專利名稱：超淺結(jié)阻值檢測方法及膜層阻值檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種超淺結(jié)阻值檢測 方法及膜層阻值檢測方法。
背景技術(shù)：
超大規(guī)模集成電路(VLSI)和特大規(guī)模集成電路(ULSI)快速發(fā)展， 對器件制造工藝提出更高要求，尤其，隨著器件特征尺寸進(jìn)入65納米及 以下工藝，對器件超淺結(jié)的要求日益增加，從業(yè)者感到前所未有的挑戰(zhàn)。 此挑戰(zhàn)表現(xiàn)在在要求超淺結(jié)尺寸的同時，形成所述超淺結(jié)的摻雜層還 必須具有低電阻。為形成滿足上述要求的超淺結(jié)，業(yè)界通常對源/漏摻雜、 體內(nèi)和溝道內(nèi)#^雜予以更多的關(guān)注，如2004年10月27日^^開的^^開號為 "CN1541408"的中國專利申請中提供的一種形成低摻雜層電阻的超淺結(jié) 的方法。在制造具有低電阻的超淺結(jié)的同時，準(zhǔn)確地檢測所述低電阻也是制程 中的重要步驟。如何準(zhǔn)確地檢測超淺結(jié)阻值成為檢測工程師亟待解決的 問題。當(dāng)前，通常采用四探針法檢測所述超淺結(jié)阻值。檢測的首要要求為 探針與所述超淺結(jié)表面接觸良好，同時所述探針不刺穿所述超淺結(jié)。利用現(xiàn)有方法檢測超淺結(jié)阻值的步驟至少包括提供半導(dǎo)體襯底；執(zhí) 行離子注入步驟，以形成超淺結(jié)20,形成所述超淺結(jié)20后的半導(dǎo)體襯底 IO如圖I所示；測試所述超淺結(jié)阻值。隨著工藝的優(yōu)化和技術(shù)的發(fā)展，電阻檢測設(shè)備也面臨前所未有的挑 戰(zhàn)。如圖2所示，通常，實際采用的探針30與形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體襯 底的接觸部位(即探針尖)由碳化鴒(WC)或類似的硬質(zhì)材料制成，探 針尖施加的局部壓力通常都會超過硅破裂所需要的壓力，導(dǎo)致探針尖壓 碎與其接觸的硅，而形成印跡，這種印跡通常都會深于超淺結(jié)的厚度(比如20nm)。這種條件下，探測電流會流入位于超淺結(jié)之外的半導(dǎo)體襯底 內(nèi)，造成探測電流的流失。由于探針刺穿產(chǎn)生的探測電流的流失將使得 實際測得的阻值相當(dāng)于所述超淺結(jié)與位于所述超淺結(jié)之外的半導(dǎo)體襯 底并聯(lián)后具有的阻值，即通常實際測得的超淺結(jié)阻值偏低。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了 一種超淺結(jié)阻值檢測方法，可提高超淺結(jié)阻值檢測的 準(zhǔn)確性；本發(fā)明提供了一種膜層阻值檢測方法，可提高膜層阻值檢測的 準(zhǔn)確性。本發(fā)明提供的一種超淺結(jié)阻值檢測方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成超淺結(jié)；在已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體襯底上形成測試輔助層；間隔所述測試輔助層測試所述超淺結(jié)阻值?？蛇x地，形成所述超淺結(jié)的步驟包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成隔離層；執(zhí)行離子注入步驟。可選地，形成所述測試輔助層的步驟包"fe: 去除所述隔離層；在去除所述隔離層后的半導(dǎo)體襯底上形成所述^r測輔助層?？蛇x地，形成所述測試輔助層的步驟包括在所述隔離層上形成所 述4全測輔助層?？蛇x地，所述^r測輔助層材料為二氧化硅、摻雜的二氧化硅、氮氧 化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅中的一種或其組合；可選地，所述檢 測輔助層的厚度范圍為5 ~ 50納米。本發(fā)明提供的一種膜層阻值檢測方法，包括提供測試基底；在所述測試基底內(nèi)形成膜層；在已形成膜層的測試基底上形成測試輔助層；間隔所述測試輔助層測試所述膜層阻值。可選地，所述測試輔助層的阻值大于所述測試基底的阻值；可選地， 所述測試輔助層的厚度范圍為5 ~ 50納米。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的超淺結(jié)阻值檢測方法，通過在測試超淺結(jié)阻值之前增加 形成測試輔助層的步驟，可使得在測試所述超淺結(jié)阻值時，探針不再刺 穿所述超淺結(jié)成為可能，即可使探測電流更多地流入超淺結(jié)，而非位于 超淺結(jié)之外的半導(dǎo)體襯底，進(jìn)而使提高超淺結(jié)阻值檢測的準(zhǔn)確性成為可 能；本發(fā)明提供的超淺結(jié)阻值檢測方法的可選方式，通過選擇測試輔助層 材料為絕緣材料，利用所述絕緣材料具有的高阻值，使得實際測得的所 述超淺結(jié)與測試輔助層并聯(lián)后的阻值更接近于所述超淺結(jié)阻值，可增強 阻值4企測的準(zhǔn)確性；本發(fā)明提供的超淺結(jié)阻值檢測方法的可選方式，通過選擇測試輔助層 材料的厚度，可增強所述超淺結(jié)不再被刺穿的可能性，進(jìn)而提高檢測的 準(zhǔn)確性；本發(fā)明提供的膜層阻值檢測方法，通過在測試膜層阻值之前增加形成 測試輔助層的步驟，可使得在測試所述膜層阻值時，探針不再刺穿所述 膜層成為可能，即可使探測電流更多地流入膜層，而非測試基底，進(jìn)而 4吏才是高膜層阻值;險測的準(zhǔn)確性成為可能；本發(fā)明提供的膜層阻值檢測方法的可選方式，通過選擇測試輔助層材 料，以使所述測試輔助層材料的阻值高于所述測試基底的阻值，使得實際測得的所述膜層與測試輔助層并聯(lián)后的阻值更接近于所述膜層阻值，可增強阻值檢測的準(zhǔn)確性；本發(fā)明提供的膜層阻值;險測方法的可選方式，通過選擇測試輔助層材 料的厚度，可增強所述膜層不再被刺穿的可能性，進(jìn)而提高檢測的準(zhǔn)確 性。


圖1為說明現(xiàn)有技術(shù)中已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體襯底的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為說明利用現(xiàn)有技術(shù)檢測超淺結(jié)阻值時的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為說明本發(fā)明實施例的對超淺結(jié)阻值進(jìn)行^r測的流程示意圖；圖；圖5為說明本發(fā)明實施例的已形成測試輔助層的半導(dǎo)體襯底的結(jié)構(gòu) 示意圖；圖6為說明本發(fā)明實施例的檢測超淺結(jié)阻值時的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖7為說明本發(fā)明實施例的對膜層阻值進(jìn)行^r測的流程示意圖； 圖8為說明本發(fā)明實施例的已形成膜層的測試基底的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖9為說明本發(fā)明實施例的已形成測試輔助層的測試基底的結(jié)構(gòu)示 意圖；圖10為說明本發(fā)明實施例的檢測膜層阻值時的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
盡管下面將參照附圖對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā) 明的優(yōu)選實施例，應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明 而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本 領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛教導(dǎo)，而并不作為對本發(fā)明的限制。為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混 亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細(xì)節(jié)以實 現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個實 施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和規(guī)工作。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列 說明和權(quán)利要求書本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均 采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助 說明本發(fā)明實施例的目的。當(dāng)前，工藝發(fā)展對超淺結(jié)的制造提出更高的要求，降低所述超淺結(jié) 阻值成為業(yè)界追求的目標(biāo)，準(zhǔn)確地檢測所述超淺結(jié)阻值成為制程中的重 要步驟。通常，采用四探針法檢測所述超淺結(jié)阻值。檢測的首要要求為探 針與所述超淺結(jié)表面接觸良好，同時所述探針不刺穿所述超淺結(jié)。然而，實際釆用的探針與形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體襯底的接觸部位(即 探針尖)通常由碳化鎢(WC)或類似的硬質(zhì)材料制成，纟笨針尖施加的局 部壓力通常都會超過硅破裂所需要的壓力，所以探針尖會壓碎與其接觸的硅，形成探針刺穿效應(yīng)。實踐中，揮:針刺穿的深度通常深于所述超淺結(jié)的厚度(比如20 nm)，致使探測電流會流入位于超淺結(jié)之外的半導(dǎo)體 襯底內(nèi)，造成探測電流的流失，導(dǎo)致實際測得的超淺結(jié)阻值偏低。如何準(zhǔn)確地檢測所述超淺結(jié)阻值已成為檢測工程師面臨的重要問 題。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)歷分析及實踐后，提供了一種超淺結(jié)阻值檢測方 法，使提高超淺結(jié)阻值檢測的準(zhǔn)確性成為可能。應(yīng)用本發(fā)明提供的方法檢測超淺結(jié)阻值的步驟至少包括提供半導(dǎo) 體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成超淺結(jié)；在已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體襯底上形成測試輔助層；間隔所述測試輔助層測試所述超淺結(jié)阻值。如圖3所示，應(yīng)用本發(fā)明提供的方法檢測超淺結(jié)阻值的具體步驟包括 步驟301:提供半導(dǎo)體襯底。在進(jìn)行后續(xù)步驟之前，所述半導(dǎo)體襯底需經(jīng)歷清洗、烘干等操作，以 去除表面氧化物及沾污。步驟302:如圖4所示，在所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成超淺結(jié)120。形成所述超淺結(jié)12 0的工藝包含離子注入操作及其后的退火操作，涉 及的具體方法可選用任何傳統(tǒng)的工藝，在此不再贅述。對于臨界尺寸小于或等于90納米的器件，所述超淺結(jié)120為直接向所 述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)注入離子后形成；而對于臨界尺寸大于90納米的器 件，為避免半導(dǎo)體襯底表面損傷，形成所述超淺結(jié)120的步驟包括在所 述半導(dǎo)體襯底上形成隔離層；執(zhí)行離子注入步驟。所述隔離層可為氧化 層，可利用熱氧化工藝或化學(xué)氣相沉積工藝獲得。步驟303:如圖5所示，在已形成超淺結(jié)120的半導(dǎo)體襯底100上形成枱r 測輔助層130。根據(jù)四探針法測阻值的原理，測得的阻值約為探針穿過的膜層阻值， 由此，為測試所述超淺結(jié)阻值，需使探針與所述超淺結(jié)表面接觸良好， 然而，實際生產(chǎn)中，所述探針大多會刺穿所述超淺結(jié)，使得實際測得的聯(lián)后的阻值。所述半導(dǎo)體襯底材料為單晶硅，其具有一定的導(dǎo)電性，所 述半導(dǎo)體襯底內(nèi)非超淺結(jié)區(qū)域與所述超淺結(jié)并聯(lián)后具有的阻值小于所述超淺結(jié)阻值。即，若設(shè)定經(jīng)過實際測試獲得的阻值為Rs,所述超淺結(jié)阻值為Rusj, 所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)非超淺結(jié)區(qū)域電阻的阻值為Rs i;則有<formula>formula see original document page 9</formula> (1)本發(fā)明的發(fā)明人分析后認(rèn)為，測得的所述超淺結(jié)阻值小于超淺結(jié)的實 際阻值的主要原因，是由于上述探針刺穿效應(yīng)造成的，而所述探針刺穿 效應(yīng)為探針尖施加的局部壓力超過硅破裂所需要的壓力，進(jìn)而使探針刺 入所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)非超淺結(jié)區(qū)域的，如圖6所示，在所述超淺結(jié)表面形成檢測輔助層，用以抵抗探針140尖施加的過剩的局部壓力，使探針140 最終僅刺入超淺結(jié)，則可使抑制所述探針刺穿效應(yīng)的發(fā)生成為可能。此時，所述檢測輔助層材料可為多晶硅、摻雜的多晶硅、二氧化硅、 摻雜的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅中的一種或其 組合；所述^f企測輔助層可通過化學(xué)氣相沉積工藝獲得；所述4全測輔助層 的厚度根據(jù)工藝條件及生產(chǎn)要求確定，所述檢測輔助層的厚度范圍為5 ~ 50納米；涉及的溫度為500 - 700攝氏度，不會對超淺結(jié)的結(jié)深造成影響。此外，形成所述4全測輔助層之后，實際測得的阻值相當(dāng)于所述超淺結(jié) 與所述檢測輔助層并聯(lián)后的阻值。即，若設(shè)定實際測試獲得的阻值為Rs,超淺結(jié)阻值為Rusj,所述;^測 輔助層電阻的阻值為Rf;則有Rs= (Rusj*Rf ) / (Rusj+Rf) = Rusj / (Rusj/Rf+1) (2)此時，若所述檢測輔助層選為絕緣材料，則其電阻率將大于所述半導(dǎo) 體襯底內(nèi)非超淺結(jié)區(qū)域的電阻率，可使測量值更接近所述超淺結(jié)的實際 阻值成為可能，增強了測量準(zhǔn)確性。所述檢測輔助層130材料可為二氧化硅、摻雜的二氧化硅、氮氧化硅、 氮化硅、碳化硅、碳氧化硅中的一種或其組合；所述檢測輔助層130可通 過化學(xué)氣相沉積工藝獲得；所述檢測輔助層13 0的厚度根據(jù)工藝條件及生 產(chǎn)要求確定，所述檢測輔助層130的厚度范圍為5 50納米；涉及的溫度 為500 ~ 700攝氏度，不會對超淺結(jié)的結(jié)深造成影響。形成所述檢測輔助層之前，可預(yù)先去除所述隔離層，以在去除所述隔離層后的半導(dǎo)體襯底上形成所述檢測輔助層；也可以在所述隔離層上直接形成所述檢測輔助層。步驟3G4:間隔所述測試輔助層測試所述超淺結(jié)阻值。本發(fā)明提供的超淺結(jié)阻值檢測方法，通過在測試超淺結(jié)阻值之前增加 形成測試輔助層的步驟，可使得在測試所述超淺結(jié)阻值時，探針不再刺 穿所述超淺結(jié)成為可能，即可使探測電流更多地流入超淺結(jié)，而非位于 超淺結(jié)之外的半導(dǎo)體襯底，進(jìn)而使提高超淺結(jié)阻值檢測的準(zhǔn)確性成為可 能；本發(fā)明提供的超淺結(jié)阻值檢測方法的可選方式，通過選擇測試輔助層 材料為絕緣材料，利用所述絕緣材料具有的高阻值，使得實際測得的所 述超淺結(jié)與測試輔助層并聯(lián)后的阻值更接近于所述超淺結(jié)阻值，可增強 阻值檢測的準(zhǔn)確性；本發(fā)明提供的超淺結(jié)阻值檢測方法的可選方式，通過選擇測試輔助層 材料的厚度，可增強所述超淺結(jié)不再被刺穿的可能性，進(jìn)而提高檢測的 準(zhǔn)確性。半導(dǎo)體器件通常包含多層膜層，膜層阻值對器件電阻有重要影響，降 低影響器件電阻的膜層阻值，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員面臨的主要問題；對 已降低的膜層阻值進(jìn)行檢測，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的首要問題。本發(fā)明提供了一種膜層阻值檢測方法，使提高膜層阻值檢測的準(zhǔn)確 性成為可能。應(yīng)用本發(fā)明提供的方法檢測膜層阻值的步驟至少包括提供測試基 底；在所述測試基底內(nèi)形成膜層；在已形成膜層的測試基底上形成測試 輔助層；間隔所述測試輔助層測試所述膜層阻值。如圖7所示，應(yīng)用本發(fā)明提供的方法檢測膜層阻值的具體步驟至少包括步驟701:提供測試基底。所述測試基底包含位于制程中任意階段的半導(dǎo)體襯底。 步驟702:如圖8所示，在所述測試基底200內(nèi)形成膜層220。 形成所述膜層的具體方法可選用任何傳統(tǒng)的工藝，在此不再贅述。 步驟703:如圖9所示，在已形成膜層220的測試基底200上形成測試輔 助層230。根據(jù)四探針法測阻值的原理，測得的阻值約為探針穿過的膜層阻值， 由此，為測試所述膜層阻值，需使探針與所述膜層表面形成良好接觸， 然而，隨著器件臨界尺寸的減小，器件的體積也將進(jìn)一步減小，使得涉 及的膜層的厚度逐漸減小。實際生產(chǎn)中，當(dāng)所述膜層厚度值較小時(如 所述膜層的厚度為20納米)，所述探針大多會刺穿所述膜層，使得實際 測得的阻值相當(dāng)于所述測試基底與所述膜層并聯(lián)后的阻值，即實際測得 的阻值將小于所述膜層阻值。即，若設(shè)定實際測試獲得的阻值為Rs,所述膜層阻值為Rm,所述測試 基底的阻值為Rt;則有Rs= ( Rm*Rt ) / ( Rm+Rt ) = Rm / ( Rm/Rt+1 ) ( 3 )本發(fā)明的發(fā)明人分析后認(rèn)為，測得的所述膜層阻值小于所述膜層的實 際阻值的主要原因，是由于上述探針刺穿效應(yīng)造成的，而所述探針刺穿 效應(yīng)為探針尖施加的局部壓力超過膜層破裂所需要的壓力，而使探針刺 入所述膜層造成的，如圖10所示，在所述膜層表面形成檢測輔助層，用 以抵抗探針240尖施加的過剩的局部壓力，使探針最終僅刺入所述膜層， 則可使抑制所述探針刺穿效應(yīng)的發(fā)生成為可能。此時，所述檢測輔助層2 3 0的材料與所述測試基底材料可相同或不相 同，所述檢測輔助層230材料可為多晶硅、摻雜的多晶硅、二氧化硅、摻 雜的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅中的一種或其組 合；所述檢測輔助層230可通過化學(xué)氣相沉積工藝獲得；所述檢測輔助層2 30的厚度根據(jù)工藝條件及生產(chǎn)要求確定，所述檢測輔助層2 30的厚度范 圍為5 50納米；涉及的溫度為500 700攝氏度。此外，形成所述^r測輔助層之后，實際測得的阻值相當(dāng)于所述膜層與 所述檢測輔助層并聯(lián)后的阻值。即，若設(shè)定實際測試獲得的阻值為Rs，膜層阻值為Rm，所述4全測輔助 層電阻的阻值為Rf;則有Rs= ( Rm*Rf ) / ( Rm+Rf ) = Rm / ( Rm/Rf+1 ) ( 4 )所述檢測輔助層的阻值Rf大于所述測試基底的阻值Rt時，可使得測量 值更接近所述膜層的實際阻值，進(jìn)而增強可測量準(zhǔn)確性。 步驟704:間隔所述測試輔助層測試所述膜層阻值。本發(fā)明提供的膜層阻值檢測方法，通過在測試膜層阻值之前增加形成 測試輔助層的步驟，可使得在測試所述膜層阻值時，探針不再刺穿所述 膜層成為可能，即可使探測電流更多地流入膜層，而非測試基底，進(jìn)而 使提高膜層阻值檢測的準(zhǔn)確性成為可能；本發(fā)明提供的膜層阻值檢測方 法的可選方式，通過選擇測試輔助層材料，以使所述測試輔助層材料的 阻值高于所述測試基底的阻值，使得實際測得的所述膜層與測試輔助層 并聯(lián)后的阻值更接近于所述膜層阻值，可增強阻值檢測的準(zhǔn)確性；本發(fā) 明提供的膜層阻值檢測方法的可選方式，通過選擇測試輔助層材料的厚 度，可增強所述膜層不再被刺穿的可能性，進(jìn)而提高檢測的準(zhǔn)確性。盡管通過在此的實施例描述說明了本發(fā)明，和盡管已經(jīng)足夠詳細(xì)地描 述了實施例，申請人不希望以任何方式將權(quán)利要求書的范圍限制在這種 細(xì)節(jié)上。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說另外的優(yōu)勢和改進(jìn)是顯而易見的。因 此，在較寬范圍的本發(fā)明不限于表示和描述的特定細(xì)節(jié)、表達(dá)的設(shè)備和 方法和說明性例子。因此，可以偏離這些細(xì)節(jié)而不脫離申請人總的發(fā)明 概念的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種超淺結(jié)阻值檢測方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成超淺結(jié)；在已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體襯底上形成測試輔助層；間隔所述測試輔助層所述測試所述超淺結(jié)阻值。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的超淺結(jié)阻值檢測方法，其特征在于，形成 所述超淺結(jié)的步驟包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成隔離層；執(zhí)行離子注入步驟。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的超淺結(jié)阻值檢測方法，其特征在于，形成 所述測試輔助層的步驟包括去除所述隔離層；在去除所述隔離層后的半導(dǎo)體襯底上形成所述4企測輔助層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的超淺結(jié)阻值檢測方法，其特征在于，形成 所述測試輔助層的步驟包括在所述隔離層上形成所述4企測輔助層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超淺結(jié)阻值檢測方法，其特征在于 所述檢測輔助層材料為二氧化硅、摻雜的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、 碳化硅、碳氧化硅中的一種或其組合。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的超淺結(jié)阻值檢測方法，其特征在于 所述檢測輔助層的厚度范圍為5 ~ 50納米。
7. —種膜層阻值檢測方法，其特征在于，包括 提供測試基底；在所述測試基底內(nèi)形成膜層；在已形成膜層的測試基底上形成測試輔助層；間隔所述測試輔助層測試所述膜層阻值。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜層阻值檢測方法，其特征在于所述測 試輔助層的阻值大于所述測試基底的阻值。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的膜層阻值檢測方法，其特征在于所述測 試輔助層的厚度范圍為5~50納米。
全文摘要
一種超淺結(jié)阻值檢測方法，包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成超淺結(jié)；在已形成超淺結(jié)的半導(dǎo)體襯底上形成測試輔助層；測試所述超淺結(jié)阻值。可提高超淺結(jié)阻值檢測的準(zhǔn)確性。一種膜層阻值檢測方法，包括提供測試基底；在所述測試基底內(nèi)形成膜層；在已形成膜層的測試基底上形成測試輔助層；測試所述膜層阻值。可提高膜層阻值檢測的準(zhǔn)確性。
文檔編號H01L21/66GK101330029SQ20071004213
公開日2008年12月24日 申請日期2007年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月18日
發(fā)明者何永根 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司