一種電路板基板層間導(dǎo)通的方法及電路板基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板基板技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電路板基板層間導(dǎo)通的方法及電路板基板。
【背景技術(shù)】
[0002]電路板基板產(chǎn)品走大電流已成為一種趨勢，但大電流需要超厚銅芯板進行載流，對于超厚銅芯板之間的導(dǎo)通，目前大多采用的是鉆孔工藝，通過金屬化孔作為層層之間導(dǎo)通結(jié)構(gòu)。
[0003]然而，這種鉆孔工藝需要較多的金屬化孔來進行并聯(lián)載流才能實現(xiàn)導(dǎo)通，這樣不僅占用了電路板外層較多的布線空間，而且超厚銅產(chǎn)品鉆孔容易出現(xiàn)斷鉆的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實施例提供一種電路板基板層間導(dǎo)通的方法及電路板基板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中通過鉆孔工藝實現(xiàn)電路板基板層間導(dǎo)通所存在的問題。
[0005]本發(fā)明第一方面提供一種電路板基板層間導(dǎo)通的方法，包括:采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形，所述第一金屬板的厚度為H，所述第二金屬板的厚度h，h = Hl ;
[0006]在所述第一表面的第一導(dǎo)通區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第一金屬板以使得所述第一金屬板的除所述第一導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度為H1，所述第一導(dǎo)通區(qū)域的面積為SI，其中，SI根據(jù)所述第一導(dǎo)通區(qū)域的電流大小確定；
[0007]在所述第二表面除所述第二導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第二金屬板以使得所述第二導(dǎo)通區(qū)域的厚度為H4，所述第二導(dǎo)通區(qū)域的橫截面積為S2，其中，S2根據(jù)所述第二導(dǎo)通區(qū)域的電流大小確定；
[0008]將所述第一金屬板和所述第二金屬板進行配板壓合。
[0009]結(jié)合第一方面，在第一種可能的實現(xiàn)方式中，所述方法還包括:
[0010]采用蝕刻工藝分別在所述第一金屬板的第三表面和第二金屬板的第四表面制作線路圖形，其中，所述第三表面為與所述第一金屬板的第一表面相對應(yīng)的另一個表面，所述第四表面為與所述第二金屬板的第二表面相對應(yīng)的另一個表面；
[0011 ] 將所述第一金屬板和所述第二金屬板進行配板壓合。
[0012]結(jié)合第一方面，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，所述采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形之前還包括:
[0013]對所述第一金屬板和所述第二金屬板進行表面處理，所述表面處理包括除油，微蝕刻和粗糙處理。
[0014]結(jié)合第一方面或者第一方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第三種可能的實現(xiàn)方式中，所述將所述第一金屬板和所述第二金屬板進行配板壓合包括:
[0015]采用半固化片PP將所述第一金屬板和所述第二金屬板進行配板壓合。
[0016]結(jié)合第一方面，在第四種可能的實現(xiàn)方式中，所述采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形包括:
[0017]對所述第一金屬板蝕刻的厚度為H1/2+H2+H3，對所述第二金屬板蝕刻的厚度為H1/2，其中，所述第一金屬板和所述第二金屬板進行蝕刻區(qū)域的垂直方向上剩余的厚度均為H1/2，所述第一金屬板的厚度H = H1+H2+H3，其中，H2為所述第一金屬板的介質(zhì)層厚度，H3為需要進行微蝕刻的厚度。
[0018]結(jié)合第一方面或者第一方面的第一至第二種任意一種可能的實現(xiàn)方式，在第五種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一金屬板和所述第二金屬板為銅板。
[0019]結(jié)合第一方面或者第一方面的第一至第二種任意一種可能的實現(xiàn)方式，在第六種可能的實現(xiàn)方式中，所述抗蝕刻膜包含干膜。
[0020]結(jié)合第一方面，在第七種可能的實現(xiàn)方式中，所述H4 ( 0.1mm，所述SI > S2。
[0021]本發(fā)明第二方面提供一種電路板基板，包括:第一金屬板和第二金屬板；
[0022]所述第一金屬板的第一表面設(shè)置有第一導(dǎo)通區(qū)域；
[0023]所述第二金屬板的第二表面設(shè)置有第二導(dǎo)通區(qū)域；
[0024]所述第一導(dǎo)通區(qū)域接觸所述第二導(dǎo)通區(qū)域。
[0025]應(yīng)用以上技術(shù)方案，采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形，在所述第一表面的第一導(dǎo)通區(qū)域設(shè)置抗蝕刻模，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第一金屬板，在所述第二表面除所述第二導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第二金屬板，將所述第一金屬板和所述第二金屬板進行配板壓合，采用該技術(shù)方案實現(xiàn)電路板基板層間導(dǎo)通的過程，無需鉆孔，因此不會發(fā)生斷鉆的現(xiàn)象，節(jié)約了電路板基板外層的布線空間。
【附圖說明】
[0026]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例技術(shù)方案，下面將對實施例和現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0027]圖1是本發(fā)明實施例中電路板基板層間導(dǎo)通的方法的一個實施例示意圖；
[0028]圖2是本發(fā)明實施例中電路板基板蝕刻的一個剖面圖；
[0029]圖3是本發(fā)明實施例中電路板基板設(shè)置抗蝕刻模的一個剖面圖；
[0030]圖4是本發(fā)明實施例中電路板基板微蝕刻的一個剖面圖；
[0031]圖5是本發(fā)明實施例中電路板基板設(shè)置抗蝕刻模的另一個剖面圖；
[0032]圖6是本發(fā)明實施例中電路板基板微蝕刻的另一個剖面圖；
[0033]圖7是本發(fā)明實施例中電路板基板層壓的一個剖面圖；
[0034]圖8是本發(fā)明實施例中電路板基板層壓的另一個剖面圖；
[0035]圖9是本發(fā)明實施例中電路板基板蝕刻的另一個剖面圖；
[0036]圖10是本發(fā)明實施例中電路板基板層壓的另一個剖面圖；
[0037]圖11是本發(fā)明實施例中電路板基板的一個剖面圖。
【具體實施方式】
[0038]本發(fā)明實施例提供一種電路板基板層間導(dǎo)通的方法及電路板基板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中通過鉆孔工藝實現(xiàn)電路板基板層間導(dǎo)通所存在的問題，無需鉆孔，因此不會發(fā)生斷鉆的現(xiàn)象，節(jié)約了電路板基板外層的布線空間。
[0039]為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分的實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0040]下面通過具體實施例，分別進行詳細(xì)的說明。
[0041]實施例一、
[0042]請參閱圖1，本發(fā)明實施例提供一種電路板基板層間導(dǎo)通的方法，可包括:
[0043]101、采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形；
[0044]請參閱圖2,米用蝕刻工藝分別在第一金屬板201的第一表面202和第二金屬板203的第二表面204制作線路圖形，第一金屬板201的厚度為H，第二金屬板203的厚度為h，h = Hl ο
[0045]可選的，米用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形之前還包括:
[0046]對第一金屬板和第二金屬板進行表面處理，表面處理包括除油，微蝕刻和粗糙處理。
[0047]可選的，米用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形包括:
[0048]對所述第一金屬板蝕刻的厚度為H1/2+H2+H3，對所述第二金屬板蝕刻的厚度為H1/2，其中，所述第一金屬板和所述第二金屬板進行蝕刻區(qū)域的垂直方向上剩余的厚度均為H1/2，所述第一金屬板的厚度H = H1+H2+H3，其中，H2為所述第一金屬板的介質(zhì)層厚度，H3為需要進行微蝕刻的厚度。
[0049]102、在第一表面的第一導(dǎo)通區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻第一金屬板以使得第一金屬板的除第一導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度為Hl ；
[0050]請參閱圖3和圖4，在上述對第一金屬板201蝕刻的基礎(chǔ)上，進一步進行微蝕刻，即:在第一表面202的第一導(dǎo)通區(qū)域205設(shè)置抗蝕刻膜206，采用微蝕刻工藝蝕刻第一金屬板201以使得第一表面202除第一導(dǎo)通區(qū)域205以外的其他區(qū)域的厚度為H1。
[0051]需要說明的是，第一導(dǎo)通區(qū)域的面積為SI，其中，SI根據(jù)所述第一導(dǎo)通區(qū)域的電流大小確定。
[0052]可以理解的是，比如在導(dǎo)體內(nèi)，通過電流的第一導(dǎo)通區(qū)域的面積為SI，在時間間隔dt內(nèi)，則在導(dǎo)體中的電流為通過面積SI的電荷隨時間的變化率，反之，根據(jù)通過所述第一導(dǎo)通區(qū)域的電流確定所述面積SI。
[0053]103、在第二表面除第二導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻第二金屬板以使得第二導(dǎo)通區(qū)域的厚度為H4 ；
[0054]請參閱圖5和圖6，進一步對第二金屬板203進行微蝕刻，即:在第二表面204除第二導(dǎo)通區(qū)域207以外的其他區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜206，采