線路層上，且該 第二圖案化罩幕暴露出每一接合墊的至少部份區(qū)域；電鍍形成多個(gè)導(dǎo)電塊于該第二圖案化罩幕所暴露的所述的接合墊上；移除該第 一 圖案化罩幕與該第二圖案化罩幕；移除該表層線路層以外的該電鍍種子層；形成一圖案化焊罩層于該基層的該表面上，且該圖案化焊罩層暴露出 所述的導(dǎo)電塊。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝基板的制作方法，其特征在于其中形成該圖案化焊罩層的方法包括形成 一焊罩材料層于該基層的該表面上，使其覆蓋該表層線路層與所 述的導(dǎo)電塊；以及對(duì)該焊罩材料層進(jìn)行一圖案化制程，以移除所述的導(dǎo)電塊所對(duì)應(yīng)的該 焊罩材料層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的封裝基板的制作方法，其特征在于其中該 圖案化制程包括對(duì)該焊罩材料層進(jìn)行一微影制程。
12、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝基板的制作方法，其特征在于其中還 使該圖案化焊罩層暴露出所述的接合墊。
13、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝基板的制作方法，其特征在于其中該 基層上具有一芯片接合區(qū)，且所述的接合墊呈陣列排列于該芯片接合區(qū)內(nèi)。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的封裝基板的制作方法，其特征在于其中還 使該圖案化焊罩層暴露出該芯片接合區(qū)。
15、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝基板的制作方法，其特征在于還包括 在形成該圖案化罩幕層之后，對(duì)所述的導(dǎo)電塊與所述的接合墊進(jìn)行一表面 處理。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的封裝基板的制作方法，其特征在于其中該表面處理包括形成一有機(jī)可焊性保護(hù)層于所述的導(dǎo)電塊與所述的接合墊表面。
17、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝基板的制作方法，其特征在于其中該 第一圖案化罩幕或該第二圖案化罩幕包括干膜光阻。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種封裝基板及其制作方法。該封裝基板，其包括一基層、一表層線路層、多個(gè)導(dǎo)電塊與一圖案化焊罩層。表層線路層配置于基層的一表面，且表層線路層具有多個(gè)接合墊。導(dǎo)電塊分別配置于接合墊上。圖案化焊罩層配置于基層的表面上，并位于導(dǎo)電塊所對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外，以暴露出導(dǎo)電塊。此外，還提出一種上述封裝基板的制作方法。上述制程在封裝基板上制作高密度分布的基板凸塊，以符合高積集度的封裝需求。此外，本發(fā)明對(duì)基板凸塊的形成位置與形狀進(jìn)行設(shè)計(jì)，使得焊罩層位于基板凸塊對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外，因此可避免因焊罩層之熱膨脹所造成的可靠度低落等問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101197344SQ200710307149
公開日2008年6月11日 申請(qǐng)日期2007年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月27日
發(fā)明者廖國(guó)成 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司