專利名稱：帶氣腔的倒裝片封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路(ic)封裝。具體地講，本發(fā)明涉及在IC裸片附近形成氣腔，用以改善器件性能。
背景技術(shù)：
電子工業(yè)繼續(xù)依賴半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展以在更緊湊的面積上實現(xiàn) 更高的功能。對于很多實現(xiàn)了更高功能的應(yīng)用而言，器件要求在單個 硅晶片上集成大量的電子器件。由于每個給定面積的硅晶片上集成的 電子器件的數(shù)量上升，制造工藝變得更加困難。利用多個學(xué)科中的多種應(yīng)用，已制造出各種各樣的半導(dǎo)體器件。這樣的硅基半導(dǎo)體器件通常包括諸如p溝道MOS (PMOS) 、 n溝道 MOS(NMOS)、互補(bǔ)型MOS(CMOS)晶體管、雙極晶體管、BiCMOS 晶體管之類的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這樣的 MOSFET器件包括導(dǎo)電門和類硅基片之間的絕緣材料，因此，這些 器件通常被稱為IGFET(insulated-gate FET,絕緣門FET)。這些半導(dǎo)體器件的每一種通常都包括一個半導(dǎo)體基片，在該基 片上形成多個有源器件。給定有源器件的特定結(jié)構(gòu)可能會隨器件類型 變化。例如，在MOS晶體管中，有源器件通常包括源極區(qū)域、漏極 區(qū)域以及調(diào)制源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間電流的門電極。而且，這樣的器件可以是在很多晶片制造工藝中生產(chǎn)的數(shù)字或 模擬器件，例如，CMOS器件、BiCOMS器件、雙極器件等等?；?可以是硅、鎵砷(GaAs)或其他適合在其上構(gòu)造微電子電路的基片。在經(jīng)歷了制造工藝之后，硅晶片具有預(yù)定數(shù)目的器件。測試這 些器件。合格的器件被搜集和被封裝。復(fù)雜IC器件的封裝在器件的最終性能中扮演日益重要的角色。 在高頻RF電路中，電容顯著地影響器件的性能。例如，對于1980年代的電路(用lpm技術(shù)制造)，互聯(lián)時間常數(shù)比MOS開關(guān)時間快 得多，對于100nm技術(shù)而言，銅和低K電介質(zhì)互聯(lián)(sdielectric=2.0) 的RC延遲在lmm長的互聯(lián)情況下大約是30ps。這和改變晶體管狀 態(tài)所只需的5ps大致相當(dāng)。由于技術(shù)在進(jìn)步，情況變得更加令人擔(dān)憂。 例如，在35nm技術(shù)中，MOSFET開關(guān)延遲降低到大約2.5ps，而lmm 長全局互聯(lián)的RC延遲增加到大約250ps。封裝必須適應(yīng)現(xiàn)代科技的需要。可以在PCT (2008年7月23日 申請日期2006年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月25日
發(fā)明者保羅·戴克斯特拉, 吉爾特·斯蒂恩布魯吉恩 申請人:Nxp股份有限公司