專利名稱：：電子零件封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電子零件封裝，更具體地涉及能夠向外有效散熱的電子零件封裝。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管(在下文中被稱為LED)是能夠提供不同顏色的半導(dǎo)體器件。LED的發(fā)光源由諸如GaAs、AlGaAs、GaN、InGaN和AlGalnP的不同的化合物半導(dǎo)體材料形成。目前，半導(dǎo)體器件已經(jīng)廣泛地應(yīng)用于封裝形式的電子元件。一般而言，用于確定LED器件性能的標(biāo)準(zhǔn)是顏色、亮度和亮度的強度范圍。LED器件的性能由LED器件中使用的化合物半導(dǎo)體材料來確定。此外，性能受到芯片安裝在其上的封裝結(jié)構(gòu)的顯著影響。普通的燈型LED封裝和表面安裝型LED封裝示于圖1中。在圖1A中所示的燈型LED封裝10包括兩個引線框3a和3b。具有杯形的金屬電M面形成在引線框3b之上。LED器件5安*^引線框3b的上部。燈型LED封裝10通過由透明模制樹脂形成的半球殼7來封裝。同時，示出在圖1B中的表面安裝型LED封裝20提供有由模制環(huán)氧樹脂形成的封裝體ll。封裝體ll包括具有預(yù)定傾角的空腔。該空腔形成在與LED器件15將要安裝在其中的發(fā)光器件的安裝區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域中。LED器件15安裝在封裝體11的發(fā)光器件的安裝區(qū)域中。LED器件15通過引線13連接到圖案電極(未示出)。在燈型LED封裝10中，半球殼7用作透鏡以控制亮度分布。特別地，取決于殼7的形狀,可以將亮度分布控制變窄。如果將亮度分布控制變窄，則可以以預(yù)定角度來增加亮度。此外，因為從發(fā)光源發(fā)射出的光在金屬電M面上被^^射，所以可以增加亮度。同時，在表面安裝型LED封裝20中，亮度分布由于封裝而變寬，并且亮度低。如上所述，亮度和亮度分布顯著地受封裝結(jié)構(gòu)影響。如果高輸出LED器件用于增加使用模制樹脂的表面安裝型LED封裝的亮度，則散熱量由于模制樹脂的非常低的熱導(dǎo)率而增加，從而負(fù)面影響封裝。當(dāng)高輸出LED器件安裝在封裝中以增加亮度時，熱導(dǎo)率比模制樹脂的熱導(dǎo)率高的陶瓷基底用作封裝的基底。然而，在使用陶瓷基底的LED封裝中，像使用模制樹脂的表面安裝型LED封裝一樣，難以控制亮度和亮度分布。即，諸如樹脂模制的注入模制過程由于陶資基底材料的性質(zhì)而不能應(yīng)用到陶瓷基底。通過使用沖壓過程、層壓過程或切削過程來形成陶資基底。通常，因為陶乾基底的發(fā)光器件的安裝區(qū)域通過沖壓來形成以便具有槽形，所以難以形成具有預(yù)定^^射角的發(fā)光器件的安裝區(qū)域的側(cè)面。參考圖2將給出關(guān)于此的說明。圖2A是由陶瓷基底形成的公知LED封裝的橫截面視圖。LED封裝30由兩個陶瓷基底21和22形成。陶瓷基底21和22中的每個具有多個陶瓷片被層壓的結(jié)構(gòu)。設(shè)置在LED封裝下側(cè)的陶瓷基底21在其上表面上具有LED器件25安裝在其上的安裝區(qū)域。通過引線27連接到LED器件25的電極23通過LED封裝的兩側(cè)從安裝區(qū)域延伸到封裝的下表面。設(shè)置在LED封裝的上側(cè)的陶資基底22包括預(yù)定的空腔以包圍LED器件25的安裝區(qū)域。與此有關(guān)，因為LED器件25的安裝區(qū)域的空腔通過4吏用沖壓過程或切削過程來形成，所以如圖所示，空腔的截面總是垂直地形成。由于上述特征，因為與由模制樹脂形成的封裝不同，空腔的截面是垂直地形成的，所以存在不可能形成極好的反射膜的問題。結(jié)果，在使用陶瓷基底的LED封裝中，只有通過控制LED器件的安裝區(qū)域的面積和構(gòu)成LED封裝側(cè)壁的基底高度，才可以進行調(diào)整。因此，難以制造具有能夠滿足用戶不同需要的亮度和亮度角分布的LED封裝。然而，陶瓷基底在熱導(dǎo)率和散熱方面優(yōu)于模制樹脂基底。因此，具有良好熱導(dǎo)率和散熱的陶瓷基底在現(xiàn)有技術(shù)中用作封裝的基底。此外，已經(jīng)引入圖2B所示的LED半導(dǎo)體封裝以解決由因為制造工藝而必然形成的垂直結(jié)構(gòu)所引起的調(diào)整亮度和亮度角分布的困難。目前，因為LED封裝要求高亮度和高功率，所以功耗增加。當(dāng)LED器件的功率增加時，從LED器件所產(chǎn)生的熱量也增加。隨著熱量增加，有效散發(fā)從LED器件產(chǎn)生的熱是非常重要的。因此，在將熱從LED器件傳導(dǎo)到從其散熱的最終部分期間，減少熱阻是最重要的。提高封裝材料的熱導(dǎo)率的方法可以用于減少熱阻。在相關(guān)技術(shù)中，基底由塑料(具有大約0.3W/mK的熱導(dǎo)率)、LTCC(具有大約4W/mK的熱導(dǎo)率)或A1刀3(具有大約20W/mK的熱導(dǎo)率)等制成。然而，用諸如A1N的陶瓷材料替代如圖2B所示的下基底和上基底21和22的材料以提高封裝材料的熱導(dǎo)率。因為A1N具有極好的熱導(dǎo)率和強度，所以可以4吏用A1N作為LED封裝的材料。然而，當(dāng)基底由A1N制成時，基底非常昂貴并且難以適當(dāng)?shù)匦纬煽刂芁ED封裝中的光所需的傾角。如圖3所示，基底21和22可以由LTCC或人1203制成，并且可以貫穿下基底21來形成散熱片29以減少熱阻
發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題根據(jù)圖3所示的結(jié)構(gòu)，當(dāng)以倒裝芯片的形式來結(jié)合LED器件25時，不可能將陽極23a和陰極23b彼此絕緣。為此，不可能應(yīng)用倒裝芯片。根據(jù)圖3所示的結(jié)構(gòu)，對LED器件25進行Ag環(huán)氧樹脂結(jié)合或共晶結(jié)合，并且從LED器件25所產(chǎn)生的熱可以通過散熱片29而直接散發(fā)到熱沉(未示出)。然而，因為在Ag環(huán)氧樹脂結(jié)合中使用的Ag環(huán)氧樹脂具有低的熱導(dǎo)率，所以散熱效率下降。此外，LED封裝的鍍層(即LED器件25和散熱片29之間的鍍層)的平坦度應(yīng)該調(diào)整為5pm以下以進行共晶結(jié)合。在共晶結(jié)合的情況下，由AuSn等制成的用于焊接的金屬層形成在LED器件25的下表面上。在這種情況下，當(dāng)LED封裝的平坦度在5nm以上時，共晶結(jié)合被局部地進行。由于這個原因，不能適當(dāng)?shù)貍鲗?dǎo)熱。根據(jù)圖3所示的結(jié)構(gòu)，在Ag環(huán)氧樹脂結(jié)合和共晶結(jié)合這兩種情況下，LED器件25和散熱片29之間的熱膨脹系數(shù)的差大。由于這個原因，當(dāng)封裝IMt時，LED器件25的溫度上升到120*C，其為結(jié)溫。當(dāng)LED器件25斷開時，溫度變?yōu)檎囟取Ｕ囟仍诙炜赡転?401C。由于溫差，LED器件25和散熱片29之間的結(jié)合界面不能承受LED器件25和具有相對大的熱膨脹系數(shù)的散熱片29之間所產(chǎn)生的熱應(yīng)力。因此，在結(jié)合界面發(fā)生破裂，從而LED器件25被分離。此外，因為熱阻由于破裂而增加，所以整個封裝的熱阻增加。因為LED器件25由于熱阻的增加而惡化，所以LED器件25的亮度降低。結(jié)果，LED封裝的可靠性惡化。此外，當(dāng)散熱片29插入到封裝中時，散熱片29因為金屬插入的配合公差而傾斜。因為這個原因，當(dāng)對LED器件25執(zhí)行共晶結(jié)合時，缺陷的量增加。另外，即使適當(dāng)?shù)貓?zhí)行結(jié)合，LED器件25也會傾斜。因此，在LED器件25中發(fā)生光方向的改變。換言之，當(dāng)執(zhí)行共晶結(jié)合以將LED器件25結(jié)合到散熱片29上時，通過將封裝溫度上升到350C來執(zhí)行回流。在回流期間，由于散熱片29的熱膨脹，只有LED器件25在其下表面上的兩端被偶爾結(jié)合。在這種情況下，熱不從整個LED器件25散發(fā)出，而是熱僅通過由共晶結(jié)合來結(jié)合到LED封裝的LED器件的部分來傳導(dǎo)。因為這個原因，不可能4吏共晶結(jié)合的效果最大化。圖4是示出3W/mK和25W/mK的熱導(dǎo)率下的包括lW的LED器件而不具有散熱片(例如Cu片)的LED封裝(陶瓷封裝)(見圖2B)和包括具有貫穿下基底的散熱片的1W的LED器件的LED封裝(見圖3)的模擬結(jié)果的表格。圖5是示出3W/mK和25W/mK的熱導(dǎo)率下的包括3W的LED器件而不具有散熱片(例如Cu片)的LED封裝(陶瓷封裝)(見圖2B)和包括具有貫穿下基底的散熱片的1W的LED器件的LED封裝(見圖3)的模擬結(jié)果的表格。在圖4和圖5中，結(jié)合溫度指的是LED器件25的P-N結(jié)溫度。金屬PCB的溫Jbl金屬PCB(即LED封a面安裝到其上的PCB;未示出)中的溫度。在金屬PCB(未示出)的下表面上提供散熱板(未示出)。參考圖4和圖5所示的模擬結(jié)果，可以理解具有貫穿下基底的散熱片的LED封裝(見圖3)是極好的。然而，在圖3中示出的LED封裝具有的問題在于如上所述的不適當(dāng)?shù)貓?zhí)行共晶結(jié)合，或者LED器件由于熱膨脹系數(shù)的差而被分離。此夕卜，很大的可能性是LED封裝的應(yīng)用趨勢以"電子器件的簡單指示器^移動電話的閃光燈^LCDTV的間接照明器/背光燈單元力直接的照明器"的順序來進行。因此，LED封裝的功耗趨于不斷增加。當(dāng)考慮應(yīng)用趨勢時，單個的LED封裝不能滿足市場的需要。因此，需要開發(fā)陣列類型LED封裝，以便滿足高亮度。然而，因為陣列類型LED封裝具有其中多個LED器件^:集成的結(jié)構(gòu)，如何有效地將多個LED器件所產(chǎn)生的熱散發(fā)到外部是非常重要的。此夕卜，因為多個LED器件被集成，所以存在下述問題應(yīng)該將連接到LED芯片的電路中的靜電、電涌和噪聲有效去除。特別地，因為多個LED器件排列在陣列類型LED封裝中，所以陣列類型LED封裝在尺寸上大于單個的LED封裝。另外，因為陣列類型LED封裝還包括噪聲去除電路，所以存在下述問題陣列類型LED封裝由于附加部件的安裝而大于單個的LED封裝。本發(fā)明用于解決上述問題，并且本發(fā)明的目的是提供能夠有效地將熱歉殳到外部的電子零件封裝。本發(fā)明的另一目的是提供能夠改進光效率的電子零件封裝。技術(shù)方案為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的實施例，電子零件封裝包括發(fā)光器件；基底，其具有發(fā)光器件安裝在其上的發(fā)光器件安裝區(qū)域；以及散熱部件，其埋在基底的發(fā)光器件安裝區(qū)域之下，以便在垂直方向上與發(fā)光器件安裝區(qū)域分開，并且暴露于基底的下表面。在上述結(jié)構(gòu)中，傳熱部件形成在發(fā)光器件安裝區(qū)域和散熱部件之間。此外，傳熱部件具有比基底的熱導(dǎo)率高的熱導(dǎo)率。在上述結(jié)構(gòu)中，傳熱部件在垂直方向上形成以^更具有大于或等于發(fā)光器件橫截面尺寸的橫截面尺寸。可替選地，傳熱部件可以在垂直方向上形成以便具有大于發(fā)光器件表面積的橫截面尺寸，并且被分成多個區(qū)域。此夕卜，在發(fā)光器件下方可以提供多個區(qū)域中的具有大于發(fā)光器件尺寸的直徑的一個區(qū)域。傳熱部件可以由陶瓷片層形成。另外，基底包括發(fā)光器件安裝區(qū)域周圍的空腔，并且反射器形成在空腔的內(nèi)表面上。此夕卜，反射器連接到基底上形成的圖案電極中的至少一個，并且圖案電極電連接到發(fā)光器件。與反射器連接的圖案電極與發(fā)光器件安裝區(qū)域中形成的圖案電極分開。上述結(jié)構(gòu)還包括變阻器材料層，其形成在基底上；第一和第二內(nèi)電極，其形成在基底中，并且以變阻器材料層插入其間的方式彼此部分地重疊；以及第一和第二外電極，其提供在基底中以便彼此分開。第一外電極電連接到第一內(nèi)電極，并且第二外電極電連接到第二內(nèi)電極。有益效果根據(jù)本發(fā)明，因為陶瓷基底具有有效的散熱結(jié)構(gòu)，所以從LED器件產(chǎn)生的熱可以有效地歉良到外部。結(jié)果，可以穩(wěn)定地操作LED器件。因為基底的熱導(dǎo)率增加以致減少了LED器件和從其散良熱的最終部分之間的熱阻，所以可以將從LED器件產(chǎn)生的熱g地散良到外部。因為可以保證基底的表面平坦度，所以可以執(zhí)行倒裝芯片結(jié)合或共晶結(jié)合。因為多個LED器件排列在基底上，并且由金屬制成的散熱板附著到基底的下表面，所以可以獲得高亮度并有效執(zhí)^lt熱。因為用于去除靜電和電涌的半導(dǎo)體器件與用于去除噪聲的電路嵌入在基底中或表面安裝在基底上，所以可以最大程度地利用封裝的空間。因此，可以提供能夠最大程度地減少其尺寸并有效地去,電和噪聲的電子零件封裝。圖1是示出相關(guān)技術(shù)的LED封裝結(jié)構(gòu)的視圖2和3^一相關(guān)技術(shù)的使用陶瓷基底的LED封裝的橫截面視圖4和5是示出圖2B所示的LED封裝和圖3所示的LED封裝的模擬結(jié)果的表格。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的電子零件封裝的橫截面視圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電子零件封裝的橫截面視圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的電子零件封裝的橫截面視圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的電子零件封裝的橫截面視圖IO是圖示圖9所示的內(nèi)電極的例子的平面圖ll是圖示圖9所示的內(nèi)電極的另一例子的平面圖12是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的電子零件封裝的橫截面視圖13是圖示圖6至8所示的電子零件封裝的問題的視圖14是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的電子零件封裝的橫截面視圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的電子零件封裝的橫截面視圖16是根據(jù)本發(fā)明的第八實施例的電子零件封裝的橫截面視圖17是示出圖14所示的電子零件封裝和圖15所示的電子零件封裝的模擬結(jié)果的表格；圖18是根據(jù)本發(fā)明的任一實施例的進行排列的電子零件封裝的等效電路圖19是根據(jù)本發(fā)明的任一實施例的進行排列的電子零件封裝的平面圖20是示出圖19所示的修改的LED器件排列形狀的視圖；圖21是示出圖19中排列三個LED器件的部分的橫截面圖；圖22是圖21所示的金屬翼片的修改的視圖；以及圖23是圖示形成內(nèi)電路圖案的方法的視圖。具體實施例方式在下文中，參考附圖來描述才艮據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的電子零件封裝。使用發(fā)光二極管的半導(dǎo)體封裝亦即LED封裝將作為電子零件封裝的最佳實施例在下面進行描述。(第一實施例)圖6是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LED封裝的橫截面視圖。圖6所示的LED封裝包括芯片型LED器件32;下陶資基底35，LED器件32安裝在其上；上陶瓷基底40,其設(shè)置在下陶瓷基底35上，并且在與LED器件32安裝在其中的區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域中包括具有預(yù)定形狀的空腔；圖案電極34和36，其形成在下陶瓷基底35上；以;S^^射板44(可以被稱為反射膜)，其提供在上陶資基底40中形成的空腔的內(nèi)表面上，以致包圍LED器件32。懸掛在上陶資基底40上端的突起44a形成在反射板44的上端。只要LED器件32可以密集地安裝在基底上，下陶瓷基底35可以是任何基底。例如，下陶瓷基底35可以由氧化鋁、石英、鋯酸釣、鎂皿石、SiC、石墨、熔融石英、多鋁紅柱石、堇青石、氧化鋯、氧化鈹、氮化鋁、LTCC(低溫共燒陶瓷)等制成。下陶瓷基底35的材料不限于特定材料。下陶瓷基底35由圖6中的一個陶瓷片(綠色的片)形成，但是實際上可以通過層壓多個陶瓷片來形成。上陶瓷基底40也可以由與下陶瓷基底35相同的材料制成。如圖6所示，反射板44的突起44a在某種程度上懸掛在上陶瓷基底40的上表面上。這樣做的原因是擴大暴露到外部的突起44a的面積，以便提高散熱效果。突起44a可以以覆蓋上陶瓷基底40的整個上表面的形狀來形成。如上所述，考慮到散熱效果和封裝體的形狀，可以用不同的方式修改突起44a的形狀。此外，顯然，上述修改落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。上述反射板44可以用作通過突起44a來有效^iL從LED器件32所產(chǎn)生的熱的裝置。具有預(yù)定內(nèi)傾角(例如10至45。的角度，其需要易于散熱)的空腔在下陶資基底35的下表面(即與LED器件的安裝區(qū)域相對應(yīng)的部分)上形成。在下陶瓷^^底35的下表面上所形成的空腔可以具有不同的形狀。優(yōu)選地以錐形圓柱的形狀來形成空腔。多個散熱通孔50a、50b和50c形成在下陶瓷基底35的上表面上形成的發(fā)光器件安裝區(qū)域和下陶資基底35的下表面上形成的空腔之間。多個散熱通孔50a、50b和50c以垂直的方向形成并且彼此分開。由散熱片制成的傳熱部件38(即38a、38b和38c)被填充在多個散熱通孔50a、50b和50c中。多個散熱通孔50a、50b和50c可以^L形成以具有圓形的、四邊形的或多邊形的橫截面。雖然在圖6中散熱通孔50a、50b和50c的數(shù)目是3，但是散熱通孔的數(shù)目可以是3以上，并被集成為一個孔。多個散熱通孔50a、50b和50c中的中間散熱通孔50b具有大于或等于LED器件32的尺寸的直徑。因為從LED器件32所產(chǎn)生的熱首先并主要被傳導(dǎo)到散熱通孔50b的位置，所以具有大于或等于LED器件32的尺寸的直徑的散熱通孔50b形成在LED器件32的下方。如果從LED器件32所產(chǎn)生的熱不被^有效的M到外部，則LED器件32的溫度增加，其引起LED器件32惡化。因此，發(fā)光效率降低，從而引起LED器件的壽命縮短。為此，散熱通孔50b形成在LED器件32的下方以便iSi4散熱。散熱通孔50a和50c中的每個可以具有大于或小于LED器件32的尺寸的直徑。例如，當(dāng)排列多個LED器件32時，散熱通孔50b和傳熱部件38b形成在每個LED器件32的下方。此外，散熱通孔50a和50c與傳熱部件38a和38c提供在散熱通孔50b和傳熱部件38b的周圍，使得從LED器件32中的每個所產(chǎn)生的熱i^地歉良到外部。圖案電極34和36由彼此分開的陽極電極34和陰極電極36構(gòu)成。陽極電極34形成在下陶資基底35的上表面上。陽極電極34與散熱通孔50a的輪廓分開，使得陽極電極34與形成在LED器件的安裝區(qū)域中的陰極電極36絕緣。陽極電極34還形成在下陶資基底35的下表面上。形成在下陶瓷基底35的下表面上的陽極電極34可以4下陶瓷基底35的上表面上形成的陽極電極34延伸?？商孢x地，如果可以電連接到在下陶瓷基底35的上表面上形成的陽極電極34，則在下陶瓷基底35的下表面上形成的陽極電極34可以與在下陶資基底35的上表面上形成的陽極電極34分開。陰極電極36在與陽極電極34相對的方向上形成。陰極電極36覆蓋散熱通孔50a、50b和50c的上開口以及在下陶乾基底35上形成的空腔的內(nèi)表面。為此，根據(jù)第一實施例，LED器件32安裝在陰極電極36上。LED器件32通過引線42電連接到陽極電極34和陰極電極36。雖然未示出，但是LED器件32可以通過絕緣材料與陰極電極36絕緣，并且諸如Ag環(huán)氧樹脂的導(dǎo)電材料可以插入到LED器件32和陰極電極36之間。必要時陰極可以替代陽極電極34而陽極則可以替代陰極電極36。在這種情況下，驅(qū)動功率以反向施加到陽極和陰極。由諸如Cu或Al的導(dǎo)電材料形成的散熱片46被填充在形成于下陶瓷基底35的下表面的空腔中。散熱片46用作熱沉。如果散熱片46直接填充在由陶瓷制成的空腔中，則散熱片46很難附著到空腔。為此，在下陶乾基底35的下表面上形成的空腔的內(nèi)表面覆蓋有陰極電極36。當(dāng)在下陶資基底35的下表面上形成的空腔內(nèi)表面覆蓋有由金屬材料制成的陰極電極36時，可以提高散熱片46的粘附性。當(dāng)在下陶瓷基底35的下表面上形成的空腔以錐形圓柱的形狀形成時，空腔的內(nèi)徑Dl例如為1.Omm以上，并且空腔的外徑D2例如為3.5咖以下。這些是針對具有5x5mm尺寸的LED器件的示例數(shù)據(jù)。根據(jù)要被安裝的LED器件32的尺寸來修改空腔的形狀和尺寸。對于具有3x3腿尺寸的LED器件32,在下陶乾基底35的下表面上形成的空腔的內(nèi)徑Dl可以例如為0.3mm以上，并且空腔的外徑D2可以例如為2.Omm以下，以<更散熱片46用作熱沉。同時，反射板44的下端Mt與陽極電極34和陰極電極36分開。反射板44與圖案電極34和36絕緣。優(yōu)選地，反射板44與圖案電極34和36之間的縫隙盡可能小，以防止從LED器件32的側(cè)面發(fā)射出的光在上陶瓷基底40的主體中被吸收(泄漏)。隨著縫隙變得更小，在上陶瓷基底40的主體中吸收的光量下降。結(jié)果，光的亮度增加。根據(jù)第一實施例，因為散熱片和傳熱部件形成在下陶乾基底中，可以迅速散發(fā)從LED器件所產(chǎn)生的熱。結(jié)果，LED器件的熱應(yīng)力被最小化，從而LED器件穩(wěn)定運行。(第二實施例)圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LED封裝的橫截面視圖。當(dāng)根據(jù)第二實施例的LED封裝結(jié)構(gòu)與根據(jù)第一實施例的LED封勤目比較時，第二實施例不同于第一實施例之處在于反射板44與陽極電極34連接。反射板44的下端連接到陽極電極34，以便防止從LED器件32發(fā)射出的光的損失。集成反射板44和陽極電極34的方法未被指定，并且對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言容易理解而不用另外i兌明。因為在圖7中，反射板44的下端連接到陽極電極34，所以第二實施例在陽極電極34和陰極電極36的結(jié)構(gòu)方面不同于第一實施例。參考圖7,陽極電極34形成在下陶乾基底35的上表面的兩端。陰極電極36在下陶瓷基底35的上表面上形成的LED器件的安裝區(qū)域中形成。在下陶瓷基底35的上表面上形成的陰極電極36與在下陶瓷基底35的上表面上形成的陽極電極34分開。陰極電極36形成在空腔的內(nèi)表面上，所述空腔在下陶瓷基底35的下表面上形成，并且在散熱通孔50a、50b和50c的下方。才艮據(jù)第二實施例，可以獲得與第一實施例相同的效果。此外，因為與第一實施例相比光損失降低，所以可以提高亮度。(第三實施例)圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的LED封裝的橫截面視圖。當(dāng)根據(jù)第三實施例的LED封裝與根據(jù)第二實施例的LED封裝比較時，第三實施例在陰極電極36的結(jié)構(gòu)上不同于第二實施例，并且在LED封裝中提^^r屬部件52。參考圖8，陰極電極36水平地形成在下陶資基底35的上表面上形成的LED器件的安裝區(qū)域中。陰極電極36覆蓋傳熱部件38的上表面。陰極電極36的一端在垂直方向上向下延伸到下陶瓷基底35中預(yù)定的長度，并且在水平方向上向下陶乾基底35的外表面延伸。然后，陰極電極36的一端沿著下陶資基底35的外表面向下延伸，以便形成在下陶瓷基底35的下表面上。參考圖8，金屬部件52形成在下陶瓷基底35的下表面上形成的空腔的內(nèi)表面上。金屬部件52的兩端與在下陶乾基底35的下表面上形成的陽極電極34和陰極電極36分開。在這種情況下，與第一和第二實施例一樣，金屬部件52具有與下陶瓷基底35的下表面上形成的空腔的內(nèi)表面上形成的陰極電極36相同的功能。雖然在圖8中金屬部件52與陽極電極34和陰極電極36分開，但是金屬部件52可以連接到陽極電極34或陰極電極36。根據(jù)第三實施例，可以獲得與第一實施例相同的效果。此外，因為與第一實施例相比光損失降低，所以可以提高亮度。(第四實施例)圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的LED封裝的橫截面視圖。圖10是圖示圖9所示的內(nèi)電極的例子的平面圖。圖ll是圖示圖9所示的內(nèi)電極的另一個例子的平面圖。如圖9所示的LED封裝包括下陶資基底35和上陶瓷基底40。芯片型LED器件32安裝在下陶資基底35的上表面上形成的發(fā)光器件安裝區(qū)域中。第一外電極(陽極)34和第二外電極(陰極)36形成在下陶資基底35中，就像在第四實施例中一樣。LED器件32安裝在第二外電極36上。LED器件32通過引線42電連接到第一外電極34和第二外電極36。雖然未示出，但是LED器件32可以通過絕緣材料與第二外電極36絕緣。第一外電極34是陽極，且第二外電極36是陰極。當(dāng)然，其極性也可以顛倒。上陶瓷基底40設(shè)置在下陶瓷基底35上。上陶資基底40在與安裝LED器件32的區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域中包括具有預(yù)定傾角的空腔。在上陶瓷基底40中形成的空腔的內(nèi)表面上提供反射板44,以便包圍LED器件32。下陶瓷基底35和上陶瓷基底40可以被稱為基底。優(yōu)選地，下陶資基底35由包括以Zn0為主要材料的變阻器材料制成。預(yù)定氧化物被加入到變阻器材料以形成下陶瓷基底35。Zn0的含量和要被加入的氧化物的類型和含量示出在表1和2中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>此外，當(dāng)下陶資基底35分別由基于LTCC、Al203和ZnO的變阻器制成時，下陶瓷基底35的熱導(dǎo)率和LED器件的下端的溫度示出在表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>如上所述，如果下陶乾基底35由包括以ZnO作為主要成分的變阻器材料制成，則可以由于變阻器的高熱導(dǎo)率而迅速歉發(fā)來自下陶瓷基底的熱。因此，可以降低根據(jù)本發(fā)明的電子零件封裝的溫度。特別地，根據(jù)第四實施例，下陶乾基底35由具有高熱導(dǎo)率的變阻器片形成。由于這個原因，用于制造下陶瓷基底的過程被簡化，并且與第一至第三實施例相比，其可以更i5tii地散熱。通孔50形成在LED器件的安裝區(qū)域下方的下陶資基底35中，以便具有比LED器件32的尺寸更大的尺寸。通孔50在垂直方向上貫穿下陶瓷基底35。由諸如金屬的導(dǎo)電材料(例如Ag骨)制成的傳熱部件38填充在通孔50中。傳熱部件38填充在其中的通孔50可以被形成以具有圓形、四邊形或多邊形橫截面。例如，當(dāng)以圓柱形的形狀形成通孔50時，才艮據(jù)通孔50的直徑來改變LED器件32的溫度，如表4所示。下面的表4示出當(dāng)1W的電功率施加到其上的LED封裝達到熱平衡時的LED器件(即LED芯片)的下端的溫度。因此，考慮到半導(dǎo)體封裝的尺寸和光學(xué)特性，通孔50被形成以具有適當(dāng)?shù)闹睆?。?<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>LED器件32所產(chǎn)生的大部分熱首先傳導(dǎo)到下陶資^&底35中的LED器件的安裝區(qū)域下方的部分。因此，傳熱部件38形成在下陶瓷基底35中的LED器件的安裝區(qū)域下方，使得可以i5^地lfciL從LED器件32所產(chǎn)生的熱。例如，當(dāng)排列多個LED器件32時，優(yōu)選地傳熱部件38形成在每個LED器件32之下。下陶資基底35包括第一內(nèi)電極52和第二內(nèi)電極54。第一內(nèi)電極52的一端連接到第一外電極34，并且第一內(nèi)電極52的另一端設(shè)置朝向第二外電極36。第二內(nèi)電極54的一端連接到第二外電極36,并且第二內(nèi)電極54的另一端設(shè)置朝向第一外電極34。下陶資基底35中的變阻器電壓與第一內(nèi)電極52和第二內(nèi)電極54之間的距離成比例地增加。下陶資基底35中的變阻器電容與第一內(nèi)電極52與第二內(nèi)電極54重疊的部分的面積成比例地增加。即，可以通過使用內(nèi)電極52和54之間的距離來調(diào)整變阻器的特性。當(dāng)內(nèi)電極52和54的數(shù)目增加時，可以調(diào)整變阻器的電容。內(nèi)電極52和54在圖9中成對地形成。然而，內(nèi)電極的數(shù)目不受P艮制，并且可以取決于變阻器的特性和電容而變化。在圖9中，內(nèi)電極52和54之間的距離優(yōu)選地小于設(shè)置在內(nèi)電極52和54上方或下方的外電極34和36之間的距離，以去除不希望有的寄生元件。由諸如玻璃的絕緣材料制成的絕緣層47形成在上陶資基底40的上表面上。絕緣層47還形成在第一外電極34和第二外電極36之間。當(dāng)根據(jù)第四實施例的電子零件封裝,&面安裝在印刷電路板上時，預(yù)先鍍印刷電路板以執(zhí)行焊接。變阻器是半導(dǎo)體材料，并且在4t^Mt期間將變阻器的表面轉(zhuǎn)變成導(dǎo)體。為此，鍍層形成在第一外電極34和笫二外電極36之間的變阻器的表面上，這造成短路。因此，絕緣層47形成在上陶資基底40的表面上以及第一外電極34和第二外電極36之間以防止短路。絕緣層47可以由任何材料制成，只要絕緣層47很好地附著到下陶瓷基底35和上陶瓷基底40，并且在鍍操作期間不被鍍液腐蝕，而且對與從LED器件32所發(fā)出的ibf目對應(yīng)的顏色顯示沒有影響。參考圖10來描述第一內(nèi)電極52和第二內(nèi)電極54的結(jié)構(gòu)。如圖10A所示，在下陶乾基底35中，第一內(nèi)電極52的一端連接到第一外電極(未示出)，并且朝向第二外電極(未示出)取向第一內(nèi)電極52的另一端。第一內(nèi)電極52的另一端被形成以包圍通孔50。如圖10B所示，在下陶乾基底35中，第二內(nèi)電極54的一端連接到第二外電極(未示出)，并且朝向第一外電極(未示出)取向第二內(nèi)電極54的另一端。第二內(nèi)電極54的另一端被形成以包圍通孔50。因此，當(dāng)?shù)谝粌?nèi)電極52層壓在第二內(nèi)電極54上時，如圖10C所示，第一內(nèi)電極52的另一端和第二內(nèi)電極54的另一端彼此交疊。在圖10中，為了易于說明，通孔50被示出具有四邊形橫截面，并且內(nèi)電極52和54的另一端中的每個被示出具有其中心處具有開口的四邊形橫截面。如果通孔50具有圓形橫截面，則內(nèi)電極52和54的另一端中的每個具有在其中心處具有開口的圓形橫截面。內(nèi)電極52和54的另一端中的每個的開口具有比通孔50的直徑大的直徑。參考圖11來描述第一內(nèi)電極52和第二內(nèi)電極54的另一結(jié)構(gòu)。如圖IIA所示，在下陶瓷基底35中，第一內(nèi)電極52的一端連接到第一外電極(未示出)，并且朝向第二外電極(未示出)取向第一內(nèi)電極52的另一端。第一內(nèi)電極52的另一端與通孔50分開。即，在片型變阻器材料層上將第一內(nèi)電極52圖案化。在圖11A中，在變阻器材料層的一角處將第一內(nèi)電極52圖案化。如圖11B所示，在下陶資基底35中，第二內(nèi)電極54的一端連接到第二外電極(未示出)，并且朝向第一外電極(未示出)取向內(nèi)電極54的另一端。第二內(nèi)電極54的另一端與通孔50分開。即，在片型變阻器材料層上將第二內(nèi)電極54圖案化。在圖IIB中，在變阻器材料層的一角處將第二內(nèi)電極54圖案化。只要第一和第二內(nèi)電極52和54與通孔50分開，第一和第二內(nèi)電極52和54中的每個可以具有與圖11所示的形狀不同的形狀。當(dāng)?shù)谝粌?nèi)電極52層壓在第二內(nèi)電極54上時，第一內(nèi)電極52的另一端和第二內(nèi)電極54的另一端彼此交疊，如圖11C所示。當(dāng)如圖10和11所示的內(nèi)電極52和54彼此比較時，如圖IO所示的內(nèi)電極52和54中的每個具有比如圖11所示的內(nèi)電極52和54中的每個的表面面積大的表面面積。因此，從如圖10所示的內(nèi)電極52和54所獲得的電容比從如圖11所示的內(nèi)電極52和54所獲得的電容大。如果內(nèi)電極52和54太靠近通孔50，則當(dāng)通過填充在通孔50中的傳熱部件38散熱時，熱對內(nèi)電極52和54有影響。為此，在圖10和圖11所示的結(jié)構(gòu)中，內(nèi)電極52和54以預(yù)定距離與通孔50分開。如果由于從LED器件32所散發(fā)的熱而使溫度為60匸以上，則變阻器的IV特性顯著惡化。為此，最優(yōu)選的是，在第一內(nèi)電極52和第二內(nèi)電極54之間提供的層(反映變阻器電壓的區(qū)域)被定位在由于從LED器件32所散發(fā)的熱而使溫度為60匸以下的位置。此外，由于從LED器件32所散發(fā)的熱而使溫度為60■€以下的位置可以通過使用傳熱模擬或熱成像攝影機來確定。同時，優(yōu)選地，上陶資基底40由與下陶瓷基底35相同的材料制成。在上述第四實施例中，傳熱部件38可以被形成以具有與第一至第三實施例的傳熱部件38相同的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，內(nèi)電極52和54應(yīng)當(dāng)被修改，這可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地進行。根據(jù)第四實施例，因為封裝由變阻器材料制成，所以封裝具有變阻器的電特性。因為這個原因，從LED器件所散發(fā)的熱由于傳熱部件和變阻器的熱導(dǎo)率而i2^歉&到外部。因為基底具有變阻器的電特性，所以可以有效地防止靜電而不需要分開的齊納二極管或變阻器。下陶瓷基底和上陶瓷基底由相同的變阻器材料制成。為此，下陶瓷基底和上陶瓷基底在烘焙過程期間以相同的收縮比來收縮，并且彼此附著。結(jié)果，可以提高產(chǎn)品的可靠性。因為根據(jù)第四實施例的LED封裝具有比根據(jù)第一至第三實施例的LED封裝的結(jié)構(gòu)更筒單的結(jié)構(gòu)，所以制造根據(jù)第四實施例的LED封裝的方法被簡化。為此，可以提高產(chǎn)量并且減少制造成本。(第五實施例)圖12是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的LED封裝的橫截面視圖。根據(jù)第五實施例的LED封裝基本上具有與根據(jù)第四實施例的LED封裝相同的結(jié)構(gòu)。因此，通it^目同的附圖標(biāo)記來指示與第四實施例的要素相同的要素，并且省略其詳細(xì)的說明。根據(jù)第五實施例的下陶瓷基底35的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與根據(jù)第四實施例的下陶瓷基底35的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同。根據(jù)第五實施例，具有預(yù)定內(nèi)傾角(例如10至45。的角度，其要求易于散熱)的空腔60形成在下陶資基底35的下表面(即與LED器件的安裝區(qū)域相對應(yīng)的部分)上。由諸如Cu或Al的導(dǎo)電材料形成的散熱片46被填充(埋)在空腔中。傳熱部件38被提供在LED器件的安裝區(qū)域和空腔60之間。圖12所示的第一和第二內(nèi)電極52和54中的每個具有與圖IO或11所示的相同結(jié)構(gòu)。即，在圖12中，在與通孔50正交的方向上提供的第一和第二內(nèi)電極52和54的另一端包圍通孔50，與圖10—樣，或者與通孔50分開，與圖11一樣。此外，在圖12中，在與空腔60正交的方向上提供的第一和第二內(nèi)電極52和54的另一端包圍空腔60，與圖10—樣，或者與空腔60分開，與圖11一樣。在圖12中，可以僅在與通孔50正交的方向上形成內(nèi)電極52和54?？商孢x地，可以僅在與空腔60正交的方向上形成內(nèi)電極52和54。在上述的第五實施例中，傳熱部件38可以被形成以具有與第一至第三實施例的傳熱部件38相同的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，內(nèi)電極52和54應(yīng)當(dāng)被修改，這可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地進行。才艮據(jù)第五實施例，可以獲得與第四實施例相同的效果，并且與第四實施例相比，可以更加迅速地散熱。在描述其它實施例之前，將i兌明第一至第三實施例的問題。在如第一至第三實施例所描述的通孔38a、38b和38c形成在下陶瓷基底的結(jié)構(gòu)中，難以在通孔填充期間保證基底的平坦度。即，Ag環(huán)氧樹脂一般用于將LED器件結(jié)合到封裝。因為Ag環(huán)氧樹脂具有大約3W/mk的低熱導(dǎo)率，所以Ag環(huán)氧樹脂不適于結(jié)合大功率LED器件。另外，如果在通孔填充期間通孔沒有充分地填充材料，則在通孔中形成空腔，如圖13A所示，或者如果通孔被過多地填充材料，則材料從通孔突出，如圖13B所示。因為第四和第五實施例中的每個具有其中用預(yù)定的材料填充通孔的結(jié)構(gòu)，所以上述問艱良生在第四和第五實施例中。根據(jù)上述的通孔填充結(jié)構(gòu)，基底中具有通孔部分的平坦度不適于執(zhí)行共晶結(jié)合或倒裝芯片結(jié)合。為此，在本發(fā)明的第六和第七實施例中提出能夠i5^散熱而沒有通孔填充結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。(第六實施例)圖14是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的LED封裝的橫截面視圖。根據(jù)第六實施例的LED封裝通過焊接而M面安裝在金屬PCB(未示出)的電路圖案(由銅等制成的薄圖案)上。根據(jù)第六實施例的LED封裝包括下陶資基底35和上陶瓷基底40。彼此分開的圖案電極34和36形成在下陶瓷基底35上。LED器件32安裝在下陶資基底35的LED器件安裝區(qū)域上。用插入在其間的模片結(jié)合樹脂(未示出)將LED器件32提供在圖案電極34和36中的一個(在圖14中為陰極電極36)上。下陶瓷基底35具有高的熱導(dǎo)率(例如50至100W/mK)。下陶瓷基底由其中在A1N、BN和BeO中之一中添加用于LTCC的玻璃的材料制成，以具有上述的熱導(dǎo)率?？商孢x地，下陶瓷基底可以由其中在基于ZnO的變阻器材料中添加A1N、BN和BeO中之一的材料制成。此外，下陶瓷基底可以由其中在基于Mg0的材料中添加A1N、BN和Be0中之一的材料制成。A1N具有180W/mK的熱導(dǎo)率，并且應(yīng)該在還原氣氛中(以高的燒結(jié)溫度)燒結(jié)。因此，如果在不添加用于LTCC的玻璃的情況下同時燒結(jié)A1N和Ag，則難以形成內(nèi)電極。BN具有50W/mK的熱導(dǎo)率，并且應(yīng)該在還原氣氛中(以高的燒結(jié)溫度)燒結(jié)。因此，如果BN和Ag在沒有添加用于LTCC的玻璃的情況下同時被燒結(jié)，則難以形成內(nèi)電極。BeO具有210W/mK的熱導(dǎo)率并且應(yīng)該(以高的燒結(jié)溫度)燒結(jié)。因此，如果BeO和Ag在沒有添加用于LTCC的玻璃的情況下同時被燒結(jié)，則難以形成內(nèi)電極。如果預(yù)定量的玻璃和預(yù)定量的A1N、BN或BeO彼此混合，則A1N、BN或BeO的燒結(jié)溫度降低直到大約900匸。因此，可以同時燒結(jié)形成內(nèi)電極的Ag和AlN、BN或BeO,并且下陶瓷基底具有50至100W/mK范圍內(nèi)的熱導(dǎo)率。此外，如果AlN、BN和BeO中的一種加入到基于ZnO的變阻器材料中，則可以同時燒結(jié)形成內(nèi)電極的AgPd和A1N、BN或BeO。基于ZnO的變阻器材料的主要成分是ZnO。此外，Bi力3或Sb203加入到基于ZnO的變阻器材料中作為燒結(jié)劑，以^更在大約IOOO"C燒結(jié)基于ZnO的變阻器材料。如果當(dāng)A1N、BN和BeO中的一種加入到基于ZnO的變阻器材料中時，A1N、BN或BeO的含量大于預(yù)定臨界值(例如60%)，則基于ZnO的變阻器材料的變阻器特性在燒結(jié)之后消失。為此，應(yīng)該將A1N、BN或BeO的含量調(diào)整為小于預(yù)定臨界值以便允許基于ZnO的變阻器材料具有50至100W/mK范圍內(nèi)的熱導(dǎo)率和變阻器特性。同時，如果不需要允許基于ZnO的變阻器材料具有變阻器特性，則可以將A1N、BN或BeO的含量調(diào)整為大于預(yù)定臨界值。用于制造下陶瓷基底35的過程類似于用于制造變阻器的常規(guī)過程。例如，諸如81203或SW)3的添加劑和A1N、BN和BeO中之一添加到ZnO粉末中以便將ZnO粉末的成分調(diào)整為所期望的成分。當(dāng)水或酒精用作溶劑時，成分被調(diào)整為所期望成分的ZnO粉末被球磨研磨24個小時以準(zhǔn)備原料粉末。相對于原*末大約為6wtW的用作添加劑的PVB粘合劑溶解在基于甲苯/酒精的溶液中，并且將該溶液混合到準(zhǔn)備好的原料粉末中以制備成形片。此后，通過小的球磨機將溶解在溶液中的原料粉末和粘合劑研磨并混合24個小時以便制造漿液。通過使用刮刀法等來制造具有期望厚度的成形片。通過使用諸如絲網(wǎng)印刷的制造厚膜的方法或諸如'減射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法或溶膠凝膠涂敷法的制造薄膜的方法將諸如Ag、Pt或Pd的導(dǎo)電骨施加到成形片上，以l更制造內(nèi)電極形成在其上的多個片。然后，順序地層壓和壓縮多個片。此后，對片進行沖壓、切削、烘焙和燃燒處理以制造具有期望厚度的下陶瓷基底35。用于形成下陶瓷基底35的片的數(shù)目取決于下陶瓷基底35的厚度。如上所述，原料通過使用刮刀法而被造型，然后根據(jù)用于制造變阻器的常規(guī)工藝來層壓。結(jié)果，可以形成下陶瓷基底35。當(dāng)原料被造型時，可以將厚度變化控制在0至lnm的范圍內(nèi)。因此，可以保證基底的表面平坦度，這使得可以執(zhí)行倒裝芯片結(jié)合或共晶結(jié)合。在LED器件32的下表面上使用諸如藍寶石或SiC的材料。諸如藍寶石或SiC的材料的熱膨脹系數(shù)類似于下陶瓷基底35的熱膨脹系數(shù)。因此,當(dāng)如圖3所示LED器件直接安^金屬上時，與此相比較非常穩(wěn)定。在下陶瓷基底35的下表面上的中心部分形成凹槽。金屬散熱片46插入到凹槽中。優(yōu)選地，具有大約350W/mK的熱導(dǎo)率的Cu片用作散熱片46。散熱片46附著到通過同時燒結(jié)下陶資基底35和上陶瓷基底40所形成的封裝體。在這種情況下，封裝體意味著具有空腔的上陶瓷基底40和沒有散熱片46的下陶瓷基底35彼此附著。雖然沒有詳細(xì)描述用于形成封裝體的過程，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言明顯的是通過>^的制造過程形成封裝體。為了將散熱片46附著到封裝體，首先在封裝體的下表面(即下陶瓷基底35的下表面)上形成在其中插入散熱片46的空間。然后，將散熱片46插入到該空間中。在這種情況下，焊料被點在散熱片46的上表面上，并且散熱片46插入到該空間中。然后，加熱散熱片46和下陶瓷基底35以便彼此附著。焊料用于減少散熱片46和下陶瓷基底35之間的結(jié)合強度以及其間界面的熱阻。如果下陶資基底35不是由變阻器材料形成，而是由諸如氧化鋁或LTCC的常規(guī)陶瓷材料形成，則將Ag鍍在散熱片46和下陶瓷基底35之間的接觸表面上，以提高常規(guī)陶瓷基底與散熱片46之間的結(jié)合性質(zhì)，然后在其上鍍Ni或Ag(Ni或Sn)，以提高對焊料的粘附性。另夕卜，因為如圖14所示的散熱片46是Cu片，所以散熱片46對焊料粘附性不足。因此，使用Ni或Ag(Ni或Sn)來鍍散熱片46，然后再使用該散熱片46。上陶瓷基底40設(shè)置在下陶瓷基底35上。上陶瓷基底40在與安裝LED器件32的區(qū)域相對應(yīng)的區(qū)域中包括空腔。反射板44提供在上陶瓷基底40中形成的空腔的內(nèi)表面上。懸掛在上陶瓷基底40上端的突起44a形成在反射板44的上端。上陶瓷基底40由與下陶瓷基底35相同的材料制成。在第六實施例中，Cu片用作散熱片46。具有大約1000W/mK的熱導(dǎo)率的鉆石片也可以用作散熱片46。鉆石片的熱導(dǎo)率才艮據(jù)用于制造鉆石片的技術(shù)而具有偏差。根據(jù)第六實施例，因為基底具有高的熱導(dǎo)率，所以LED器件和從其散熱的最終部分之間的熱阻下降。因為這個原因，與第一至第五實施例相比，從LED器件散發(fā)的熱更迅速地M到外部。此外，可以執(zhí)行共晶結(jié)合和倒裝芯片結(jié)合以便結(jié)合LED器件。(第七實施例)圖15是根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的LED封裝的橫截面視圖。當(dāng)根據(jù)第七實施例的LED封裝與根據(jù)第六實施例的LED封*^目比較時，第七實施例在下陶瓷基底35的結(jié)構(gòu)方面不同于第六實施例。在下面的第七實施例的說明中，僅描述下陶資基底35。其它說明與上述第六實施例的那些相同。才艮據(jù)第七實施例，下陶瓷基底35由兩個以上的片層形成。在圖15中，第一片層35a層壓在第二片層35b上。然而，必要時可以層壓更多的片層。第一片層35a的熱導(dǎo)率(例如在50至100W/mK的范圍內(nèi))高于第二片層35b的熱導(dǎo)率。下陶瓷基底35具有高的熱導(dǎo)率(例如在50至100W/mK的范圍內(nèi))。下陶瓷基底由其中用于LTCC的玻璃加入到A1N、BN和BeO中之一的材料制成，以具有上述熱導(dǎo)率?？商孢x地，下陶乾基底可以由其中A1N、BN和BeO中之一加入到基于ZnO的變阻器材料中的材料制成。第六實施例中所描述的用于制造下陶瓷基底的過程用于制造第一片層35a。優(yōu)選地，第一片層35a盡可能地薄，以保證^mC來自LED器件32的熱以及執(zhí)行共晶結(jié)合(或倒裝芯片結(jié)合)所需的基底的表面平坦度。例如，在具有5x5mm尺寸的基底的情況下，優(yōu)選的是第一片層35a的厚度在0.1至0.2mm的范圍內(nèi)?？梢钥紤]的是第一片層35a變得更薄。然而，如果第一片層35a過薄，則在燒結(jié)期間不可能保證第一片層35a的強度和第一片層35a的平坦度。才艮據(jù)第七實施例，第一片層35a比第二片層35b薄，使得熱更迅速地傳導(dǎo)到第二片層35b的散熱片46。原料通過使用刮刀法而被造型，然后根據(jù)用于制造變阻器的常規(guī)工藝來層壓。結(jié)果，可以形成下陶乾基底35a。當(dāng)原料被造型時，可以將片厚度變化控制在0至1|im的范圍內(nèi)。因此，可以保證基底的表面平坦度,其使得可以執(zhí)行倒裝芯片結(jié)合或共晶結(jié)合。特別地，在LED器件32的下表面上使用諸如藍寶石或SiC的材料。諸如藍寶石或SiC的材料的熱膨脹系數(shù)類似于第一片層35a的熱膨脹系數(shù)。此外，第一片層35a的熱膨脹系數(shù)是金屬的熱膨脹系數(shù)的10%。因此，與如圖3所示的LED器件直接安^fr金屬上時的情況相比較，本實施例的情況非常穩(wěn)定。散熱片46貫穿第二片層35b的中心部分。優(yōu)選地，具有大約250W/mK的熱導(dǎo)率的Cu片用作散熱片46。第二片層35b可以由氧化鋁、石英、鋯酸鉤、鎂皿石、SiC、石墨、熔融石英、多鋁紅柱石、堇青石、氧化鋯、氧化鈹、氮化鋁、變阻器材料、LTCC(低溫共燒陶瓷)等制成。在第六實施例中的附著散熱片46的方法用作第七實施例中的附著散熱片46的方法。在第七實施例中，Cu片用作散熱片46。具有大約1000W/mK的熱導(dǎo)率的鉆石片也可以用作散熱片46。鉆石片的熱導(dǎo)率才艮據(jù)用于制造鉆石片的技術(shù)而具有偏差。在第七實施例中，下陶瓷基底35由第一片層35a和第二片層35b形成，以便通過使用具有高傳導(dǎo)率的第一片層35a來保證基底的表面平坦度，并且將從LED器件32產(chǎn)生的熱通過第二片層35b的散熱片46i^it散發(fā)到外部。才艮據(jù)第七實施例，具有高熱導(dǎo)率的第一片層由其中A1N、BN和BeO中之一加入到變阻器材料的材料制成。此外，第一片層形成在基底中，并且散熱片插入在第一片層下方。因為這個原因，可以減少LED器件和從其散熱的最終部分之間的熱阻。結(jié)果，可以將從LED器件歉&的熱i^il地散發(fā)到外部。另外，可以執(zhí)行共晶結(jié)合或倒裝芯片結(jié)合以便將LED器件結(jié)合到封裝。(第八實施例)圖16是根據(jù)本發(fā)明的第八實施例的電子零件封裝的橫截面視圖。第八實施例是第六和第七實施例的修改。第八實施例不同于第六和第七實施例之處在于在LED器件的安裝區(qū)域和散熱片46之間提供鉆石片49。純鉆石具有大約2000W/mK的熱導(dǎo)率。用于第八實施例的鉆石片49由工業(yè)鉆石制成。在制造鉆石片49的過程器件雜質(zhì)被加入到鉆石片49中，4吏得鉆石片49由具有大約1000W/mK的熱導(dǎo)率的CVD鉆石形成。CVD鉆石是多晶鉆石，其通過使用諸如等離子體的加熱源和諸如氫或甲烷的氣體在高溫下合成。如果鉆石片49被應(yīng)用，則熱導(dǎo)率增加。結(jié)果，與其它實施例相比，可以將熱更快地歉良到外部。同時，鉆石片49具有大約3xl0-7匸的熱膨脹系數(shù)。銅的熱膨脹系數(shù)為16x1(T7r;。LED器件32的熱膨脹系數(shù)大約為6x1(T7匸。如果使用Cu片而不是圖16中的鉆石片49，則存在下述問題如參考圖3描述的那樣，由于溫度變化(差)，在LED器件32和Cu片的結(jié)合界面處會發(fā)生熱膨脹和收縮。然而，鉆石片49的熱導(dǎo)率顯著高于Cu片的熱導(dǎo)率(銅的熱導(dǎo)率大約為350W/mK)，并且鉆石片49的熱膨脹系數(shù)類似于LED器件32的熱膨脹系數(shù)。為此，可以防止由于溫度變化(差)而使LED器件32分開。才艮據(jù)第六實施例，用于LTCC的玻璃加入到昂貴的A1N、BN或BeO中以使用昂貴的A1N、BN或BeO，使得下陶瓷基底具有50至100W/mK范圍內(nèi)的熱導(dǎo)率。根據(jù)第八實施例，因為使用不昂貴的工業(yè)鉆石而不是用作珠寶的昂貴鉆石，所以可以減少制造成本。根據(jù)第八實施例的鉆石片49的熱導(dǎo)率遠大于根據(jù)上述實施例的傳熱部件38、第一片層35a和散熱片(銅片)46的熱導(dǎo)率。另夕卜，才艮據(jù)第八實施例的鉆石片49的熱膨脹系數(shù)類似于LED器件32的熱膨脹系數(shù)。為此，鉆石片49是具有最卓越的散熱效率并可以防止LED器件分開的最好裝置。根據(jù)第八實施例的鉆石片49被制造如下如果諸如氫或甲烷的氣體被吹入到室(未示出)中，并且然后在高溫下將等離子體施加到該氣體預(yù)定時間，則鉆石片的種晶被形成。在高溫下將等離子體連續(xù)施加到該氣體預(yù)定時間，直到鉆石片的種晶生長并具有所期望的厚度。然后，具有期望厚度的鉆石片的上表面和下表面通過使用鉆石工具來加工，并且通過使用激光器來切削鉆石片以具有所期望的尺寸。例如，將鉆石片切削以具有2x2x0.5大小的尺寸。所切削的鉆石片用作根據(jù)第八實施例的鉆石片49。因為通過使用常規(guī)加工技術(shù)將鉆石片49的厚度變化控制到所期望的范圍，所以可以保證基底的表面平坦度。具有與具有高熱導(dǎo)率的LED器件的熱膨脹系數(shù)類似的熱膨脹系數(shù)的鉆石片49設(shè)置在LED器件32的下方，這使得可以解決上述問題。鉆石片49的制造不限于上述描述。即使當(dāng)制造過程和雜質(zhì)的含量不同時，只要材料具有所期望的熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率，任何材料都可以用作鉆石片49。同時，當(dāng)根據(jù)上述第六和第七實施例的散熱片46由鉆石片形成時，如上所述制造的鉆石片49可以用作散熱片46。下面描述用于制造根據(jù)第八實施例的電子零件封裝的過程。因為在基底制造之后進行的LED器件32的安裝和引線結(jié)合對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言已是眾所周知，所以省略其說明。下陶瓷基底35由兩個層壓的基底形成。具有鉆石片49插入其中的通孔的基底被稱為中間基底，而具有散熱片46插入其中的通孔的基底被稱為下基底?？商孢x地，下陶瓷基底35可以由一個基底形成。在這種情況下，通孔可以在下陶瓷基底35的中心處形成，并且散熱片46和鉆石片49順序地插入到通孔中。在圖16中，散熱片46的寬度大于鉆石片49的寬度。即，在下陶瓷基底35中形成的通孔中形成臺階。這#^的原因是當(dāng)散熱片46插入到通孔中時散熱片46易于與通孔配合。同時，散熱片46的寬度可以等于鉆石片49的寬度。然而，當(dāng)散熱片46的寬度容易地取決于鉆石片49的寬度時，可以進一步提高工作效率。使用制造LTCC的眾所周知的過程來層壓多個陶瓷片，然后在與LED器件的安裝區(qū)域相對應(yīng)的片的部分中形成空腔，從而制造上陶資基底40。使用制造LTCC的眾所周知的過程來層壓多個陶瓷片，并且通過沖壓而在片中形成鉆石片49插入其中的孔，從而制造中間基底。IC#，將圖案電極34和36印刷在中間基底的上表面上，以便彼此分開。在此，因為圖案電極34和36的印刷對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是眾所周知的，所以省略其說明。使用制造LTCC的眾所周知的過程來層壓多個陶瓷片，并且通過沖壓而在片中形成散熱片46插入其中的孔，從而制造下基底。此后，將中間基底層壓在下基底上，并且將上基底層壓在中間基底上。然后層壓的基底被燒結(jié)。隨后，散熱片46從下基底的下表面插入到孔中，并且鉆石片49從中間基底的上表面插入到孔中，以便i^與散熱片46接觸。在這種情況下，Ti、Pt或Au層或者Ti、Pt或Ag層通過鍍和濺射而形成在鉆石片49的上表面和下表面中的每個上，以提高對金屬的粘附性。如上所述完成根據(jù)第八實施例的電子零件封裝。具有不同熱導(dǎo)率的散熱片46和鉆石片49已經(jīng)用于上述第八實施例。然而，可以插入鉆石片49來>(義^^散熱片46。即，鉆石片可以用作由圖16中的附圖標(biāo)記46和49所指示的部分。圖17是示出當(dāng)圖14所示出的LED封裝的熱導(dǎo)率(例如陶瓷封裝的基底的熱導(dǎo)率)被設(shè)置成50W/mK和100W/mK時的模擬結(jié)果以及在圖15所示的電子零件封裝的第二片層35b的熱導(dǎo)率被設(shè)置成25W/mK的同時將其第一片層35b的熱導(dǎo)率i殳置成50W/mK和100W/mK時的模擬結(jié)果的表格。將LED器件中的每個的功耗假定成3W,并且將包圍封裝的空氣的溫度假定成25X:。假定在理想的熱平衡下執(zhí)行該模擬。參考圖17，可以理解圖14所示結(jié)構(gòu)的LED器件和金屬PCB(未示出)之間的熱阻低于圖15所示結(jié)構(gòu)的熱阻。即，圖14所示的結(jié)構(gòu)散熱更快。然而，與圖15所示的結(jié)構(gòu)相比較，需要大量的諸如A1N、BN或BeO的材料來形成具有圖14所示結(jié)構(gòu)的基底。同時，諸如A1N、BN或BeO的材料是昂貴的，并且難以加工諸如A1N、BN或BeO的材料。為此，優(yōu)選地采用圖15所示的結(jié)構(gòu)。圖3所示的封裝結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率高于圖14和15所示的封裝結(jié)構(gòu)的熱導(dǎo)率。將圖3所示的封裝的熱導(dǎo)率i殳置成25W/mK，并且其它條件與上面描述的相同，在進行模擬時，LED器件和金屬PCB(未示出)之間的熱阻大約為2.70"C/W。然而，根據(jù)圖14所示的封裝結(jié)構(gòu)，LED器件和金屬PCB(未示出)之間的熱阻分別為大約4.73匸/W和3.671C/W。此外，根據(jù)圖15所示的封裝結(jié)構(gòu)，LED器件和金屬PCB(未示出)之間的熱阻分別為大約5.5匸/W和3.8匸/W。這意^^未著與圖14和15所示的封裝結(jié)構(gòu)相比，圖3所示的封裝結(jié)構(gòu)可以更快地散熱。然而，如上所述，圖3所示的封裝結(jié)構(gòu)具有的問題在于不適合執(zhí)行共晶結(jié)合或由于熱膨脹系數(shù)的差異而使LED器件分開。因此，實際上，最好不采用圖3所示的封裝結(jié)構(gòu)。為此，優(yōu)選地采用圖14或15所示的封裝結(jié)構(gòu)，其《具有熱阻差，但是可以保證平坦度并且使用具有基本上與LED器件相同的熱膨脹系數(shù)的材料。圖18是根據(jù)本發(fā)明的任一實施例的進行排列的LED封裝的等效電路圖。七個LED器件Ll至L7提供在輸入端子IN和輸出端子OUT之間。彼此串聯(lián)連接的兩個LED器件Ll和L2被稱為第一組。彼此串聯(lián)連接的三個LED器件L3、L4和L5被稱為第二組。彼此串聯(lián)連接的兩個LED器件L6和L7被稱為第三組。組彼此并聯(lián)連接。LED器件L1至L7可以不以組的形式彼此并聯(lián)連接，而是可以分別彼此并聯(lián)連接。一個變阻器VR在輸入端子IN和輸出端子OUT之間與第一至第三組的LED器件Ll至L7并聯(lián)連接。齊納二極管可以代替變阻器VR。噪聲去除電i^供在輸出端子OUT和接地端子GND之間。噪聲去除電路包括彼此串聯(lián)連接的電容器C和電阻器R?？商孢x地，噪聲去除電路可以包括電感器L和電阻器R，或者可以包括電感器L和電容器C。此外，噪聲去除電路可以提供在輸入端子IN和接地端子GND之間。優(yōu)選地，電阻器R是例如在10至200O的范圍內(nèi)微調(diào)的電阻器?？商孢x地，電阻器R可以是具有最優(yōu)電阻的固定電阻器。圖19是根據(jù)本發(fā)明的任一實施例的基于圖18所示的等效電路圖來排列的LED封裝的平面圖。在排列類型的LED封裝IOO中，以蜂窩形式分開的七個區(qū)域被稱為單元IIO。每個單元110是LED封裝。每個單元110包括LED器件32。在每個單元110中提供的LED器件32主要用熒光物質(zhì)和硅來模制(涂敷)。可以使用環(huán)氧樹脂來代替硅。變阻器VR的一端通過導(dǎo)體116連接到輸入端子112(V+)。變阻器VR的另一端通過導(dǎo)體116連接到輸出端子114(V-)。環(huán)形內(nèi)擋板118保持每個模制的LED器件32的形狀以具有所期望的形狀(例如半球形或平圓頂形)。環(huán)形外擋板120形成在排列的LED器件32周圍。外擋板120保持模制LED器件32的形狀以在整體上具有所期望的形狀。硅或環(huán)氧樹脂用于將所有的LED器件32模制為整體。內(nèi)擋板118和外擋板120可以具有環(huán)形形狀或多邊環(huán)形形狀。在圖19中，未^:描述的附圖標(biāo)記122指示模制部分。反射板未示出在圖19中。然而，反射板可以提供在每個單元110中的LED器件32周圍。可替選地，所有的LED器件32被看作一個組，并且反射板可以提供在該組的周圍。在圖19中示范了七個LED器件32。LED器件32的數(shù)目可以增加或減少。如果LED器件32的數(shù)目可以增加或減少，則LED器件32的排列可以修改為如圖20所示。即，可以以具有如圖20A所示的一行和多列的形狀或以具有如圖20B所示的多行和多列的形狀來修改LED器件32的排列。此外，當(dāng)LED器件的數(shù)目為如圖20C所示的五個時，外擋板可以形成為具有圓形。另外，當(dāng)LED器件的數(shù)目是如圖20D所示的七個時，外擋板可以形成為具有多邊形的形狀。只要是在考慮封裝的光學(xué)特性的情況下來確定排列類型的電子零件封裝的形狀，則排列類型的電子零件封裝的形狀是不重要的。圖21是示出在圖19中排列三個LED器件(圖17中的附圖標(biāo)記L3、L4和L5)的部分的橫截面視圖。圖21所示的下陶瓷基底35被示例為圖14所示的下陶資基底。圖21所示的上陶瓷基底40被示例為圖14所示的上陶瓷基底。在圖21中，陽極電極34被示為彼此絕緣，并且陰極電極36被示為彼此絕緣。然而，陽極電極34實際上彼此連接，并且陰極電極36實際上彼此連接。雖然金屬層未示出在圖21中，但是優(yōu)選地，金屬層可以形成在下陶瓷基底35的下表面上，以提高下陶資基底35和金屬板130之間的粘附性和熱導(dǎo)率。包括多個金屬翼片132的金屬板130提供在下陶瓷基底35的下表面上。金屬板130提高了散熱效率。此外，當(dāng)以如圖22所示的波狀形狀來形成多個金屬翼片132時，金屬翼片132的表面面積增加。結(jié)果，可以進一步提高散熱效率。LED器件32的最大溫度取決于下陶瓷基底35的體積、金屬板130的長度和厚度以及金屬翼片132的長度和數(shù)目等而變化。防止靜電和電涌的變阻器VR^V在下陶瓷基底35中或者表面安*4下陶瓷基底35上。去除由驅(qū)動下陶瓷基底35的上表面上排列的多個LED器件32所引起的噪聲的噪聲去除電路被印刷在下陶瓷基底35中。RC連接型去除電路用作圖21中的噪聲去除電路。然而，LC或RL連接型噪聲去除電路可以用作噪聲去除電路。在圖21中，附圖標(biāo)記hl、h2和h3指示其中填充導(dǎo)電骨的通孔，并且附圖標(biāo)記Cl和C2指示在不同陶瓷片上形成的電極圖案。在垂直方向上布置電極圖案Cl和C2。兩個電極圖案Cl和C2形成電容器。在圖21中，附圖標(biāo)記R指示在與電極圖案Cl和C2形成在其上的陶瓷片不同的陶瓷片上形成的電阻圖案。其一端連接到電阻圖案R的通孔h3的另一端連接到下陶瓷基底35中的另一陶瓷片上形成的接地圖案(未示出)。在上述描述中，電極圖案C1和C2形成電容器，但是電極圖案C1和C2可以形成變阻器。在這種情況下，只有片的材料被改變。如上所述，具有所期望功能的電路被印刷在陶瓷片上，并在制造過程中被層壓，因此，部件不需要分開地安^4基底上。為此，可以容易地形成所期望的封裝并可以減少封裝的尺寸。最初模制進行排列的每個LED器件32。最初模制的部分被稱為模制部分140。雖然未在圖21中示出，最初模制的多個LED器件32和上陶瓷基底40的上表面g被模制成具有透鏡的形狀。在最初的模制中，用熒光物質(zhì)和硅(或環(huán)氧樹脂)來模制每個LED器件32。此外，在隨后的模制中，使用硅或環(huán)氧樹脂來模制每個LED器件32。在圖21中，金屬板130和下陶瓷基底35彼此結(jié)合以便彼此接觸。從多個LED器件32散發(fā)的熱通過具有高熱導(dǎo)率的下陶乾基底35和金屬板130iSit地散發(fā)到外部。金屬板130抑制由于熱所引起的LED器件32的惡化，使得芯片壽命增加。此外，金屬板130抑制諸如樹脂或硅的密封劑的惡化，所以提高了芯片的可靠性。圖21所示的排列類型的電子零件封裝通過下面的制造過程來制造。1)將金屬板130附著到基底。(稱為第一過程)2)排列多個LED器件32。(稱為第二過程)3)結(jié)合引線42。(稱為第三過程)4)模制每個單元中的LED器件32。(稱為第四過程)5)將所有的單元的LED器件32模制為整體。(稱為第五過程)下面將更加詳細(xì)地描述示意性的過程。第二至第五過程按照這個順序來順序地執(zhí)行，然后可以最后執(zhí)行第一過程。(第一過程)首先，制造金屬板130和基底。通過使用模片等來制造金屬板130。此外，如參考圖14所描述的那樣來制it^底。上陶瓷基底40和散熱片46插入到其中的下陶資基底35被稱為基底。用于制造下陶瓷基底35的過程包括用于在陶瓷片上印刷內(nèi)部電路圖案(例如諸如電感器、電阻器、變阻器、電容器、陽極和陰極之類的圖案)的過程。當(dāng)執(zhí)行用于印刷內(nèi)部電路圖案的過程時，形成圖18所示的RC連接型噪聲去除電路。即，如圖23A所示，用于形成電容器的電極圖案分別形成在不同陶瓷片CS的一個表面上。此外，如圖23B所示，電阻圖案R形成在另一陶瓷片CS上。通孔(未示出)形成在電極圖案C1和C2與電阻圖案R中。另外，電極圖案C1和C2與電阻圖案R可以具有如圖23A和23B所示的形狀，也可以具有其它形狀。金屬板130附著到如上所述制造的基底的下表面(即下陶瓷基底35的下表面)上。焊膏或電介質(zhì)骨用于將金屬板130與基底附著在一起。在這種情況下，因為金屬不能直接結(jié)合到陶瓷，所以預(yù)先進行在金屬板130的上表面和下陶瓷基底35的下表面上形成金屬層的過程。即，在金屬層形成在下陶瓷基底35的下表面上并且金屬層形成在金屬板130的上表面上之后，焊骨或電介質(zhì)骨插入到要彼此接觸的金屬層的接觸表面之間，然后執(zhí)行回流。結(jié)果，金屬板130和下陶瓷基底35堅固地彼此附著?？梢杂帽娝苤募夹g(shù)來形成金屬層。(第二過程)共晶結(jié)合法、使用Ag骨的結(jié)合法或倒裝結(jié)合法可以用作將LED器件結(jié)合到陰極電極36的方法。根據(jù)共晶結(jié)合法，在包括大約250至350匸范圍內(nèi)的溫度、大約40至80g范圍內(nèi)的重量和大約5至30ms范圍內(nèi)的時間的情況下，每個LED器件32的下表面和每個陰極電極36彼此共晶結(jié)合。根據(jù)使用Ag骨的結(jié)合法，在將Ag骨施加到LED器件32附著到其上的部分之后，每個LED器件32附著到每個陰極的Ag骨部分。然后，將LED器件和陰極加熱到大約120至180X:范圍內(nèi)的溫度。根據(jù)倒裝結(jié)合法，球形凸塊提供在LED器件32和下陶瓷基底35的LED器件安裝區(qū)域之間，并且執(zhí)行結(jié)合。當(dāng)使用倒裝結(jié)合法時，不需要執(zhí)行作為l^過程的引線結(jié)合過程。(第三過程)結(jié)合到每個陰極電極36的LED器件32通過使用引線42而電連接到相應(yīng)的陽極電極34和陰極電極36。此外，因為一個單元的電極34和36與相鄰單元的電極34和36之間的串聯(lián)或并聯(lián)連接對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是眾所周知的，所以省略其描述。(第四過程)在完成引線結(jié)合之后，使用熒光材料和硅(或環(huán)氧樹脂)來均勻,制(涂敷)每個LED器件32。即，在內(nèi)擋板118形成在每個LED器件32的周圍之后，熒光物質(zhì)和珪(或環(huán)氧樹脂)通過分配器注入到內(nèi)擋板118中。在這種情況下，要被注入的熒光物質(zhì)的重量處在3至30wtX的范圍內(nèi)，并且硅或環(huán)氧樹脂的濃度為大約2000cps。當(dāng)使用注入的熒光物質(zhì)或硅(或環(huán)氧樹脂)而模制的模制部分140具有所期望的形狀(例如半球形狀或平圓頂形狀等)時，停止熒光物質(zhì)和硅(或環(huán)氧樹脂)的注入，并且在150匸的溫度下將注入的材料硬化三個小時。因此，完成模制部分140的形狀。上面提到的熒光物質(zhì)的重量、硅或環(huán)氧樹脂的濃度以及硬化溫度和時間僅是例子。因此，上述條件不需要一定被滿足，并且必要時可以改變條件。(第五過程)當(dāng)完成第四過程的最初模制時，通過使用外擋板24來將所有的單元的LED器件32模制為整體。即，在基底上形成外擋板120，并且具有高粘性的硅或環(huán)氧樹脂通過分配器注入到外擋板120的內(nèi)部部分中。當(dāng)使用注入的硅或環(huán)氧樹脂所模制的模制部分122已具有從其獲得預(yù)期方位角的預(yù)期形狀(例如透鏡的形狀)時，停止硅或環(huán)氧樹脂的注入，并且硬化注入的材料。因此，在封裝的上表面(即整個表面)上完成具有透鏡形狀的模制部分122。模制上ii^制部分122的方法是注模法。使用粉末的轉(zhuǎn)移模制法可以用作模制所述^莫制部分122的方法。如上所述，因為陣列類型的LED封裝通過使用第一至第五過程來制造，所以可以將來自多個LED芯片的熱有效地散發(fā)到外部。此外，去,電和電涌的半導(dǎo)體器件與去除噪聲的電路嵌入在基底中或表面安*^基底上。結(jié)果，可以以最大程度地減少封裝的尺寸，并且可以提供其靜電、電涌和噪聲被去除的排列類型的半導(dǎo)體封裝。此外，因為硅或環(huán)氧樹脂涂敷在基底的上表面上以便具有透鏡的形狀，所以不需要分開的透鏡或單獨的透鏡。如上所迷，因為通過采用才艮據(jù)第一至第八實施例中任何一個的封裝可以形成如圖21所示的陣列類型的LED封裝，所以容易理解的是，陣列類型的LED封裝落入權(quán)利要求的范圍和邊界內(nèi)，而不用在權(quán)利要求中專門公開。本發(fā)明的范圍不限于上述實施例，因此落在權(quán)利要求的范圍和界限內(nèi)或者落在這種范圍和界限的等價物內(nèi)的所有改變和修改旨在被權(quán)利要求所覆蓋。權(quán)利要求1.一種電子零件封裝，包括發(fā)光器件；基底，其具有所述發(fā)光器件安裝在其上的發(fā)光器件安裝區(qū)域；以及散熱部件，其埋在所述基底的所述發(fā)光器件安裝區(qū)域之下，以便在垂直方向上與所述發(fā)光器件安裝區(qū)域分開，所述散熱部件暴露于所述基底的下表面。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子零件封裝，其中，傳熱部件形成在所述發(fā)光器件安裝區(qū)域和所述散熱部件之間。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子零件封裝，其中，所述傳熱部件具有比所述基底的熱導(dǎo)率高的熱導(dǎo)率。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子零件封裝，其中，所述傳熱部件在垂直方向上形成，以〗更具有大于或等于所^J^光器件的橫截面尺寸的橫截面尺寸。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子零件封裝，其中，所述傳熱部件在垂直方向上形成，以〗更具有大于所iOL光器件的表面積的橫截面尺寸，并且被分成多個區(qū)域，以及所述多個區(qū)域中的具有大于或等于所述發(fā)光器件的尺寸的直徑的一個區(qū)域提供在所述發(fā)光器件之下。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子零件封裝，其中，所述傳熱部件由陶瓷片層形成。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子零件封裝，其中，所述傳熱部件由鉆石制成。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子零件封裝，其中，所述散熱部件由鉆石制成。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子零件封裝，其中，所述基底包括圍繞所述發(fā)光器件安裝區(qū)域的空腔，反射器形成在所述空腔的內(nèi)表面上，所述反射器連接到所^底上形成的圖案電極中的至少一個，以及所述圖案電極電連接到所iiJL光器件。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子零件封裝，其中，所述與反射器連接的所述圖案電極與所述發(fā)光器件安裝區(qū)域中形成的圖案電極分開。11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子零件封裝，其中，所述發(fā)光器件由LED器件形成。12.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子零件封裝，還包括變阻器材料層，其形成在所述基底上；第一和第二內(nèi)電極，其形成在所U底中，所述第一和第二內(nèi)電極以所述變阻器材料層插入其間的方式而彼此部分地重疊；以及第一和第二外電極，其提供在所ii^底中以便彼此分開，所述第一外電極電連接到所述第一內(nèi)電極，并且所述第二外電極電連接到所述第二內(nèi)電極。全文摘要本發(fā)明涉及能夠有效散熱的電子零件封裝。散熱部件埋在基底的發(fā)光器件安裝區(qū)域之下，以便在垂直方向上與發(fā)光器件安裝區(qū)域分開，并且暴露于基底的下表面。具有比基底的熱導(dǎo)率高的熱導(dǎo)率的傳熱部件形成在發(fā)光器件安裝區(qū)域和散熱部件之間。因此，因為基底包括有效的散熱結(jié)構(gòu)，所以可以迅速地散發(fā)從發(fā)光器件所產(chǎn)生的熱。文檔編號H01L33/00GK101317277SQ200680042763公開日2008年12月3日申請日期2006年10月27日優(yōu)先權(quán)日2005年11月18日發(fā)明者樸淙遠,李永一,趙允旻申請人:阿莫先思電子電器有限公司