專利名稱：光電元件的封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光電元件的封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法，特別是涉及一種使用硅襯底的發(fā)光二極管(LED)的封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法。
技術(shù)背景由于光電元件中發(fā)光二極管(light emitting diode; LED)有體積小、發(fā) 光效率高和壽命長等優(yōu)點，因此被認(rèn)為是下一代綠色節(jié)能照明的最佳光源。 另外，液晶顯示器的快速發(fā)展和全彩屏幕的流行趨勢使得白光發(fā)光二極管除 了應(yīng)用于指示燈和大型顯示屏幕等用途外，更深入應(yīng)用于廣大的消費性電子 產(chǎn)品，例如手機(jī)和個人數(shù)字助理(PDA)。目前，有關(guān)發(fā)光二極管的研發(fā)重點在于光的取出效益以及散熱的速度。 在光的取出效益中，可以在外延階段、裸片制造階段或封裝階段分別進(jìn)行改 善。而關(guān)于散熱方面，目前主要是在封裝階段予以改進(jìn)，通過封裝結(jié)構(gòu)或材 料的改善來增進(jìn)散熱效率。發(fā)光二極管的封裝目前有許多方式，其中使用反射杯的發(fā)光二極管元 件，可通過提升反射率以有效增加元件的發(fā)光效率。同時，如果反射杯有較 佳的設(shè)計，同時也能有效提升發(fā)光二極管元件的散熱效率。目前朝這方面改 善的技術(shù)有美國專利第6,562,643號、第6,268,660號以及美國專利公開申請 2004/0218390。另外， 一種現(xiàn)有技術(shù)(如美國專利第6,531,328號所揭示)主 要是使用硅襯底80作為封裝的基材。在硅襯底80上使用微機(jī)電(MEMS) 的工藝制造反射杯81，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。絕緣層82以及金屬層83依序包 覆硅襯底80，其中金屬層83同時作為電極831和832。發(fā)光二極管84以打 線方式電連接于反射杯81內(nèi)，并且使用環(huán)氧樹脂85覆蓋并保護(hù)反射杯81 內(nèi)的發(fā)光二極管84。形成如圖1所示的結(jié)構(gòu)的工藝步驟(如圖2中標(biāo)號S91 S96所示)包 括首先提供硅襯底，然后以濕式蝕刻的方式在硅襯底上形成反射腔。接著，
在硅襯底的另一面以干式蝕刻的方式形成電極的介層孔。之后，以熱氧化法 或氮化方式形成一層氧化硅層或氮化硅層來包覆所述硅襯底。然后，以電鍍 的方式形成導(dǎo)體層來包覆所述硅襯底。最后，以激光處理的方式在反射腔上 形成金屬反射層而在另一面形成電極。然而，這樣的設(shè)計具有一些缺點。首先，反射層金屬與電極屬于同一種 材料，目前沒有一種金屬可以同時滿足良好的反射率且可適用于后續(xù)的焊接 工藝。再者，對于不同波長的發(fā)光二極管，不同的金屬會有不同的反射率， 這表示電極的材料也會隨之改變。優(yōu)選的電極材料以焊錫為主，但焊錫并不適用于可見光的反光材料。好的反射材料(例如金(Au)、銀(Ag)、鈀(Pd)、 鉑(Pt))并不適合作為電極材料。另外，底部介層孔的蝕刻采用干式蝕刻，其蝕刻后的輪廓(profile)的 后續(xù)工藝的彈性空間較低。再者，需要使用激光處理反射金屬層，因此工藝 成本較高。綜上所述，市場上急切需要一種可靠且工藝簡易的高功率光電元件或發(fā) 光二極管元件，使得能夠改善上述常規(guī)發(fā)光二極管元件的各種缺點。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種光電元件的封裝結(jié)構(gòu)和其制造方法，可使用硅襯底作為 封裝的襯底以增加散熱效率，且可使用成熟的微機(jī)電工藝完成。本發(fā)明提供一種對于反射金屬層與電極可選擇不同材質(zhì)的光電元件，其 中反射金屬層可以針對特定光線的波長進(jìn)行選擇而不會影響電極材質(zhì)的選 擇，因而可以各自選擇最佳材料。本發(fā)明可使用濕式蝕刻形成底部的電極介層孔，對于后續(xù)的工藝窗口 (process window )較為充裕。本發(fā)明提供一種用絕緣層來保護(hù)反射金屬層的光電元件，避免金屬層產(chǎn) 生氧化、硫化或與其它化學(xué)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)。而且，所述絕緣層的厚度可以調(diào) 整為對特定光線進(jìn)行建設(shè)性干涉。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明揭示一種光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其包括具有第 一表面與第二表面的硅基材。所述第一表面與所述第二表面相對，且所述第一表面具有反射腔，所述第二表面具有至少兩個與所述反射腔相連通的電極 介層孔。第一絕緣層包覆所述硅基材的所述第一表面與所述第二表面。而且， 反射層設(shè)于所述反射腔表面，且第二絕緣層覆蓋所述反射層。第一導(dǎo)電層設(shè) 于所述第二絕緣層表面；第二導(dǎo)電層設(shè)于所述第一絕緣層表面，并位于所述 電極介層孔內(nèi)，并與所述第一導(dǎo)電層相連接。裸片固定于所述反射腔內(nèi)，并 電連接于所述第一導(dǎo)電層。所述第一絕緣層優(yōu)選地為氧化硅，且所述第二絕緣層優(yōu)選地為二氧化 硅、氮化硅或氮氧化硅。所述反射層優(yōu)選地為鋁、銀、金、錫、銅或鉑，其厚度介于300A到20，000A 之間。所述第一導(dǎo)電層優(yōu)選地延伸到所述第一絕緣層，并與所述第二導(dǎo)電層相 連接，且二者均為可焊接的材料，例如銀、鎳/金、鈦/金、鈦/鎳/金、鈦/銅/ 鎳/金、鈦鎢/銅/鎳/金或鉻/銅/鎳/金。本發(fā)明進(jìn)一步包括填入所述反射腔內(nèi)的封膠層。所述裸片通過多個凸塊而與所述第一導(dǎo)電層電連接，或通過多個金屬導(dǎo) 線而與所述第一導(dǎo)電層電連接。本發(fā)明進(jìn)一步揭示一種光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其包括具有第一表面與第 二表面的硅基材。所述第一表面與所述第二表面相對，且所述第一表面具有 反射腔，所述第二表面具有至少兩個與所述反射腔相連通的電極介層孔。第 一絕緣層包覆所述硅基材的所述第一表面與所述第二表面。而且，金屬層設(shè) 于所述反射腔內(nèi)，并包括反射區(qū)和導(dǎo)電區(qū)，且第二絕緣層覆蓋所述反射區(qū)。 導(dǎo)電層設(shè)于所述第二表面，并與所述金屬層的導(dǎo)電區(qū)相連接。裸片固定于所 述反射腔內(nèi)，并電連接于所述導(dǎo)電區(qū)。所述金屬層優(yōu)選地為鋁、銀、金、錫、銅或鉑。所述導(dǎo)電層與所述金屬 層中的所述導(dǎo)電區(qū)相連接，且每一個導(dǎo)電層為可焊接的材料，例如銀、鎳/ 金、鈦/金、鈦/鎳/金、鈦/銅/鎳/金、鈦鉤/銅/鎳/金或鉻/銅/鎳/金。本發(fā)明還提供一種光電元件的制造方法，提供硅基材，并于所述硅基材 的第一表面形成至少一反射腔。之后，于所述硅基材的第二表面形成多個電 極介層孔并穿透所述硅襯底到達(dá)所述反射腔，其中所述第二表面與所述第一 表面相對。再形成第一絕緣層以包覆所述硅基材。接著，將反射層覆蓋于所 述反射腔上，且在所述反射層上形成第二絕緣層。再者，在所述第二絕緣層
上形成第一導(dǎo)電層，且在所述第二表面上并在所述兩個電極介層孔內(nèi)均形成 第二導(dǎo)電層，其中所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層相連接。將裸片固定于 所述反射腔內(nèi)，并電連接于所述第一導(dǎo)電層。所述第一絕緣層優(yōu)選地為由熱氧化法所形成的氧化硅層，且所述第二絕 緣層優(yōu)選地為由氣相沉積所形成的二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅層。所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層優(yōu)選地通過電鍍、蒸鍍或化學(xué)鍍而形 成，且所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層相連接。所述裸片優(yōu)選地以倒裝芯片方式固定于所述反射腔內(nèi)，或通過打線方式 而與所述第一導(dǎo)電層電連接。本發(fā)明進(jìn)一步包括在所述反射腔和所述電極介層孔內(nèi)填封膠層的步驟。本發(fā)明還提供一種光電元件的制造方法，提供硅基材，并于所述硅基材 的第一表面形成至少一反射腔。之后，于所述硅基材的第二表面形成多個電 極介層孔并穿透所述硅襯底到達(dá)所述反射腔，其中所述第二表面與所述第一 表面相對。再形成第一絕緣層以包覆所述硅基材。接著，將金屬層覆蓋在所 述反射腔上，其中所述金屬層包括反射區(qū)和導(dǎo)電區(qū)，且在所述反射區(qū)上形成 第二絕緣層。再者，在所述第二絕緣層上形成導(dǎo)電層，且在所述第二表面下 并在所述兩個電極介層孔內(nèi)形成導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層與所述導(dǎo)電區(qū)相連 接。將裸片固定于所述反射腔內(nèi)，并電連接于所述導(dǎo)電區(qū)。所述金屬層與所述導(dǎo)電層優(yōu)選地通過電鍍、蒸鍍或化學(xué)鍍而形成。本發(fā)明可使用成熟的微機(jī)電工藝完成，其反射金屬層與電極可以各自選 擇最佳材料，其電極介層孔對于后續(xù)的工藝窗口較為充裕。


圖1是現(xiàn)有的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2顯示形成如圖1的結(jié)構(gòu)的工藝流程圖；圖3a 圖3n是本發(fā)明光電元件的制造方法的步驟示意圖；圖4a 圖4c是本發(fā)明另一實施例光電元件的制造方法的步驟示意圖；圖5是本發(fā)明另一實施例光電元件的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖；以及圖6是本發(fā)明另一實施例光電元件的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實施方式
圖3a 圖3n是本發(fā)明光電元件的制造方法的步驟示意圖。如圖3a所示， 硅基材11具有第一表面111與第二表面112，在圖中第一表面111是上表面， 而第二表面112是下表面。硅基材11可以是五英寸、六英寸、八英寸或十 二英寸等高阻率硅芯片，其阻率大于800Q/cm，并可使用<100>的晶體取向 表面(crystal orientation surface)的硅芯片。另外，硅原子依據(jù)不同的結(jié)晶 方式，又可區(qū)分成單晶硅、多晶硅和非晶硅。使用硅襯底11的優(yōu)點就是散 熱佳，且可以進(jìn)行成熟的半導(dǎo)體工藝或微機(jī)電工藝。如圖3b所示，在硅襯底11上覆蓋介電材料層(dielectric layer)12和13(或 絕緣層)，此步驟可以利用等離子輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)的方式進(jìn)行 沉積。介電材料層12和13的選擇可為非等向性蝕刻劑的介電材料即可，非 等向性蝕刻劑為強(qiáng)堿，例如氫氧化鉀(KOH; Potassium hydroxide)、 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide) 、 EDP(Ethylenediamine pyrocatochol) 或N2H4等。介電材料層12和13可使用氮化硅(silicon nitride; Si3N4)、 二 氧化硅和氮氧化硅等。在本實施例中，介電材料層12和13使用氮化硅。接 著實施如圖3c所示的下一步驟，在介電材料層12和13上分別覆蓋圖案化 的光致抗蝕劑(photoresist)層14和15。如圖3d所示，將沒有覆蓋光致抗蝕劑層14和15處的介電材料層12和 13以蝕刻方式去除，然后再移除光致抗蝕劑層14和15。如此就能將沒有覆 蓋介電材料層12的第一表面111以蝕刻方式形成反射腔(reflective opening)16，如圖3e所示。并再將沒有覆蓋介電材料層13的第二表面112 以蝕刻方式形成電極介層孔17和18。如圖3e 圖3f所示，移去剩余的介電材料層12和13，而原本的硅襯底 11又可分為基部11B和杯座部IIA。如果介電材料層12和13為氮化硅，那 么可以使用經(jīng)加熱的磷酸(phosphoric acid)來進(jìn)行剝除。在基部11B和杯座部 11A周圍分別形成第一絕緣層21A和21B，在本實施例中選擇使用二氧化硅 (Si02)作為第一絕緣層21A和21B。將基部IIB和杯座部IIA暴露在高溫 且含氧環(huán)境里一段時間后，可以在基部11B和杯座部11A的硅材料的表面生 長一層與硅附著性良好且介電性能符合要求的第一絕緣層21A和21B，例如 二氧化硅。
以下兩個化學(xué)反應(yīng)式描述硅在氧或水蒸氣中的氧化反應(yīng)1. 干式氧化(dry oxidation)Si(固體)+ 02(氣體)一Si02(固體)2. 濕式氧化(wet oxidation)Si(固體)+ 2H20(氣體)一Si02(固體)+ 2H2(氣體)在本實施例中，第一絕緣層21A和21B是以濕式氧化方式來生長的熱氧 化物，反應(yīng)工藝溫度介于90(TC到IIOO"C。因所需反應(yīng)時間較短，所形成的 厚度介于30A到10,000A之間。如圖3h 圖3i所示，在第一絕緣層21A和21B的表面分別披覆上反射 層22A和22B，此步驟可以利用物理氣相沉積技術(shù)(PVD)進(jìn)行沉積。然后在 反射層22A和22B上方覆蓋第二絕緣層23A和23B，可以利用等離子輔助 化學(xué)氣相沉積(PECVD)方式沉積鈍化層(passivation)以作為所述第二絕緣 層23A和23B，例如二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅(Silicon-Oxy-Nitride; SiOxNy)，其主要功能是形成保護(hù)層，可防止反射層22A和22B中的金屬被 氧化。氮氧化硅是一種性能介于二氧化硅與氮化硅之間的介電材料，其特性是 應(yīng)力的大小較氮化硅為緩和，且對水氣和雜質(zhì)的阻擋能力較二氧化硅為理 想，所以是常見的保護(hù)層材料。雖然氧化硅可以低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD) 方式沉積，并在溫度高于850'C以上的環(huán)境中形成。但是為了使得用作防護(hù) 層的氮氧化硅的工藝溫度能夠低于40(TC(以避免影響已經(jīng)在硅基材上的金 屬層)，在現(xiàn)有氮氧化硅的沉積工藝中，都是以等離子輔助化學(xué)氣相沉積的方 式來進(jìn)行的。如圖3j 圖3k所示，再形成導(dǎo)電層121和122，其中導(dǎo)電層121和122 (即權(quán)利要求中的第一導(dǎo)電層)分別設(shè)于第二絕緣層23A和23B的表面，或 延伸到第一絕緣層22A和22B的表面。導(dǎo)電層121和122材料可以選擇為可 焊接的材料，并依據(jù)后續(xù)封裝工藝不同而選擇適合的材料，例如銀(Ag)、 鎳/金(Ni/Au)、鈦/金(Ti/Au)、鈦/鎳/金(Ti/Ni/Ag)、鈦/銅/鎳/金(Ti/Cu/Ni/Au)、 鈦鎢/銅/鎳/金(TiW/Cu/Ni/Au)或鉻/銅/鎳/金(Cr/Cu/Ni/Au)等。導(dǎo)電層121 和122的圖案轉(zhuǎn)移可利用光刻工藝(即圖案轉(zhuǎn)移以蝕刻方式形成)或舉離 (lift-off)工藝的方式來形成，而導(dǎo)電層121和122的形成方式可以使用電
鍍、蒸鍍或化學(xué)鍍。反射層22A和22B的目的主要是用來增加光電元件的亮度。反射層22A 和22B的材料可以選擇與導(dǎo)電層121和122相同或不同的材料，如果反射層 22A和22B選擇與導(dǎo)電層121和122相同的材料，那么可以使用Al/Ni/Au。 反之，如果反射層22A和22B選擇與導(dǎo)電層121和122不同的材料，那么可 以用鋁(Al)、銀(Ag)、金(Au)、錫(Sn)、銅(Cu)或鉬(Pt)等金屬， 依光線波長的不同而選擇所需的材料,且反射層22A和22B的厚度介于300A 到20,000A之間。在下半部的第一絕緣層21A和21B上形成背部電極131和132 (即權(quán)利 要求中的第二導(dǎo)電層)，其中電極131電連接導(dǎo)電層121，且電極132電連接 導(dǎo)電層122，此電極131和132的材料可以選擇為可焊接的材料，或一般導(dǎo) 電性佳的材料皆可，例如Ag、 Ni/Au、 Ti/Au、 Ti/Ni/Ag、 Ti/Cu/Ni/Au、 TiW/Cu/Ni/Au、 Cr/Cu/Ni/Au等，電極131和132的圖案轉(zhuǎn)移可利用光刻工 藝(即圖案轉(zhuǎn)移以蝕刻方式形成)或舉離工藝的方式來形成，而電極131和 132的形成方式可以使用電鍍、蒸鍍或化學(xué)鍍。如圖31所示，光電半導(dǎo)體的裸片31A固定于所述反射腔16內(nèi)的導(dǎo)電層 122，并通過打線接合(wire bonding)的方式電連接于導(dǎo)電層121和122， 即通過金屬導(dǎo)線35而與導(dǎo)電層121和122電性相連。如圖3m 圖3n所示，可先用膠帶19將電極介層孔17和18粘住，在 反射腔16、電極介層孔17和18內(nèi)形成封膠層32。待封膠層32固化后，再 將膠帶19移除。最后，切割基部11B以形成獨立單體的光電元件33A。除了打線接合的方式，還可采用倒裝芯片接合(flip-chip)的方式使裸 片31B固定并與導(dǎo)電層121和122電連接，如圖4a所示。接著，如圖4b 圖4c所示，先用膠帶19將電極介層孔17和18粘住，在反射腔16、電極介 層孔17和18內(nèi)形成封膠層32。待封膠層32固化后，再將膠帶19移除。最 后，切割基部11B以形成獨立單體的光電元件33B，其中裸片31B通過凸塊 34而與導(dǎo)電層121和122電連接。前述實施例將導(dǎo)電層121、 122與反射層22A、 22B在不同步驟中沉積附 著，然而可以在同一沉積步驟中形成，如圖5和圖6所示，其中圖5顯示打 線接合型式的封裝結(jié)構(gòu)，且圖6顯示倒裝芯片接合型式的封裝結(jié)構(gòu)。圖5和 圖6中的導(dǎo)電層121'、 122'與反射層22A'在同一沉積步驟中形成，即所選用 的材料也相同。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容和技術(shù)特點已揭示如上，然而所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員仍 可基于本發(fā)明的教示和揭示內(nèi)容而作出種種不背離本發(fā)明精神的替換和修 飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實施例所揭示者，而應(yīng)包括各種不背 離本發(fā)明的替換和修飾，并由所附權(quán)利要求書所涵蓋。
權(quán)利要求
1. 一種光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括硅基材，其具有第一表面與第二表面，其中所述第一表面具有反射腔，且所述第二表面具有與所述反射腔連通的多個電極介層孔；第一絕緣層，其包覆所述第一表面與所述第二表面；反射層，其設(shè)于所述反射腔內(nèi)；第二絕緣層，其設(shè)于所述反射層上；第一導(dǎo)電層，其設(shè)于所述第二絕緣層表面；第二導(dǎo)電層，其設(shè)于所述第一絕緣層表面，并位于所述電極介層孔內(nèi)；以及裸片，其固定于所述反射腔內(nèi)，并電連接于所述第一導(dǎo)電層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一絕 緣層的材料是氧化硅，而所述第二絕緣層的材料是二氧化硅、氮化硅或氮氧 化硅。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述反射層 的材料是鋁、銀、金、錫、銅或鉑，所述反射層的厚度介于300A到20,000A之間。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一導(dǎo) 電層延伸到所述第一絕緣層，并與所述第二導(dǎo)電層相連接。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一導(dǎo) 電層與所述第二導(dǎo)電層為可焊接的材料，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層 的材料是銀、鎳/金、鈦/金、鈦/鎳/金、鈦/銅/鎳/金、鈦鴇/銅/鎳/金或鉻/銅/ 鎳/金。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于進(jìn)一步包括 填入所述反射腔內(nèi)的封膠層。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述裸片通 過多個凸塊而與所述第一導(dǎo)電層電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電元件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述裸片通 過多個金屬導(dǎo)線而與所述第一導(dǎo)電層電連接。
9. 一種制造光電元件封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于包括下列步驟提供硅基材；于所述硅基材的第一表面形成至少一個反射腔；于所述硅基材的第二表面形成多個電極介層孔，其中所述電極介層孔穿 透所述硅襯底到達(dá)所述反射腔；形成第一絕緣層以包覆所述硅基材； 在所述反射腔內(nèi)覆蓋反射層； 在所述反射層上形成第二絕緣層； 在所述第二絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；在所述第二表面上且在所述兩個電極介層孔內(nèi)均形成第二導(dǎo)電層；以及 將裸片固定在所述反射腔內(nèi)，并電連接所述裸片與所述第一導(dǎo)電層。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造光電元件封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所 述第一絕緣層是由熱氧化法所形成的氧化硅層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造光電元件封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所 述第二絕緣層是由氣相沉積所形成的二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造光電元件封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所 述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層是通過電鍍、蒸鍍或化學(xué)鍍而形成的。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造光電元件封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所 述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層相連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造光電元件封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所 述裸片以倒裝芯片方式而固定在所述反射腔內(nèi)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造光電元件封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于所 述裸片通過打線方式而與所述第一導(dǎo)電層電連接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造光電元件封裝結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于進(jìn) 一步包括在所述反射腔和所述電極介層孔內(nèi)填封膠層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種光電元件的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其封裝結(jié)構(gòu)包括具有第一表面與第二表面的硅基材。所述第一表面與所述第二表面相對，且所述第一表面具有反射腔，所述第二表面具有至少兩個與所述反射腔相連通的電極介層孔。第一絕緣層包覆所述硅基材的所述第一表面與所述第二表面。而且，反射層設(shè)于所述反射腔表面，且第二絕緣層覆蓋所述反射層。第一導(dǎo)電層設(shè)于所述第二絕緣層和所述第一絕緣層表面，且第二導(dǎo)電層設(shè)于所述第二表面并與所述第一導(dǎo)電層相連接。裸片固定于所述反射腔內(nèi)，并電連接于所述第一導(dǎo)電層。本發(fā)明可使用成熟的微機(jī)電工藝完成，其反射金屬層與電極可以各自選擇最佳材料，其電極介層孔對于后續(xù)的工藝窗口較為充裕。
文檔編號H01L33/00GK101399305SQ20071015239
公開日2009年4月1日 申請日期2007年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月29日
發(fā)明者曾堅信, 曾文良, 陳隆欣 申請人:先進(jìn)開發(fā)光電股份有限公司