專(zhuān)利名稱(chēng)：刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)及優(yōu)化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種刻蝕工藝條件的檢 驗(yàn)及優(yōu)化方法。
背景技術(shù)：
隨著超大規(guī)模集成電路的迅速發(fā)展，芯片的集成度越來(lái)越高，元器 件的尺寸越來(lái)越小，因器件的高密度、小尺寸引發(fā)的各種效應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體 工藝制作結(jié)果的影響日益突出，對(duì)工藝的要求也更為嚴(yán)格。此時(shí)，在先 工藝的偏差對(duì)在后工藝的影響也更為嚴(yán)重。以刻蝕工藝為例，當(dāng)在其前面進(jìn)行的材料層沉積工藝出現(xiàn)不一致時(shí)， 如，可能在批與批之間，同一批的不同襯底之間，甚至發(fā)生在同一襯底 的不同位置之間，所沉積的材料層的厚度都可能會(huì)不相同，此時(shí)，其刻蝕后的刻蝕圖形也很可能出現(xiàn)不一致的問(wèn)題材料層較薄處，出現(xiàn)過(guò)刻 蝕現(xiàn)象；材料層較厚處，出現(xiàn)刻蝕未到位現(xiàn)象。除在先工藝帶來(lái)的刻蝕結(jié)果不一致的問(wèn)題外，刻蝕工藝本身也可能 存在不一致的問(wèn)題。如，在同一刻蝕腔室的不同位置進(jìn)行刻蝕，其刻蝕 速率可能會(huì)有些差別；再如，當(dāng)襯底上所要刻蝕的各圖形的大小、形狀 及分布密度存在較大差異時(shí)，也會(huì)出現(xiàn)刻蝕速率不相同的情況，而這些 可能會(huì)導(dǎo)致在刻蝕后，部分刻蝕圖形已經(jīng)過(guò)刻蝕，而部分圖形的刻蝕還 未到位。在實(shí)際生產(chǎn)中，上述刻蝕結(jié)果的不一致會(huì)導(dǎo)致器件性能漂移， 甚至失效。為了避免刻蝕結(jié)果的不一致，現(xiàn)有技術(shù)中通常會(huì)在材料層下沉積一 層停止層，其刻蝕速率小于材料層的刻蝕速率，可以增大刻蝕工藝的工 藝窗口在一定范圍內(nèi)，只要增加刻蝕時(shí)間令原來(lái)刻蝕不足的刻蝕圖形 刻蝕到位，而其余過(guò)刻蝕的刻蝕圖形都停止于停止層處即可。圖l為采用 現(xiàn)有刻蝕方法刻蝕后正常的器件剖面圖，如圖l所示，在襯底101上先沉積一層停止層102,然后再在其上沉積材料層103，該停止層102與材料層 103的刻蝕速率差較大。這樣，在對(duì)材料層進(jìn)行刻蝕時(shí)，對(duì)于尺寸相同但 材料層103厚度不同的刻蝕圖形104和105 ，當(dāng)材料層較厚的刻蝕圖形105 刻蝕到位時(shí)，材料層較薄的刻蝕圖形104會(huì)向下多刻蝕一部分，但由于材 料層103下的刻蝕速率明顯較低的停止層102的存在，其刻蝕會(huì)停止于停 止層內(nèi)，而不會(huì)損傷到下面的襯底101;同理，對(duì)于材料層103厚度差不 多，但刻蝕圖形尺寸相差較遠(yuǎn)，導(dǎo)致刻蝕速率不同的刻蝕圖形104和106， 由于該材料層103下停止層102的存在，同樣可以實(shí)現(xiàn)當(dāng)刻蝕速率較慢的 小尺寸圖形106刻蝕到位時(shí)，大的、刻蝕速率較快的刻蝕圖形104能夠停 止于停止層102內(nèi)，不會(huì)因過(guò)刻蝕而損壞其下的襯底IOI。有關(guān)利用刻蝕停止層對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)的信息，在2006年5月3日公開(kāi) 的公開(kāi)號(hào)為CN1767171A的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中還可以找到更多。但是，該增加停止層的方法中，所增加的停止層的厚度是有限的， 一則是因?yàn)槿羝涮駮?huì)增加去除的困難，二則是因?yàn)槿羝涮?，?duì)其進(jìn) 行去除時(shí)同樣可能會(huì)出現(xiàn)腐蝕速率差，也就仍會(huì)出現(xiàn)刻蝕結(jié)果不一致的 現(xiàn)象。因此，該方法只能適用于一定的范圍，當(dāng)刻蝕速率差或介質(zhì)厚度 相差較遠(yuǎn)時(shí)，其仍不能避免出現(xiàn)過(guò)刻蝕或刻蝕未到位的現(xiàn)象。圖2為采用 現(xiàn)有的刻蝕方法刻蝕后出現(xiàn)異常的器件剖面圖，如圖2所示，當(dāng)大的、材 料層較厚的刻蝕圖形202刻蝕至停止層時(shí)，同樣大小的、材料層專(zhuān)交薄的刻 蝕圖形201已發(fā)生過(guò)刻蝕，損傷到了位于停止層102下的襯底101,而此時(shí)， 刻蝕速率低的、小的刻蝕圖形203還未刻蝕到位?？梢?jiàn)當(dāng)刻蝕圖形的刻蝕 速率相差較遠(yuǎn)(或材料層厚度相差較遠(yuǎn))時(shí)，即使停止層102可以在一定 程度上緩解這一材料層厚度或刻蝕速率偏差所引起的刻蝕結(jié)果的不一 致，但若刻蝕工藝條件選擇不合適(包括停止層厚度選擇不合適)，仍 可能出現(xiàn)過(guò)刻蝕或刻蝕未到位的現(xiàn)象。因此，為了獲得刻蝕結(jié)果的高一致性，還需要對(duì)刻蝕工藝條件進(jìn)行 調(diào)整，使其刻蝕工藝其具有較大的工藝窗口，這樣，在材料層厚度或刻 蝕速率出現(xiàn)不一致時(shí)，才能得到均勻性、 一致性較好的刻蝕結(jié)果?，F(xiàn)有的刻蝕工藝條件的試驗(yàn)是先沉積較厚的待刻蝕材料，然后，利 用臺(tái)階儀等測(cè)量?jī)x器測(cè)量其刻蝕的深度，接著，再根據(jù)該刻蝕深度來(lái)調(diào) 整刻蝕工藝條件以確?？涛g工藝條件能滿(mǎn)足刻蝕深度的要求。但是該方 法存在以下問(wèn)題1、 隨著器件尺寸的逐漸縮小，當(dāng)進(jìn)行縱寬比較大的刻蝕圖形的刻 蝕速率試驗(yàn)時(shí)，已難以通過(guò)臺(tái)階儀等儀器較為準(zhǔn)確地測(cè)得其實(shí)際的刻蝕深度；2、 對(duì)于刻蝕工藝，采用的停止層的厚度是否合適是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題， 其的設(shè)置實(shí)際也應(yīng)屬于刻蝕工藝條件中可調(diào)整的一部分，而現(xiàn)有的刻蝕 工藝試驗(yàn)未能將停止層厚度的設(shè)置與刻蝕工藝的其他條件結(jié)合考慮，對(duì) 刻蝕工藝條件的優(yōu)化不全面。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)及優(yōu)化方法，其中，檢驗(yàn)方法 可以確定所用的刻蝕工藝條件是否滿(mǎn)足有關(guān)工藝窗口的要求，優(yōu)化方法 可以對(duì)刻蝕工藝條件進(jìn)行優(yōu)化，使刻蝕工藝具有較大工藝窗口 。本發(fā)明提供的一種刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)方法，包括步驟提供第一襯底和第二襯底；在所述第一襯底上沉積停止層；在所述停止層上沉積具有第一厚度的材料層；在所述第二襯底上沉積具有第二厚度的材料層，且所述第一厚度不 大于所述第二厚度；在所述第 一襯底和第二襯底的材料層上分別定義刻蝕圖形；對(duì)所述第 一襯底和第二襯底上的所述材料層進(jìn)行刻蝕；對(duì)所述刻蝕的結(jié)果進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)所述第 一襯底上的刻蝕圖形底部未露出襯底，所述第二襯底上的刻蝕圖形底部已露出襯底時(shí)，確定所述刻蝕工藝條件滿(mǎn)足工藝窗口的要求。其中，所述第一厚度可以小于所述第二厚度。此時(shí)，所述第一村底 和第二襯底的材料層上的所述刻蝕圖形可以是相同的。且所述刻蝕圖形 可以包含各種尺寸、和/或形狀、和/或密集度的圖形。其中，所述第一襯底和第二襯底的材料層上的所述刻蝕圖形也可以 不相同。其中，對(duì)所述刻蝕的結(jié)果進(jìn)行^r測(cè)，包括步驟通過(guò)電子束掃描的方法4全測(cè)所述刻蝕圖形底部是否露出襯底。其中，所述材料層至少包含介質(zhì)層或半導(dǎo)體材料層中的一種。本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的一種刻蝕工藝條件的優(yōu)化方法， 包括步驟提供第 一襯底和第二襯底； 在所述第一襯底上沉積停止層； 在所述停止層上沉積具有第一厚度的材料層； 在所述第二襯底上沉積具有第二厚度的材料層，且所述第 一厚度不 大于所述第二厚度；在所述第 一襯底和第二襯底的材料層上分別定義刻蝕圖形； 對(duì)所述第 一襯底和第二襯底上的所述材料層進(jìn)行刻蝕； 對(duì)所述刻蝕的結(jié)果進(jìn)行^r測(cè)，并調(diào)整所述刻蝕的工藝條件當(dāng)所述第 一襯底和第二襯底的材料層上的刻蝕圖形底部已露出襯 底時(shí)，減小刻蝕工藝中的刻蝕時(shí)間設(shè)置值，或者調(diào)整刻蝕工藝中的氣體 流量設(shè)置值、壓力設(shè)置值或溫度設(shè)置值降低刻蝕速率；當(dāng)所述第 一襯底和第二襯底的材料層上的刻蝕圖形底部均未露出 襯底時(shí)，增大刻蝕工藝中的刻蝕時(shí)間設(shè)置值，或者調(diào)整刻蝕工藝中的氣 體流量設(shè)置值、壓力設(shè)置值或溫度設(shè)置值增大刻蝕速率；當(dāng)所述第 一襯底的材料層上的刻蝕圖形底部已露出襯底，所述第二 襯底的材料層上的刻蝕圖形底部未露出襯底時(shí)，調(diào)整刻蝕工藝中的氣體 流量設(shè)置值或壓力設(shè)置值以增大所述材料層與所述停止層間的選擇比， 或者增大所述停止層的厚度。其中，所述第一厚度小于所述第二厚度。此時(shí)，所述第一襯底和所 述第二襯底的材料層上的所述刻蝕圖形相同。且所述刻蝕圖形可以包含 各種尺寸、和/或形狀、和/或密集度的圖形。其中，所述第 一襯底和第二襯底的材料層上的所述刻蝕圖形可以不 相同。其中，對(duì)所述刻蝕的結(jié)果進(jìn)行檢測(cè)，包括步驟 通過(guò)電子束掃描的方法檢測(cè)所述刻蝕圖形的底部是否到達(dá)襯底。 其中，當(dāng)所述第一襯底的材料層的刻蝕圖形底部未露出襯底，所述 第二襯底的材料層上的刻蝕圖形底部已露出襯底時(shí)，調(diào)整刻蝕工藝中的 氣體流量設(shè)置值或壓力設(shè)置值以提高所述材料層的刻蝕速率，或者減小 所述停止層的厚度。其中，所述材料層至少包含介質(zhì)層或半導(dǎo)體材料層中的一種。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的刻蝕工藝條件的驗(yàn)方法，利用具有不同材料層厚度的刻 蝕試片對(duì)刻蝕工藝條件(包括停止層的厚度是否合適)進(jìn)行了檢驗(yàn)，確 定其是否具有較大的工藝窗口；本發(fā)明的刻蝕工藝條件的優(yōu)化方法，通 過(guò)檢驗(yàn)結(jié)果的分析，進(jìn)一步對(duì)刻蝕工藝條件(包括停止層的厚度)進(jìn)行 了優(yōu)化，以確保即使在材料層厚度出現(xiàn)較大偏差的情況下，仍能得到滿(mǎn) 足要求的刻蝕結(jié)果，、提高了刻蝕結(jié)果的一致性。另外，由于利用本發(fā)明的優(yōu)化方法可以確定具有較大的工藝窗口的刻蝕工藝條件(包括確定合 適的停止層厚度)，降低了對(duì)在先工藝及刻蝕工藝的均勻性、 一致性要 求，為縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間，提高產(chǎn)品的成品率奠定了基礎(chǔ)。此外，本發(fā)明的刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)方法，還可以通過(guò)在刻蝕試片 上分別形成各種尺寸、形狀及密集度的刻蝕圖形，檢驗(yàn)工藝條件是否能在刻蝕速率存在較大差異的情況下，得到均勻一致的刻蝕結(jié)果；同樣地，此時(shí)也可以利用本發(fā)明的刻蝕工藝條件的優(yōu)化方法，通過(guò)對(duì)檢驗(yàn)結(jié)果的 分析，進(jìn)一步對(duì)刻蝕工藝條件進(jìn)行優(yōu)化，使得在存在較大的刻蝕速率差 的情況下，所設(shè)置的刻蝕工藝條件也可以滿(mǎn)足要求。


圖1為采用現(xiàn)有刻蝕方法刻蝕后正常的器件剖面圖； 圖2為采用現(xiàn)有的刻蝕方法刻蝕后出現(xiàn)異常的器件剖面圖； 圖3A至3G為本發(fā)明第一實(shí)施例中的示意圖； 圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的刻蝕工藝條件的枱r驗(yàn)方法的流程圖； 圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的材料層較薄時(shí)的正常的剖面圖； 圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的材料層較厚時(shí)的正常的剖面圖； 圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例的刻蝕工藝條件的優(yōu)化方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合 附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明的處理方法可以;陂廣泛地應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中，并且可利用許 多適當(dāng)?shù)牟牧现谱?，下面是通過(guò)較佳的實(shí)施例來(lái)加以說(shuō)明，當(dāng)然本發(fā)明 并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替 換無(wú)疑地涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，不 應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定，此外，在實(shí)際的制作中，應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬 度及深度的三維空間尺寸?？涛g工藝是利用刻蝕設(shè)備，如反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備、等離子體刻蝕設(shè) 備等，將圖形轉(zhuǎn)移至材料層的工藝。其中的材料層可以是介質(zhì)層或半導(dǎo) 體材料層中的一種或多種的結(jié)合。理想情況下，每一次刻蝕前所形成的 材料層的厚度都是一致且均勻的，但實(shí)際生產(chǎn)中，材料層的沉積厚度往 往會(huì)存在差異，此時(shí)，如果刻蝕工藝條件選擇不合適(包括停止層厚度 選擇不合適)，具有的工藝窗口過(guò)小，即使在材料層下加入停止層，仍 可能會(huì)出現(xiàn)刻蝕結(jié)果不一致的現(xiàn)象。為此，本發(fā)明的第一實(shí)施例提出了一種刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)方法， 利用具有不同厚度的材料層的襯底，檢驗(yàn)在材料層厚度出現(xiàn)偏差時(shí)，所 用的刻蝕工藝條件能否得到一致性較高的刻蝕結(jié)果，也就是檢驗(yàn)該刻蝕 工藝條件是否具有足夠大的工藝窗口 。圖3A至3G為本發(fā)明第一實(shí)施例中的示意圖，其中，圖3A為本發(fā)明第 一實(shí)施例的刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)方法的流程圖，圖3B至3G為本發(fā)明第一 實(shí)施例中的器件剖面圖，下面結(jié)合圖3A至3G對(duì)本發(fā)明第一實(shí)施例進(jìn)行詳 細(xì)介紹。首先，提供第一襯底和第二襯底(S301 )。圖3B為所提供的第一襯 底和第二襯底的剖面圖，如圖3B所示，考慮到襯底材料對(duì)刻蝕結(jié)果可 能的影響，選取的兩個(gè)襯底311和312至少表面材料要相同，如本實(shí)施 例中的兩個(gè)襯底311和312都為石圭襯底。然后，在所述第一襯底上沉積停止層(S302)。圖3C為形成停止層 后的第一襯底的剖面圖，如圖3C所示，本實(shí)施例中的停止層313選用 了氮化硅層，這是因?yàn)楸緦?shí)施例中的材料層選用的是氧化硅層，通過(guò)對(duì) 刻蝕工藝條件的調(diào)整(如選用不同的刻蝕氣體和氣體流量等)，氮化硅的刻蝕速率通?？梢员妊趸杪枚?，二者之間實(shí)現(xiàn)較高的刻蝕選擇 比，這對(duì)于提高刻蝕結(jié)果的一致性非常重要。該停止層通?？梢岳没瘜W(xué)氣相沉積或物理氣相沉積等方法形成， 其厚度需要綜合刻蝕深度、與材料層間的刻蝕速率選擇比等進(jìn)行考慮， 不可以過(guò)厚(去除時(shí)會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題)也不可以過(guò)薄(保護(hù)力度可能會(huì)不夠)，通常其的厚度可以設(shè)置在200至600A之間，如為300A或400A。如果 其厚度需要大于這一范圍才能達(dá)到所需的保護(hù)力度，則可以通過(guò)調(diào)整刻 蝕工藝條件中其他的參數(shù)來(lái)增大刻蝕速率的選擇比，從而可以實(shí)現(xiàn)在停 止層較薄的情況下達(dá)到所需的保護(hù)力度。接著，再在第一襯底的停止層上沉積具有第一厚度的材料層 (S303 )。圖3D為形成第一厚度的材料層后的第一襯底的剖面圖，如 圖3D所示，本實(shí)施例中所沉積的材料層314為氧化硅層，其也可以利 用化學(xué)氣相沉積或物理氣相沉積等方法形成，本實(shí)施例中選用的是化學(xué) 氣相沉積的方法。該第一厚度是根據(jù)具體器件的具體要求，同時(shí)考慮到 材料層的沉積厚度可能會(huì)出現(xiàn)的薄的偏差情況來(lái)確定的。如器件的層間 介質(zhì)層通常要求在2000至8000A之間，如為5000A或6000A,此即為理想情況下的正常值。假設(shè)本實(shí)施例中要求所檢驗(yàn)的刻蝕工藝條件能夠在其厚度偏薄了 30%時(shí)仍能維持正常的刻蝕結(jié)果，則此時(shí)的第一厚度需 設(shè)置為所要求的正常值偏離了 - 30%時(shí)的厚度即3500 A或4200 A。再接著，在第二襯底上沉積具有第二厚度的材料層，且第一厚度小 于第二厚度(S304)。圖3E為形成第二厚度的材料層后的第二襯底的剖 面圖，如圖3E所示，本實(shí)施例中該第二厚度的材料層315是利用化學(xué) 氣相沉積的方法形成的，其厚度是根據(jù)具體器件的具體要求，同時(shí)考慮 到材料層的沉積厚度可能會(huì)出現(xiàn)的厚的偏差情況來(lái)確定的。仍以器件的 層間介質(zhì)層厚度的正常值為5000A或6000A為例，假設(shè)本實(shí)施例中要 求所檢驗(yàn)的刻蝕工藝條件能夠在其厚度偏厚了 30%時(shí)仍能維持正常的200710042147.7 刻蝕結(jié)果，則此時(shí)的第二厚度需設(shè)置為所要求的正常值偏離了 +30%時(shí)的厚度即6500 A或7800 A。然后，對(duì)第一襯底和第二襯底上的材料層進(jìn)行光刻處理，定義出刻 蝕圖形(S305 )。本實(shí)施例中只是為了單純地檢測(cè)刻蝕工藝條件在材料 層的沉積厚度偏離在±30%以?xún)?nèi)時(shí)是否仍能滿(mǎn)足條件，因此兩個(gè)襯底的 材料層上所形成的刻蝕圖形可以是相同的。圖3F為所光刻后的第一襯 底和第二襯底的剖面圖，如圖3F所示，在第一襯底和第二襯底的材料 層上分別利用光刻膠定義了相同的刻蝕圖形321和322。接著，對(duì)所述第一襯底和第二襯底上的所述材料層進(jìn)行刻蝕 (S306)。本實(shí)施例中，利用反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備選擇相同的確定的工藝 條件對(duì)材料層進(jìn)行了刻蝕。通常本步中兩個(gè)襯底的刻蝕可以在同 一設(shè)備 中同時(shí)進(jìn)行，以確?？涛g工藝條件完全相同。接著，檢測(cè)所述第一村底和第二襯底的刻蝕結(jié)果(S307)。本實(shí)施 例中，利用電子束掃描的方法來(lái)檢驗(yàn)各襯底的刻蝕圖形是否刻蝕到位， 其相比于傳統(tǒng)的SEM方法對(duì)刻蝕剖面的測(cè)量要方便許多。本實(shí)施例中， 襯底為硅材料，停止層為氮化硅材料，材料層為氮化硅材料，如果刻蝕 已到屬于半導(dǎo)體材料的硅襯底，其在電子掃描下會(huì)產(chǎn)生較多的二次電 子，會(huì)觀察到亮場(chǎng)圖形，但如果刻蝕停留于屬于介質(zhì)層的停止層或材料 層，其僅產(chǎn)生少量的二次電子，不會(huì)表現(xiàn)為亮場(chǎng)圖形，因此，根據(jù)刻蝕 圖形表現(xiàn)為亮場(chǎng)還是暗場(chǎng)，可以很方便地判斷出各襯底上的刻蝕圖形是 否已刻蝕至露出襯底。檢測(cè)后，再根據(jù)所述檢測(cè)判斷所述刻蝕的工藝條件是否滿(mǎn)足工藝窗 口的要求(S308 )。檢測(cè)結(jié)果中可能出現(xiàn)兩個(gè)襯底的刻蝕圖形分別刻蝕 到位或不到位等多個(gè)結(jié)果，但只有出現(xiàn)了第 一襯底刻蝕未至露出襯底， 第二襯底刻蝕已至露出襯底的情況才表明該刻蝕工藝條件滿(mǎn)足要求。原 因在于當(dāng)?shù)诙r底刻蝕到位時(shí)，第一襯底上的材料層必然也被刻蝕干13凈，之所以其未刻蝕至露出襯底，說(shuō)明其是停止于停止層上，這表明此 時(shí)的停止層足夠厚或刻蝕選擇比足夠高，可以起到足夠的保護(hù)作用，此 時(shí)的刻蝕工藝條件滿(mǎn)足了要求，實(shí)現(xiàn)了本實(shí)施例中所要求的材料層厚度 偏差在±30%以?xún)?nèi)均可以正常實(shí)現(xiàn)刻蝕的工藝窗口。否則，表明所用的刻蝕工藝條件不能滿(mǎn)足工藝窗口的要求。圖3G為刻蝕工藝條件滿(mǎn)足要 求時(shí)的刻蝕后的第一襯底和第二襯底的剖面圖，如圖3G所示，第一襯 底上的刻蝕圖形331的底部上仍留有部分停止層313,第二襯底上的刻 蝕圖形332的底部則已刻蝕至襯底材料312。本實(shí)施例中，利用了兩個(gè)材料層厚度不同的襯底進(jìn)行了刻蝕工藝條 件的工藝窗口的4t險(xiǎn)，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以利用兩個(gè)以上 的具有不同刻蝕層厚度的襯底檢驗(yàn)刻蝕工藝條件所具有的工藝窗口 。 如，可以在六個(gè)襯底上分別沉積厚度偏離-10%、 -20%、 - 30%的材 料層，及厚度偏離+ 10%、 +20°/。、 +30%的材料層，并在形成厚度偏 離-10%、 -20%、 -30%的材料層的襯底上預(yù)先形成停止層，然后， 利用與第 一實(shí)施例類(lèi)似的方法，確定其所用的刻蝕工藝條件所具有的工 藝窗口大小。如若-10%、 -20%、 +30%的刻蝕圖形均未刻蝕至露 出襯底，-30%、 + 10%及+ 20%的刻蝕至了襯底，則表明在厚度偏 離了 + 10%及+ 20%時(shí)，不會(huì)出現(xiàn)刻蝕不足現(xiàn)象，在厚度偏離了 + 30% 時(shí)，則出現(xiàn)了刻蝕不足的現(xiàn)象；由于連偏離了 +20°/。的都刻蝕至了襯底， 在厚度偏離了 - 10%和-20%時(shí)，其材料層肯定被刻蝕干凈，之所以未 至露出襯底，表明其刻蝕是止于停止層，而-30%的被刻蝕至了襯底， 表明其停止層也已被去除干凈，出現(xiàn)了過(guò)刻蝕現(xiàn)象。通過(guò)對(duì)檢測(cè)結(jié)果的 上述分析，可以確定所用的刻蝕工藝條件的工藝窗口為材料層的厚度偏 離在±20%以?xún)?nèi)。如果所要求的工藝窗口為至少±30%，則該工藝條件不 能滿(mǎn)足要求，如果所要求的工藝窗口為至少±20%,則該工藝條件滿(mǎn)足 要求。此外，考慮到刻蝕工藝中存在著刻蝕尺寸效應(yīng)(SDE, size-dependent etching)和微負(fù)載效應(yīng)(ML, micro-loading effect)，對(duì)于尺寸較小、形 狀較為尖銳或密集度較大的刻蝕圖形部分，其刻蝕的速率會(huì)相對(duì)較低， 而這一刻蝕速率的不一致(尤其當(dāng)器件尺寸縮小至一定程度后，這一速 率差會(huì)更明顯)，導(dǎo)致的在相同的刻蝕條件下對(duì)相同的待刻蝕材料進(jìn)行 刻蝕，結(jié)果卻不一致的情況，在刻蝕工藝的工藝窗口較大時(shí)也可以避免， 因此，也可以將其作為檢驗(yàn)刻蝕工藝條件的工藝窗口是否滿(mǎn)足要求時(shí)的 檢驗(yàn)因素之一。本發(fā)明的第二實(shí)施例考慮了刻蝕圖形的尺寸、形狀、密集度等對(duì)刻 蝕速率的影響，在進(jìn)行刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)時(shí)，還在刻蝕前先利用掩膜 在材料層上定義了包含各種尺寸、和/或形狀、和/或密集度的圖形，然 后，再對(duì)其進(jìn)行刻蝕。圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的刻蝕工藝條件的檢^r方法的流程圖，下 面結(jié)合圖4對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施例進(jìn)行介紹。首先，提供第一襯底和第二襯底(S401 ),本實(shí)施例中為硅襯底。 然后，在第一襯底上沉積停止層(S402)，本實(shí)施例中，該停止層為氮 化硅層，厚度約為400A;再在所述停止層上沉積具有第一厚度的材料 層(S403 ),本實(shí)施例中，該材料層為氧化硅層，其刻蝕速率高于停止 層的刻蝕速率，且該氧化硅層厚度的正常值設(shè)置為6000 A,本實(shí)施例中 的第一厚度設(shè)置為材料層正常值偏薄20%時(shí)的值，即為4800 A。接著，在第二襯底上沉積具有第二厚度的材料層(S404)，本實(shí)施 例中的第二厚度為材料層正常值偏厚20%時(shí)的值，即設(shè)置為7200 A。再接著，釆用光刻技術(shù)利用掩膜在所述第 一襯底和第二襯底上定義 出包含各種尺寸的刻蝕圖形(S405),該刻蝕圖形中可以包含各種尺寸、 和/或形狀、和/或密集度的圖形，在本實(shí)施例中，在刻蝕圖形中包含了 各種尺寸的圖形。然后，對(duì)所述第一襯底和第二襯底的所述材料層進(jìn)行刻蝕(S406)。本實(shí)施例中，采用等離子體刻蝕設(shè)備選擇確定的工藝條件對(duì)材料層進(jìn)行 刻蝕。在刻蝕后可以將光刻掩膜去除。接著，；險(xiǎn)測(cè)所述第一襯底和第二襯底的所述刻蝕圖形是否已刻蝕至 露出襯底(S407)。本實(shí)施例中，對(duì)于包含各種尺寸的刻蝕圖形的檢測(cè) 同樣可以不測(cè)量其刻蝕深度，只要利用電子束掃描的方法來(lái)4企驗(yàn)其是否 刻蝕到位即可，本實(shí)施例中，如果刻蝕已到屬于半導(dǎo)體材料的硅襯底， 其在電子掃描下會(huì)產(chǎn)生較多的二次電子，會(huì)觀察到亮場(chǎng)圖形，但如果刻 蝕停留于屬于介質(zhì)層的停止層或材料層，其僅產(chǎn)生少量的二次電子，不 會(huì)表現(xiàn)為亮場(chǎng)圖形，因此，根據(jù)刻蝕圖形表現(xiàn)為亮場(chǎng)還是暗場(chǎng)，可以很 方便地判斷出各刻蝕圖形是否已刻蝕至露出襯底。檢測(cè)后，再根據(jù)所述檢測(cè)判斷所述刻蝕的工藝條件是否滿(mǎn)足工藝窗 口的要求(S408)。本實(shí)施例中，在滿(mǎn)足工藝窗口的工藝條件下得到刻 蝕結(jié)果應(yīng)該為材料層較薄的襯底的刻蝕圖形，包括刻蝕速率較快的、 具有刻蝕速率較快的、最大尺寸的區(qū)域(其他實(shí)施例中也可以是刻蝕速 率較快的、形狀不太尖銳或圖形密集度最小的區(qū)域)，均未刻蝕至露出 襯底；材料層較厚的襯底的刻蝕圖形，包括刻蝕速率較慢的、具有最小 尺寸的區(qū)域(其他實(shí)施例中也可以是刻蝕速率較慢的、形狀較尖銳或圖 形密集度最大的區(qū)域)，均刻蝕至露出襯底。圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的材料層較薄時(shí)的正常的剖面圖，如圖5 所示(已去除了掩膜)，材料層較薄的襯底101上先沉積了一層停止層 102;然后，再沉積了一層厚度與正常值相比較薄的材料層501;并在利 用掩膜在其上定義出刻蝕圖形后進(jìn)行了刻蝕；如果所采用的刻蝕工藝條 件合適，此時(shí)即使刻蝕速率較快的、尺寸較大的圖形502也應(yīng)未刻蝕至 露出襯底IOI，而是停留于停止層102內(nèi)，即未出現(xiàn)過(guò)刻蝕現(xiàn)象。圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例的材料層較厚時(shí)的正常的剖面圖，如圖6所示(已去除了掩膜)，在材料層601的沉積厚度比正常值大時(shí)，如果 所采用的刻蝕工藝條件合適，也應(yīng)使刻蝕速率專(zhuān)支慢的、尺寸較小的圖形602刻蝕至露出襯底101,即未出現(xiàn)刻蝕不足的現(xiàn)象。本發(fā)明的第二實(shí)施例中說(shuō)明了刻蝕圖形的尺寸對(duì)刻蝕結(jié)果的影響， 此外，刻蝕圖形的形狀及密集度，也可能會(huì)影響到刻蝕的速率，在本發(fā) 明的其他實(shí)施例中，還可以通過(guò)在刻蝕圖形中加入不同形狀的圖形，實(shí) 現(xiàn)對(duì)刻蝕工藝條件能否令各種形狀及密集度的刻蝕圖形的刻蝕結(jié)果都 均勻一致的檢驗(yàn)。采用包含各種尺寸、和/或形狀、和/或密集度的刻蝕圖形進(jìn)行刻蝕 的方法后，不僅可以檢驗(yàn)刻蝕工藝條件對(duì)材料層的厚度偏差的容忍度， 還可以檢驗(yàn)刻蝕工藝條件對(duì)具有不同尺寸、形狀及密集度的刻蝕圖形 (或者說(shuō)刻蝕速率偏差)的容忍度，具有更全面、更靈活的特性。同樣地，為了能確定所用刻蝕工藝條件滿(mǎn)足于何種工藝窗口，也可 以同時(shí)利用具有多種不同厚度的材料層的襯底進(jìn)行上述刻蝕試驗(yàn)。如， 可以同時(shí)利用具有厚度偏離了 - 10%、 -20%、 -30%以及+10%、 + 20%、 +30%的材料層的襯底(其中，偏薄的三個(gè)襯底的材料層下還具 有停止層)對(duì)包含各種尺寸、形狀及密集度的刻蝕圖形進(jìn)行刻蝕工藝條 件的檢驗(yàn)，受到本發(fā)明第一和第二實(shí)施例的啟發(fā)后，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員可以根據(jù)上述各襯底是否已刻蝕到位推導(dǎo)得到此時(shí)所用的刻蝕工 藝條件所能滿(mǎn)足的工藝窗口，在此不再贅述。另外，也可以單純地檢驗(yàn)刻蝕工藝條件對(duì)因不同尺寸、形狀及密集 度的刻蝕圖形間的刻蝕速率偏差的容忍度。此時(shí)，可以在材料層厚度相 同的情況下，在兩個(gè)襯底的材料層上形成具有不種尺寸、和/或形狀、 和/或密集度的刻蝕圖形，其中一個(gè)具有刻蝕速率較快的、尺寸較大或 形狀不太尖銳或圖形密集度最小的圖形，其在沉積刻蝕停止層前要先沉 積停止層；另一個(gè)則具有刻蝕速率較慢的、尺寸較小或形狀較尖銳或圖形密集度最大的圖形。并且在刻蝕后，同樣可以利用電子束掃描的方式 檢查兩個(gè)襯底是否刻蝕到位當(dāng)前者未到位，后者到位時(shí)，表明所用的 刻蝕工藝條件能夠容忍這一刻蝕速率差的影響，能夠得到較為均勻一致 的刻蝕結(jié)果。除了可以驗(yàn)證刻蝕工藝條件是否滿(mǎn)足要求外，還可以利用本發(fā)明的 方法對(duì)刻蝕工藝條件進(jìn)行優(yōu)化，本發(fā)明的第三實(shí)施例介紹了本發(fā)明的刻 蝕工藝條件優(yōu)化方法。本發(fā)明第三實(shí)施例中，假設(shè)需要達(dá)到的工藝窗口為材料層厚度偏離±30%內(nèi)仍能達(dá)到滿(mǎn)足要求的刻蝕結(jié)果，圖7為本發(fā)明第三實(shí)施例的刻 蝕工藝條件的優(yōu)化方法的流程圖，下面結(jié)合圖7對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施例 進(jìn)行詳細(xì)介紹。首先，至少4是供了第一襯底和第二襯底(S701 )。本實(shí)施例中，該 兩個(gè)^3"底均為石圭^1"底。然后，在所述第一襯底上沉積停止層(S702)。本實(shí)施例中的材料 層為氮氧化硅層，選用的停止層為與其刻蝕速率相差較遠(yuǎn)的氮化硅層。 本實(shí)施例中氮化硅停止層的厚度初步設(shè)置為250A。該設(shè)置值是否合理， 可以通過(guò)后面的試驗(yàn)檢測(cè)結(jié)果確定。接著，再在第一襯底上沉積具有第一厚度的材料層(S703 )。本實(shí) 施例中，該材料層為利用化學(xué)氣相沉積方法形成的氧化^法層。其中的第 一厚度是根據(jù)具體器件的具體要求，同時(shí)考慮到材料層的沉積厚度可能 會(huì)出現(xiàn)的薄的偏差情況來(lái)確定的。如本實(shí)施例中材料層厚度的正常值為 8000A,要求在其厚度偏離了±30%內(nèi)仍能達(dá)到滿(mǎn)足要求的刻蝕結(jié)果，則 此時(shí)的第一厚度可以設(shè)置為5600 A。再接著，在第二襯底上沉積具有第二厚度的材料層，且第一厚度小 于第二厚度(S704)。本實(shí)施例中第二厚度可以設(shè)置為10400A。然后，利用光刻技術(shù)在兩個(gè)襯底的材料層上定義刻蝕圖形(S705 )，所述刻蝕圖形可以相同，也可以包含各種尺寸、和/或形狀、和/或密集 度的刻蝕圖形。接著，對(duì)所述第一襯底和第二襯底的所述材料層進(jìn)行刻蝕(S706), 現(xiàn)檢測(cè)所述第一襯底和第二襯底的刻蝕結(jié)果(S707)，并根據(jù)所述檢測(cè) 結(jié)果調(diào)整所述刻蝕的工藝條件(S708 )。對(duì)于本實(shí)施例中的兩個(gè)襯底的情況，可能的刻蝕結(jié)果有四種，其分 別代表了工藝條件的不同情況，通過(guò)對(duì)其的分析，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕工藝 條件的優(yōu)化A、當(dāng)?shù)?一襯底和第二襯底上材料層的刻蝕圖形底部均已至露出襯 底表明此時(shí)刻蝕時(shí)間可能過(guò)長(zhǎng)，可以適當(dāng)減小刻蝕時(shí)間的設(shè)置值，或 者調(diào)整刻蝕工藝中的氣體流量設(shè)置值、壓力設(shè)置值或溫度設(shè)置值降低刻 蝕速率，之后再進(jìn)行下次刻蝕試驗(yàn)；B 、當(dāng)?shù)?一襯底和第二襯底上材料層的刻蝕圖形底部均未露出襯底 表明此時(shí)刻蝕時(shí)間可能過(guò)短，可以適當(dāng)增大刻蝕時(shí)間設(shè)置值，或者調(diào)整 刻蝕工藝中的氣體流量設(shè)置值、壓力設(shè)置值或溫度設(shè)置值增大刻蝕速 率，之后再進(jìn)行下次刻蝕試驗(yàn)；C、 當(dāng)?shù)谝灰r底上材料層的刻蝕圖形底部已露出襯底，第二襯底的 材料層的刻蝕圖形底部仍未露出襯底表明停止層的沉積厚度過(guò)薄或本 工藝條件下的刻蝕選擇比過(guò)低，導(dǎo)致停止層未能起到足夠的保護(hù)作用， 可以適當(dāng)增加停止層的厚度或調(diào)整刻蝕工藝條件提高選擇比；D、 當(dāng)?shù)谝灰r底上材料層的刻蝕圖形的底部未露出襯底，第二襯底 上材料層的刻蝕圖形底部已露出襯底此時(shí)第 一襯底上的刻蝕圖形內(nèi)的 材料層必然也被刻蝕干凈，其是停止于停止層上，表明所沉積的停止層 足夠厚或選擇的刻蝕工藝條件的刻蝕選擇比足夠高，可以起到足夠的保 護(hù)作用，實(shí)現(xiàn)了本實(shí)施例中所要求的工藝窗口，提高了刻蝕結(jié)果的一致 性，可以認(rèn)為此時(shí)的刻蝕工藝條件滿(mǎn)足了要求。但也可以對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化， 一則，如果此時(shí)的停止層厚度較厚，可以適當(dāng)減小停止層的 厚度再進(jìn)行下一次試驗(yàn)，以確定停止層厚度是否可以進(jìn)一步減??；二則 如果此種刻蝕工藝條件下，刻蝕速率較慢，也可以適當(dāng)調(diào)整刻蝕工藝條 件，犧牲一定的刻蝕選擇比來(lái)提高刻蝕速率。其中，可以影響刻蝕選擇比或刻蝕速率的工藝條件有刻蝕氣體的流量、刻蝕氣體間的比例、腔 室內(nèi)的壓力、加熱的溫度及刻蝕功率等。另外，在實(shí)際應(yīng)用中，第一厚度和第二厚度不一定是與正常值的對(duì) 稱(chēng)偏離，如第一厚度可以是偏離正常值的-10%,第二厚度是偏離正常值 的+30%,這與實(shí)際生產(chǎn)制造中工藝窗口的具體要求有關(guān)。因此，只要將 第一厚度設(shè)置為工藝窗口要求的可以容忍的材料層向薄的方向偏離的 量，第二厚度設(shè)置為工藝窗口要求的可以容忍的材料層向厚的方向偏離 的量即可。本發(fā)明的上述實(shí)施例中，對(duì)于影響刻蝕結(jié)果的前序工藝是以材料層 的沉積厚度的偏離為例進(jìn)行介紹的，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以 在工藝窗口中考慮其他前序工藝的偏離對(duì)刻蝕結(jié)果的可能的影響，如在 化學(xué)機(jī)械研磨工藝后，襯底表面層(通常為介質(zhì)層)厚度不同對(duì)后序刻 蝕工藝的影響。再如，沖冊(cè);敗高度的偏離對(duì)于其后^^及側(cè)壁層刻蝕結(jié)果的相似，在本發(fā)明上述實(shí)施例的啟發(fā)下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員也可以依 本發(fā)明的方法實(shí)現(xiàn)，在此不再贅述。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明， 任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能 的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)方法，其特征在于，包括步驟提供第一襯底和第二襯底；在所述第一襯底上沉積停止層；在所述停止層上沉積具有第一厚度的材料層；在所述第二襯底上沉積具有第二厚度的材料層，且所述第一厚度不大于所述第二厚度；在所述第一襯底和第二襯底的材料層上分別定義刻蝕圖形；對(duì)所述第一襯底和第二襯底上的所述材料層進(jìn)行刻蝕；對(duì)所述刻蝕的結(jié)果進(jìn)行檢測(cè)，當(dāng)所述第一襯底上的刻蝕圖形底部未露出襯底，所述第二襯底上的刻蝕圖形底部已露出襯底時(shí)，確定所述刻蝕工藝條件滿(mǎn)足工藝窗口的要求。
2、 如權(quán)利要求1所述的檢驗(yàn)方法，其特征在于所述第一厚度小 于所述第二厚度。
3、 如權(quán)利要求2所述的檢驗(yàn)方法，其特征在于所述第一襯底和 第二襯底的材料層上的所述刻蝕圖形相同。
4、 如權(quán)利要求1所述的檢驗(yàn)方法，其特征在于所述刻蝕圖形包 含各種尺寸、和/或形狀、和/或密集度的圖形。
5、 如權(quán)利要求1或4所述的檢驗(yàn)方法，其特征在于所述第一襯 底和第二襯底的材料層上的所述刻蝕圖形不相同。
6、 如權(quán)利要求1所述的檢驗(yàn)方法，其特征在于對(duì)所述刻蝕的結(jié) 果進(jìn)行檢測(cè)，包括步驟通過(guò)電子束掃描的方法檢測(cè)所述刻蝕圖形底部是否露出襯底。
7、 如權(quán)利要求1所述的檢驗(yàn)方法，其特征在于所述材料層至少 包含介質(zhì)層或半導(dǎo)體材料層中的一種。
8、 一種刻蝕工藝條件的優(yōu)化方法，其特征在于，包括步驟提供第 一襯底和第二襯底；在所述第一襯底上沉積停止層；在所述停止層上沉積具有第一厚度的材料層；在所述第二襯底上沉積具有第二厚度的材料層，且所述第 一厚度不 大于所述第二厚度；在所述第 一襯底和第二襯底的材料層上分別定義刻蝕圖形； 對(duì)所述第 一襯底和第二襯底上的所述材料層進(jìn)行刻蝕； 對(duì)所述刻蝕的結(jié)果進(jìn)4于;險(xiǎn)測(cè)，并調(diào)整所述刻蝕的工藝條件當(dāng)所述第 一襯底和第二襯底的材料層上的刻蝕圖形底部已露出襯 底時(shí)，減小刻蝕工藝中的刻蝕時(shí)間設(shè)置值，或者調(diào)整刻蝕工藝中的氣體 流量設(shè)置值、壓力設(shè)置值或溫度設(shè)置值降低刻蝕速率；當(dāng)所述第 一襯底和第二襯底的材料層上的刻蝕圖形底部均未露出 襯底時(shí)，增大刻蝕工藝中的刻獨(dú)時(shí)間設(shè)置值，或者調(diào)整刻蝕工藝中的氣 體流量設(shè)置值、壓力設(shè)置值或溫度設(shè)置值增大刻蝕速率；當(dāng)所述第一襯底的材料層上的刻蝕圖形底部已露出襯底，所述第二 襯底的材料層上的刻蝕圖形底部未露出襯底時(shí)，調(diào)整刻蝕工藝中的氣體 流量設(shè)置值或壓力設(shè)置值以增大所述材料層與所述停止層間的選擇比， 或者增大所述停止層的厚度。
9、 如權(quán)利要求8所述的優(yōu)化方法，其特征在于所述第一厚度小 于所述第二厚度。
10、 如權(quán)利要求9所述的優(yōu)化方法，其特征在于所述第一襯底和 所述第二襯底的材料層上的所述刻蝕圖形相同。
11、 如權(quán)利要求10所述的優(yōu)化方法，其特征在于所述刻蝕圖形 包含各種尺寸、和/或形狀、和/或密集度的圖形。
12、 如權(quán)利要求8或11所述的優(yōu)化方法，其特征在于所述第一襯底和第二襯底的材料層上的所述刻蝕圖形不相同。
13、 如權(quán)利要求8所述的優(yōu)化方法，其特征在于對(duì)所述刻蝕的結(jié) 果進(jìn)行檢測(cè)，包括步驟通過(guò)電子束掃描的方法檢測(cè)所述刻蝕圖形的底部是否到達(dá)襯底。
14、 如權(quán)利要求8所述的優(yōu)化方法，其特征在于當(dāng)所述第一襯底 的材料層的刻蝕圖形底部未露出襯底，所述第二襯底的材料層上的刻蝕 圖形底部已露出襯底時(shí)，調(diào)整刻蝕工藝中的氣體流量設(shè)置值或壓力設(shè)置 值以提高所述材料層的刻蝕速率，或者減小所述停止層的厚度。
15、 如權(quán)利8所述的優(yōu)化方法，其特征在于所述材料層至少包含 介質(zhì)層或半導(dǎo)體材料層中的一種。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種刻蝕工藝條件的檢驗(yàn)方法，包括步驟提供第一襯底和第二襯底；在所述第一襯底上沉積停止層；在所述第一襯底上的所述停止層上沉積具有第一厚度的材料層；在所述第二襯底上沉積具有第二厚度的材料層，且所述第一厚度不大于所述第二厚度；在所述第一襯底和第二襯底的材料層上分別定義刻蝕圖形；對(duì)所述第一襯底和第二襯底上的所述材料層進(jìn)行刻蝕；檢測(cè)所述刻蝕的結(jié)果；根據(jù)所述結(jié)果判斷所述刻蝕的工藝條件是否滿(mǎn)足要求。采用本發(fā)明的檢驗(yàn)方法可以檢驗(yàn)所用的刻蝕工藝條件是否能具有一定的工藝窗口，以確保刻蝕工藝的一致性。本發(fā)明還相應(yīng)提供了一種刻蝕工藝條件的優(yōu)化方法，可以根據(jù)檢測(cè)的結(jié)果實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕工藝條件的調(diào)整及優(yōu)化。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101329983SQ20071004214
公開(kāi)日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2007年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月18日
發(fā)明者孫智江, 李玉科, 楊中輝, 蔡信裕, 陳文麗, 顏進(jìn)甫 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司