用微蝕刻工藝蝕刻第二金屬板203以使得第二導(dǎo)通區(qū)域207的厚度為H4。
[0055]需要說明的是，第二導(dǎo)通區(qū)域的面積為S2，其中，S2根據(jù)所述第二導(dǎo)通區(qū)域的電流大小確定。
[0056]可以理解的是，比如在導(dǎo)體內(nèi)，通過電流的第二導(dǎo)通區(qū)域的面積為S2，在時(shí)間間隔dt內(nèi)，則在導(dǎo)體中的電流為通過面積S2的電荷隨時(shí)間的變化率，反之，根據(jù)通過所述第二導(dǎo)通區(qū)域的電流確定所述面積S2。
[0057]可選的，H4彡 0.1mm，所述 SI > S2 ;
[0058]需要說明的是，第一導(dǎo)通區(qū)域與第二導(dǎo)通區(qū)域的表面圖形可以為矩形，也可以是圓形，此處不做具體限定。
[0059]可以理解的是，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)通區(qū)域和第二導(dǎo)通區(qū)域的表面圖形都為圓形時(shí)，第一導(dǎo)通區(qū)域的表面直徑為D，第二導(dǎo)通區(qū)域的表面直徑為d，則d = D-0.05_。
[0060]可以理解的是，第二導(dǎo)通區(qū)域的厚度通過微蝕刻從Hl變?yōu)镠4，第一導(dǎo)通區(qū)域的厚度通過微蝕刻變?yōu)镠2+H3，第一金屬板的第一導(dǎo)通區(qū)域通過過贏壓合進(jìn)入第二金屬板的第二導(dǎo)通區(qū)域的凹槽中，凹槽的深度為H1-H4，使得第一導(dǎo)通區(qū)域和第二導(dǎo)通區(qū)域完全無絕緣接觸。
[0061]104、將第一金屬板和第二金屬板進(jìn)行配板壓合。
[0062]請參閱圖7，在上述微蝕刻的基礎(chǔ)上，將第一金屬板和第二金屬板進(jìn)行配板壓合。
[0063]請參閱圖8，可選的，采用半固化片P208將第一金屬板201和第二金屬板203進(jìn)行配板壓合。
[0064]可以理解的是，通過PP將第一金屬板和第二金屬板進(jìn)行配板壓合，其中，PP的配置張數(shù)根據(jù)介質(zhì)層厚度要求而定，由于本發(fā)明實(shí)施例中無需鉆孔，只需通過線路圖形進(jìn)行載流導(dǎo)通，線路圖形通過PP時(shí)散熱小，從而對電路板層層之間的功率傳輸效率影響少。
[0065]可選的，該方法還包括:
[0066]采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第三表面和第二金屬板的第四表面制作線路圖形，其中，第三表面為與第一金屬板的第一表面相對應(yīng)的另一個(gè)表面，第四表面為與第二金屬板的第二表面相對應(yīng)的另一個(gè)表面；
[0067]將第一金屬板和第二金屬板進(jìn)行配板壓合。
[0068]請參閱圖9和圖10，在上述采用蝕刻工藝只在第一金屬板201的第一表面202和第二金屬板203的第二表面204制作線路圖形的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步采用蝕刻工藝分別在第一金屬板201的第三表面209和第二金屬板203的第四表面210制作線路圖形，并將第一金屬板201和第二金屬板203進(jìn)行配板壓合。
[0069]可選的,第一金屬板201和第二金屬板203為銅板。
[0070]可選的，抗蝕刻膜206包含干膜。
[0071]在本發(fā)明實(shí)施例中，采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形，在所述第一表面的第一導(dǎo)通區(qū)域設(shè)置抗蝕刻模，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第一金屬板，在所述第二表面除所述第二導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第二金屬板，將所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行配板壓合，采用該技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)電路板基板層間導(dǎo)通的過程，無需鉆孔，因此不會(huì)發(fā)生斷鉆的現(xiàn)象，節(jié)約了電路板基板外層的布線空間。
[0072]為便于更好的實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例的上述相關(guān)方法，下面還提供用于配合上述方法的電路板基板，請參閱圖11，該電路板基板300可包括:
[0073]第一金屬板301和第二金屬板302 ；
[0074]第一金屬板301,用于在第一金屬板301的第一表面設(shè)置有第一導(dǎo)通區(qū)域303 ；
[0075]第二金屬板302，用于在第二金屬板的第二表面設(shè)置有第二導(dǎo)通區(qū)域304 ；
[0076]第一導(dǎo)通區(qū)域303，用于接觸第二導(dǎo)通區(qū)域304。
[0077]由于該電路板基板是上述相關(guān)方法對應(yīng)的電路板基板，具體請參閱上述實(shí)施例一，此處不再贅述。
[0078]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形，在所述第一表面的第一導(dǎo)通區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第一金屬板，在所述第二表面除所述第二導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第二金屬板，將所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行配板壓合，采用該技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)電路板層間導(dǎo)通的過程，無需鉆孔，因此不會(huì)發(fā)生斷鉆的現(xiàn)象，節(jié)約了電路板外層的布線空間。
[0079]在上述實(shí)施例中，對各個(gè)實(shí)施例的描述都各有側(cè)重，某個(gè)實(shí)施例中沒有詳細(xì)描述的部分，可以參見其它實(shí)施例的相關(guān)描述。
[0080]需要說明的是，對于前述的各方法實(shí)施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其它順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。
[0081]以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的電路板基板層間導(dǎo)通的方法及電路板基板進(jìn)行了詳細(xì)介紹，但以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電路板基板層間導(dǎo)通的方法，其特征在于，包括: 采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形，所述第一金屬板的厚度為H，所述第二金屬板的厚度為h，h = Hl ; 在所述第一表面的第一導(dǎo)通區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第一金屬板以使得所述第一金屬板的除所述第一導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度為H1，所述第一導(dǎo)通區(qū)域的面積為SI，其中，SI根據(jù)所述第一導(dǎo)通區(qū)域的電流大小確定； 在所述第二表面除所述第二導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第二金屬板以使得所述第二導(dǎo)通區(qū)域的厚度為H4，所述第二導(dǎo)通區(qū)域的面積為S2，其中，S2根據(jù)所述第二導(dǎo)通區(qū)域的電流大小確定； 將所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行配板壓合。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 采用蝕刻工藝分別在所述第一金屬板的第三表面和第二金屬板的第四表面制作線路圖形，其中，所述第三表面為與所述第一金屬板的第一表面相對應(yīng)的另一個(gè)表面，所述第四表面為與所述第二金屬板的第二表面相對應(yīng)的另一個(gè)表面； 將所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行配板壓合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形之前還包括: 對所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行表面處理，所述表面處理包括除油，微蝕刻和粗糙處理。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形包括: 對所述第一金屬板蝕刻的厚度為H1/2+H2+H3，對所述第二金屬板蝕刻的厚度為H1/2，其中，所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行蝕刻區(qū)域的垂直方向上剩余的厚度均為H1/2，所述第一金屬板的厚度H = H1+H2+H3，其中，H2為所述第一金屬板的介質(zhì)層厚度，H3為需要進(jìn)行微蝕刻的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述將所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行配板壓合包括: 采用半固化片PP將所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行配板壓合。6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述第一金屬板和所述第二金屬板為銅板。7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述抗蝕刻膜包含干膜。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述 H4 ( 0.1_，所述 SI > S2。9.一種電路板,其特征在于,包括:第一金屬板和第二金屬板； 所述第一金屬板的第一表面設(shè)置有第一導(dǎo)通區(qū)域； 所述第二金屬板的第二表面設(shè)置有第二導(dǎo)通區(qū)域； 所述第一導(dǎo)通區(qū)域接觸所述第二導(dǎo)通區(qū)域。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電路板基板層間導(dǎo)通的方法。用于解決現(xiàn)有技術(shù)中通過鉆孔工藝實(shí)現(xiàn)電路板基板層間導(dǎo)通所存在的問題，所述方法包括：采用蝕刻工藝分別在第一金屬板的第一表面和第二金屬板的第二表面制作線路圖形；在所述第一表面的第一導(dǎo)通區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第一金屬板以使得所述第一金屬板的除所述第一導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域的厚度為H1；在所述第二表面除所述第二導(dǎo)通區(qū)域以外的其他區(qū)域設(shè)置抗蝕刻膜，采用微蝕刻工藝蝕刻所述第二金屬板以使得所述第二導(dǎo)通區(qū)域的厚度為H4；將所述第一金屬板和所述第二金屬板進(jìn)行配板壓合。本發(fā)明實(shí)施例還提供相應(yīng)的電路板基板。
【IPC分類】H05K3/46, H05K1/11, H05K3/40, H05K1/02
【公開號(hào)】CN105704906
【申請?zhí)枴緾N201410706020
【發(fā)明人】黃立球, 劉寶林, 沙雷
【申請人】深南電路有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2014年11月27日