專利名稱：：用于交流電力操作的發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明有關(guān)一種發(fā)光裝置，尤其有關(guān)一種用于交流(AC)電力操作的發(fā)光裝置，該發(fā)光裝置具有一陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元。
背景技術(shù)：
：發(fā)光二極管(LED)為一具有N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體被接合在一起的結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光裝置，且經(jīng)由電子及電洞的再結(jié)合而發(fā)光。此種LED被廣泛使用于顯示器及背光模塊。此外，因為與傳統(tǒng)的燈泡及螢光燈相比時，LED具有較少的電力消耗及較長的使用壽命，所以LED的應(yīng)用領(lǐng)域已擴(kuò)展到將其使用于一般照明，而同時取代了傳統(tǒng)的白熾燈泡及螢光燈。在交流(AC)電源下，LED依據(jù)電流的方向而重復(fù)開啟(on)/關(guān)閉(off)。因此，如果使用LED而同時將LED直接連接到交流電源，則會有LED無法連續(xù)發(fā)光，且容易因反向電流而受損的問題。為了解決LED的此種問題，在由SAKAI等人所提出申請的標(biāo)題為"LIGHT-EMITTINGDEVICEHAVINGLIGHT-EMITTINGELEMENTS"的國際專利公報WO2004/023568A1中提出了一種可被直接連接到高壓交流(AC)電源來予以使用的LED。依據(jù)WO2004/023568A1的揭示，在諸如藍(lán)寶石基體(substrate)的絕緣基體上二維地串聯(lián)連接LED而形成LED陣列。在該藍(lán)寶石基體上反向并聯(lián)連接兩個LED陣列。結(jié)果，提供了一種可利用交流(AC)電源來予以驅(qū)動的單晶片發(fā)光裝置。圖1及圖2為例舉具有串聯(lián)連接的發(fā)光單元的已知發(fā)光裝置的示意電路圖；圖3為例舉該已知發(fā)光裝置中的驅(qū)動電壓和電流與時間的示意圖形；以及圖4為例舉該已知發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓與發(fā)光量的示意圖形。參照圖1及圖2,發(fā)光單元d至a被串聯(lián)連接而構(gòu)成一陣列。在圖2中，在一單晶片15內(nèi)才是供至少兩個陣列，且彼此互相反向地并聯(lián)連接這些陣列。此時，圖2所示的交流(AC)電壓電源IO被連接到這些陣列的兩端；如圖2所示，一外部電阻R1被連接于交流(AC)電源IO與LED15之間。該陣列的發(fā)光單元d至Cn在該交流電壓電源的1/2周期中操作，且與該陣列反向并聯(lián)連接的另一陣列在該交流電壓電源的另一1/2周期中操作。因此，利用該交流電壓電源來交替地操作這些陣列。然而，利用交流電壓而同時開啟或關(guān)閉串聯(lián)連接的這些發(fā)光單元。因此，當(dāng)該交流電壓具有大于這些發(fā)光單元的臨界電壓的總和的值時，電流開始流經(jīng)這些發(fā)光單元。亦即，當(dāng)該交流電壓超過這些臨界電壓的總和時，這些發(fā)光單元同時開始被開啟，且在該交流電壓小于這些臨界電壓的總和的情況中，這些發(fā)光單元同時被關(guān)閉。參照圖3，在交流電壓超過一預(yù)定值之前，這些發(fā)光單元不會被開啟，且電流不會流經(jīng)這些發(fā)光單元。此時，當(dāng)經(jīng)過了某一段時間，且交流電壓超過該預(yù)定值時，電流開始流經(jīng)該陣列的發(fā)光單元。此時，當(dāng)該交流電壓更為提高而同時時間是在T/4時，電流具有最大值，而后減少。另一方面，如果該交流電壓小于該預(yù)定值，則這些發(fā)光單元41關(guān)閉，且電流不會流經(jīng)這些發(fā)光單元。因此，電流流經(jīng)這些發(fā)光單元的期間的時間相對地短于T/2。參照圖4(a)及(b),當(dāng)預(yù)定電流流經(jīng)這些發(fā)光單元時，這些發(fā)光單元發(fā)光。因此，這些發(fā)光單元被驅(qū)動而發(fā)光的期間的有效時間變成短于電流流經(jīng)這些發(fā)光單元的期間的時間。隨著發(fā)光的期間的有效時間變短，光輸出減少。因此，可能需要驅(qū)動電壓的高峰值，以{更增加該有效時間。然而，在此情形中，該外部電阻Rl中的電力消耗增加，且電流也依據(jù)該驅(qū)動電壓的提高而增加。電流的增加將導(dǎo)致這些發(fā)光單元的接面(junction)溫度的升高，且該接面溫度的升高將會降低這些發(fā)光單元的發(fā)光效率。此外，因為只有當(dāng)交流電源的電壓超過該陣列內(nèi)的這些發(fā)光單元的臨界電壓的總和時，這些發(fā)光單元才會以慢于該交流電源的相位改變速率的速率來操作。因此，無法在一基體上連續(xù)地發(fā)出均勻的光，且將會發(fā)生閃爍效應(yīng)。當(dāng)觀看離開光源有某一段距離的移動的物體時，此種閃爍效應(yīng)將會明顯出現(xiàn)，雖然無法以肉眼來觀察該效應(yīng)，但是如果在一段長的時間期間中將這些發(fā)光單元使用于照明，則該效應(yīng)可能會造成眼睛的疲勞。
發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題本發(fā)明的一目的在于提供一種用于交流(AC)電力操作的發(fā)光裝置，其中可避免或減輕閃爍效應(yīng)，且以對應(yīng)于交流電壓的相位改變的方式來增加發(fā)光的期間的時間。本發(fā)明的另一目的在于提供一種發(fā)光裝置，其中在比先前技術(shù)小的電流下進(jìn)行操作，借以提高發(fā)光效率。技術(shù)解決方案為達(dá)到這些目的，本發(fā)明提供一種用于交流(AC)電力操作的發(fā)光裝置，該裝置具有一陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元。本發(fā)明的一方面提供一種發(fā)光裝置，其中諸陣列內(nèi)的發(fā)光單元被依序開啟及關(guān)閉。依據(jù)本發(fā)明的該方面的發(fā)光裝置包含一發(fā)光二極管(LED)晶片，該LED晶片具有一陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元；以及被分別連接到這些發(fā)光單元間的節(jié)點(diǎn)的切換方塊。當(dāng)該陣列被連接到交流電壓電源且被該交流電壓電源所驅(qū)動時，借由這些切換方塊而依序開啟及關(guān)閉這些發(fā)光單元。因為依序開啟及關(guān)閉這些發(fā)光單元，所以可整體地增加這些發(fā)光單元發(fā)光的期間的有效時間。這些切換方塊可被連接到該陣列的電源及接地端。此時，當(dāng)該電源與接地端間的電壓差Va。在(預(yù)定電壓xn)至(預(yù)定電壓x(n+l))的范圍內(nèi)時，第n個切換方塊可將該接地端及一連接到該第n個切換方塊的節(jié)點(diǎn)短路，且如果該電壓差L大于(預(yù)定電壓x(n+l))，則該第n個切換方塊可使該節(jié)點(diǎn)與該接地端斷路。因此，當(dāng)交流電壓提高時，這些切換方塊依序地重復(fù)該短路及斷路，因而可依序地開啟這些發(fā)光單元。當(dāng)該交流電壓降低時，這些發(fā)光單元被依序地關(guān)閉。該預(yù)定電壓可以是這些發(fā)光單元在一參考電流下的順向電壓。因此，可將流經(jīng)這些發(fā)光單元的電流固定地保持在近似該參考電流的電流。因此，可調(diào)整該參考電流而提高這些發(fā)光單元的發(fā)光效率。例如，該參考電流可以是15至25毫安(mA)?？砂凑张c這些發(fā)光單元被開啟的順序相反的順序來關(guān)閉這些發(fā)光單元?；蛘?，可按照這些發(fā)光單元被開啟的順序來關(guān)閉這些發(fā)光單元。這些發(fā)光單元中的每一發(fā)光單元可包含一N型半導(dǎo)體層、一P型半導(dǎo)體層、以及一被插入至該兩半導(dǎo)體層間的主動層。此外，可由一以氮化4家(GaN)為基底的半導(dǎo)體來構(gòu)成這些半導(dǎo)體層。同時，該LED晶片可在該陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元之外，另包含另一陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元。以相互反向的方式來并聯(lián)連接這些陣列。切換方塊可分別被連接到該另一陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元內(nèi)的這些發(fā)光單元的節(jié)點(diǎn)。此時，被連接到該陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元內(nèi)的這些發(fā)光單元的節(jié)點(diǎn)的這些切換方塊可分別被連接到該另一陣列的這些發(fā)光單元的節(jié)點(diǎn)。本發(fā)明的另一方面提供一種用于交流電力操作的發(fā)光裝置，該裝置包含多個陣列，該多個陣列具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元，且所述的多個陣列互相并聯(lián)連接。依據(jù)本發(fā)明的該方面的交流發(fā)光裝置包含一基體。多個第一陣列位在該基體上。這些第一陣列具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元，且這些第一陣列以相互反向的方式而并聯(lián)連接。此外，多個第二陣列位在該基體上。這些第二陣列具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元，且這些第二陣列被反向并聯(lián)連接到這些第一陣列。因此，可提供一種交流發(fā)光裝置，其中在交流電源下依序地開啟這些陣列，而后按照相反的順序關(guān)閉這些陣列，因而可減低閃爍效應(yīng)，并可增加發(fā)光時間。在一些實(shí)施例中，該發(fā)光裝置可另包含一切換方塊，用以根據(jù)交流電源的電壓位準(zhǔn)(level)而控制所述的多個第一及第二陣列中的每一陣列的發(fā)光。該切換方塊根據(jù)該交流電源的電壓位準(zhǔn)而選擇性地控制這些陣列的發(fā)光。此時，這些第一及第二陣列中的每一陣列的一端被共同連接到一第一電源連接端，且這些每一陣列的另一端被分別連接到第二電源連接端。此外，該切換方塊可被連接于這些第二電源連接端與該交流電源之間，以便根據(jù)該交流電源的電壓位準(zhǔn)而形成一電流路徑，借以控制這些陣列的發(fā)光。在一些實(shí)施例中，這些第二陣列中的每一陣列可具有與這些第一陣列中的各對應(yīng)陣列的每一陣列相同數(shù)目的發(fā)光單元。因此，可提供一種依據(jù)一交流電源的相位改變而具有相同的光輸出及發(fā)光頻譜的發(fā)光裝置。此外，在這些第一及第二陣列中具有較多數(shù)目的發(fā)光單元的一陣列可具有較大的發(fā)光單元。在一些實(shí)施例中，可將第一電阻器分別串聯(lián)連接到這些第一陣列。而且，可將第二電阻器分別串聯(lián)連接到這些第二陣列。這些第一及第二電阻器被使用來防止過多的電流流進(jìn)這些第一及第二陣列中。這些第一電阻器可具有不同的電阻值，且這些第二電阻器亦可具有不同的電阻值。可將這些第一及第二電阻器分別串聯(lián)連接到這些第一及第二陣列，以使具有較大電阻值的電阻器被連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列。因此，可防止過多的電流流進(jìn)首先被開啟的陣列。同時，這些第二電阻器可具有對應(yīng)于這些第一電阻器的電阻值的電阻值。因此，可提供一種與交流電源的相位改變相關(guān)而具有相同的光輸出及發(fā)光頻譜的發(fā)光裝置。代替這些第一及第二電阻器，可將一共同的電阻器共同地串聯(lián)連接到這些第一及第二陣列。因此，由于發(fā)光單元的數(shù)目的差異而依序地操作這些陣列。因為該共同的電阻器被連接到這些個別的陣列，所以簡化了連接電阻的程序?？蓪⑦@些電阻器或該共同的電阻器定位在該基體上或該基體之外。亦即，可在一LED晶片之內(nèi)部形成這些電阻器或該共同的電阻器，或者可在一額外的電阻器裝置中形成這些電阻器或該共同的電阻器，且又將該額外的電阻器裝置連接到這些陣列。同時，在這些第一及第二陣列的每一陣列中，具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的各發(fā)光單元可具有大于具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的各發(fā)光單元的光強(qiáng)度的光強(qiáng)度。因此，可提供一種交流發(fā)光裝置，其中，在一交流電源下依序地開啟這些陣列，然后按照相反的順序來關(guān)閉這些陣列，因而可增加發(fā)光時間，且首先被開啟的陣列具有較大的光強(qiáng)度，因而可減專至閃爍承文應(yīng)。具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的該陣列內(nèi)的發(fā)光單元可具有粗糙化的表面，使這些發(fā)光單元可具有比具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的該陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度還大的光強(qiáng)度。這些發(fā)光單元的粗糙化表面可防止因折射率的差異所造成的全反射，因而提高了發(fā)射到外部的光的取光效率(extractionefficiency)。因此，增加了發(fā)光單元的光強(qiáng)度。具有粗糙化表面的發(fā)光單元可構(gòu)成數(shù)目是這些第一及第二陣列中的每一陣列的陣列數(shù)目的1/2的陣列。在此情況中，具有粗糙化表面的發(fā)光單元的這些陣列具有較少數(shù)目的發(fā)光單元。同時，可將具有粗糙化表面的發(fā)光單元的這些陣列限制在這些第一及第二陣列中的每一陣列的具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列。表面,5使這i發(fā)^單元可具有比具有最多數(shù)目的發(fā)光單元;該陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度還大的光強(qiáng)度。該傾斜的側(cè)表面提高了取光效率，因而增加了這些發(fā)光單元的光強(qiáng)度。具有傾斜的側(cè)表面的發(fā)光單元可構(gòu)成數(shù)目是這些第一及第二陣列中的每一陣列的陣列數(shù)目的1/2的陣列。在此情況中，具有傾斜的側(cè)表面的發(fā)光單元的這些陣列具有較少數(shù)目的發(fā)光單元。同時，可將具有傾斜的側(cè)表面的發(fā)光單元的這些陣列限制在這些第一及第二陣列中的每一陣列的具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列。本發(fā)明的又一方面提供一種用于交流電力操作的發(fā)光裝置，該裝置包含一橋式整流器。依據(jù)該方面的該交流發(fā)光裝置包含一基體。多個陣列定位在該基體上。該多個陣列具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元，且該多個陣列以互相反向的方式并聯(lián)連接。此外，一橋式整流器被連接到該多個陣列。該橋式整流器的兩個節(jié)點(diǎn)被分別連接到這些陣列的兩個末端部分。因此，可提供一種交流發(fā)光裝置，其中，利用被該橋式整流器整流的電流來驅(qū)動這些陣列，且亦可提供一種交流發(fā)光裝置，其中，由于發(fā)光單元的數(shù)目的差異而依序地開啟這些陣列，而后按照相反的順序來關(guān)閉這些陣列?？蓪⒃摌蚴秸髌鞫ㄎ辉谠摶w上。因此，可連同這些發(fā)光單元而形成該橋式整流器。相反地，可個別地提供一橋式整流器，然后將該橋式整流器連接到這些陣列。在一些實(shí)施例中，可將一切換方塊連接在這些陣列的一末端部分與該橋式整流器的其中一個節(jié)點(diǎn)之間。該切換方塊根據(jù)交流電源的電壓位準(zhǔn)而控制該多個陣列中的每一陣列的發(fā)光。在一些實(shí)施例中，可將電阻器定位于該橋式整流器與該多個陣列之間，且這些電阻器可被分別串聯(lián)連接到該多個陣列。這些電阻器防止過大的電流流進(jìn)這些陣列中。這些電阻器可具有不同的電阻值。此時，可將這些電阻器分別串聯(lián)連接到這些陣列，使具有較大電阻值的電阻器被連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列。因此，可防止過大的電流流進(jìn)首先被開啟的陣列中。代替該多個電阻器，可將一共同的電阻器共同地串聯(lián)連接到該多個陣列。如果使用該共同的電阻器，則可簡化連接電阻器的程序。同時，該多個陣列中具有較多數(shù)目發(fā)光單元的陣列可具有較大的發(fā)光單元。在一些實(shí)施例中，于該多個陣列中，具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的各發(fā)光單元可具有大于具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的一陣列內(nèi)的各發(fā)光單元的光強(qiáng)度的光強(qiáng)度。例如，具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的該陣列內(nèi)的發(fā)光單元可具有粗糙化表面，以使這些發(fā)光單元可具有比具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的該陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度大的光強(qiáng)度?；蛘撸哂凶钌贁?shù)目可具有比具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的該陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度大的光強(qiáng)度。本發(fā)明的又一方面提供一種包含一延遲磷光體(delayphosphor)的交流發(fā)光裝置。依據(jù)該方面的交流發(fā)光裝置包含一LED晶片，該LED晶片具有多個發(fā)光單元；一透明構(gòu)件，用以覆蓋該LED晶片；以及一延遲磷光體，該延遲磷光體^l自這些發(fā)光單元所發(fā)出的光激勵，而發(fā)出在可見光范圍內(nèi)的光。在本發(fā)明中，術(shù)語"延遲磷光體"也被稱為長余輝磷光體(longafterglowphosphor),且意指一種在激勵光源被阻隔之后具有長衰減時間的磷光體。在本發(fā)明中，將衰減時間定義為在激勵光源被阻隔之后到達(dá)起始值的10%所耗用的時間。在此實(shí)施例中，該延遲磷光體可具有1毫秒或更長且最好是大約8毫秒或更長的衰減時間。同時，雖然該延遲磷光體的衰減時間的上限并未限于特定的值，但是最好是根據(jù)發(fā)光裝置的用途而不要太長。例如，在將發(fā)光裝置用于一般家庭照明的情形中，該延遲磷光體的衰減時間最好是幾分鐘或更短。對室內(nèi)照明而言，10小時或更短的衰減時間也是足夠的。依據(jù)該實(shí)施例，當(dāng)LED晶片發(fā)射可見光時，自該LED晶片發(fā)射的光與自該延遲磷光體發(fā)射的光混合，而增加了該發(fā)光裝置的發(fā)光時間，因而避免了交流發(fā)光裝置的閃爍效應(yīng)。可將該延遲磷光體定位在該LED晶片與該透明構(gòu)件之間，或者可將該延遲磷光體散布在該透明構(gòu)件之內(nèi)。該延遲磷光體可以是紅色、綠色、及藍(lán)色磷光體中的磷光體、或以上各磷光體的組合。除了該延遲磷光體之外，該交流發(fā)光裝置可另包含另一磷光體，該磷光體被自該LED晶片所發(fā)射的光激勵，而發(fā)射可見光范圍內(nèi)的光。將該磷光體用來提供可借由轉(zhuǎn)換自LED晶片發(fā)射的光的波長而發(fā)射具有各種顏色的光的發(fā)光裝置。例如，在該LED晶片發(fā)射紫外光的情形中，這些其他的磷光體可以是紅色、綠色、及(或)藍(lán)色磷光體，以便經(jīng)由與自該延遲磷光體發(fā)射的可見光范圍內(nèi)的光混合，而發(fā)射白光。此外，在該LED晶片發(fā)射藍(lán)光的情形中，這些其他的磷光體可以是紅色磷光體及(或)綠色磷光體、或黃色磷光體。有利的效果依據(jù)本發(fā)明，可提供一種用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其中可避免或減輕閃爍效應(yīng)，且以對應(yīng)于交流電壓的相位改變的方式來增加發(fā)光的時間。此外，可提供一種發(fā)光裝置，其中可以比先前技術(shù)還小的電流來進(jìn)行操作，因而提高了發(fā)光效率。圖l及圖2是傳統(tǒng)交流發(fā)光裝置的電路示意圖。圖3是該傳統(tǒng)交流發(fā)光裝置中的驅(qū)動電壓與驅(qū)動電流間的示意圖形。圖4是該傳統(tǒng)交流發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓與發(fā)光量間的示意圖形。圖5是依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管(LED)的一部分剖面圖。圖6是依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的交流LED的一部分剖面圖。圖7是依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的電路示意圖。圖8是依據(jù)本發(fā)明的該第一實(shí)施例的該交流發(fā)光裝置中的驅(qū)動電壓及電流與時間之間的示意圖形。圖9是依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的電路示意圖。圖10是依據(jù)本發(fā)明的該第二實(shí)施例的該交流發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓與發(fā)光量的示意圖形。圖11是依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的電路示意圖。'圖12是依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的該交流發(fā)光裝置的修改的電路示意圖。圖13是依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓及發(fā)光量的示意圖形。圖14是依據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的一交流發(fā)光裝置的電路示意圖。圖15是依據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的一交流發(fā)光裝置的電路示意圖。圖16是依據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的一交流發(fā)光裝置的電路示意圖。圖17及圖18是可適用于本發(fā)明的實(shí)施例的LED的剖面圖。圖19是依據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的一交流發(fā)光裝置的剖面圖。圖20是依據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的一交流發(fā)光裝置的發(fā)光特性的示意10:交流電源15，500:發(fā)光裝置30:發(fā)光單元20:基體25:第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29，29a:第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層27:主動層31:電極21:緩沖層33a，33b:電極墊41:導(dǎo)線51:反射金屬層53:金屬凸塊300:切換方塊101-108:陣列110:第一電源連接端121-128:第二電源連接端200:發(fā)光二極管400,350:橋式整流器410-440:二極管部分1:交流發(fā)光裝置3:發(fā)光裝置晶片7:磷光體5:透明構(gòu)件具體實(shí)施例方式在下文中，將參照各附圖而詳細(xì)說明本發(fā)明的較佳實(shí)施例。只是為了例示的目的而提供下文中的實(shí)施例，使熟悉此項技術(shù)者可完全了解本發(fā)明的精神。因此，本發(fā)明并不限于下文中的實(shí)施例，而是可以其他的形式來實(shí)施本發(fā)明。在這些圖式中，為了便于解說，各元件的寬度、長度、及厚度等的尺寸將被放大。在整個說明書及圖式中，相同的參考數(shù)字表示相同的元件。圖5為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的發(fā)光二極管(LED)的一部分剖面圖。請參照圖5,相互間隔開的一些發(fā)光單元30被定位在一基體20上。每一發(fā)光單元30包含一第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層25、被定位在該第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層25的區(qū)域上的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29、以及一^R插入至該第一與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層之間的主動層27。在此，該第一及第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層25及29分別為一N型及一P型的半導(dǎo)體層、或一P型及一N型的半導(dǎo)體層?？稍谠摰诙?dǎo)電類型半導(dǎo)體層29上形成一電極31。該電極31可以是可透射光線的透明電極?？稍诨w20上形成這些個別的半導(dǎo)體層及一電極層，然后使用微影及蝕刻制程而在這些層中產(chǎn)生圖案?；w20可以是由氧化鋁U1203)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、硅、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、鋰/氧化鋁(LiAlA)、氮化硼(BN)、氮化鋁(A1N)、或氮化鎵(GaN)所制成的基體，且根據(jù)將要在基體20上形成的半導(dǎo)體層的材料來選擇該基體20。如果形成了以氮化鎵(GaN)基底的半導(dǎo)體層，則基體20可以是氧化鋁(A1203)或碳化硅(SiC)基體?？稍诨w20與每一發(fā)光單元30之間插入一緩沖層21。緩沖層21是用來在晶體生長時減少基體20與隨后各層間的晶格失配(latticemismatch)。例如，緩沖層21可以是一氮化鎵(GaN)或氮化鋁(A1N)薄膜。該N型半導(dǎo)體層是在該層中產(chǎn)生電子且可由以N型雜質(zhì)摻雜的氮化鎵(GaN)形成的層。該P(yáng)型半導(dǎo)體層是在該層中產(chǎn)生電洞且可由以P型雜質(zhì)摻雜的氮化鋁鎵(AlGaN)形成的層。主動層27是作出預(yù)定的能帶間隙及量子井而可使電子及電洞再結(jié)合的區(qū)域，且主動層27可包括一AlJnyGazN層。電子及電洞結(jié)合時所發(fā)射光的波長隨著構(gòu)成主動層27的各元素的成分比率而改變。因此，選擇鋁、銦、與鎵之間的成分比率，以^^發(fā)射具有所需波長的光，例如，紫外光或藍(lán)光?？稍诘谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層25的區(qū)域上形成一電極墊33a，并可在電極31上形成一電極墊33b。可使用剝離(lift-off)技術(shù)，而在所需的位置上形成電極墊33a及33b中的每一電極墊。'導(dǎo)線41將相鄰的電極31在電氣上相互連接，以便形成具有被串聯(lián)連接的發(fā)光單元30的陣列。如圖5所示，每一導(dǎo)線41將一發(fā)光單元的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層25上所形成的電極墊33a連接到另一發(fā)光單元的電極31上所形成的電極墊33b。可使用空氣橋(Airbridge)或階梯覆蓋(step-coverage)制程來形成導(dǎo)線41。圖6是依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的LED的剖面圖。因為此實(shí)施例的LED與圖5所示的LED大部分相同，所以將只說明差異的部分。請參閱圖6，在每一電極31上形成一反射金屬層51?？梢砸粏螌踊蚨鄬拥姆绞絹硇纬煞瓷浣饘賹?1。例如，可以銀制成該反射金屬層，且可在該反射金屬層的上部及下部分別形成用來避免銀的擴(kuò)散的阻障金屬層(barriermetallayer)。該反射金屬層將自主動層27產(chǎn)生的光朝向基體20反射。因此，基體20最好是一光透射基體?？稍诜瓷浣饘賹?1上形成電極墊33b，或者可省略掉電極墊33b。同時，并不形成反射金屬層51，而是可形成電極31以作為一反射金屬層。同時，在反射金屬層51上形成一金屬凸塊(bumper)53。該金屬凸塊53被接合在一次載具(submount)(圖中未示出)上，以便傳導(dǎo)自一發(fā)光單元產(chǎn)生的熱。根據(jù)該實(shí)施例，提供了一種具有與一次載具有熱接觸的一些金屬凸塊53的一覆晶(flip-chip)型LED。此種覆晶型LED具有較優(yōu)異的散熱效率，因而提供高光輸出。圖7是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的交流(AC)發(fā)光裝置的一電路示意圖，且圖8是根據(jù)本發(fā)明的該第一實(shí)施例的該交流發(fā)光裝置中的驅(qū)動電壓及電流與時間的示意圖形。請參閱圖7，該發(fā)光裝置包含一陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元d至a。在單一LED晶片上形成該陣列?？稍谝粏尉闲纬啥鄠€陣列，且以相互反向的方式并聯(lián)連接這些陣列。因此，這些發(fā)光單元連接到一交流電源而,皮驅(qū)動。如同前文中參照圖5及圖6所述的，每一發(fā)光單元包含一N型半導(dǎo)體層、一P型半導(dǎo)體層、以及一被插入至這些半導(dǎo)體層之間的主動層。可用主J層r這些半導(dǎo):層及該主動層并不限于該J氮化鎵、(GaN)'為基底的化合物半導(dǎo)體層，而是可使用各種技術(shù)而以各種材料薄膜形成這些半導(dǎo)體層及該主動層。這些發(fā)光單元d至"被串聯(lián)連接，且節(jié)點(diǎn)L,至L^被定位于各發(fā)光單元之間。各切換方塊G,至Gn—,被分別連接到這些節(jié)點(diǎn)L,至L-。亦即，切換方塊G,被連接到發(fā)光單元d與CJ司的節(jié)點(diǎn)U且切換方塊G2被連接到發(fā)光單元C2與C;間的節(jié)點(diǎn)L2。切換方塊G?！?以此種方式被連接到發(fā)光單元a—,與a間的節(jié)點(diǎn)Ln—,。當(dāng)交流電壓Va。沿著正向而提高時，這些切換方塊G,至Gn-,被依序操作，而將這些發(fā)光單元c,至"依序開啟。此外，如果該交流電壓通過一峰值且降低，則這些切換方塊G,至Gh再度被依序操作，而將這些發(fā)光單元d至C。依序關(guān)閉。每一切換方塊Gi至G_，被連接到該陣列的發(fā)光單元的電源端S及接地端G。在此，如果交流電壓電源被電連接到該陣列的兩端，則電流經(jīng)一端點(diǎn)而流進(jìn)該陣列，此一端點(diǎn);波稱為電源端S，且電流經(jīng)一端點(diǎn)而流出該陣列，此一端點(diǎn);故稱為"l妻地端G。該交流電壓電源可纟皮連接到該電源端S，且可將該接地端G接地?；蛘?，該電源及接地端S及G可分別被連接到該交流電壓電源的兩端。在此，為了便于解說，將把接地端G說明為被接地。如果該4妾地端G被接地，則可將這些切換方塊G,至Gn-,分別接地，而不是將這些切換方塊連接到該陣列的4^地端G?？衫迷撾娫磁c接地端S與G間的電壓差而驅(qū)動這些切換方塊Gi至，且將于下文中說明此種操作。當(dāng)該電源端S的電壓L在(預(yù)定電壓xn)至(預(yù)定電壓x(n+l))的范圍內(nèi)時，這些切換方塊中的每一切換方塊G。將節(jié)點(diǎn)L與接地端G點(diǎn)短路。在此，n表示切換方塊的序數(shù)。在此情況中，各切換方塊G,至Gn-,將電流旁通到該接地端G。同時，如果該電源端S的電壓L為(預(yù)定電壓x(n+l))或更高時，則這些切換方塊中的每一切換方塊Gn將節(jié)點(diǎn)Ln自該接地端G斷路。在此情況中，經(jīng)由切換方塊d至Gw而旁通的電流被切斷。此外，如果該電源端S的電壓L低于(預(yù)定電壓xn)，則這些切換方塊G,至Gn-,中的每一切換方塊將節(jié)點(diǎn)L自該接地端G斷路。該預(yù)定電壓可以是在參考電流下的這些發(fā)光單元的順向電壓?？紤]到這些發(fā)光單元的發(fā)光效率而決定該參考電流。例如，可將該參考電流決定為這些發(fā)光單元的發(fā)光效率被最大化時的電流。該電流可以是15至25毫安，且該電流在基于氮化鎵('GaN)的半導(dǎo)體層及主動層中是20毫安。下文中將詳細(xì)說明依據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光裝置的操作。在此，將把發(fā)光單元在一參考電流下的順向電壓Vr敘述為該預(yù)定電壓。如果交流電壓電源被連接到該電源端S，使該電源端的電壓高于該順向電壓Vf，則切換方塊G,將節(jié)點(diǎn)L,與接地端G短路。因此，該參考電流開始流經(jīng)發(fā)光單元C,及切換方塊G1;且發(fā)光單元d被操作而發(fā)光。如果交流電壓Va。進(jìn)一步增加，則超過該參考電流的電流流經(jīng)發(fā)光單元d。然后，如果該交流電壓到達(dá)2Vn則切換方塊G,將節(jié)點(diǎn)L,自該接地端G斷路，而切斷一旁通(bypassing)電流。同時，切換方塊G2將節(jié)點(diǎn)L2與接地端G短路。因此，發(fā)光單元C^皮開啟，且該參考電流經(jīng)由發(fā)光單元C,及C2、以及切換方塊G2而流入該^接地端G。亦即，電流利用切換方塊G2而自節(jié)點(diǎn)L2旁通到接地端G。當(dāng)交流電壓Va。增加時，重復(fù)各切換方塊Gi至Gn—,被短路然后被斷路的程序，使各切換方塊Gi至Gn-,被依序斷路，因而發(fā)光單元d至"被依序開啟。同時，如果經(jīng)過T/4的時間之后，交流電壓Va。減少，則原先被斷路的切換方塊G。-i被短路，且發(fā)光單元Cn被關(guān)閉。然后，如果交流電壓L進(jìn)一步減少，則切換方塊Gn—,被斷路，且原先被斷路的切換方塊Gn-2(圖中未示出)被短路，而關(guān)閉發(fā)光單元d。亦即，當(dāng)交流電壓L減少時，依序重復(fù)各切換方塊G至G^被短路然后被斷路的程序，且這些發(fā)光單元被依序關(guān)閉。表1<table>complextableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>請參閱表1，發(fā)光單元C,至"隨著時間的經(jīng)過而依序被開啟，然后在經(jīng)過T/4的時間之后按照相反順序被關(guān)閉。在先前技術(shù)中開啟所有發(fā)光單元的驅(qū)動電壓Va。下，根據(jù)該實(shí)施例的所有發(fā)光單元也被開啟，此外，根據(jù)該實(shí)施例，甚至在該驅(qū)動電壓Va。開啟所有的發(fā)光單元之前，某些發(fā)光單元已被開啟。請參閱圖8，當(dāng)驅(qū)動電壓Va。增加時，在所有的發(fā)光單元被開啟之前，流經(jīng)這些發(fā)光單元d至Cn的電流具有大致固定的電流值。該電流大致對應(yīng)于參考電流。顯然可看出縱然在所有的發(fā)光單元被開啟之后，驅(qū)動電壓L進(jìn)一步增加，流經(jīng)這些發(fā)光單元的電流并未增加。同時，因為這些發(fā)光單元被依序開啟，所以縱使在驅(qū)動電壓L具有一較小值時，某些發(fā)光單元也已經(jīng)發(fā)光。此外，因為這些發(fā)光單元^皮依序關(guān)閉，所以縱然驅(qū)動電壓Va。具有一較小值時，某些發(fā)光單元仍然發(fā)光。因此，增加了這些發(fā)光單元被驅(qū)動的有效時間。根據(jù)該實(shí)施例，因為這些發(fā)光單元d至Cn被依序開啟及關(guān)閉，所以與先前技術(shù)相比時，整體上增加了這些發(fā)光單元被開啟而發(fā)光的有效時間。因此，如果使用與先前技術(shù)相同的交流電壓電源，則可增加光輸出。換言之，縱然將驅(qū)動電壓Va。的峰值設(shè)定為比先前技術(shù)小的值，也可提供與先前技術(shù)相同的光輸出。因此，可使用小電流來驅(qū)動這些發(fā)光單元。因此，使這些發(fā)光單元的接面溫度降低，因而提高發(fā)光效率。這些切換方塊Gt至Gn—,并不限于該實(shí)施例，而是可將這些切換方塊G,至G^實(shí)施成各種修改形式。例如，可將這些切換方塊配置成相同的電路，且可加入另一電路以用來依序操作這些切換方塊。此外，可在這些發(fā)光裝置內(nèi)，或以與這些切換方塊分離的方式，提供一電路，用以在電源電壓Vac在某一范圍內(nèi)增加時，避免過大的電流流經(jīng)工作的發(fā)光單元。例如，該電路可包括諸如曾納二極管或電阻器等的恒定電壓源。因此，在任意的發(fā)光單元Cn被開啟之前，可避免讓過大的電流流經(jīng)已被開啟的發(fā)光單元d至C—,。光單:，、且:切、換方塊4被分;連接到每一陣列的這些發(fā)光單元間的節(jié)點(diǎn):同時，這些切換方塊可共同地被連接到這些個別的陣列。因此，這些切換讓另二陣列內(nèi)的這些發(fā)光單元在后續(xù)的1/2"周期中被依序;^或關(guān)閉?？趫D9為依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的電路示意圖，且圖10為依據(jù)本發(fā)明的該第二實(shí)施例的該交流發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓與發(fā)光量的示意圖形。'請參閱圖9，依據(jù)該實(shí)施例的該交流發(fā)光裝置包含一LED200及一切換方塊300。LED200包含多個陣列101至108,每一陣列具有被串聯(lián)連接的發(fā)光單元。這些陣列101至108被定位在一單一基體上，且每一陣列具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元，因而每一陣列在一不同的電壓位準(zhǔn)下—皮驅(qū)動。陣列101至108的一端點(diǎn)被連接到第一電源連接端110，且陣列101至108的其他端點(diǎn)被分別連接到多個第二電源連接端121至128。同時，切換方塊300被連接到發(fā)光二極管200的該多個第二電源連接端121至128，而#4居諸如外部電源1000的電壓值，形成了該外部電源1000與這些第二電源連接端121至128中的第二電源連接端間的電流路徑。此處，該第一電源連接端IIO被連接到該外部電源1000。例如，LED200包含如圖9所示的8個發(fā)光單元陣列101至108，且在這些發(fā)光單元陣列101至108中的每一發(fā)光單元陣列中串聯(lián)連接多個發(fā)光單元30，使這些發(fā)光單元30在不同的電壓下發(fā)光。亦即，第一至第四陣列101至104中的每一陣列具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元30,且這些發(fā)光單元30沿著順向方向而被連接于這些第二電源連接端121至124與該第一電源連接端110之間。第五至第八陣列105至108中的每一陣列具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元30，且這些發(fā)光單元30沿著反向方向而被連接于這些第二電源連接端125至128與該第一電源連接端110之間。此時，術(shù)語"順向方向"及"反向方向"意指兩個端點(diǎn)間的電流的流動方向。電流自這些第二電源連4妄端121至128流到該第一電源連接端110的(以這些第二電源連接端121至128為基準(zhǔn)的)方向被稱為順向方向，且電流自該第一電源連接端110流到這些第二電源連接端121至128的方向被稱為反向方向。在此，第二陣列102具有數(shù)目大于第一陣列101的數(shù)目的發(fā)光單元30，第三陣列103具有數(shù)目大于第二陣列102的數(shù)目的發(fā)光單元30,且第四陣列104具有數(shù)目大于第三陣列103的數(shù)目的發(fā)光單元30。此外，第六陣列106具有數(shù)目大于第五陣列105的數(shù)目的發(fā)光單元30，第七陣列107具有數(shù)目大于第六陣列106的數(shù)目的發(fā)光單元30，且第八陣列108具有數(shù)目大于第七陣列107的數(shù)目的發(fā)光單元30。此時，第一至第四陣列101、102、103、及104最好是分別包含數(shù)目與第五至第八陣列105、106、107、及108的數(shù)目相同的發(fā)光單元30。例如，當(dāng)使用一個220伏特的交流電源1000時，可選擇第一及第五陣列101及105中的每一陣列內(nèi)的發(fā)光單元30的數(shù)目，使這些發(fā)光單元30發(fā)射交流電壓的絕對值是1至70伏特時的范圍內(nèi)的光；可選擇第二及第六陣列102及106中的每一陣列內(nèi)的發(fā)光單元30的數(shù)目，使這些發(fā)光單元30發(fā)射交流電壓的絕對值是71至140伏特時的范圍內(nèi)的光；可選擇第三及第七陣列103及107中的每一陣列內(nèi)的發(fā)光單元30的數(shù)目，使這些發(fā)光單元30發(fā)射交流電壓的絕對值是141至210伏特時的范圍內(nèi)的光；且可選擇第四及第八陣列104及108中的每一陣列內(nèi)的發(fā)光單元30的數(shù)目，使這些發(fā)光單元30發(fā)射交流電壓的絕對值是211至280伏特時的范圍內(nèi)的光。前文所述的電壓范圍只是用于解說，且可改變各該發(fā)光單元陣列內(nèi)被串聯(lián)連接的發(fā)光單元的數(shù)目，而調(diào)整該電壓范圍。發(fā)光單元的數(shù)目決定了一發(fā)光單元陣列的驅(qū)動電壓。如圖9所示，根據(jù)該實(shí)施例的切換方塊300包含被連接到交流電源1000的一末端的第一端點(diǎn)、以及分別被連接到該多個第二電源連接端121至128的多個第二端點(diǎn)。此外，切換方塊300包含一電壓位準(zhǔn)決定單元，用以決定交流電源1000的電壓位準(zhǔn)；以及一開關(guān)，用以根據(jù)電壓位準(zhǔn)而改變交流電源1000與這些第二電源連接端121至128間的電流路徑。根據(jù)沿著順向或反向方向施加的電壓，而將切換方塊300選^H"生地旁通到這些第二電源連接端121至128。切換方塊300根據(jù)交流電源1000的電壓位準(zhǔn)，而形成第一至第八陣列101至108之第二電源連接端121至128與該交流電源1000間的電流路徑。例如，如果施加了一低的順向電壓，則在該交流電源1000與第一陣列101的第二電源連接端121之間形成了電流路徑，因而第一陣列101內(nèi)的發(fā)光單元可發(fā)光；且如果施加了一高的反向電壓，則在該交流電源1000與第八陣列108的第二電源連接端128之間形成了電流路徑，因而第八陣列108內(nèi)的發(fā)光單元可發(fā)光。圖10為依據(jù)該實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓與發(fā)光量的示意圖形。此處，圖10(a)示出交流電源的波形圖，且圖10(b)示出該發(fā)光裝置的發(fā)光量。請參閱圖10，切換方塊300根據(jù)交流電源1000的電壓位準(zhǔn)而改變交流電源1000與第一至第八陣列101至108間的電流^^徑。亦即，第一至第八陣列101至108中的任一陣列發(fā)射某一強(qiáng)度的光。因此，因為根據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光裝置在交流電源1000的大部分的電壓位準(zhǔn)下發(fā)光，所以減輕了電力損失及閃爍效應(yīng)。如圖10(a)所示，隨著時間的經(jīng)過而周期性地使交流電源1000的電壓變化。當(dāng)該交流電源處于順向方向時，將順向的電源的電壓位準(zhǔn)定義為區(qū)域A、B、C、及D，且根據(jù)這些區(qū)域而決定可發(fā)光的陣列。亦即，如果交流電源1000的電壓存在于區(qū)域A之內(nèi)，則切換方塊300形成至第一陣列101的一電流路徑，因而第一陣列101內(nèi)的發(fā)光單元可發(fā)光(請參閱圖10(b)中的A，)。因為第一陣列101中的小數(shù)目的發(fā)光單元30相互串聯(lián)，所以易于以一低電壓開啟這些發(fā)光單元30。此外，如果該交流電源的電壓存在于區(qū)域B之內(nèi)，則該切換方塊300形成至第二陣列102的一電流if各徑，因而第二陣列102內(nèi)的發(fā)光單元可發(fā)光(請參閱第lO(b)圖中的B，)。此外，如果該交流電源的電壓存在于區(qū)域C之內(nèi)，則該切換方塊300形成至第三陣列103的一電流路徑，因而第三陣列103內(nèi)的發(fā)光單元可發(fā)光(請參閱圖10(b)中的C，)。此外，如果該交流電源的電壓存在于區(qū)域D之內(nèi)，則該切換方塊300形成至第四陣列104的一電流路徑，因而第四陣列l(wèi)(M內(nèi)的發(fā)光單元可發(fā)光(請參閱圖10(b)中的D，)。同時，當(dāng)沿著反向方向而施加該交流電源時，1奪反向的電源的電壓^f立準(zhǔn)定義為區(qū)域E、F、G、及H,且根據(jù)這些區(qū)域而改變可發(fā)光的陣列。亦即，切換方塊30(H艮據(jù)交流電源1000的電壓位準(zhǔn)而選擇性地形成至第五至第八陣列105、106、107、及108的電流路徑，因而這些陣列中的每一陣列內(nèi)的發(fā)光單元可依序發(fā)光(請參閱圖10(b)中的E，、F，、G，、及H，)。圖11為依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的電路示意圖，圖12為依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的該交流發(fā)光裝置的修改的電路示意圖，且第13圖為依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的驅(qū)動電壓及發(fā)光量的示意圖形。請參閱圖11及圖12，依據(jù)該實(shí)施例的交流發(fā)光裝置包含一橋式整流器400，用以將來自交流電源1000的電流整流；多個陣列101至103,每一陣列具有在其中被串聯(lián)連接的多個發(fā)光單元；以及一被連接到這些陣列的切換方塊300。這些陣列101至103具有不同數(shù)目的發(fā)光單元。同時，該多個陣列101至103的每一陣列的一端點(diǎn)被連接到與橋式整流器400連接的第一電源連接端110，且該多個陣列101至103的每一陣列的另一端點(diǎn)分別被連接到該多個第二電源連接端121至123。該切換方塊300被連接到發(fā)光裝置200的該多個第二電源連接端121至123、以及橋式整流器400。切換方塊300根據(jù)橋式整流器400所整流的電壓的位準(zhǔn)，而形成橋式整流器400與第二電源連接端121至123間的電流路徑。如圖11所示，可以被配置在第一至第四節(jié)點(diǎn)Ql至Q4的的二極管部分410至440形成橋式整流器400。亦即，第一二極管部分410的陽極及陰^L端分別被連接到第一及第二節(jié)點(diǎn)Ql及Q2。第二二極管部分420的陽極及陰極端分別被連接到第三及第二節(jié)點(diǎn)Q3及Q2。第三二極管部分430的陽極及陰極端分別被連接到第四及第三節(jié)點(diǎn)Q4及Q3。第四二極管部分440的陽才及及陰極端分別被連接到第四及第一節(jié)點(diǎn)Q4及Ql。第一至第四二極管部分410至440可具有與發(fā)光單元30相同的結(jié)構(gòu)。亦即，于形成這些發(fā)光單元30時，可在相同的基體上形成第一至第四二極管部分410至440。此時，橋式整流器400的第一及第三節(jié)點(diǎn)Ql及Q3被連接到交流電源1000,第二節(jié)點(diǎn)Q2被連接到切換方塊300，且第四節(jié)點(diǎn)Q4被連接到第一電源連接端110?？墒褂门cLED200分離的整流二極管來提供橋式整流器400。如圖12所示，可將LED200定位在橋式整流器內(nèi)。該圖示出于制造發(fā)光二極管時，使用在該LED晶片的邊緣部分上形成的額外的發(fā)光單元以制造橋式整流器400,其中該發(fā)光二極管包含陣列，每一陣列具有被串聯(lián)連接的多個發(fā)光單元。圖13為顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的操作的示意圖形。在此，圖13(a)為被施加到橋式整流器400的第二節(jié)點(diǎn)Q2的交流電源的波形圖，且圖13(b)為該發(fā)光裝置的發(fā)光量的圖形。'當(dāng)施加交流電壓時，如圖13(a)所示，經(jīng)由橋式整流器400的整流操作而產(chǎn)生了一反向電壓4皮反向的形式的電源。因此，只有順向電壓^皮施加到該切換方塊300。因此，陣列101、102、及103被相互并聯(lián)連接，使LED200可回應(yīng)于該順向電壓而發(fā)光。如果橋式整流器400所整流的交流電源的電壓位準(zhǔn)存在于區(qū)域A，則切換方塊300形成至第一陣列101的電流路徑，因而該第一陣列內(nèi)的發(fā)光單元可發(fā)光。此時，如果所施加的電壓大于第一陣列101內(nèi)被串聯(lián)的發(fā)光單元30的臨界電壓的總和，則開始發(fā)光，且當(dāng)所施加的電壓增加時，發(fā)光量也增加。然后，如果電壓上升而^f吏該電壓位準(zhǔn)到達(dá)區(qū)域B時，該切換方塊300形成至第二陣列102的電流路徑；以及如果該電壓位準(zhǔn)到達(dá)區(qū)域C時，形成至第三陣列103的電流路徑。根據(jù)該實(shí)施例的交流發(fā)光裝置在沒有電力消耗的情況下在交流電源的大部分的電壓位準(zhǔn)下發(fā)光，且增加了發(fā)光的時間，而減少了閃爍效應(yīng)。圖14為依據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的電路圖。在下文中，n代表2或更大的整數(shù)。請參閱圖14,該發(fā)光裝置具有一LED200,且又包含第一電阻R1至Rn、以及第二電阻R，1至R，n。LED200在單一基體上包含多個第一陣列Al至An、以及多個第二陣列RA1至RAn,每一陣列具有被串聯(lián)的一些發(fā)光單元(圖5中的30)。這些第一陣列Al至An相互并聯(lián)連接，且這些第二陣列RA1至RAn與這些第一陣列反向并聯(lián)連接。這些第一陣列Al至An具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元。亦即，陣列Al內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目小于陣列A2內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目，且陣列A2內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目小于陣列An內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目。此外，這些第二陣列RA1至RAn具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元。亦即，陣列RA1內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目小于陣列RA2內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目，且陣列RA2內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目小于陣列RAn內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目。這些第二陣列RA1至RAn可具有數(shù)目分別對應(yīng)于這些第一陣列所具有的數(shù)目的發(fā)光單元。亦即，陣列RA1具有數(shù)目等于陣列Al所具有的數(shù)目的發(fā)光單元，陣列RA2具有數(shù)目等于陣列A2所具有的數(shù)目的發(fā)光單元，且陣列RAn具有數(shù)目等于陣列An所具有的數(shù)目的發(fā)光單元。因此，被反向并聯(lián)連接的個別的第二陣列與各對應(yīng)的第一陣列配對?？蓪⑦@些第一及第二陣列的末端部分在基體(圖5中的20)上相互連接。為達(dá)到此一目的，在基體20上提供了一接合墊(圖中未示出)，且這些陣列的這些末端部分可經(jīng)由導(dǎo)線而被連接到該接合墊(bondingpad)?？捎谛纬蓤D5中的導(dǎo)線41時，形成用來將這些陣列連接到基體20上的接合墊的這些導(dǎo)線。亦即，無須經(jīng)由接合導(dǎo)線而連接這些陣列的這些末端部分，因而簡化了布線(wiring)制程。同時，在這些第一及第二陣列Al至An以及RA1至RAn中，具有最大數(shù)目的發(fā)光單元的一陣列可具有較大的發(fā)光單元30。亦即，同一陣列內(nèi)的發(fā)光單元可具有大致為相同尺寸的主動層(圖5中的27)，但是不同的陣列內(nèi)的發(fā)光單元可具有尺寸不同的主動層。當(dāng)發(fā)光單元的主動層27變得較大時，發(fā)光單元30的整體電阻(bulkresistance)將降低。因此，當(dāng)在大于臨界電壓的電壓下提高電壓時，流經(jīng)發(fā)光單元30的電流量將迅速增加。同時，這些第一電阻器Rl至Rn分別被串聯(lián)連接到這些第一陣列Al至An，且這些第二電阻器R，1至R，n分別被串聯(lián)連接到這些第二陣列RA1至RAn。這些第一及第二電阻可分別經(jīng)由導(dǎo)線而被連接到這些陣列。這些第一電阻器R1至Rn可具有不同的電阻值，且這些第二電阻器R，1至R，n亦可具有不同的電阻值。此時，最好是將這些第一及第二電阻器分別串聯(lián)連接到這些第一及第二陣列，使具有較大電阻值的電阻器被連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列。亦即，具有較大電阻值的電阻器R1或R，1被串聯(lián)連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列Al或RA1，且具有較小電阻值的電阻器Rn或R，n被串聯(lián)連接到具有較多數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列An或RAn。這些電阻器的末端部分及這些陣列的末端部分被連接到交流電源1000的兩端點(diǎn)。在此，交流電源1000可以是一^殳的家庭(household)交流電壓電源。下文中將詳細(xì)說明該交流發(fā)光裝置的操作。首先，將說明利用交流電源將一正電壓施加到這些電阻器并將一負(fù)電壓施加到在這些電阻器的對向的這些陣列的每一陣列的一末端部分的一種半周期。當(dāng)交流電壓自零電壓增加時，開啟了沿著順向方向施加偏壓的這些第一陣列Al至An。因為這些第一陣列Al至An具有不同數(shù)目的發(fā)光單元30,所以自具有較少數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列Al開始開啟這些第一陣列Al至An。當(dāng)該交流電壓超過該陣列Al內(nèi)的這些發(fā)光單元的臨界電壓的總和時，即開啟該陣列A1。當(dāng)該交流電壓增加時，電流即增加，而使發(fā)光單元發(fā)光。同時，如果該交流電壓進(jìn)一步增加且因而使該電流增加，則因電阻R1而產(chǎn)生的電壓降變得較大。因此，避免了過大的電流流經(jīng)該陣列Al。如果該交流電壓進(jìn)一步增加且因而超過該陣列A2內(nèi)的這些發(fā)光單元的臨界電壓的總和時，即開啟該陣列A2而發(fā)光。當(dāng)重復(fù)該程序時，開啟陣列An而發(fā)光。亦即，自具有較少數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列開始而依序開啟這些陣列。然后，如果該交流電壓通過T/4上的最大峰值，然后變得小于該陣列An內(nèi)的這些發(fā)光單元的臨界電壓的總和時，則該陣列An被關(guān)閉。然后，該交流電壓進(jìn)一步降低，因而該陣列A2被關(guān)閉，且然后陣列Al被關(guān)閉。亦即，自具有較大數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列開始而依序關(guān)閉這些第一陣列。按照與開啟這些陣列的順序相反的順序來完成這些陣列的關(guān)閉。當(dāng)該交流電壓再度變?yōu)榱銜r，即完成了該半周期。在后半周期中，對該交流電壓的相位改變時被沿著順向方向施加偏壓的這些第二陣列RAi至Ran進(jìn)行操作。以與這些第一陣列相同的方式操作這些第二陣列。依據(jù)該實(shí)施例，提供了一種利用交流電源1000來驅(qū)動的交流發(fā)光裝置。此外，因為重復(fù)依序開啟這些第一及第二陣列Al至An及RA1至RAn然后按照相反順序來關(guān)閉這些陣列的程序，所以與傳統(tǒng)的發(fā)光裝置相比時，可減少閃爍效應(yīng)，并可增加該發(fā)光裝置發(fā)光的時間。同時，借由將具有較大電阻值的電阻器連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列，即可防止過大的電流流經(jīng)因電壓增加而先^f皮開啟的陣列。此外，借由將較大的發(fā)光單元連接到具有較多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列，即可迅速地增加流經(jīng)根據(jù)電壓的增加而較晚被開啟的陣列的電流。亦即，具有較多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列的整體電阻可小于具有較少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列的整體電阻。因此，一旦開啟了具有較多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列，則當(dāng)該電壓增加時，流經(jīng)該陣列的電流將迅速增加。因此，不使過大的電流流經(jīng)最初被開啟的一陣列。此外，因為可調(diào)整發(fā)光單元的尺寸而避免過大的電流，所以可減少電阻器的電阻值間的差異，因而可減少電阻器的電阻值。電阻器的電阻值的減少可增加發(fā)光單元的光輸出。圖15為依據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的一交流發(fā)光裝置的電路示意圖。請參閱圖l5，該發(fā)光裝置具有一LED200,且又具有一共同的電阻器Rt。LED200具有與前文中參照圖14所述的LED200的那些組件大致相同的組件。在LEDMO中，如同前文中參照圖14所述的，可在圖5所示的基體20上將這些第一及第二陣列Al至An及RA1至RAn的末端部分相互連接。此外，亦可在圖5所示的基體20上將這些第一及第二陣列的另一末端部分相互連接?？山?jīng)由導(dǎo)線將這些另一末端部分連接到基體20上提供的接合墊(圖中未示出)，且可于形成圖5所示的導(dǎo)線41時，形成這些導(dǎo)線。同肘，并不使用圖14所示的第一及第二電阻器Rl至Rn及R，1至R，n,而是將該共同的電阻器Rt共同地串聯(lián)連接到這些第一及第二陣列Al至An及RAl至RAn。此時，可經(jīng)由一導(dǎo)線而將該共同的電阻器Rt連接于該接合墊上。依據(jù)該實(shí)施例，因為該共同的電阻器Rt被連接到這些第一及第二陣列，所以與圖14所示的發(fā)光裝置相比時，簡化了連接電阻器的程序。'圖16為依據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例的一交流發(fā)光裝置的電路示意圖。請參閱圖16，該發(fā)光裝置具有一LED500及一橋式整流器350,且可包含電阻器R1至Rn。LED500包含多個陣列Al至An,每一陣列具有在圖5所示的單一基體20上被串聯(lián)連接的發(fā)光單元30。這些陣列Al至An纟皮相互并聯(lián)連接。這些陣列Al至An具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元。亦即，陣列Al.內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目小于陣列A2內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目，且陣列A2內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目小于陣列An內(nèi)的發(fā)光單元的數(shù)目?？稍趫D5所示的基體20上相互連接這些陣列的一末端部分。為達(dá)到此一目的，在基體20上提供了一接合墊(圖中未示出)，且可經(jīng)由導(dǎo)線而將這些陣列的這些末端部分連接到該接合墊。可于形成圖5所示的導(dǎo)線41時，形成用來將這些陣列連接到基體20上的該接合墊的導(dǎo)線。此外，在陣列Al至An中，具有較多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列可具有專交大的發(fā)光單元30。可以與發(fā)光單元30相同的發(fā)光單元來建構(gòu)該橋式整流器350。因此，可于形成發(fā)光單元30時，形成該橋式整流器的這些發(fā)光單元。這些陣列Al至An的一末端部分被共同地連接到橋式整流器350的節(jié)點(diǎn)?？山?jīng)由導(dǎo)線來連接該節(jié)點(diǎn)及該接合墊而完成該連接。同時，這些電阻器Rl至Rn可分別被串聯(lián)連接到這些陣列Al至An。這些電阻器Rl至Rn可具有不同的電阻值。此時，最好是將這些電阻器分別串聯(lián)連接到這些陣列，使具有較大電阻值的電阻器被連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列。亦即，具有較大電阻值的電阻器Rl被串聯(lián)連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列Al，且具有較小電阻值的電阻器Rn被串聯(lián)連接到具有較多數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列An。如圖16所示，這些電阻器Rl至Rn的一末端部分被連接到該橋式整流器的另一節(jié)點(diǎn)。交流電源1000的兩個端點(diǎn)分別被連接到橋式整流器350的兩個其他的節(jié)點(diǎn)。此處，交流電源IOOO可以是一般的家庭交流電壓電源。下文中將說明該交流發(fā)光裝置的操作。首先，當(dāng)交流電源IOOO施加電壓時，經(jīng)由橋式整流器350將一正電壓施加到這些電阻器，且將一負(fù)電壓施加到這些電阻器的對向的這些陣列的末端部分。當(dāng)交流電壓自零電壓增加時，開啟了沿著順向方向施加偏壓的這些第一陣列Al至An。因為這些第一陣列Al至An具有不同數(shù)目的發(fā)光單元30,所以自具有較少數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列Al開始開啟這些第一陣列Al至An。當(dāng)該交流電壓超過該陣列Al內(nèi)的這些發(fā)光單元的臨界電壓的總和時，即開啟該陣列A1。當(dāng)該交流電壓增加時，電流即增加而發(fā)光。同時，如果該交流電壓進(jìn)一步增加且因而使該電流增加，則因電阻R1而產(chǎn)生的電壓降變得較大。因此，防止了過大的電流流經(jīng)該陣列Al。如果該交流電壓進(jìn)一步增加且因而超過該陣列A2內(nèi)的這些發(fā)光單元的臨界電壓的總和時，即開啟該陣列A2而發(fā)光。當(dāng)重復(fù)該程序時，開啟陣列An而發(fā)光。亦即，自具有較少數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列開始而依序開啟這些陣列。然后，如果該交流電壓通過T/4時的最大峰值，然后變得小于該陣列An內(nèi)的這些發(fā)光單元的臨界電壓的總和時，則該陣列An被關(guān)閉。然后，該交流電壓進(jìn)一步降低，因而該陣列A2被關(guān)閉，且然后陣列Al被關(guān)閉。亦即，自具有較大數(shù)目的發(fā)光單元30的陣列開始而依序關(guān)閉這些第一陣列。按照與開啟這些陣列的順序相反的順序完成這些陣列的關(guān)閉。當(dāng)該交流電壓再度變?yōu)榱銜r，即完成了該半周期。甚至在后半周期中，橋式整流器350以相同的方式操作這些陣列Al至An。依據(jù)該實(shí)施例，提供了一種利用交流電源1000驅(qū)動的交流發(fā)光裝置。此外，因為重復(fù)依序開啟這些陣列Al至An然后按照相反順序關(guān)閉這些陣列的程序，所以與傳統(tǒng)的發(fā)光裝置相比時，可減少閃爍效應(yīng)，并可增加該發(fā)光裝置發(fā)光的時間。雖然在該實(shí)施例中，這些電阻器Rl至Rn分別被串聯(lián)連接到這些陣列Al至An，但是可如圖15所示，可連接該共同的電阻器Rt以取代電阻器R1至Rn。在此情況中，可在圖5所示的基體20上將這些陣列Al至An的末端部分互相連接。同時，在這些前文所述的實(shí)施例中，發(fā)光單元的數(shù)目或發(fā)光單元間的尺寸差異產(chǎn)生了這些陣列間相對的光強(qiáng)度差異。亦即，因為首先被開啟的陣列具有較少數(shù)目的發(fā)光單元，所以該陣列的整體光強(qiáng)度是較弱的。此外，因為最后被開啟的陣列具有較多數(shù)目的發(fā)光單元，所以該陣列的光強(qiáng)度是較強(qiáng)的?？梢虬l(fā)光單元的尺寸及電阻的差異而擴(kuò)大此種差異。雖然有在早期開啟陣列的優(yōu)點(diǎn)，但是最初被開啟的陣列的光強(qiáng)度是較小的。因此，可能無法對閃爍效應(yīng)的減少有較大的幫助。因此，必須增加最初被開啟的陣列的光強(qiáng)度。為達(dá)到此一目的，可以不同的方式建構(gòu)各別陣列內(nèi)的發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)。圖17及圖18為某些陣列內(nèi)的發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)被修改以增加這些陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度的LED的剖面圖。請參閱圖17,依據(jù)該實(shí)施例的LED與前文中參照圖5所述的LED大致相同，且可以與第一至第六實(shí)施例相同的方式來配置這些發(fā)光單元陣列。然而，該實(shí)施例中的發(fā)光單元與前文中參照圖5所述的發(fā)光單元不同之處在于這些發(fā)光單元的上表面(例如，第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a的表面)是粗糙化的。'分別具有表面為粗糙化的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a的發(fā)光單元可建構(gòu)已述于前文的本發(fā)明的第一及第六實(shí)施例中的這些陣列。此外，在第一及第六實(shí)施例中，可以具有表面為粗糙化的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a的發(fā)光單元來建構(gòu)數(shù)目為整個陣列的數(shù)目的1/2或更少的陣列。例如，可以具有表面為粗糙化的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a的發(fā)光單元來建構(gòu)數(shù)目為第14及15圖所示這些第一陣列的數(shù)目的1/2或更少的陣列、以及數(shù)目為第14及15圖所示這些第二陣列的數(shù)目的1/2或更少的陣列；以及可以具有表面為粗糙化的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a的發(fā)光單元來建構(gòu)數(shù)目為圖16所示這些陣列的數(shù)目的1/2或更少的陣列。此時，具有表面為粗糙化的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a的發(fā)光單元建構(gòu)了具有較少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列，且具有平坦表面的發(fā)光單元建構(gòu)了具有較多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列?？梢佬虻匦纬梢坏谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層25、一主動層27、以及該第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，并使用光電化學(xué)蝕刻技術(shù)以蝕刻該第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的區(qū)域，而形成具有粗糙化表面的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a。同時，可在該第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層的區(qū)域中形成諸如厚度為10至500埃(A)的金屬薄膜，并執(zhí)行熱處理及對該金屬薄膜的蝕刻，而形成該粗糙化表面。然后，蝕刻這些半導(dǎo)體層的區(qū)域，以形成這些具有表面為粗糙化的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a的發(fā)光單元，并在電氣上將這些發(fā)光單元相互連接，而形成個別的發(fā)光單元陣列。同時，在具有粗糙化表面的第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a上形成一電極墊33b,且亦可在該第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層29a上形.成圖5所示的電極31。以具有粗糙化表面的這些發(fā)光單元來建構(gòu)具有較少數(shù)目的發(fā)光單元的每一陣列(例如，圖14及15所示的陣列Al及RA1、或圖16所示的陣列Al,因而可增加這些陣列的光強(qiáng)度。因此，因為當(dāng)施加一交流電壓時最初被開啟的這些陣列Al及RA1的光強(qiáng)度是大的，所以可進(jìn)一步減少閃爍效應(yīng)?？稍趫D6所示基體的下表面上形成該粗糙化表面?；蛘撸瑘D6所示的基體20可以是分離的，且可在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層25的下表面上形成該粗糙化表面。請參閱圖18,依據(jù)該實(shí)施例的發(fā)光單元與前文中參照圖5所述的發(fā)光單元大致相同，且可以與前文中參照第一至第六實(shí)施例所述的相同方式來配置這些發(fā)光單元陣列。然而，在該實(shí)施例中，將每一發(fā)光單元形成為具有傾斜的側(cè)表面。分別具有傾斜的側(cè)表面的這些發(fā)光單元構(gòu)成這些陣列(圖14至圖17所示的Al及RA1)，且以與具有粗糙化表面的發(fā)光單元相同的方式首先開啟這些發(fā)光單元，而且這些發(fā)光單元可構(gòu)成數(shù)目為圖14至圖17所示的這些第一及第二陣列的數(shù)目的1/2的陣列。在形成這些半導(dǎo)體層之后的發(fā)光單元的分離制程中，可回熔(reflow)一光阻圖案，然后以該光阻圖案作為一蝕刻遮罩來蝕刻這些半導(dǎo)體層，而形成這些傾斜的側(cè)表面。此外，當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電類型半導(dǎo)體層25的一區(qū)域露出時，可執(zhí)行該光阻圖案的回熔，并蝕刻該第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層及該主動層，而形成這些傾斜的側(cè)表面。這些發(fā)光單元的傾斜的側(cè)表面可減少因全反射而造成的光耗損，因而提高了這些發(fā)光單元的光強(qiáng)度。因此，如同前文中參照圖l7所述的，可借由利用此種發(fā)光單元來形成首先被開啟的陣列，而減少閃爍效應(yīng)。圖19為依據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的剖面圖。請參閱圖19，交流發(fā)光裝置1包含一LED晶片3。該LED晶片3具有多個被串聯(lián)連接的發(fā)光單元。每一發(fā)光單元可以是可發(fā)出紫外光或藍(lán)光的以AlxInyGazN為基底的半導(dǎo)體。該LED晶片3及這些發(fā)光單元的結(jié)構(gòu)與前文中參照圖5或圖6所述者相同。這些發(fā)光單元被串聯(lián)連接，且構(gòu)成一陣列。LED晶片3可包含被反向并聯(lián)連接的兩個陣列，且可包含一橋式整流器，因而可利用一交流電源來驅(qū)動LED晶片3。經(jīng)由引線端(圖中未示出)而將該LED晶片3電連接到外部電源。為達(dá)到此一目的，LED晶片3可具有兩個接合墊(圖中未示出)，用以連接到這些引線端。經(jīng)由接合導(dǎo)線(圖中未示出)而將這些接合墊連接到這些引線端。相反地，可以覆晶法將LED晶片3接合到一次載具基體(圖中未示出)，然后經(jīng)由該一次載具基體將該LED晶片3電連接到這些引線端。同時，可將LED晶片3定位在一反射杯基座(reflectioncup)9內(nèi)。該反射杯基座9在一所需的視角范圍內(nèi)反射自LED晶片3發(fā)出的光，以便增加某一視角范圍內(nèi)的亮度。因此，該反射杯基座9具有根據(jù)所需視角的預(yù)定的傾斜表面。同時，磷光體7被定位在LED晶片3之上，然后以自這些發(fā)光單元發(fā)出的光來激勵磷光體7，而發(fā)出在可見光范圍內(nèi)的光。磷光體7包括一延遲磷光體。該延遲磷光體可具有1毫秒或更長的衰減時間，且最好是具有8毫秒或更長的衰減時間。同時，可根據(jù)發(fā)光裝置的用途而選擇該延遲磷光體的衰減時間的上限，且該衰減時間的上限可以是(但不特別限于)10小時或更短。尤其在將發(fā)光裝置用于一般家庭照明的情形中，該延遲磷光體的衰減時間最好是幾分鐘或更短。該延遲磷光體可以是在美國專利5,770，111、5,839,718、5,885,483、6,093,346、及6，267，911等的專利中揭示的硅酸鹽、鋁酸鹽、或硫化物磷光體等的延遲磷光體。例如，該延遲磷光體可以是硫化鋅鎘摻銅((Zn,Cd)S:Cu)、鋁酸鍶摻銪鏑(SrA1204:Eu,Dy)、石克化4丐鍶4參釵、((Ca，Sr)S:Bi)、硅酸鋅摻銪(ZnSi04:Eu)、(Sr，Zn，Eu，Pb，Dy)0.(Al，Bi)203、m(Sr，Ba)O.n(Mg，M)O.2(Si,Ge)02:Eu,Ln(其中，1.5^m《3.5;0.5《"1.5';M是自包含鈹(Be)、鋅(Zn)、及鎘(Cd)的一組元素中選出的至少一種元素；以及Ln是自包含鈧(Sc)、釔(Y)、鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、Klu、硼(B)、鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、鉈(Tl)、銻(Sb)、鉍(Bi)、砷(As)、磷(P)、錫(Sn)、鉛(Pb)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鴒(W)、4各(Cr)、以及《孟(Mn)等的一組元素中選出的至少一種元素。LED晶片3發(fā)出的光激勵該延遲磷光體，而發(fā)出諸如紅、綠、及(或)藍(lán)光等在可見光范圍內(nèi)的光。因此，可提供一種可將LED晶片3發(fā)出的光與自該延遲磷光體發(fā)出的光混合而發(fā)出具有各種色彩的光的發(fā)光裝置，且可提供一種可發(fā)出白光的發(fā)光裝置。同時，磷光體7可包括在被來自LED晶片3的光激勵時可發(fā)出可見光范圍內(nèi)的光的其他磷光體，例如，除了該延遲磷光體以外的紅色、綠色、及(或)藍(lán)色、或黃色磷光體。例如，這些其他磷光體可以是以釔鋁石榴石摻雜鈰(YAG:Ce)為基底的磷光體、以正硅酸鹽(orthosi1icate)為基底的磷光體、或硫化物磷光體。選擇這些延遲磷光體或其他磷光體，使該發(fā)光裝置發(fā)出具有所需彩色的光。在白光發(fā)光裝置的情形中，可由磷光體的各種組合構(gòu)成這些延遲磷光體或其他磷光體，使將自LED晶片3發(fā)出的光與被轉(zhuǎn)換的光混合而得到的光變成白光。此外，可在考慮到閃爍效應(yīng)、發(fā)光效率、及演色性指數(shù)(colorrenderingindex)等因素的情形下，選擇該延遲磷光體及其他磷光體的組合。同時，一透明構(gòu)件5可覆蓋LED晶片3。該透明構(gòu)件5可以是一涂布層、或使用模型以形成的一模制(molded)構(gòu)件。透明構(gòu)件5覆蓋LED晶片3,使LED晶片3不會接觸到諸如濕氣或外力等之外部環(huán)境。例如，可由環(huán)氧樹脂或硅樹脂制成透明構(gòu)件5。在LED晶片3被定位在反射杯基座9之內(nèi)的情形中，可如圖19所示，將透明構(gòu)件5定位在反射杯基座9之內(nèi)。磷光體7可被定位在透明構(gòu)件5與LED晶片3之間。在此情況中，在將磷光體7施加到LED晶片3之后，才形成透明構(gòu)件5。相反地，可如圖19所示，將磷光體7散布在透明構(gòu)件5之內(nèi)。已知有可將磷光體7散布在透明構(gòu)件5之內(nèi)的各種技術(shù)。例如，可使用磷光體與樹脂粉末混合的混合粉末來執(zhí)行轉(zhuǎn)注成型(transfermolding),或?qū)⒘坠怏w散布在液態(tài)樹脂內(nèi)，并將該液態(tài)樹脂硬化，而形成透明構(gòu)件5。圖20為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的交流發(fā)光裝置的發(fā)光特性的示意圖形。此處，虛線(a)為傳統(tǒng)交流發(fā)光裝置的發(fā)光特性的示意曲線，且實(shí)線(b)為依據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例的發(fā)光裝置的發(fā)光特性的示意曲線。'請參閱圖20,并未采用一延遲磷光體的該傳統(tǒng)發(fā)光裝置利用交流電壓的施加而周期性地重復(fù)開啟及關(guān)閉。假設(shè)交流電源的周期是T，則在該周期中，輪流地操作兩個陣列，且這兩個陣列的每一陣列都具有被串聯(lián)連接的發(fā)光單元。因此，如該虛線(a)所示，該發(fā)光裝置在T/2的期間中發(fā)光。同時，如果該交流電壓并未超過被串聯(lián)的這些發(fā)光單元的臨界電壓，則未操作這些發(fā)光單元。因此，這些發(fā)光單元在操作這些發(fā)光單元的時間之間的一段時間(亦即，該交流電壓小于這些發(fā)光單元的臨界電壓的一段時間)中保持在關(guān)閉狀態(tài)。因此，因在操作這些發(fā)光單元的時間之間之間斷，而使閃爍效應(yīng)可能出現(xiàn)在該傳統(tǒng)發(fā)光裝置。另一方面，因為依據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例的發(fā)光裝置采用一種延遲磷光體，所以如實(shí)線(b)所示，縱使在這些發(fā)光單元保持在關(guān)閉狀態(tài)時，也會發(fā)光。因此，雖然光強(qiáng)度有所改變，但是不發(fā)光的時間變得較短，且在該延遲磷光體的衰減時間較長的情形下，該發(fā)光裝置將持續(xù)地發(fā)光。當(dāng)家庭交流電源在大約60赫茲的頻率下施加電壓時，電源的周期是大約16.7毫秒，且半周期是8毫秒。因此，當(dāng)該發(fā)光裝置在操作中時，所有的發(fā)光單元被關(guān)閉的時間小于8毫秒。因此，如果該延遲磷光體的衰減時間是1毫秒或更長，則可充分地減少閃爍效應(yīng)。尤其，如果該延遲磷光體的衰減時間類似于所有的發(fā)光單元被關(guān)閉的時間，則該發(fā)光裝置可持續(xù)地發(fā)光。權(quán)利要求1.一種發(fā)光裝置，其特征在于包含一發(fā)光二極管晶片，該光二極管晶片具有一陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元；以及被分別連接到這些發(fā)光單元間的節(jié)點(diǎn)的切換方塊，其中當(dāng)該陣列被連接到一交流電壓電源且被該交流電壓電源所驅(qū)動時，借由這些切換方塊而依序開啟及關(guān)閉這些發(fā)光單元。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光i置，其特征在于所述切換方塊被連接到該陣列的電源及接地端；以及當(dāng)該電源與接地端間的電壓差(Va。)在(預(yù)定電壓xn)至(預(yù)定電壓x(n+l))的范圍內(nèi)時，第n個切換方塊使該接地端及一連接該第n個切換:方塊的節(jié)點(diǎn)短路，且如果該電壓差(L)大于(預(yù)定電壓x(n+l))時，該第n個切換方塊使該節(jié)點(diǎn)與該接地端斷路。3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于該預(yù)定電壓是所述發(fā)光單元在一參考電流下的順向電壓。4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于該參考電流的值是15至25毫安。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于按照與所述發(fā)光單元4皮開啟的順序相反的順序來關(guān)閉所述發(fā)光單元。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于還包含另一陣列的串聯(lián)連接的發(fā)光單元，該另一陣列反向并聯(lián)連接到該串聯(lián)連接的發(fā)光單元的該陣列。7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于該串聯(lián)連接的發(fā)光單元的該另一陣列內(nèi)的所述發(fā)光單元間的節(jié)點(diǎn)分別連接到所述切換方塊。8.—種用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于該裝置包含一基體；位于該基體上且具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元的多個第一陣列，所述第一陣列彼此互相并聯(lián)連接；以及位于該基體上且具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元的多個第二陣列，所述第二陣列反向并聯(lián)連接到所述第一陣列。9.如權(quán)利要求8所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于還包含一切換方塊，用以根據(jù)交流電源的電壓位準(zhǔn)而控制該多個第一及第二陣列中的每一陣列的發(fā)光。10.如權(quán)利要求9所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于所述第一及第二陣列中的每一陣列的一端共同連接到第一電源連接端，且所述每一陣列的另一端分別連接到第二電源連接端。11.如權(quán)利要求10所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于該切換方塊連接在所述第二電源連接端與該交流電源之間，以便根據(jù)該交流電源的電壓位準(zhǔn)而形成一電流路徑。12.如權(quán)利要求8所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于所述第二陣列中的每一陣列具有與所述第一陣列中的對應(yīng)陣列的每一陣列相同數(shù)目的發(fā)光單元。13.如權(quán)力要求12所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置,其特征在于所述第一及第二陣列中具有較多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列具有較大的發(fā)光單元.14，如權(quán)利要求8所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于還包含分別串聯(lián)連接到所述第一陣列的第一電阻器；以及分別串聯(lián)連接到所述第二陣列的第二電阻器。15.如權(quán)利要求14所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于所述第一電阻器具有不同的電阻值；所述第二電阻器具有不同的電阻值；以及所述第一及第二電阻器以具有較大電阻值的電阻器被連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列如此的方式而分別串聯(lián)連接到所述第一及第二陣列。16.如權(quán)利要求15所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于所述第二電阻器分別具有對應(yīng)于所述第一電阻器的電阻值的電阻值。17.如權(quán)利要求14所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于所述第一及第二電阻器位在該基體上。18.如權(quán)利要求8所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于還包含一共同串聯(lián)連接到所述第一及第二陣列的共用電阻器。19.如權(quán)利要求8所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于在所述第一及第二陣列的每一陣列中，具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元具有大于具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度的光強(qiáng)度。20.如權(quán)利要求19所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于其中具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元具有粗糙化的.表面，使得所述發(fā)光單元可具有大于具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度的光強(qiáng)度。21.如權(quán)力要求19所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置,其特征在于具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元具有傾斜的側(cè)表面,使得所述發(fā)光單元可具有大于具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度的光強(qiáng)度。22.—種用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于該裝置包含一基體；位在該基體上，且具有不同數(shù)目的串聯(lián)連接的發(fā)光單元的多個陣列，且所述陣列彼此互相并聯(lián)連接；以及一橋式整流器，該橋式整流器的兩個節(jié)點(diǎn)分別電連接至所述陣列的兩個末端部分。23.如權(quán)利要求22所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于該橋式整流器位在該基體上。24.如權(quán)利要求22所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于還包含一連接在所述陣列的一末端部分與該橋式整流器的其中一個節(jié)點(diǎn)之間的切換方塊，以根據(jù)交流電源的電壓位準(zhǔn)而控制該多個陣列中的每一陣列的發(fā)光。25.如權(quán)利要求22所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于還包含位于該橋式整流器與該多個陣列之間的電阻器，且所述電阻器分別串聯(lián)連接到該多個陣列。26.如權(quán)利要求25所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于所述電阻器具有不同的電阻值，且所述電阻器以具有較大電阻值的電阻器被連接到具有較少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列如此的方式而分別串聯(lián)連接到該多個陣列。27.如權(quán)利要求22所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于還包含一共同串聯(lián)連接到該多個陣列的共用電阻器。28.如權(quán)利要求22所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于所述的多個陣列中具有較多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列具有較大的發(fā)光單元。29.如權(quán)利要求22所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于在所述的多個陣列中，具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元具有大于具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度的光強(qiáng)度。30.如權(quán)利要求"所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元具有粗糙化的表面，使得所述發(fā)光單元可具有大于具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度的光強(qiáng)度。31.如權(quán)利要求29所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于具有最少數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元具有傾斜的側(cè)表面，使得所述發(fā)光單元可具有大于具有最多數(shù)目的發(fā)光單元的陣列內(nèi)的發(fā)光單元的光強(qiáng)度的光強(qiáng)度。32.—種用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于該裝置包含一發(fā)光二極管晶片，該發(fā)光二極管晶片具有多個發(fā)光單元；一透明組件，用以覆蓋該發(fā)光二極管晶片；以及一延遲磷光體，該延遲磷光體借由自所述發(fā)光單元所發(fā)射出的光來予以激勵，而于可見光范圍中發(fā)光。33.如權(quán)利要求32所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于該延遲磷光體位在該發(fā)光二極管晶片與該透明組件之間，或者該延遲磷光體散布于該透明組件之內(nèi)。34.如權(quán)利要求32所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于該延遲磷光體具有1毫秒至10小時的衰減時間。35.如權(quán)利要求32所述的用于交流電力操作的發(fā)光裝置，其特征在于還包含另一磷光體，該另一磷光體借由自該發(fā)光二極管晶片所發(fā)射出的光來予以激勵，而于可見光范圍中發(fā)光。全文摘要本發(fā)明是關(guān)于一種用于交流(AC)電力操作的改良式發(fā)光裝置。已知的發(fā)光裝置采用具有反向并聯(lián)連接的發(fā)光單元陣列的交流(AC)發(fā)光二極管。已知技術(shù)中的陣列回應(yīng)于交流(AC)電源的相位改變而輪流地重復(fù)開啟/關(guān)閉，因而導(dǎo)致了在1/2周期期間的短的發(fā)光時間、以及閃爍效應(yīng)的發(fā)生。依據(jù)本發(fā)明的交流(AC)發(fā)光裝置采用了各種機(jī)構(gòu)，利用這些機(jī)構(gòu)，回應(yīng)于交流電源的相位改變，而在1/2周期期間延長了發(fā)光時間，且可減輕閃爍效應(yīng)。例如，這些機(jī)構(gòu)可以是分別連接到發(fā)光單元間的節(jié)點(diǎn)的切換方塊、連接到多個陣列的切換方塊、或一種延遲磷光體。此外，提供有一種交流(AC)發(fā)光裝置，其中采用了具有不同數(shù)目的發(fā)光單元的多個陣列，以增加發(fā)光時間，并減輕閃爍效應(yīng)。文檔編號H01L33/00GK101208813SQ200680023331公開日2008年6月25日申請日期2006年5月9日優(yōu)先權(quán)日2005年6月28日發(fā)明者李在皓,李貞勛,詹姆士·S·史貝克,金成翰,金洪山,金載助申請人:首爾Opto儀器股份有限公司