專利名稱：具有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管及其制造方法，并且特別是涉及一種具有 導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light emitting diode, LED)是一種電發(fā)光器件，其具 有N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體結(jié)合到一起的結(jié)構(gòu)，并通過(guò)電子和空穴的重組 (recombination)進(jìn)行發(fā)光。這種LED已經(jīng)廣泛地用于顯示器以及背光系 統(tǒng)(backlight )。此外，由于LED與傳統(tǒng)的電燈泡或焚光燈相比，其具有 更低的電力消耗以及更長(zhǎng)的使用壽命，其應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)擴(kuò)展代替?zhèn)鹘y(tǒng)的白 熾燈和熒光燈而進(jìn)行普通照明。
LED在AC電源下根據(jù)電流方向而反復(fù)開(kāi)/關(guān)。因而，如果將LED直接連 接到AC電源進(jìn)行使用，則存在它不能持續(xù)地發(fā)光并且容易被反向電流中斷 的問(wèn)題。
為了解決LED的上述問(wèn)題，在SAKAI等人的標(biāo)題為"具有發(fā)光元件的 發(fā)光器件"的國(guó)際公開(kāi)第WO2004/023568A1號(hào)中提議了 一種可直接連接到 高壓AC電源而進(jìn)行使用的LED。
根據(jù)WO2004/023568A1的公開(kāi)內(nèi)容，LED以二維方式串聯(lián)連接于絕緣基 板(例如，藍(lán)寶石基板)上，以形成LED陣列。兩個(gè)LED陣列反向并聯(lián)連 接于藍(lán)寶石基板上。結(jié)果，提供了一種可通過(guò)AC電源驅(qū)動(dòng)的單芯片式發(fā)光 器件。
然而，由于藍(lán)寶石基板具有較低的導(dǎo)熱性，熱量無(wú)法順利地消散。這 種熱消散的局限性導(dǎo)致了發(fā)光器件的最大光功率的局限性。因而，需要改 良熱耗散屬性，以便增加在高壓AC電源下使用的發(fā)光器件的最大光功率。
此外，由于發(fā)光器件中的LED陣列在AC電源下交替操作，因此與發(fā)光 單元同時(shí)操作的情況相比，光功率受到了相當(dāng)大的限制。結(jié)果，為了增加 最大光功率，必須改良各發(fā)光單元的光提取效率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管，其能夠在AC電源下進(jìn) 行驅(qū)動(dòng)并且具有改良的熱耗散屬性。
本發(fā)明的另 一 目的是提供一種具有改良光提取效率的發(fā)光二極管。
本發(fā)明的再一目的是提供一種具有改良的熱耗散屬性和/或改良的光 提取效率的發(fā)光二極管的制造方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了 一種具有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管及 其制造方法。根據(jù)本發(fā)明一方面的發(fā)光二極管包括導(dǎo)熱的絕緣基板
(thermal conductive insulating substrate)。 多個(gè)金屬圖案在纟色緣基板 上彼此間隔，并且發(fā)光單元位于相應(yīng)的金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)。各發(fā)光單元 包括P型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及N型半導(dǎo)體層。同時(shí)，金屬配線將發(fā)光單 元的上表面電連接到相鄰的金屬圖案上。由于發(fā)光單元在導(dǎo)熱基板上進(jìn)行 操作，發(fā)光二極管的熱耗散屬性得到了改良。
此處，導(dǎo)熱的絕緣基板是指導(dǎo)熱性高于藍(lán)寶石基板的絕緣基板。進(jìn)一 步，絕緣基板包括半絕緣基板，例如半絕緣SiC基板。術(shù)語(yǔ)"半絕緣"材 料是指高阻材料，其電阻率(specific resistance)在室溫下通常是大約 105Q cm或者更大。
主動(dòng)層介于P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層之間，并且發(fā)光單元的P型 半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層的位置可以互換。優(yōu)選地，各發(fā)光單元的P型半 導(dǎo)體層與各金屬圖案接觸，并且發(fā)光單元的N型半導(dǎo)體層的表面定義發(fā)光 單元的上表面。N型半導(dǎo)體層的表面可進(jìn)行粗糙化處理。由于N型半導(dǎo)體層 的表面可進(jìn)行粗糙化處理，光的內(nèi)部全反射(total internal reflection) 降低，并因而增加了發(fā)光二極管的光提取效率。
各金屬圖案可包括彼此結(jié)合的至少兩個(gè)金屬層。例如，金屬層可包括 金屬反射層(例如Ag )以及金屬^熱層(例如A:),并且可以包括Au和Sn
射，由此改良光輸出。
根據(jù)本發(fā)明另 一方面的發(fā)光二極管的制造方法包括在第 一基板上形 成半導(dǎo)體層，并在半導(dǎo)體層上形成第一金屬層，半導(dǎo)體層包括緩沖層、N型 半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及P型半導(dǎo)體層。進(jìn)一步，在與第一基板分離的第二 導(dǎo)熱的絕緣基板上形成第二金屬層。第 一基板的第 一金屬層與第二基板的 第二金屬層相結(jié)合，使得第一和第二金屬層彼此面對(duì)。隨后，從半導(dǎo)體層 分離第一基板，并且圖案化半導(dǎo)體層和金屬層，以形成彼此間隔的金屬圖 案以及位于相應(yīng)金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光單元。之后，形成金屬配線以 便將發(fā)光單元的上表面連接到相鄰的金屬圖案。因此，可以制造出一種具 有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管，其導(dǎo)熱基板具有改良的熱耗散屬性。
主動(dòng)層介于P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層之間，并且P型半導(dǎo)體層和N 型半導(dǎo)體層的位置可以互換。優(yōu)選地，P型半導(dǎo)體層與第一金屬層歐姆接 觸。此外，在分離第一基板之后，移除緩沖層以便暴露N型半導(dǎo)體層。
對(duì)暴露的N型半導(dǎo)體層的表面進(jìn)行粗糙化處理以便改良光提取效率。
例如，使用光電化學(xué) (photoelectrochemical, PEC)蝕刻技術(shù)來(lái)執(zhí) 行暴露的N型半導(dǎo)體層表面的粗糙化處理。此外，粗糙化暴露的N型半導(dǎo) 體層的表面包括在暴露的N型半導(dǎo)體層上形成金屬層。對(duì)金屬層進(jìn)行熱處 理，以便形成金屬島狀物，并且使用金屬島狀物作為蝕刻掩模，對(duì)N型半 導(dǎo)體層進(jìn)行部分蝕刻。因此，形成具有粗糙表面的N型半導(dǎo)體層。
根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種能夠在AC電源下驅(qū)動(dòng)并具有改良的熱耗散 屬性的發(fā)光二極管。進(jìn)一步，可以提供一種具有改良的光提取效率的發(fā)光 二極管。此外，可以提供一種具有改良的熱耗散屬性和/或改良的光提取效 率的發(fā)光二極管的制造方法。


圖1是示意根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的截面圖。 圖2至圖6是示意根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的截 面圖。
圖7至圖IO是示意根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的 截面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。提供后續(xù)實(shí)施 例僅是出于示意性目的，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠完全地理解本發(fā)明的精 神。因而，本發(fā)明不限于后續(xù)實(shí)施例，而是可以通過(guò)其它形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。在 附圖中，為了便于理解，夸大了元件的寬度、長(zhǎng)度、厚度以及類似尺寸。在 整個(gè)說(shuō)明書和附圖中，相似的附圖標(biāo)號(hào)標(biāo)識(shí)相似的元件。
圖1是示意根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的截面圖。
參照?qǐng)D1，多個(gè)金屬圖案40在導(dǎo)熱的絕緣基板51上彼此間隔。對(duì)導(dǎo)熱 的絕緣基板51沒(méi)有任何限制，只要其導(dǎo)熱性大于藍(lán)寶石基板。導(dǎo)熱的絕緣 基板51可以是上表面形成有絕緣層的導(dǎo)電單晶基板。
各金屬圖案40包括至少兩個(gè)結(jié)合層，例如，第一金屬層3la和第二金屬 層53a。進(jìn)一步，第一金屬層31a可包括反射金屬層和導(dǎo)熱金屬層。例如,反射 金屬層可由Ag制成，而導(dǎo)熱金屬層可由Au或Au和Sn的合金制成。進(jìn)一 步，第二金屬層可由例如Au或者Au和Sn的合金制成。
發(fā)光單元30位于各金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)。發(fā)光單元30包括P型半導(dǎo) 體層29a、主動(dòng)層27a以及N型半導(dǎo)體層25a。主動(dòng)層27a介于P型半導(dǎo)體 層29a和N型半導(dǎo)體層25a之間。P型半導(dǎo)體層29a和N型半導(dǎo)體層的 位置可以互換。
N型半導(dǎo)體層25a由N型AlxInyGai-x-yN ( 0《x， y， x+y《1 )形成并且可包括N型襯層。此外，P型半導(dǎo)體層29a可由P型AlJn,Ga,十yN ( 0《x， y, x+y《l )形成并包括P型襯層。N型半導(dǎo)體層25a可通過(guò)摻雜Si來(lái)形成， 并且P型半導(dǎo)體層29a可通過(guò)摻雜Zn或Mg來(lái)形成。
主動(dòng)層27a是電子與空穴重組的區(qū)域，并且包括InGaN。發(fā)光單元所發(fā) 射的光的波長(zhǎng)由構(gòu)成主動(dòng)層27a的材料的種類決定。主動(dòng)層27a可以是多 層膜，其中量子井層和阻擋層重復(fù)形成。阻擋層和量子井層可以是二元至 四元化合物半導(dǎo)體層，其可以表示成通式AUnyGa卜x—yN( 0《x， y, x+y《l )。
一般來(lái)說(shuō)，緩沖層介于基板51和發(fā)光單元30之間。然而，在本發(fā)明 的實(shí)施例中，介于基板51和發(fā)光單元30之間的是金屬圖案31和53，而不 是緩沖層。
同時(shí)，金屬配線57用于將N型半導(dǎo)體層25a電連接到相鄰的金屬圖案 40。此時(shí)，電極焊墊55形成于各N型半導(dǎo)體層25a上。電極焊墊55與N 型半導(dǎo)體層25a歐姆接觸，以便降低它們的接觸電阻。因此，如圖所示，金 屬配線57用于將電極焊墊55電連接到第一金屬層31a，由此使發(fā)光單元 30彼此連接。金屬配線57形成具有串聯(lián)連接的發(fā)光單元30的陣列。具有 串聯(lián)連接的發(fā)光單元的至少兩個(gè)陣列形成于基板51上并彼此反向并聯(lián)連接 以^_由AC電源驅(qū)動(dòng)。
圖1Q是示意根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光二極管的截面圖。在本圖 中，與圖1相同的附圖標(biāo)號(hào)標(biāo)識(shí)相同的元件。因此，僅具體地描述與圖l所 示的實(shí)施例不同的細(xì)節(jié)。
參照?qǐng)D10，根據(jù)本實(shí)施例的N型半導(dǎo)體層的上表面進(jìn)行粗糙化處 理，這不同于圖1所示的N型半導(dǎo)體層25a的上表面。因此，發(fā)光單元70 具有粗糙的上表面，使得在上表面上由于折射率差異所產(chǎn)生的內(nèi)部全反射 降低，因而提高了發(fā)光單元的光提取效率。
N型半導(dǎo)體層65a的整個(gè)表面都可以形成粗糙表面，并且電極焊墊75 形成于粗糙表面的一部分上。此外，粗糙表面還可以選擇性形成于除N型 半導(dǎo)體層65a的特定區(qū)域以外的另一區(qū)域內(nèi)，并且電極焊墊75形成于此特 定區(qū)域上。金屬配線77用于將電極焊墊75連接至金屬圖案40,以便形成
具有串聯(lián)連接的發(fā)光單元的陣列。
根據(jù)本實(shí)施例，可對(duì)N型半導(dǎo)體層25a的表面進(jìn)行粗糙化處理以改良
從發(fā)光單元70向上發(fā)射的光的提取效率。
在下文中，將詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明各實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法。
圖2至圖6是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的截面圖。
參照?qǐng)D2，包括緩沖層23、 N型半導(dǎo)體層"、主動(dòng)層U以及P型半導(dǎo)
體層29的半導(dǎo)體層形成于第一基板21上，并且第一金屬層31形成于半導(dǎo) 體層上。
第 一 基板21優(yōu)選由允許光透過(guò)并與半導(dǎo)體層晶格匹配 (lattice-match)的基板形成，例如藍(lán)寶石基一反。
緩沖層23和半導(dǎo)體層25、 27及29可通過(guò)以下方式形成金屬有機(jī)化 合物化學(xué)氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition, M0CVD )、 分子束夕卜延(molecular beam epitaxy, MBE )、氛化物氣相夕卜延(hydride vapor phase epitaxy, HVPE)或類似工藝。進(jìn)一步，半導(dǎo)體層25、 27以 及29可在同一處理室中依序形成。
對(duì)緩沖層23沒(méi)有具體限制，只要緩沖層能夠減輕第一基板21和半導(dǎo) 體層25、 27及29之間的晶格失配(lattice mismatch )。例如，緩沖層可 由無(wú)摻雜的GaN形成。
第一金屬層31由要與P型半導(dǎo)體層歐姆接觸的金屬形成。進(jìn)一步，第 一金屬層31可包括反射金屬層和導(dǎo)熱金屬層。反射金屬層是具有高反射性 的金屬層并且例如可由Ag形成，但并不具體局限于Ag。此外，導(dǎo)熱金屬層
是具有高導(dǎo)熱性的金屬層。對(duì)導(dǎo)熱金屬層沒(méi)有具體限制，并且導(dǎo)熱金屬層 可由Au或者Au和Sn的疊層(laminate )形成。
第二金屬層53形成于與第一基板n分開(kāi)的第二基板si上。第二基板
51是導(dǎo)熱性高于藍(lán)寶石基板的導(dǎo)熱的絕緣基板。
第二金屬層53傾向于金屬結(jié)合到第一金屬層H上。對(duì)第二金屬層沒(méi) 有具體的限制，并且第二金屬層可由Au或者Au和Sn的疊層形成。
參照?qǐng)D3，結(jié)合第一和第二金屬層31和53，使得它們彼此面對(duì)。通過(guò)
施加特定的壓力和/或熱量很容易進(jìn)行這種結(jié)合。
隨后，將激光照射到第一基板21上。例如，激光可以是KrF (248nm) 激光。由于第一基板21是透明基板，例如藍(lán)寶石基板，激光通過(guò)第一基板 21并隨后被緩沖層23吸收。因此，所吸收的輻射能量使緩沖層23和第一 基板21之間的交界處的緩沖層23分解，使得第一基板21從半導(dǎo)體層分離。
參照?qǐng)D4，在第一基板21分離后，移除剩余的緩沖層23，使得N型半 導(dǎo)體層25的表面暴露。可通過(guò)蝕刻和拋光技術(shù)來(lái)移除緩沖層23。
參照?qǐng)D5，使用光刻(photolithography)和蝕刻技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體層"、27
及29和金屬層31及53進(jìn)行圖案化，以便形成彼此隔離的金屬圖案40以 及位于相應(yīng)金屬圖案40上的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光單元30。
發(fā)光單元30包括已經(jīng)通過(guò)圖案化形成的P型半導(dǎo)體層29a、主動(dòng)層"a 以及N型半導(dǎo)體層25a。可以將半導(dǎo)體層"a、 和圖案化成相同的 形狀。
同時(shí)，由于第二基板51是絕緣基板，形成彼此間隔的金屬圖案40能
夠使發(fā)光單元30彼此電隔離。
參照?qǐng)D6，形成用于將發(fā)光單元30的上表面電連接到相鄰的金屬圖案 40的金屬配線57。金屬配線57將發(fā)光單元30彼此連接以便形成具有串聯(lián) 連接的發(fā)光單元的陣列?？尚纬芍辽賰蓚€(gè)陣列，并且這些陣列彼此反向并 聯(lián)連接以便提供可在AC電源下驅(qū)動(dòng)的發(fā)光二極管。
同時(shí)，在形成金屬配線之前，在N型半導(dǎo)體層25a上形成電極焊墊55。電 極焊墊55與N型半導(dǎo)體層25a歐姆接觸。金屬配線57將電極焊墊55連接 到金屬圖案40。
根據(jù)本實(shí)施例，提供了一種發(fā)光二極管，其具有位于導(dǎo)熱基板上的發(fā) 光單元，使得其可以在AC電源下驅(qū)動(dòng)并具有改良的熱耗散屬性。同時(shí)，由 于形成了金屬圖案40，可省略在P型半導(dǎo)體層29a上形成附加電極焊墊的 過(guò)程。
同時(shí)，在本發(fā)明的實(shí)施例中，P型半導(dǎo)體層29和N型半導(dǎo)體層25能夠 以相反順序形成。在這種情況下，在移除緩沖層23之后，可以在P型半導(dǎo) 體層29上形成透明電極。
圖7至圖IO是示意根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法的 截面圖。
參照?qǐng)D7,根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光二極管的制造方法所執(zhí)行的過(guò)程與參照 圖2至圖4所描述的方法相同。因此，至少兩個(gè)金屬層31和53以結(jié)合狀 態(tài)定位于第二基板51上，并且包括P型半導(dǎo)體層29、主動(dòng)層"以及N型 半導(dǎo)體層25的半導(dǎo)體層定位于第一金屬層31上。
在本實(shí)施例中，P型半導(dǎo)體層29與第一金屬層31歐姆接觸，并且N型 半導(dǎo)體層25的表面暴露。
參照?qǐng)D8，對(duì)暴露的N型半導(dǎo)體層"的表面進(jìn)行粗糙化處理，以形成 具有粗糙表面的N型半導(dǎo)體層6、例如，可通過(guò)光電化學(xué)(PEC)蝕刻技術(shù) 對(duì)表面進(jìn)行粗糙化處理。在2004年2月9日出版并且標(biāo)題為"通過(guò)表面粗 糙化處理增加基于GaN的發(fā)光二極管的提取效率"(Applied Physics Letters, Vol.84, No. 6， pp 855-857 )的文章中公開(kāi)了通過(guò)PEC蝕刻技術(shù) 來(lái)粗糙化N型半導(dǎo)體層的表面的工藝。根據(jù)該文章，可使用KOH溶液和Xe 燈通過(guò)PEC蝕刻技術(shù)來(lái)粗糙化N型半導(dǎo)體層的表面，導(dǎo)致改良的光提取效 率。
此外，可使用干蝕刻技術(shù)來(lái)執(zhí)行粗糙化N型半導(dǎo)體層25的表面的工 藝。也就是，在N型半導(dǎo)體層25上形成金屬層。隨后，對(duì)金屬層進(jìn)行加熱， 使得金屬層可形成為金屬島狀物。隨后，使用金屬島狀物作為蝕刻掩模來(lái) 蝕刻N(yùn)型半導(dǎo)體層25,以便形成具有粗糙表面的N型半導(dǎo)體層6、使用濕 蝕刻技術(shù)或類似工藝來(lái)移除剩余的金屬島狀物。同時(shí)，在此過(guò)程中，通過(guò)使用掩模在N型半導(dǎo)體層25上的特定區(qū)域內(nèi) 形成平坦部分。
參照?qǐng)D9，與參照?qǐng)D5所描述的一樣，使用光刻和蝕刻技術(shù)來(lái)圖案化半 導(dǎo)體層65、 27和29以及金屬層31和53，以便形成彼此間隔的金屬圖案 40以及位于相應(yīng)金屬圖案40上的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光單元70。
各發(fā)光單元70包括已經(jīng)通過(guò)圖案化處理的P型半導(dǎo)體層29a、主動(dòng)層 27a以及N型半導(dǎo)體層65a，?？蓪⑦@些半導(dǎo)體層65a， 27a和29a圖案化成 相同形狀。
參照?qǐng)D10，與參照?qǐng)D6所描述的一樣，金屬配線77形成為將發(fā)光單元 70的上表面電連接到相鄰的金屬圖案40。進(jìn)一步，形成電極焊墊75。各電 極焊墊75形成于N型半導(dǎo)體層65a上的平坦區(qū)域。如果平坦區(qū)域不形成于 N型半導(dǎo)體層65a上，則電極焊墊75形成于N型半導(dǎo)體層65a的粗糙表面 上。
根據(jù)本實(shí)施例，粗糙化發(fā)光單元7 0的上表面(即，N型半導(dǎo)體層的表面)， 以便提供具有改良的光提取效率的發(fā)光二極管。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括導(dǎo)熱的絕緣基板；多個(gè)金屬圖案，在所述絕緣基板上彼此間隔；發(fā)光單元，位于相應(yīng)的所述金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)，各所述發(fā)光單元包括P型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及N型半導(dǎo)體層；以及金屬配線，用于將所述發(fā)光單元的上表面電連接到相鄰的金屬圖案。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中各所述發(fā)光單元的所述P 型半導(dǎo)體層與各所述金屬圖案接觸，并且各所述發(fā)光單元的所述N型半導(dǎo) 體層的表面定義所述發(fā)光單元的上表面。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，更包括形成于各所述發(fā)光單元 的所述N型半導(dǎo)體層上并連接到各所述金屬配線的電極焊墊。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中粗糙化各所述發(fā)光單元的 所述N型半導(dǎo)體層的表面，以改良光提取效率。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中各所述金屬圖案包括至少 兩個(gè)結(jié)合的金屬層。
6. —種制造發(fā)光二極管的方法，包括在第一基板上形成半導(dǎo)體層，并在所述半導(dǎo)體層上形成第一金屬層，所 述半導(dǎo)體層包括緩沖層、N型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及P型半導(dǎo)體層； 在第二導(dǎo)熱的絕緣基板上形成第二金屬層； 結(jié)合所述第一和第二金屬層，使得所述金屬層彼此面對(duì)； 從所述半導(dǎo)體層分離所述第 一基板；圖案化所述半導(dǎo)體層和所述金屬層，以便形成彼此間隔的金屬圖案以 及位于相應(yīng)的所述金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)的發(fā)光單元；以及形成將所述發(fā)光單元的上表面連接到相鄰的金屬圖案的金屬配線。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述P型半導(dǎo)體層與所述第一金 屬層歐姆接觸。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，更包括在分離所述第一基板之后移除 所述緩沖層，以暴露所述N型半導(dǎo)體層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，更包括粗糙化所述暴露的N型半導(dǎo)體 層的表面。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中使用光電化學(xué)蝕刻技術(shù)來(lái)粗糙 化所述暴露的N型半導(dǎo)體層的所述表面。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中粗糙化所述暴露的N型半導(dǎo)體 層的所述表面包括 在所述暴露的N型半導(dǎo)體層上形成金屬層；熱處理所述金屬層以形成金屬島狀物；以及通過(guò)使用所述金屬島狀物作為蝕刻掩模來(lái)部分蝕刻所述N型半導(dǎo)體層。
全文摘要
一種具有導(dǎo)熱基板的發(fā)光二極管及其制造方法。發(fā)光二極管包括導(dǎo)熱的絕緣基板。多個(gè)金屬圖案在絕緣基板上彼此間隔，并且發(fā)光單元位于相應(yīng)金屬圖案上的區(qū)域內(nèi)。各發(fā)光單元包括P型半導(dǎo)體層、主動(dòng)層以及N型半導(dǎo)體層。同時(shí)，金屬配線將發(fā)光單元的上表面電連接到相鄰的金屬圖案。因此，由于發(fā)光單元在導(dǎo)熱基板上操作，發(fā)光二極管的熱耗散屬性得到改良。
文檔編號(hào)H01L33/32GK101208812SQ200680023330
公開(kāi)日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2006年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日
發(fā)明者李在皓 申請(qǐng)人:首爾Opto儀器股份有限公司