專利名稱：層疊電容器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及層疊電容器及其制造方法。更詳細地說，涉及等效串聯(lián)電感(以下，稱為ESL)小的層疊電容器及其制造方法。
背景技術(shù)：
在CPU等中，如果電源電壓發(fā)生變化，則其工作受到大的影響，所以在CPU的周圍配置層疊電容器以作為抑制電源電壓的變化從而使電源穩(wěn)定化的手段。
但是，近年來，隨著CPU的工作頻率的高頻化，容易產(chǎn)生高速且大的電流變化，層疊電容器自身具有的ESL的影響變大了，擔心包含該ESL的總電感會對電源的電壓變化造成影響。
作為使ESL降低的技術(shù)，例如，特開2004-172602號公報公開了下述層疊電容器，它包含通過用許多通孔與埋設(shè)在電介質(zhì)基體內(nèi)部的許多對向電極組和形成在電容器表面上的端子電極組相連接、來使ESL降低的第1電容器部，和通過用少量的通孔與埋設(shè)在電介質(zhì)基體內(nèi)部的對向電極組相連接、來實現(xiàn)大電容化的第2電容器部。
但是，在特開2004-172602號公報中記載的層疊電容器中，因為第1電容器部具有將通孔連接到許多對向電極組的各個上的復(fù)雜結(jié)構(gòu)，所以需要分別制造第1電容器部和第2電容器部、最后將二者組合這樣的復(fù)雜工序，由此導(dǎo)致制造的困難性。
另外，在采用單獨地制造第1電容器部和第2電容器部、最后將二者組合的方法進行制造時，第1電容器部的下面的陶瓷層和第2電容器部的上面的陶瓷層接合，在接合部分陶瓷層的厚度變成2倍。這樣，陶瓷層變厚意味著在妨礙制品的薄型化的同時，還妨礙了大電容化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供使ESL降低的層疊電容器。
本發(fā)明的又一目的是提供能夠?qū)崿F(xiàn)制品的大電容化的層疊電容器。
本發(fā)明的另一目的是提供能夠?qū)崿F(xiàn)制品的薄型化的層疊電容器。
本發(fā)明的再一目的是提供適合于制造本發(fā)明的層疊電容器的制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開了下述的層疊電容器及其制造方法。
1.層疊電容器本發(fā)明的層疊電容器包含電介質(zhì)基體、第1端子電極、第2端子電極、第1內(nèi)部電極、第2內(nèi)部電極、第1外層通孔導(dǎo)體、第2外層通孔導(dǎo)體、第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體、和第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體。上述第1端子電極為多個，分別隔著間隔設(shè)置在上述電介質(zhì)基體的表面上。上述第2端子電極也為多個，分別隔著間隔設(shè)置在上述電介質(zhì)基體的上述表面上。
上述第1內(nèi)部電極為多個，分別層狀地埋設(shè)在上述電介質(zhì)基體的內(nèi)部。上述第2內(nèi)部電極也為多個，分別以和上述第1內(nèi)部電極依次相對的方式層狀地埋設(shè)在上述電介質(zhì)基體的內(nèi)部。
上述第1外層通孔導(dǎo)體為多個，分別與上述第1內(nèi)部電極中位于與上述電介質(zhì)基體的上述表面最靠近的位置上的上述第1內(nèi)部電極和各個上述第1端子電極相連接。上述第2外層通孔導(dǎo)體為多個，分別與上述第2內(nèi)部電極中位于與上述電介質(zhì)基體的上述表面最靠近的位置上的上述第2內(nèi)部電極和各個上述第2端子電極相連接。
上述第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體連接上述第1內(nèi)部電極的每一個，上述第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體連接上述第2內(nèi)部電極的每一個。
如上所述，在本發(fā)明的層疊電容器中，多個第1端子電極隔著間隔設(shè)置在電介質(zhì)基體的表面上，多個設(shè)置的第1外層通孔導(dǎo)體的每一個將第1端子電極的每一個連接到第1內(nèi)部電極上。
關(guān)于和第1內(nèi)部電極成對的第2內(nèi)部電極也是同樣的，多個第2端子電極隔著間隔設(shè)置在電介質(zhì)基體的表面上，多個設(shè)置的第2外層通孔導(dǎo)體的每一個將第2端子電極的每一個連接到第2內(nèi)部電極上。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，因為流過第1內(nèi)部電極、第1外層通孔導(dǎo)體以及第1端子電極的高頻電流和流過第2內(nèi)部電極、第2外層通孔導(dǎo)體以及第2端子電極的高頻電流的方向相互之間是反向的，所以由高頻電流產(chǎn)生的磁場相互抵消，其結(jié)果是ESL降低。
另外，因為第1端子電極的每一個僅僅連接到位于與電介質(zhì)基體表面最靠近的位置上的第1內(nèi)部電極，第2端子電極的每一個也僅僅連接到與電介質(zhì)基體表面最靠近的位置上的第2內(nèi)部電極，所以通孔數(shù)減少，制造變?nèi)菀琢恕?br> 而且，因為和第1端子電極連接的第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體連接多個第1內(nèi)部電極的每一個，和第2端子電極連接的第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體連接多個第2內(nèi)部電極的每一個，所以由第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體和第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體并聯(lián)而在第1內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極之間產(chǎn)生的靜電電容，能夠從第1端子電極和第2端子電極得到大的靜電電容。
優(yōu)選使第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的數(shù)量比第1、第2外層通孔導(dǎo)體的數(shù)量少。這樣，能夠抑制由第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體引起的第1、第2內(nèi)部電極的實際對向面積的減少，并獲取大的靜電電容。
另外，通過減少第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的數(shù)量，制造變?nèi)菀琢?，能夠?qū)崿F(xiàn)制品的低成本化。而且，因為制造變?nèi)菀琢耍越^緣故障、短路故障等減少，制品的合格率提高。
因為本發(fā)明的層疊電容器具有僅僅配置在最外層的第1、第2內(nèi)部電極通過第1、第2外層通孔導(dǎo)體連接到第1、第2端子電極上的簡單結(jié)構(gòu)，所以能夠用連續(xù)的工序制造。因此，與單獨制造第1電容器部和第2電容器部、最后將二者組合的由專利文獻1所公開的制造方法相比，能夠容易地制造層疊電容器。
2.第1形態(tài)的層疊電容器的制造方法在本發(fā)明的第1形態(tài)的層疊電容器的制造方法中，首先，準備多張坯片(green sheet)，并依次進行層疊。第1坯片為在具有第1通孔導(dǎo)體的第1電介質(zhì)層上設(shè)置第1導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。第1通孔導(dǎo)體是形成第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的部分，第1電介質(zhì)層是形成電介質(zhì)基體的部分，第1導(dǎo)體層是形成第1、第2內(nèi)部電極的部分。
接著，在第1坯片上層疊第2坯片。第2坯片是在具有第2通孔導(dǎo)體的第2電介質(zhì)層上設(shè)置第2導(dǎo)體層。第2通孔導(dǎo)體是形成第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體和第2外層通孔導(dǎo)體的部分，第2電介質(zhì)層是形成電介質(zhì)基體的部分，第2導(dǎo)體層是形成第1內(nèi)部電極的部分。
接著，在第2坯片上層疊第3坯片。第3坯片是在第3電介質(zhì)層上設(shè)置第3通孔導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。第3通孔導(dǎo)體是形成第1、第2外層通孔導(dǎo)體的部分，第3電介質(zhì)層是形成電介質(zhì)基體的部分。
3.第2形態(tài)的層疊電容器的制造方法在本發(fā)明的第2形態(tài)的層疊電容器的制造方法中，首先，準備第1坯片。第1坯片為在具有第1通孔導(dǎo)體的第1電介質(zhì)層上設(shè)置第1導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。第1通孔導(dǎo)體是形成第1、第2外層通孔導(dǎo)體的部分，第1電介質(zhì)層是形成電介質(zhì)基體的部分，第1導(dǎo)體層是形成第1內(nèi)部電極的部分。
接著，在第1坯片上層疊第2坯片。第2坯片是在具有第2通孔導(dǎo)體的第2電介質(zhì)層上設(shè)置第2導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。第2通孔導(dǎo)體是形成第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體和第2外層通孔導(dǎo)體的部分，第2電介質(zhì)層是形成電介質(zhì)基體的部分，第2導(dǎo)體層是形成第2內(nèi)部電極的部分。
接著，在第2坯片上依次層疊多個第3坯片。第3坯片是在具有第3通孔導(dǎo)體的第3電介質(zhì)層上設(shè)置第3導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)。第3通孔導(dǎo)體是形成第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的部分，第3電介質(zhì)層是形成電介質(zhì)基體的部分，第3導(dǎo)體層是形成第1、第2內(nèi)部電極的部分。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第1、第2形態(tài)的層疊電容器的制造方法，能夠用連續(xù)的工序制造層疊電容器。因此，與單獨制造第1電容器部和第2電容器部、最后將二者組合的已有制造方法(專利文獻)相比，能夠容易地制造。
另外，和組合了第1電容器部和第2電容器部的由專利文獻1記載的方法不同，本發(fā)明的層疊電容器的制造方法是用連續(xù)工序制造層疊電容器的方法。這樣，因為用連續(xù)工序制造層疊電容器，所以和專利文獻1記載的層疊電容器不同，在包含第1、第2內(nèi)部電極的部分和包含外層電極的部分的邊界部分，陶瓷層不會變厚。因此，實現(xiàn)了制品的薄型化以及大電容化。
在以上說明的本發(fā)明的層疊電容器以及層疊電容器的制造方法中，存在下述效果。
(1)能夠提供降低了ESL的層疊電容器。
(2)能夠提供可以實現(xiàn)制品的大電容化的層疊電容器。
(3)能夠提供可以實現(xiàn)制品的薄型化的層疊電容器。
(4)能夠提供適合于制造本發(fā)明的層疊電容器的制造方法。
從下面給出的詳細說明和附圖可以更全面地理解本發(fā)明，但它們僅僅是解釋性的，因此不應(yīng)將它們認為是對本發(fā)明進行限定。


圖1是表示本發(fā)明的層疊電容器的一個實施例的剖面圖。
圖2是圖1所示的層疊電容器的分解平面圖。
圖3是表示本發(fā)明的層疊電容器的另一實施例的剖面圖。
圖4是圖3所示的層疊電容器的分解平面圖。
圖5是表示本發(fā)明的層疊電容器的又一實施例的剖面圖。
圖6是圖5所示的層疊電容器的分解部分剖面圖。
圖7是說明本發(fā)明的第1形態(tài)的層疊電容器的制造方法的工序圖。
圖8是表示圖7所示工序之后的工序的圖形。
圖9是表示圖8所示工序之后的工序的圖形。
圖10是表示圖9所示工序之后的工序的圖形。
圖11是表示圖10所示工序之后的工序的圖形。
圖12是說明本發(fā)明的第2形態(tài)的層疊電容器的制造方法的工序圖。
圖13是表示圖12所示工序之后的工序的圖形。
圖14是表示圖13所示工序之后的工序的圖形。
圖15是表示圖14所示工序之后的工序的圖形。
具體實施例方式
1.層疊電容器圖1、圖2中圖示的層疊電容器包含電介質(zhì)基體12，第1、第2端子電極31、32，第1、第2內(nèi)部電極組41、42，第1、第2外層通孔導(dǎo)體61、62，和第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52。電介質(zhì)基體12例如是陶瓷電介質(zhì)。電介質(zhì)基體12的尺寸是，長×寬×厚例如約為10mm×10mm×0.85mm。第1、第2端子電極31、32的每一個相互之間隔著間隔分散配置在電介質(zhì)基體12的表面上。在圖2中，省略了端子電極。
第1內(nèi)部電極組41包含第1內(nèi)部電極411～41n，埋設(shè)在電介質(zhì)基體12中。第1內(nèi)部電極411～41n的每一個被層狀設(shè)置。第2內(nèi)部電極組42包含第2內(nèi)部電極421～42n，埋設(shè)在電介質(zhì)基體12中。第2內(nèi)部電極421～42n的每一個和第1內(nèi)部電極411～41n的每一個交替配置，以和第1內(nèi)部電極411～41n相對的方式層狀設(shè)置。
第1外層通孔導(dǎo)體61將第1端子電極31的每一個連接到與形成有第1、第2端子電極31、32的表面最接近的第1內(nèi)部電極411上。第2外層通孔導(dǎo)體62將第2端子電極32的每一個連接到與形成有第1、第2端子電極31、32的表面最接近的第2內(nèi)部電極421上。
第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體51連接第1內(nèi)部電極411～41n的每一個。第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體52連接第2內(nèi)部電極421～42n的每一個。
在圖中，第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52是1對，相互接近地配置在第1、第2內(nèi)部電極411～41n、421～42n的中央附近。
第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的直徑比第1、第2外層通孔導(dǎo)體的直徑大，優(yōu)選例如約4～16倍。具體地說，例如第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的直徑約為150～200μm，第1、第2外層通孔導(dǎo)體的直徑約為50～80μm。
在圖1和圖2圖示的層疊電容器中，第1、第2端子電極31、32分別為多個，隔著間隔配置在電介質(zhì)基體12的表面上。第1外層通孔導(dǎo)體61為多個，將第1端子電極31的每一個連接到第1內(nèi)部電極上。第2外層通孔導(dǎo)體62為多個，將第2端子電極32的每一個連接到第2內(nèi)部電極上。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過第1、第2外層通孔導(dǎo)體61、62使第1、第2內(nèi)部電極連接到第1、第2端子電極31、32上，由相互反向流動的高頻電流將磁場彼此抵消，由此ESL減小。
另外，第1端子電極31的每一個僅僅連接到最接近第1、第2端子電極31、32的第1內(nèi)部電極411上，第2端子電極32的每一個僅僅連接到最接近第1、第2端子電極31、32的第2內(nèi)部電極421上。利用該結(jié)構(gòu)，通孔數(shù)減少，制造變?nèi)菀琢恕?br> 在圖示的層疊電容器中，第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體51連接多個第1內(nèi)部電極411～41n的每一個，第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體52連接多個第2內(nèi)部電極421～42n的每一個。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在通過第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體51相互連接的第1內(nèi)部電極411～41n和通過第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體52相互連接的第2內(nèi)部電極421～42n之間，能夠得到大的容量。
在圖示的實施例中，通過使第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52的數(shù)量比第1、第2外層通孔導(dǎo)體61、62的數(shù)量少，能夠抑制第1、第2內(nèi)部電極411～41n、421～42n的對向面積實質(zhì)上減少，獲取大的靜電電容。
而且，因為使第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52的數(shù)量為一對，使通孔導(dǎo)體的數(shù)量減少，所以相應(yīng)地制造變?nèi)菀琢?，能夠?qū)崿F(xiàn)制品的低成本化。而且，因為制造變?nèi)菀琢耍越^緣故障、短路故障等減少，制品的合格率提高。
因為第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52比第1、第2外層通孔導(dǎo)體61、62的截面積大，所以即使減少第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52的數(shù)量，也能夠確保良好的導(dǎo)通狀態(tài)，從而避免了連接故障。而且，通過使截面積增大，還能夠?qū)崿F(xiàn)ESL的降低。
因為具有僅僅配置在最外層的第1、第2內(nèi)部電極411～41n通過第1、第2外層通孔導(dǎo)體61、62連接到第1、第2端子電極31、32上的簡單結(jié)構(gòu)，所以能夠用連續(xù)的工序制造。因此，與單獨制造第1電容器部和第2電容器部、最后將二者組合的由專利文獻1記載的制造方法相比，能夠容易地制造。
另外，第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52為1對，配置在第1、第2內(nèi)部電極411～41n、421～42n的中央。因此，因為電流被均勻地分散，所以ESL降低。而且，在圖示的實施例中，因為第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52彼此接近，所以ESL進一步減小。
圖3是表示本發(fā)明的層疊電容器的另一實施例的剖面圖。圖4是圖3所示的層疊電容器的分解平面圖。但是，在圖4中，省略了端子電極的圖示。在以下的圖中，對于同一構(gòu)成部分，采用同一參考符號，并省略了重復(fù)說明。
圖3、圖4中所示出的層疊電容器在設(shè)置2對第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52這一點上，和圖1、圖2示出的層疊電容器不同。圖中，第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52相互靠近，配置在第1、第2內(nèi)部電極411～41n、421～42n的中央。
因為圖示實施例的層疊電容器的第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52在2對以上，并配置在第1、第2內(nèi)部電極411～41n、421～42n的中央，所以產(chǎn)生絕緣故障的可能性進一步減小。
圖5是表示本發(fā)明的層疊電容器的又一實施例的剖面圖。圖6是圖5所示的層疊電容器的分解部分剖面圖。但是，在圖6中，省略了端子電極的圖示。圖5、圖6中所示出的層疊電容器在設(shè)置4對第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52這一點上，和圖1～圖4示出的層疊電容器不同。
圖中，第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體51的每一個靠近第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體52，構(gòu)成對。第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52的每一對配置在第1、第2內(nèi)部電極411～41n、421～42n的外周附近。
因為圖示實施例的層疊電容器具有4對第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52，所以產(chǎn)生絕緣故障的可能性減小。
2.第1形態(tài)的層疊電容器的制造方法接下來，參照圖7～圖11，對本發(fā)明的第1形態(tài)的層疊電容器的制造方法進行說明。在圖示的制造方法中，首先，如圖7所示，準備多張形成圖1、圖2所示的電介質(zhì)基體12的坯片90，并依次進行層疊。
首先，如圖8所示，準備多張第1坯片91，依次在坯片90上層疊。第1坯片91為在具有第1通孔導(dǎo)體912的第1電介質(zhì)層911上設(shè)置第1導(dǎo)體層913的結(jié)構(gòu)。第1通孔導(dǎo)體912是形成圖1、圖2所示的第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52的部分，第1電介質(zhì)層911是形成圖1、圖2所示的電介質(zhì)基體12的部分，第1導(dǎo)體層913是形成圖1、圖2所示的第1、第2內(nèi)部電極412～41n、421～42n的部分。
接下來，如圖9所示，在第1坯片91上層疊第2坯片92。第2坯片92是在具有第2通孔導(dǎo)體922的第2電介質(zhì)層921上設(shè)置第2導(dǎo)體層923的結(jié)構(gòu)。
第2通孔導(dǎo)體922是形成圖1、圖2所示的第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體51和第2外層通孔導(dǎo)體62的部分，第2電介質(zhì)層921是形成圖1、圖2所示的電介質(zhì)基體12的部分，第2導(dǎo)體層923是形成圖1、圖2所示的第1內(nèi)部電極411的部分。
接下來，如圖10所示，在第2坯片92上層疊第3坯片93。第3坯片93是在第3電介質(zhì)層931中設(shè)置有第3通孔導(dǎo)體932。第3通孔導(dǎo)體932是形成圖1、圖2所示的第1、第2外層通孔導(dǎo)體61、62的部分，第3電介質(zhì)層931是形成圖1、圖2所示的電介質(zhì)基體12的部分。
接下來，如圖11所示，在層疊的第3坯片93上形成第4導(dǎo)體層94，該第4導(dǎo)體層94形成圖1、圖2所示的第1、第2端子電極31、32。從而得到圖1、圖2所示的層疊電容器。
這里，第4導(dǎo)體層94可以在層疊第3坯片93之前，形成在第3電介質(zhì)層931上，也可以在將第1～第3坯片91～93燒制之后形成。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第1形態(tài)的層疊電容器的制造方法，能夠用連續(xù)的工序制造層疊電容器。因此，與單獨制造第1電容器部和第2電容器部、最后將二者組合的由專利文獻1記載的制造方法相比，能夠容易地制造。
而且，本發(fā)明的層疊電容器的制造方法不是組合第1電容器部和第2電容器部的由專利文獻1記載的方法，能夠用連續(xù)工序制造層疊電容器。這樣，由于用連續(xù)工序制造，所以和專利文獻1的層疊電容器不同，在包含第1、第2內(nèi)部電極的部分和包含外層電極的部分的邊界部分，陶瓷層不會變厚。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)制品的薄型化以及大電容化。
3.第2形態(tài)的層疊電容器的制造方法接下來，參照圖12～圖15，對本發(fā)明的第2形態(tài)的層疊電容器的制造方法進行說明。首先，如圖12所示，準備第1坯片96。第1坯片96為在具有第1通孔導(dǎo)體962的第1電介質(zhì)層961上設(shè)置第1導(dǎo)體層963的結(jié)構(gòu)。第1通孔導(dǎo)體962是形成圖1、圖2所示的第1、第2外層通孔導(dǎo)體61、62的部分，第1電介質(zhì)層961是形成圖1、圖2所示的電介質(zhì)基體12的部分，第1導(dǎo)體層963是形成圖1、圖2所示的第1內(nèi)部電極411的部分。
接下來，在第1坯片96上層疊第2坯片97。第2坯片97是在具有第2通孔導(dǎo)體972的第2電介質(zhì)層971上設(shè)置第2導(dǎo)體層973的結(jié)構(gòu)。第2通孔導(dǎo)體972是形成圖1、圖2所示的第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體51和第2外層通孔導(dǎo)體62的部分，第2電介質(zhì)層971是形成圖1、圖2所示的電介質(zhì)基體12的部分，第2導(dǎo)體層973是形成圖1、圖2所示的第2內(nèi)部電極421的部分。
接下來，如圖13所示，在第2坯片97上依次層疊多個第3坯片98。第3坯片98是在具有第3通孔導(dǎo)體982的第3電介質(zhì)層981上設(shè)置第3導(dǎo)體層983的結(jié)構(gòu)。第3通孔導(dǎo)體982是形成圖1、圖2所示的第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體51、52的部分，第3電介質(zhì)層981是形成圖1、圖2所示的電介質(zhì)基體12的部分。第3導(dǎo)體層983是形成圖1、圖2所示的第1、第2內(nèi)部電極412～41n、421～42n的部分。
接下來，如圖14所示，在第3坯片98上依次層疊坯片90。坯片90是形成圖1、圖2所示的電介質(zhì)基體12的部分。
然后，如圖15所示，在第1坯片96上形成第4導(dǎo)體層99，該第4導(dǎo)體層99形成圖1、圖2所示的第1、第2端子電極31、32。從而得到圖1、圖2所示的層疊電容器。這里，第4導(dǎo)體層99可以在第1～第3坯片96～98燒制之前形成，也可以在燒制之后形成。
因為上述本發(fā)明的第2形態(tài)的層疊電容器的制造方法具有和第1形態(tài)的層疊電容器的制造方法相同的構(gòu)成要件，所以能夠?qū)崿F(xiàn)同樣的作用效果。
盡管上述針對優(yōu)選實施例具體地示出并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不脫離本發(fā)明的精神、范圍和教示的情況下，可以對形式和細節(jié)作出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種層疊電容器，其包含電介質(zhì)基體、第1端子電極、第2端子電極、第1內(nèi)部電極、第2內(nèi)部電極、第1外層通孔導(dǎo)體、第2外層通孔導(dǎo)體、第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體、和第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體，上述第1端子電極為多個，分別隔著間隔設(shè)置在上述電介質(zhì)基體的表面上，上述第2端子電極為多個，分別隔著間隔設(shè)置在上述電介質(zhì)基體的上述表面上。上述第1內(nèi)部電極為多個，分別層狀地埋設(shè)在上述電介質(zhì)基體的內(nèi)部，上述第2內(nèi)部電極為多個，分別以和上述第1內(nèi)部電極依次相對的方式層狀地埋設(shè)在上述電介質(zhì)基體的內(nèi)部，上述第1外層通孔導(dǎo)體為多個，分別與上述第1內(nèi)部電極中位于與上述電介質(zhì)基體的上述表面最靠近的位置上的上述第1內(nèi)部電極和各個上述第1端子電極相連接，上述第2外層通孔導(dǎo)體為多個，分別與上述第2內(nèi)部電極中位于與上述電介質(zhì)基體的上述表面最靠近的位置上的上述第2內(nèi)部電極和各個上述第2端子電極相連接，上述第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體連接上述第1內(nèi)部電極的每一個，上述第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體連接上述第2內(nèi)部電極的每一個。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的層疊電容器，其中所述第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的截面積比所述第1、第2外層通孔導(dǎo)體的截面積大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1記載的層疊電容器，其中所述第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體為1對，并配置在所述第1、第2內(nèi)部電極的中央。
4.根據(jù)權(quán)利要求3記載的層疊電容器，其中所述第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體彼此相鄰。
5.根據(jù)權(quán)利要求1記載的層疊電容器，其中所述第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體為2對以上，并配置在所述第1、第2內(nèi)部電極的中央。
6.根據(jù)權(quán)利要求5記載的層疊電容器，其中成對的所述第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體各自彼此相鄰。
7.根據(jù)權(quán)利要求1記載的層疊電容器，其中所述第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體為2對以上，并配置在上述第1、第2內(nèi)部電極的外周附近。
8.權(quán)利要求1記載的層疊電容器的制造方法，包含下述工序準備多張第1坯片，并依次進行層疊，上述第1坯片是在設(shè)置了第1通孔導(dǎo)體的第1電介質(zhì)層上設(shè)置有第1導(dǎo)體層，上述第1通孔導(dǎo)體是形成第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的部分，上述第1電介質(zhì)層是形成上述電介質(zhì)基體的部分，上述第1導(dǎo)體層是形成上述第1、第2內(nèi)部電極的部分；接著，在上述第1坯片上層疊第2坯片，上述第2坯片是在設(shè)置了第2通孔導(dǎo)體的第2電介質(zhì)層上設(shè)置有第2導(dǎo)體層，上述第2通孔導(dǎo)體是形成上述第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體和上述第2外層通孔導(dǎo)體的部分，上述第1電介質(zhì)層是形成上述電介質(zhì)基體的部分，上述第2導(dǎo)體層是形成上述第1內(nèi)部電極的部分；接著，在上述第2坯片上層疊第3坯片，上述第3坯片是在第3電介質(zhì)層中設(shè)置有第3通孔導(dǎo)體，上述第3通孔導(dǎo)體是形成上述第1、第2外層通孔導(dǎo)體的部分，上述第3電介質(zhì)層是形成上述電介質(zhì)基體的部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8記載的層疊電容器的制造方法，其包含在層疊后的所述第3坯片上形成第4導(dǎo)體層的工序，該第4導(dǎo)體層形成上述第1、第2端子電極。
10.權(quán)利要求1記載的層疊電容器的制造方法，包含下述工序準備第1坯片，上述第1坯片在設(shè)置了第1通孔導(dǎo)體的第1電介質(zhì)層上設(shè)置有第1導(dǎo)體層，上述第1通孔導(dǎo)體是形成上述第1、第2外層通孔導(dǎo)體的部分，上述第1電介質(zhì)層是形成上述電介質(zhì)基體的部分，上述第1導(dǎo)體層是形成上述第1內(nèi)部電極的部分；接著，在上述第1坯片上層疊第2坯片，上述第2坯片在設(shè)置了第2通孔導(dǎo)體的第2電介質(zhì)層上設(shè)置有第2導(dǎo)體層，上述第2通孔導(dǎo)體是形成上述第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體和上述第2外層通孔導(dǎo)體的部分，上述第2電介質(zhì)層是形成上述電介質(zhì)基體的部分，上述第2導(dǎo)體層是形成上述第2內(nèi)部電極的部分；接著，在上述第2坯片上依次層疊多個第3坯片，上述第3坯片在設(shè)置了第3通孔導(dǎo)體的第3電介質(zhì)層上設(shè)置有第3導(dǎo)體層，上述第3通孔導(dǎo)體是形成上述第1、第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體的部分，上述第3電介質(zhì)層是形成上述電介質(zhì)基體的部分，上述第3導(dǎo)體層是形成上述第1、第2內(nèi)部電極的部分。
全文摘要
本發(fā)明涉及能夠?qū)崿F(xiàn)ESL的降低的層疊電容器。第1、第2端子電極(31)、(32)隔著間隔配置在電介質(zhì)基體(12)的表面上。第1外層通孔導(dǎo)體(61)將第1端子電極(31)的每一個連接到第1內(nèi)部電極(411)上。第2外層通孔導(dǎo)體(62)將第2端子電極(32)的每一個連接到第2內(nèi)部電極(421)上。第1內(nèi)層通孔導(dǎo)體(51)連接多個第1內(nèi)部電極(411)～(41n)的每一個。第2內(nèi)層通孔導(dǎo)體(52)連接多個第2內(nèi)部電極(421)～(42n)的每一個。
文檔編號H01G4/38GK1937123SQ200610121638
公開日2007年3月28日 申請日期2006年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月21日
發(fā)明者富樫正明, 安彥泰介 申請人:Tdk株式會社