專利名稱：具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其構(gòu)裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其構(gòu)裝方法，尤指一種具有高密 度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其構(gòu)裝方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)打印機(jī)所使用的光學(xué)印表頭，以單一激光源，經(jīng)過一套復(fù)雜 的光學(xué)系統(tǒng)將欲打印的資料以光的訊號(hào)方式轉(zhuǎn)移到感光鼓，在感光鼓 上形成靜電潛像，經(jīng)碳粉吸附、轉(zhuǎn)寫、熱壓、除電等步驟，以達(dá)打印 之需求。然而，激光印表頭卻因?yàn)槠涔鈱W(xué)元件多、機(jī)構(gòu)復(fù)雜且光程(叩ticalpath)較長，而使得激光打印機(jī)在機(jī)構(gòu)上存在著無法進(jìn)一步縮 小的問題。因此，目前打印機(jī)設(shè)計(jì)者常使用發(fā)光二極管(LED)的光源 來替代激光光源，以簡化傳統(tǒng)過于復(fù)雜的光學(xué)機(jī)構(gòu)。在發(fā)光二極管打印技術(shù)中，若要提高分辨率(resolution)的話， 則需要更小尺寸的發(fā)光二極管元件，以使得在相同的打印機(jī)頭體積下， 可容納更多的發(fā)光二極管。然而，在傳統(tǒng)構(gòu)裝方法中，首先需要通過 高精度的黏晶設(shè)備將發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)與驅(qū)動(dòng)集成電路陣列(drive IC array)精確地平行置放于印刷電路板上；接著在導(dǎo)線接合步驟中， 以A4尺寸600dpi為例，需要通過約5000條導(dǎo)線以電性連接于每一個(gè) 發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)與每一個(gè)驅(qū)動(dòng)集成電路陣列之間，以使得每一個(gè) 驅(qū)動(dòng)集成電路能以電性驅(qū)動(dòng)每一個(gè)相對應(yīng)的發(fā)光二極管。因此，現(xiàn)有的構(gòu)裝方法，由于打線的條數(shù)及密度太高，將導(dǎo)致生 產(chǎn)效率不佳及工藝難度增加的困擾，因而造成產(chǎn)品良率降低及制造成 本增加。此外，隨著市場上的需求，使用者對分辨率的要求越來越高， 因此發(fā)光二極管元件會(huì)做得越來越小，而造成打線接合工藝會(huì)更加的困難。于是，本發(fā)明人提出一種設(shè)計(jì)架構(gòu)，不僅改善現(xiàn)有電性連接良率 低、成本高的困窘，進(jìn)而提升產(chǎn)品分辨率高性能的發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題，即本發(fā)明的目的在于提出一種具有 高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊及其構(gòu)裝方法，并且本發(fā)明的構(gòu)裝結(jié) 構(gòu)模塊可為一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)模塊。此外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)模塊為一種光輸出模塊(light exposure module)，其可應(yīng)用在掃描 儀(scanner)與光電成像式(Electrophotography, EPG)打印機(jī)中。此外，本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)在于(1)分別在一發(fā)光二極管陣列 (LED array)與一驅(qū)動(dòng)集成電路(drive IC)的側(cè)壁上制作電性連接凹 槽焊墊；(2)于該驅(qū)動(dòng)集成電路上電鍍焊錫材料；(3)將該發(fā)光二 極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路彼此緊密置放在一電路板上，并且該發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路之間形成一高度差(height difference); (4)將該電路板傾斜一預(yù)定角度并進(jìn)行回焊(reflow)工藝，因此在 回焊過程中，該驅(qū)動(dòng)集成電路上的焊錫材料往低處發(fā)光二極管陣列的 方向流動(dòng)，進(jìn)而與該發(fā)光二極管陣列的焊墊連接，以達(dá)成 600dpi~ 1200dpi (dots per inch)高密度的電性連接。因此，本發(fā)明可縮 小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因高密度電性連接所需的生產(chǎn)成 本。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種 具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其包括 一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu) (一第一結(jié)構(gòu))、 一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)(一第二結(jié)構(gòu))、及多個(gè)導(dǎo) 電結(jié)構(gòu)(conductive structure)。其中，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形 成有多個(gè)第一開槽(first open groove)。該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的側(cè)壁 形成有多個(gè)分別面向所述的第一開槽的第二開槽(second opengroove)。所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別依序橫跨(traverse)所述的第一開槽 及所述的第二開槽，以分別電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光 二極管陣列結(jié)構(gòu)之間。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種 具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其步驟包括首先， 提供一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)(一第一結(jié)構(gòu))及一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)(一 第二結(jié)構(gòu))，其中該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個(gè)第一開槽(first open groove)，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)導(dǎo)電材料 (conductive material)，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個(gè)分 別面向所述的第一開槽的第二開槽(second open groove)。緊接著，將該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)分別電 性連接于一基板(substrate)上；然后，于回焊(reflow)過程中將該 基板相對于平面傾斜一預(yù)定角度，以使得所述的導(dǎo)電材料形成液態(tài)的 導(dǎo)電材料(liquid conductive material)，并使所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料分 別依序橫跨(traverse)所述的第一開槽及所述的第二開槽而流向該發(fā) 光二極管陣列結(jié)構(gòu)；最后，冷卻所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料，以形成多個(gè) 分別電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間的 導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductive structure )。為了解決上述技術(shù)問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種 具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其步驟包括首先， 提供一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)(一第一結(jié)構(gòu))及一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)(一 第二結(jié)構(gòu))，其中該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個(gè)第一開槽(firstopen groove),該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個(gè)分別面向所 述的第一開槽的第二開槽(second open groove)，該發(fā)光二極管陣列 結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)導(dǎo)電材料(conductive material)。緊接著，將該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)分別電
性連接于一基板(substrate)上；然后，于回焊(reflow)過程中將該 基板相對于平面傾斜一預(yù)定角度，以使得所述的導(dǎo)電材料形成液態(tài)的 導(dǎo)電材料(liquid conductive material)，并使所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料分 別依序橫跨(traverse)所述的第二開槽及所述的第一開槽而流向該發(fā) 光二極管陣列結(jié)構(gòu)；最后，冷卻所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料(liquid conductive material)，以形成多個(gè)分別電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié) 構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductive structure)。因此，本發(fā)明能解決傳統(tǒng)工藝采用一根一根進(jìn)行打線接合而產(chǎn)生 冗長的工藝的缺陷，以達(dá)到縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因' 高密度電性連接所需的生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)、手段 及功效，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，相信本發(fā)明的目 的、特征與特點(diǎn)，當(dāng)可由此得一深入且具體的了解，然而所附圖式僅 提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法的 第一實(shí)施例的流程圖；圖1A1至圖1D2分別為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu) 模塊的構(gòu)裝方法的第一實(shí)施例的流程示意圖；圖2為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法的 第二實(shí)施例的流程圖；圖2A1至圖2D2分別為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu) 模塊的構(gòu)裝方法的第二實(shí)施例的流程示意圖；圖3為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法的 第三實(shí)施例的流程圖；圖3A1至圖3D2分別為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu) 模塊的構(gòu)裝方法的第三實(shí)施例的流程示意圖4為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法的 第四實(shí)施例的流程圖；圖4A1至圖4D2分別為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu) 模塊的構(gòu)裝方法的第四實(shí)施例的流程示意圖。圖中符號(hào)說明第一實(shí)施例1 a驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a W側(cè)壁10a第一開槽11 a驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊12 a第一導(dǎo)電軌跡2 a發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 a W側(cè)壁20 a第二開槽20 a W側(cè)壁21 a發(fā)光二極管焊墊22 a第二導(dǎo)電軌跡23 a第三導(dǎo)電軌跡24 a發(fā)光二極管晶粒3 a 1導(dǎo)電材料3 a 2液態(tài)的導(dǎo)電材料3A導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3A1第一部分3A2第二部分3A3第三部分4 a基板40 a輸出/輸入焊墊5 3導(dǎo)電元件預(yù)定角度第二實(shí)施例1 b驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 b W側(cè)壁10b第一開槽11 b驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊12 b第一導(dǎo)電軌跡2b發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b W側(cè)壁20 b第二開槽20 b W側(cè)壁21 b發(fā)光二極管焊墊22 b第二導(dǎo)電軌跡220 b外側(cè)端23 b第三導(dǎo)電軌跡24 b發(fā)光二極管晶粒25 b絕緣層3b 1導(dǎo)電材料3 b 2液態(tài)的導(dǎo)電材料3B導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3B 1第一部分3B2第二部分3B3第三部分4b基板40 b輸出/輸入焊墊5b導(dǎo)電元件預(yù)定角度第三實(shí)施例1 c驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c W側(cè)壁10 c第一開槽10 c W側(cè)壁11 c驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊12 c第一導(dǎo)電軌跡2 c發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 c W側(cè)壁20 c第二開槽21 c發(fā)光二極管焊墊22 c第二導(dǎo)電軌跡23 c第三導(dǎo)電軌跡24 c發(fā)光二極管晶粒3 c 1導(dǎo)電材料3 c 2液態(tài)的導(dǎo)電材料3C導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3C 1第一部分3C2第二部分3C3第三部分4 c基板40 c輸出/輸入焊墊5 c導(dǎo)電元件預(yù)定角度第四實(shí)施例1 d驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 d W側(cè)壁10d第一開槽10d W側(cè)壁11 d驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊12 d第一導(dǎo)電軌跡120 d外側(cè)端2d發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d W側(cè)壁20 d第二開槽21 d發(fā)光二極管焊墊22 d第二導(dǎo)電軌跡23 d第三導(dǎo)電軌跡24 d發(fā)光二極管晶粒25 d絕緣層3d 1導(dǎo)電材料3 d 2液態(tài)的導(dǎo)電材料3D導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3D 1第一部分3D2第二部分3D3第三部分4d基板40 d輸出/輸入焊墊5 d導(dǎo)電元件0預(yù)定角度具體實(shí)施方式
請參閱圖1、及圖1A1至圖1D2所示，其中圖1為本發(fā)明具有高 密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法的第一實(shí)施例的流程圖；圖1Al至圖1D2分別為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu) 裝方法的第一實(shí)施例的流程示意圖。由圖l可知，本發(fā)明的第一實(shí)施例提供一種具有高密度電性連接 的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其步驟包括首先，請配合圖l、圖1A l及圖1A2 (圖1A2為圖1A1的部分上視圖)所示，步驟S100為 "提供一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1a(—第一結(jié)構(gòu))及一發(fā)光二極管陣列結(jié) 構(gòu)2a (—第二結(jié)構(gòu))，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a的側(cè)壁1aW形成有 多個(gè)第一開槽(first open groove) 10 a ，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a的上 表面具有多個(gè)導(dǎo)電材料(conductive material) 3al，該發(fā)光二極管陣 列結(jié)構(gòu)2a的側(cè)壁2a W形成有多個(gè)分別面向所述的第一開槽10a的第 二開槽(second open groove) 20 a ，，。其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 a的高度大于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu) la的高度。所述的第一開槽10a及所述的第二開槽20a通過蝕刻(etching)的方式分別成形在該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a的側(cè)壁1 a W上 及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 a的側(cè)壁2 a W上，并且每一個(gè)第一開槽10a或第二開槽20a的槽深介于50~100微米(/mi)之間。并且所述的 導(dǎo)電材料3a 1可通過電鍍(plating)或任何成形的方式，以成形于該 驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a上，并且所述的導(dǎo)電材料3 a 1可為焊錫(solder)。然后，步驟S102為"將該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)la及該發(fā)光二極 管陣列結(jié)構(gòu)2a分別電性連接于一基板(substrate) 4a上"。其中該基 板4a可為一電路板(PCB)，并且該基板4a具有至少兩個(gè)輸出/輸 入焊墊(input/output pad) 40 a 。此外，至少兩個(gè)導(dǎo)電元件(conductive element) 5 a分別電性連接于"該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a與其中一輸出/輸入焊墊40 a"之間及"該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a與另外一輸出/輸入焊墊40a "之間。再者，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第
一開槽10 a的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 11 a及多個(gè)分別成形 于所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊11 a與所述的第一開槽10 a之間的第一導(dǎo) 電軌跡(first conductive trace) 12 a 。其中，所述的導(dǎo)電材料3 a 1分 別成形于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a的所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive ICpad) 11 a上。并且，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的 第二開槽20 a的發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 21 a及多個(gè)分別成形于所 述的發(fā)光二極管焊墊21 a與所述的第二開槽20 a之間的第二導(dǎo)電軌跡 (second conductive trace) 22 a 。另外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 a具 有多個(gè)分別通過相對應(yīng)的第三導(dǎo)電軌跡23 a而電性連接于所述的發(fā)光 二極管焊墊21 a的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 24 a 。以本實(shí)施例而言，所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive ICpad) 11a 以彼此交錯(cuò)的(interlaced)方式排列而成，以用于增加所述的驅(qū)動(dòng)集 成電路焊墊(drive IC pad) 11 a的密集度，而所述的發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 21a排列成一直線形狀(line-shaped)。然而，上面所述 的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊11 a及所述的發(fā)光二極管焊墊21 a的排列方式非 用以限定本發(fā)明，舉凡任何的排列方式皆為本發(fā)明所保護(hù)的范疇。例 如所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊11 a排列成一直線形狀(line-shaped)， 而所述的發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 21a以彼此交錯(cuò)的(interlaced) 方式排列而成；或者，所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊lla及所述的發(fā)光二 極管焊墊21a皆排列成一直線形狀(line-shaped)或皆以彼此交錯(cuò)的(interlaced)方式排列而成。緊接著，請配合圖1、圖1B及圖1C所示，步驟S104為"于 回焊(reflow)過程中將該基板4a相對于平面傾斜一預(yù)定角度0，以 使得所述的導(dǎo)電材料3a l(如圖IB所示)形成液態(tài)的導(dǎo)電材料(liquid conductive material) 3a2 (如圖1C所示)，并使所述的液態(tài)的導(dǎo)電材 料3 a 2分別依序橫跨(traverse)所述的第一開槽10 a及所述的第二開 槽20a而流向該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a"。換言之，每一個(gè)液態(tài)的 導(dǎo)電材料3 a 2依序延著該相對應(yīng)的第一導(dǎo)電軌跡12 a 、橫跨(traverse) 該相對應(yīng)的第一開槽10 a及第二開槽20 a 、以及延著該相對應(yīng)的第二 開槽20a的側(cè)壁20a W及該相對應(yīng)的第二導(dǎo)電軌跡22 a ，而流向該相 對應(yīng)的發(fā)光二極管焊墊21a。緊接著，請配合圖1、圖1D1及圖1D2 (圖1D2為圖1D1的部 分上視圖)所示，步驟S106為"冷卻所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料3a2， 以形成多個(gè)分別電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a及該發(fā)光二極管 陣列結(jié)構(gòu)2 a之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductive structure) 3A"。其中，每 一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3 A分成三個(gè)依序電性相連的第一部分3 A 1、第二部分3 A2及第三部分3 A3，該第一部分3 A 1成形于相對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)集成電路 焊墊Ua及第一導(dǎo)電軌跡12a上，并且該第二部分3A2依序橫跨(traverse)該相對應(yīng)的第一開槽10 a及第二開槽20 a并成形于相對應(yīng) 的第二開槽20 a的側(cè)壁20 a W上，以及該第三部分3 A3成形于相對 應(yīng)的第二導(dǎo)電軌跡22a上以電性連接于相對應(yīng)的發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 21 a 。因此，所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3 A分別電性連接于所述的 驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) lla及所述的發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 21 a之間。請參閱圖2、及圖2A1至圖2D2所示，其中圖2為本發(fā)明具有高 密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法的第二實(shí)施例的流程圖；圖2 Al至圖2D2分別為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu) 裝方法的第二實(shí)施例的流程示意圖。由圖2可知，本發(fā)明的第二實(shí)施例提供一種具有高密度電性連接 的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其步驟包括首先，請配合圖2、圖2A 1及圖2A2 (圖2A2為圖2A1的部分上視圖)所示，步驟S200為 "提供一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)lb及一上表面具有一絕緣層(insulation layer) 25 b的發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 b ，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 b的側(cè)
壁1 b W形成有多個(gè)第一開槽(first open groove) 10 b ，該驅(qū)動(dòng)集成電 路結(jié)構(gòu)1 a的上表面具有多個(gè)導(dǎo)電材料(conductive material) 3 b 1，該 發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 b的側(cè)壁2 b W形成有多個(gè)分別面向所述的第一 開槽10 b的第二開槽(second open groove) 20 b "。其中，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 b的高度大于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu) lb的高度。所述的第一開槽10b及所述的第二開槽20b通過蝕刻 (etching)的方式分別成形在該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 b的側(cè)壁1 b W上 及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的側(cè)壁2b W上，并且每一個(gè)第一開槽10 b或第二開槽20 b的槽深介于50-100微米(/mi)之間。并且所述的 導(dǎo)電材料3b 1可通過電鍍(plating)或任何成形的方式，以成形于該 驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 b上，并且所述的導(dǎo)電材料3b l可為焊錫(solder)。然后，步驟S202為"將該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)lb及該發(fā)光二極 管陣列結(jié)構(gòu)2b分別電性連接于一基板(substrate) 4b上"。其中該基 板4b可為一電路板(PCB)，并且該基板4b具有至少兩個(gè)輸出/輸 入焊墊(input/output pad) 40 b 。此外，至少兩個(gè)導(dǎo)電元件(conductive element) 5 b分別電性連接于"該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 b與其中一輸出/輸入焊墊40 b "之間及"該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b與另外一輸出/輸入焊墊40b "之間。再者，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)lb的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第 一開槽10b的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) llb及多個(gè)分別成形 于所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊11 b與所述的第一開槽10 b之間的第一導(dǎo) 電軌跡(first conductive trace) 12b 。其中，所述的導(dǎo)電材料3b 1分 別成形于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)lb的所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive ICpad) 11 b上。并且，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的 第二開槽20 b的發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 21 b及多個(gè)分別成形于所 述的發(fā)光二極管焊墊21 b與所述的第二開槽20 b之間的第二導(dǎo)電軌跡(second conductive trace) 22 b 。另外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 b具 有多個(gè)分別通過相對應(yīng)的第三導(dǎo)電軌跡23 b而電性連接于所述的發(fā)光 二極管焊墊21b的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 24 b。再者，該成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2b的上表面的絕緣層 (insulation layer) 25 b用以暴露出所述的發(fā)光二極管晶粒24 b及所述 的第二導(dǎo)電軌跡22 b的外側(cè)端(external side) 220 b 。以本實(shí)施例而言，所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 11、 以彼此交錯(cuò)的(interlaced)方式排列而成，以用于增加所述的驅(qū)動(dòng)集 成電路焊墊(drive IC pad) llb的密集度，而所述的發(fā)光二極管焊墊 (LED pad) 21 b排列成一直線形狀(line-shaped)。緊接著，請配合圖2、圖2B及圖2C所示，步驟S204為"于 回焊(reflow)過程中將該基板4b相對于平面傾斜一預(yù)定角度0，以 使得所述的導(dǎo)電材料3 b 1 (如圖2 B所示)形成液態(tài)的導(dǎo)電材料(liquid conductive material) 3b2 (如圖2C所示)，并使所述的液態(tài)的導(dǎo)電材 料3 b 2分別依序橫跨(traverse)所述的第一開槽10 b及所述的第二開 槽20b而分別流向所述的第二導(dǎo)電軌跡22b的外側(cè)端220b "。換言 之，每一個(gè)液態(tài)的導(dǎo)電材料3b2依序延著該相對應(yīng)的第一導(dǎo)電軌跡12 b、橫跨(traverse)該相對應(yīng)的第一開槽10 b及第二開槽20 b 、以及 延著該相對應(yīng)的第二開槽20 b的側(cè)壁20 b W ，而流向該相對應(yīng)第二導(dǎo) 電軌跡22 b的外側(cè)端220 b (所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料3 b 2被該絕緣層 25b阻擋至每一個(gè)第二導(dǎo)電軌跡22b的外側(cè)端220b )。緊接著，請配合圖2、圖2D1及圖2D2 (圖2D2為圖2D1的部 分上視圖)所示，步驟S206為"冷卻所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料3b2， 以形成多個(gè)分別電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 b及該發(fā)光二極管 陣列結(jié)構(gòu)2b之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductive structure) 3B"。其中，每 一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3B分成兩個(gè)電性相連的第一部分3B1及第二部分3B 2，該第一部分3B1成形于相對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊llb及第一導(dǎo) 電軌跡12b上，該第二部分3B2依序橫跨(traverse)該相對應(yīng)的第一 開槽10 b及第二幵槽20 b并且通過該絕緣層25 b的阻擋而成形于相對 應(yīng)的第二開槽20b的側(cè)壁20b W上及該相對應(yīng)的第二導(dǎo)電軌跡22b的 外側(cè)端(external side) 220 b上。因此，所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3 B分別電性 連接于所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) llb及所述的第二導(dǎo) 電軌跡22b的外側(cè)端220 b之間，以使得每一個(gè)相對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)集成電 路焊墊11 b及發(fā)光二極管焊墊21 b產(chǎn)生電性連接。請參閱圖3、及圖3A1至圖3D2所示，其中圖3為本發(fā)明具有高 密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法的第三實(shí)施例的流程圖；圖3 Al至圖3D2分別為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu) 裝方法的第三實(shí)施例的流程示意圖。由圖3可知，本發(fā)明的第三實(shí)施例提供一種具有高密度電性連接 的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其步驟包括首先，請配合圖3、圖3A 1及圖3A2 (圖3A2為圖3A1的部分上視圖)所示，步驟S300為"提供一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1c及一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 c ，該驅(qū)動(dòng) 集成電路結(jié)構(gòu)1 c的側(cè)壁1 c W形成有多個(gè)第一開槽(first叩en groove) 10 c ，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 c的側(cè)壁2 c W形成有多個(gè)分別面向所 述的第一開槽10 c的第二開槽(second open groove) 20 c ，該發(fā)光二 極管陣列結(jié)構(gòu)2c的上表面具有多個(gè)導(dǎo)電材料(conductive material) 3c 1，， 。其中，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c的高度大于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu) 2c的高度。所述的第一開槽10c及所述的第二開槽20c通過蝕刻 (etching)的方式分別成形在該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c的側(cè)壁1 c W上 及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 c的側(cè)壁2 c W上，并且每一個(gè)第一開槽10 c或第二開槽20 c的槽深介于50~100微米(/mi)之間。并且所述的
導(dǎo)電材料3c 1可通過電鍍(plating)或任何成形的方式，以成形于該 驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c上，并且所述的導(dǎo)電材料3 c 1可為焊錫(solder)。然后，步驟S302為"將該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c及該發(fā)光二極 管陣列結(jié)構(gòu)2 c分別電性連接于一基板(substrate) 4 c上"。其中該基 板4c可為一電路板(PCB)，并且該基板4c具有至少兩個(gè)輸出/輸 入焊墊(—ut/outputpad) 40 c 。此夕卜，至少兩個(gè)導(dǎo)電元件(conductive element) 5 c分別電性連接于"該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c與其中一輸出/輸入焊墊40 c"之間及"該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c與另外一輸出/輸入焊墊40c"之間。 '再者，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第 一開槽10c的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) llc及多個(gè)分別成形 于所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊11 c與所述的第一開槽10 c之間的第一導(dǎo) 電軌跡(first conductive trace) 12 c 。并且，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 c的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第二開槽20 c的發(fā)光二極管焊墊 (LED pad)21 c及多個(gè)分別成形于所述的發(fā)光二極管焊墊21 c與所述 的第二開槽20 c之間的第二導(dǎo)電軌跡(second conductive trace) 22 c 。 其中，所述的導(dǎo)電材料3cl分別成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c的 所述的發(fā)光二極管焊墊21c上。另外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2c具 有多個(gè)分別通過相對應(yīng)的第三導(dǎo)電軌跡23 c而電性連接于所述的發(fā)光 二極管焊墊21 c的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 24 c 。以本實(shí)施例而言，所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 11c 以彼此交錯(cuò)的(interlaced)方式排列而成，以用于增加所述的驅(qū)動(dòng)集 成電路焊墊(drive IC pad) 11 c的密集度，而所述的發(fā)光二極管焊墊 (LED pad) 21c排列成一直線形狀(line-shaped)。緊接著，請配合圖3、圖3B及圖3C所示，步驟S304為"于 回焊(reflow)過程中將該基板4c相對于平面傾斜一預(yù)定角度0，以
使得所述的導(dǎo)電材料3 c l(如圖3 B所示)形成液態(tài)的導(dǎo)電材料(liquid conductive material) 3c2 (如圖3C所示)，并使所述的液態(tài)的導(dǎo)電材 料3 c 2分別依序橫跨(traverse)所述的第二開槽20 c及所述的第一開 槽10c而流向該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)lc"。換言之，每一個(gè)液態(tài)的導(dǎo) 電材料3c2依序延著該相對應(yīng)的第二導(dǎo)電軌跡22c 、橫跨(traverse) 該相對應(yīng)的第二開槽20 c及第一開槽10 c 、以及延著該相對應(yīng)的第一 開槽10c的側(cè)壁10 c W及該相對應(yīng)的第一導(dǎo)電軌跡12 c ，而流向該相 對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 11 c 。緊接著，請配合圖3、圖3D1及圖3D2 (圖3D2為圖3D1的部 分上視圖)所示，步驟S306為"冷卻所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料3c2， 以形成多個(gè)分別電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c及該發(fā)光二極管 陣列結(jié)構(gòu)2 c之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductive structure) 3C"。其中，每 一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3C分成三個(gè)依序電性相連的第一部分3C1、第二部分3 C2及第三部分3C3，該第一部分3C1成形于相對應(yīng)的發(fā)光二極管焊 墊21c及第二導(dǎo)電軌跡22c上，并且該第二部分3C2依序橫跨(traverse)該相對應(yīng)的第二開槽20 c及第一開槽10 c并成形于相對應(yīng) 的第一開槽10 c的側(cè)壁10 c W上，以及該第三部分3C3成形于相對 應(yīng)的第一導(dǎo)電軌跡12 c上以電性連接于相對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 11 c。因此，所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3C分別電性連接于所述 的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) 11 c及所述的發(fā)光二極管焊墊(LED pad) 21 c之間。請參閱圖4、及圖4A1至圖4D2所示，其中圖4為本發(fā)明具有高 密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法的第四實(shí)施例的流程圖；圖4 Al至圖4D2分別為本發(fā)明具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu) 裝方法的第四實(shí)施例的流程示意圖。由圖4可知，本發(fā)明的第四實(shí)施例提供一種具有高密度電性連接 的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其步驟包括首先，請配合圖4、圖4A 1及圖4A2 (圖4A2為圖4A1的部分上視圖)所示，步驟S400為 "提供一上表面具有一絕緣層(insulation layer) 25d的驅(qū)動(dòng)集成電路 結(jié)構(gòu)ld及一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d ，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)ld的側(cè) 壁Id W形成有多個(gè)第一開槽(first open groove) 10 d ，該發(fā)光二極管 陣列結(jié)構(gòu)2d的側(cè)壁2d W形成有多個(gè)分別面向所述的第一開槽10d的 第二開槽(second open groove) 20 d ，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 d的上 表面具有多個(gè)導(dǎo)電材料(conductive material) 3 d 1"。其中，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)ld的高度大于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu) 2d的高度。所述的第一開槽10d及所述的第二開槽20d通過蝕刻 (etching)的方式分別成形在該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 d的側(cè)壁1 d W上 及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的側(cè)壁2d W上，并且每一個(gè)第一開槽10 d或第二開槽20d的槽深介于50~100微米(pm)之間。并且所述的 導(dǎo)電材料3d 1可通過電鍍(plating)或任何成形的方式，以成形于該 驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 d上，并且所述的導(dǎo)電材料3 d 1可為焊錫(solder)。然后，步驟S402為"將該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)ld及該發(fā)光二極 管陣列結(jié)構(gòu)2d分別電性連接于一基板(substrate) 4d上"。其中該基 板4d可為一電路板(PCB)，并且該基板4d具有至少兩個(gè)輸出/輸 入焊墊(i寧t/outputpad) 40 d 。此夕卜，至少兩個(gè)導(dǎo)電元件(conductive dement) 5d分別電性連接于"該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 d與其中一輸出/輸入焊墊40 d"之間及"該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d與另外一輸出/輸入焊墊40d "之間。再者，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)ld的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第 一開槽10d的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) lld及多個(gè)分別成形 于所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊11 d與所述的第一開槽10d之間的第一導(dǎo) 電軌跡(first conductive trace) 12 d 。并且該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 d 的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第二開槽20d的發(fā)光二極管焊墊 (LED pad)21 d及多個(gè)分別成形于所述的發(fā)光二極管焊墊21 d與所述 　的第二開槽20d之間的第二導(dǎo)電軌跡(second conductive trace) 22 d 。 其中，所述的導(dǎo)電材料3d 1分別成形于該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d的 所述的發(fā)光二極管焊墊21 d上。另外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2d具 有多個(gè)分別通過相對應(yīng)的第三導(dǎo)電軌跡23 d而電性連接于所述的發(fā)光 二極管焊墊21d的發(fā)光二極管晶粒(LED die) 24 d。再者，該成形于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)ld的上表面的絕緣層 (insulation layer) 25 d用以暴露出所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) lid及所述的第一導(dǎo)電軌跡12 d的外側(cè)端(external side) 120 d 。以本實(shí)施例而言，所述的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊(drive IC pad) lid 以彼此交錯(cuò)的(interlaced)方式排列而成，以用于增加所述的驅(qū)動(dòng)集 成電路焊墊(drive IC pad) 11 d的密集度，而所述的發(fā)光二極管焊墊 (LED pad) 21d排列成一直線形狀(line-shaped)。緊接著，請配合圖4、圖4B及圖4C所示，步驟S404為"于 回焊(reflow)過程中將該基板4d相對于平面傾斜一預(yù)定角度0，以 使得所述的導(dǎo)電材料3 d 1 (如圖4B所示)形成液態(tài)的導(dǎo)電材料(liquid conductive material) 3d2 (如圖4C所示)，并使所述的液態(tài)的導(dǎo)電材 料3 d 2分別依序橫跨(traverse)所述的第二開槽20 d及所述的第一開 槽lOd而分別流向所述的第一導(dǎo)電軌跡12d的外側(cè)端120 d"。換言 之，每一個(gè)液態(tài)的導(dǎo)電材料3 d 2依序延著該相對應(yīng)的第二導(dǎo)電軌跡22 d、橫跨(traverse)該相對應(yīng)的第二開槽20 d及第一開槽10 d 、以及 延著該相對應(yīng)的第一開槽10d的側(cè)壁10 d W,而流向該相對應(yīng)第一導(dǎo) 電軌跡12d的外側(cè)端120 d (所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料3d2被該絕緣層 25 d阻擋至每一個(gè)第一導(dǎo)電軌跡12 d的外側(cè)端120 d )。緊接著，請配合圖4、圖4D1及圖4D2 (圖4D2為圖4D1白勺部 分上視圖)所示，步驟S406為"冷卻所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料3d2， 以形成多個(gè)分別電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 d及該發(fā)光二極管
陣列結(jié)構(gòu)2 d之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(conductive structure) 3 D "。其中，每 一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3D分成兩個(gè)電性相連的第一部分3D1及第二部分3D 2，該第一部分3D1成形于相對應(yīng)的發(fā)光二極管焊墊21d及第二導(dǎo)電 軌跡22d上，該第二部分3D2依序橫跨(traverse)該相對應(yīng)的第二開 槽20 d及第一開槽10 d并且通過該絕緣層25 d的阻擋而成形于相對應(yīng) 的第一開槽10d的側(cè)壁10d W上及該相對應(yīng)的第一導(dǎo)電軌跡12d的外 側(cè)端(external side) 120d上。因此，所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3 D分別電性連 接于所述的發(fā)光二極管焊墊21 d及所述的第一導(dǎo)電軌跡12 d的外側(cè)端 120d之間，以使得每一個(gè)相對應(yīng)的驅(qū)動(dòng)集成電路焊墊lld及發(fā)光二極 管焊墊21d產(chǎn)生電性連接。 '此外，依據(jù)設(shè)計(jì)者的需求，設(shè)置導(dǎo)電材料的一端可省去開槽的設(shè) 置。換言之，以第一實(shí)施例而言，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)la不需要事先 形成所述的第一開槽10 a ，而使得所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料3a2只要分 別橫跨該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2a的所述的相對應(yīng)的第二開槽20 a ， 即可形成所述的電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 a及該發(fā)光二極管 陣列結(jié)構(gòu)2a之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3B。以第三實(shí)施例而言，該發(fā)光二極管 陣列結(jié)構(gòu)2c不需要事先形成所述的第二開槽20 c，而使得所述的液 態(tài)的導(dǎo)電材料3 c 2只要分別橫跨該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)1 c的所述的相 對應(yīng)的第一開槽10 c，即可形成所述的電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié) 構(gòu)1 c及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)2 c之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)3 C 。綜上所述，本發(fā)明的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊可為一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)模 塊。此外，該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)模塊為一種光輸出模塊(light exposure module )，其可應(yīng)用在掃描儀(sca皿er )與光電成像式 (Electrophotography, EPG)打印機(jī)中。本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)在于(1)分別在一發(fā)光二極管陣列(LED array)與一驅(qū)動(dòng)集成電路(drive IC)的側(cè)壁上制作電性連接凹槽焊墊； (2)于該驅(qū)動(dòng)集成電路上電鍍焊錫材料；(3)將該發(fā)光二極管陣列
與該驅(qū)動(dòng)集成電路彼此緊密置放在一電路板上，并且該發(fā)光二極管陣列與該驅(qū)動(dòng)集成電路之間形成一高度差(height difference) ; (4)將 該電路板傾斜一預(yù)定角度并迸行回焊(reflow)工藝，因此在回焊過程 中，該驅(qū)動(dòng)集成電路上的焊錫材料往低處發(fā)光二極管陣列的方向流動(dòng)， 進(jìn)而與該發(fā)光二極管陣列的焊墊連接，以達(dá)成600dpi 1200dpi (dots per inch)高密度的電性連接。因此，本發(fā)明能解決傳統(tǒng)工藝采用一根一根進(jìn)行打線接合而產(chǎn)生 冗長的工藝的缺陷，以達(dá)到縮小產(chǎn)品尺寸、降低材料成本、及降低因 高密度電性連接所需的生產(chǎn)成本的優(yōu)點(diǎn)。'以上所述，僅為本發(fā)明最佳之一的具體實(shí)施例的詳細(xì)說明與圖式， 本發(fā)明的特征并不局限于此，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明的所有范 圍應(yīng)以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)，凡合于本發(fā)明權(quán)利要求書的精神與其 類似變化的實(shí)施例，皆應(yīng)包含于本發(fā)明的范疇中，任何本領(lǐng)域技術(shù)人 員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在本發(fā)明權(quán) 利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于，包括一第一結(jié)構(gòu)；一第二結(jié)構(gòu)，其高度高于該第一結(jié)構(gòu)，并且該第二結(jié)構(gòu)靠近該第一結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個(gè)第二開槽；以及多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其分別橫跨所述的第二開槽，以分別電性連接于該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)之間。
2. 如權(quán)利要求l所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其 特征在于該第一結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個(gè)分別面向所述的第二開槽的第一開槽，并且每一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)橫跨該相對應(yīng)的第一開槽。
3. 如權(quán)利要求l所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其 特征在于每一個(gè)第二開槽的槽深介于50 100微米之間。
4. 如權(quán)利要求2所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其 特征在于每一個(gè)第一開槽的槽深介于50 100微米之間。
5. 如權(quán)利要求l所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其 特征在于該第一結(jié)構(gòu)為一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)，并且該第二結(jié)構(gòu)為一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求l所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其 特征在于該第一結(jié)構(gòu)為一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)，并且該第二結(jié)構(gòu)為 一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)。
7. 如權(quán)利要求l所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其 特征在于，更進(jìn)一步包括 一具有至少兩個(gè)輸出/輸入焊墊的基板， 其中該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)皆電性連接地設(shè)置于該基板上。
8. 如權(quán)利要求7所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其 特征在于，更進(jìn)一步包括至少兩個(gè)導(dǎo)電元件，其分別電性連接于該 第一結(jié)構(gòu)與其中一輸出/輸入焊墊之間及該第二結(jié)構(gòu)與另外一輸出/輸入焊墊之間。
9. 如權(quán)利要求7所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其 特征在于該基板為一電路板。
10. 如權(quán)利要求1所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊， 其特征在于該第二結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第二開槽的 焊墊，并且所述的焊墊排列成一直線形狀或以彼此交錯(cuò)的方式排列而 成。
11. 如權(quán)利要求2所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其特征在于該第一結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第一開槽的 焊墊，并且所述的焊墊排列成一直線形狀或以彼此交錯(cuò)的方式排列而 成。
12. 如權(quán)利要求2所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊， 其特征在于該第一結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第一開槽的 焊墊及多個(gè)分別成形于該第一結(jié)構(gòu)的所述的焊墊與所述的第一開槽之 間的第一導(dǎo)電軌跡，并且該第二結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的 第二開槽的焊墊及多個(gè)分別成形于該第二結(jié)構(gòu)的所述的焊墊與所述的 第二開槽之間的第二導(dǎo)電軌跡。
13. 如權(quán)利要求12所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊， 其特征在于每一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分成三個(gè)依序電性相連的第一部分、第 二部分及第三部分，該第一部分成形于該第一結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)焊墊及第 一導(dǎo)電軌跡上，該第二部分依序橫跨該相對應(yīng)的第一開槽及第二開槽并成形于相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁上，并且該第三部分成形于相對應(yīng) 的第二導(dǎo)電軌跡上以電性連接于該第二結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)焊墊。
14. 如權(quán)利要求12所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊， 其特征在于該第二結(jié)構(gòu)的上表面覆蓋一層用以暴露出所述的焊墊及 所述的第二導(dǎo)電軌跡的外側(cè)端的絕緣層。
15. 如權(quán)利要求14所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊， 其特征在于每一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分成兩個(gè)電性相連的第一部分及第二部 分，該第一部分成形于該第一結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)焊墊及第一導(dǎo)電軌跡上， 該第二部分依序橫跨該相對應(yīng)的第一開槽及第二開槽并且通過該絕緣 層的阻擋而成形于相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁上及該相對應(yīng)的第二導(dǎo)電 軌跡的外側(cè)端上。
16. —種具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其特 征在于，包括下列步驟提供一第一結(jié)構(gòu)及一高度高于該第一結(jié)構(gòu)的第二結(jié)構(gòu)，其中該第 一結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)導(dǎo)電材料，該第二結(jié)構(gòu)靠近該第一結(jié)構(gòu)的側(cè) 壁形成有多個(gè)第二開槽；將該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)分別電性連接于一基板上； 于回焊過程中將該基板相對于平面傾斜一預(yù)定角度，以使得所述的導(dǎo)電材料形成液態(tài)的導(dǎo)電材料，并使所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料分別橫跨所述的第二開槽而流向該第二結(jié)構(gòu)；以及冷卻所述的液態(tài)的導(dǎo)電材料，以形成多個(gè)分別電性連接于該第一結(jié)構(gòu)及該第二結(jié)構(gòu)之間的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
17. 如權(quán)利要求16所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于該第一結(jié)構(gòu)的側(cè)壁具有多個(gè)分別面向所述的 第二開槽的第一開槽，并且每一個(gè)液態(tài)的導(dǎo)電材料橫跨該相對應(yīng)的第 一開槽。
18. 如權(quán)利要求16所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于每一個(gè)第二開槽的槽深介于50 100微米之間。
19. 如權(quán)利要求17所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于每一個(gè)第一開槽的槽深介于50 100微米之間。
20. 如權(quán)利要求17所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于所述的第一開槽及所述的第二開槽通過蝕刻的方式完成。
21. 如權(quán)利要求16所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于該第一結(jié)構(gòu)為一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)，并且該第二結(jié)構(gòu)為一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)。
22. 如權(quán)利要求16所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于所述的導(dǎo)電材料通過電鍍的方式以成形于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)上，并且所述的導(dǎo)電材料為悍錫。
23. 如權(quán)利要求16所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于該基板具有至少兩個(gè)輸出/輸入焊墊。
24. 如權(quán)利要求23所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于，更進(jìn)一步包括至少兩個(gè)導(dǎo)電元件，其分別電性連接于該第一結(jié)構(gòu)與其中一輸出/輸入焊墊之間及該第二結(jié)構(gòu)與 另外一輸出/輸入焊墊之間。
25. 如權(quán)利要求17所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于該第一結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)相對應(yīng)所述的第一開槽的焊墊及多個(gè)分別成形于該第一結(jié)構(gòu)的所述的焊墊與所述的 第一幵槽之間的第一導(dǎo)電軌跡，并且該第二結(jié)構(gòu)的上表面具有多個(gè)相 對應(yīng)所述的第二開槽的焊墊及多個(gè)分別成形于該第二結(jié)構(gòu)的所述的焊 墊與所述的第二開槽之間的第二導(dǎo)電軌跡。
26. 如權(quán)利要求25所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別電性連接于該第一結(jié)構(gòu) 的所述的焊墊及該第二結(jié)構(gòu)的所述的焊墊之間。
27. 如權(quán)利要求25所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于每一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分成三個(gè)依序電性相連的第一部分、第二部分及第三部分，該第一部分成形于該第一結(jié)構(gòu)的相對 應(yīng)焊墊及第一導(dǎo)電軌跡上，并且該第二部分依序橫跨該相對應(yīng)的第一 開槽及第二開槽并成形于相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁上，以及該第三部分成形于相對應(yīng)的第二導(dǎo)電軌跡上以電性連接于該第二結(jié)構(gòu)的相對應(yīng) 焊墊。
28. 如權(quán)利要求25所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于該第二結(jié)構(gòu)的上表面覆蓋一層用以暴露所述的第二導(dǎo)電軌跡的外側(cè)端的絕緣層。
29. 如權(quán)利要求28所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于每一個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分成兩個(gè)電性相連的第一部分及第二部分，該第一部分成形于該第一結(jié)構(gòu)的相對應(yīng)焊墊及第一導(dǎo) 電軌跡上，該第二部分依序橫跨該相對應(yīng)的第一開槽及第二開槽并且 通過該絕緣層的阻擋而成形于相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁上及該相對應(yīng) 的第二導(dǎo)電軌跡的外側(cè)端上。
30. 如權(quán)利要求25所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的 構(gòu)裝方法，其特征在于每一個(gè)液態(tài)的導(dǎo)電材料依序延著該相對應(yīng)的第一導(dǎo)電軌跡、橫跨所述的第一開槽及所述的第二開槽、以及延著該相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁及該相對應(yīng)的第二導(dǎo)電軌跡，而流向該相對 應(yīng)的發(fā)光二極管焊墊。
31.如權(quán)利要求25所述的具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊的構(gòu)裝方法，其特征在于每一個(gè)液態(tài)的導(dǎo)電材料依序延著該相對應(yīng)的 第一導(dǎo)電軌跡、橫跨所述的第一開槽及所述的第二開槽、以及延著該 相對應(yīng)的第二開槽的側(cè)壁，而流向該相對應(yīng)的第二導(dǎo)電軌跡的外側(cè)端。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有高密度電性連接的構(gòu)裝結(jié)構(gòu)模塊，其包括一驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)、一發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)、及多個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。其中，該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個(gè)第一開槽。該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成有多個(gè)分別面向所述的第一開槽的第二開槽。所述的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別依序橫跨所述的第一開槽及所述的第二開槽，以分別電性連接于該驅(qū)動(dòng)集成電路結(jié)構(gòu)及該發(fā)光二極管陣列結(jié)構(gòu)之間。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101399403SQ20071016198
公開日2009年4月1日 申請日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月27日
發(fā)明者吳明哲 申請人:環(huán)隆電氣股份有限公司