專利名稱：半導(dǎo)體芯片、顯示屏板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片以及采用所述半導(dǎo)體芯片的顯示屏板，更具體而言，涉及一種能夠提高各向異性導(dǎo)電顆粒的剩余比的半導(dǎo)體芯片及其制造方法，以及采用所述半導(dǎo)體芯片的顯示屏板及其制造方法。
背景技術(shù)：
作為流行的顯示裝置，有如下平板顯示器采用液晶的液晶顯示器(LCD)、采用惰性氣體放電的等離子體顯示器(PDP)和采用有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)。在這些顯示器當(dāng)中，PDP應(yīng)用于大型電視，而LCD和OLED則以從小型產(chǎn)品到大型產(chǎn)品的各種尺寸應(yīng)用于很多領(lǐng)域，例如蜂窩電話、筆記本電腦、監(jiān)視器、電視機(jī)等。
這樣的平板顯示器包括具有用于顯示圖像的像素矩陣的顯示屏板和用于驅(qū)動(dòng)所述顯示屏板的屏板驅(qū)動(dòng)電路。將屏板驅(qū)動(dòng)電路集成為半導(dǎo)體芯片形狀，之后將其電連接到顯示屏板。為了將這樣的驅(qū)動(dòng)電路芯片(下文稱為驅(qū)動(dòng)芯片)連接至顯示屏板，通常采用帶式自動(dòng)接合(TAP)法和玻璃上芯片(COG)法。
TAP法采用各向異性導(dǎo)電膜(ACF)將其上封裝了驅(qū)動(dòng)芯片的帶載封裝(TCP)或膜上芯片(COF)附到顯示屏板上。COG法采用ACF將驅(qū)動(dòng)芯片直接封裝到顯示屏板上，這種方法主要應(yīng)用于必須實(shí)現(xiàn)低成本、小尺寸和薄厚度的顯示屏板。
圖1示出了通過COG法封裝在顯示屏板基板上的驅(qū)動(dòng)芯片的端子部分。
參考圖1，驅(qū)動(dòng)芯片20通過ACF 15電連接到形成于基板10上的電極焊盤12，并通過ACF 15附著于基板10。
更具體來講，驅(qū)動(dòng)芯片20包括形成于硅晶片22上的芯片焊盤(pad)24、保護(hù)硅晶片22并且具有用于暴露芯片焊盤24的接觸孔的保護(hù)層26以及通過保護(hù)層26的接觸孔連接至芯片焊盤24并且起著端子作用的凸塊(bump)28。
通過ACF 15將驅(qū)動(dòng)芯片20封裝并附著到顯示屏板的基板10上。在示范性實(shí)施例中，ACF 15可以包括具有導(dǎo)電顆粒16的ACF樹脂14?？梢詫CF 15涂覆到具有形成于其上的電極焊盤(electrode pad)12的基板10的焊盤區(qū)域(pad region)上。對(duì)準(zhǔn)、加熱并按壓驅(qū)動(dòng)芯片20，由此在顯示屏板的基板10上封裝驅(qū)動(dòng)芯片20。ACF 15的導(dǎo)電顆粒16位于驅(qū)動(dòng)芯片20的凸塊28和形成于基板10上的電極焊盤12之間，并且將凸塊28電連接至電極焊盤12。
凸塊28和電極焊盤12之間的導(dǎo)電顆粒16的數(shù)量(下文稱為“導(dǎo)電顆粒16的剩余比(remaining ratio)”)決定了凸塊28和電極焊盤12之間的連接電阻。因此，導(dǎo)電顆粒16的剩余比應(yīng)當(dāng)具有足夠的數(shù)量或水平，以確保驅(qū)動(dòng)信號(hào)的可靠性。
由于在當(dāng)前技術(shù)中，凸塊和電極焊盤之間的導(dǎo)電顆粒的剩余量相對(duì)而言非常小，因此需要一項(xiàng)提高導(dǎo)電顆粒的剩余比的技術(shù)。盡管可以考慮提高包含在ACF中的導(dǎo)電顆粒的量來提高凸塊下的導(dǎo)電顆粒的剩余比的方法，但是，這種方法提高了ACF的原材料的價(jià)格。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實(shí)施例提供了一種能夠提高ACF的導(dǎo)電顆粒的剩余比的半導(dǎo)體芯片及其制造方法，以及采用所述半導(dǎo)體芯片的顯示屏板及其制造方法。
本發(fā)明的一個(gè)示范性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路上的有機(jī)絕緣層。所述有機(jī)絕緣層自所述半導(dǎo)體基板的延伸小于所述多個(gè)凸塊，使得所述多個(gè)凸塊比所述有機(jī)絕緣層的下邊緣伸出得更遠(yuǎn)。
另一示范性實(shí)施例提供了一種根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法包括形成多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和在所述驅(qū)動(dòng)電路上形成有機(jī)絕緣層。所述有機(jī)絕緣層自所述半導(dǎo)體基板的延伸小于所述多個(gè)凸塊，使得所述多個(gè)凸塊比所述有機(jī)絕緣層伸出得更遠(yuǎn)。
本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例提供了一種在其內(nèi)通過各向異性導(dǎo)電膜封裝了半導(dǎo)體芯片的顯示屏板，所述顯示屏板包括形成于基板上的，并通過所述各向異性導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電顆粒連接至形成于所述半導(dǎo)體芯片上的凸塊的電極焊盤；以及形成于所述基板上的，具有隔離所述電極焊盤的開放孔的第一絕緣層。
另一示范性實(shí)施例提供了一種根據(jù)本發(fā)明在其內(nèi)封裝了半導(dǎo)體芯片的顯示屏板的制造方法，所述方法包括在基板上形成連接至信號(hào)線的電極焊盤；在所述基板上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層具有隔離位于所述基板上的所述電極焊盤的開放孔；以及通過各向異性導(dǎo)電膜在所述基板上封裝所述半導(dǎo)體芯片，從而通過包含在所述各向異性導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電顆粒將所述半導(dǎo)體芯片的凸塊連接到所述電極焊盤。
本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例提供了一種顯示屏板，所述顯示屏板包括包括第一基板和第一絕緣層的半導(dǎo)體芯片；第二基板，其包括連接至形成于第二基板上的信號(hào)線的電極焊盤；以及將所述半導(dǎo)體芯片附著到所述第二基板上的各向異性導(dǎo)電膜，其包括將所述半導(dǎo)體芯片的凸塊連接至所述電極焊盤的導(dǎo)電顆粒。所述半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)連接至集成在所述第一基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路上的第一絕緣層。
另一示范性實(shí)施例提供了一種根據(jù)本發(fā)明制造顯示屏板的方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體芯片；提供包括暴露的電極焊盤的顯示屏板；以及通過包括導(dǎo)電顆粒的各向異性導(dǎo)電膜在所述顯示屏板內(nèi)封裝所述半導(dǎo)體芯片。形成所述半導(dǎo)體芯片包括形成多個(gè)連接至集成在所述第一基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和在所述驅(qū)動(dòng)電路上形成第一絕緣層。所述第一絕緣層自所述第一基板的延伸小于所述多個(gè)凸塊。
本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體芯片，其包括多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和形成厚度小于所述多個(gè)凸塊的有機(jī)絕緣層，所述有機(jī)絕緣層形成于凸塊對(duì)之間。另一示范性實(shí)施例提供了一種根據(jù)本發(fā)明制造半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法包括形成多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和形成厚度小于所述多個(gè)凸塊的有機(jī)絕緣層，所述有機(jī)絕緣層形成于凸塊對(duì)之間。
本發(fā)明的另一示范性實(shí)施例提供了一種顯示屏板，所述顯示屏板包括半導(dǎo)體芯片，其包括多個(gè)連接至集成在第一基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和所形成的厚度小于所述多個(gè)凸塊的第一絕緣層，所述第一絕緣層形成于凸塊對(duì)之間；包括連接至形成于其上的信號(hào)線的電極焊盤的第二基板；以及各向異性導(dǎo)電膜，其將所述半導(dǎo)體芯片附著到所述第二基板上，并且包括將所述半導(dǎo)體芯片的凸塊連接到所述電極焊盤的導(dǎo)電顆粒。
另一示范性實(shí)施例提供了一種根據(jù)本發(fā)明制造顯示屏板的方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)連接至集成在第一基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和形成厚度小于所述多個(gè)凸塊的第一絕緣層，所述第一絕緣層形成于凸塊對(duì)之間；提供暴露電極焊盤的顯示屏板；以及通過包括導(dǎo)電顆粒的各向異性導(dǎo)電膜在所述顯示屏板內(nèi)封裝所述半導(dǎo)體芯片。


通過下述接合附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯見，其中圖1示出了通過COF法封裝在常規(guī)顯示屏板內(nèi)的驅(qū)動(dòng)芯片；圖2是示出了形成于常規(guī)驅(qū)動(dòng)芯片和基板上的多個(gè)凸塊之間的接觸部分的照片；圖3是部分示出了根據(jù)本發(fā)明在其內(nèi)封裝了COG型驅(qū)動(dòng)芯片的顯示屏板的示范性實(shí)施例的截面圖；圖4是部分示出了圖3所示的驅(qū)動(dòng)芯片的下表面的平面圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊區(qū)域的示范性實(shí)施例的照片；圖6A到圖6D是示出了圖3所示的驅(qū)動(dòng)芯片的制造方法的示范性實(shí)施例的截面圖；圖7是部分示出了根據(jù)本發(fā)明在其內(nèi)封裝了COG型驅(qū)動(dòng)芯片的顯示屏板的另一示范性實(shí)施例的截面圖；圖8是部分示出了圖7所示的顯示屏板的焊盤區(qū)域的平面圖；圖9A到圖9D是示出了圖7所示的顯示屏板的制造方法的示范性實(shí)施例的截面圖；圖10是部分示出了根據(jù)本發(fā)明在其上封裝了COG型驅(qū)動(dòng)芯片的顯示屏板的示范性實(shí)施例的截面圖；以及圖11示意性地示出了一LCD屏板，其采用的顯示屏板中封裝了根據(jù)本發(fā)明的COG型驅(qū)動(dòng)芯片的示范性實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
下文中將參考附圖更為充分地描述本發(fā)明，附圖中展示了本發(fā)明的示范性實(shí)施例。不過，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，不應(yīng)被視為受限于此處所述的示范性實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使本公開透徹和完全，并將充分地把本發(fā)明的范圍傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，出于清晰起見擴(kuò)大了層和區(qū)域的尺寸以及相對(duì)尺寸。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一元件或?qū)釉诹硪辉驅(qū)印吧稀被颉斑B接至”另一元件或?qū)訒r(shí)，所述元件或?qū)涌赡苤苯游挥诹硪辉驅(qū)由匣蛑苯舆B接至另一元件或?qū)?，或者存在中間元件或?qū)?。反之，?dāng)稱一元件直接位于另一元件或?qū)由希蛘咧苯舆B接至另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在中間元件或?qū)?。始終以類似的數(shù)字指示類似的元件。這里所用的術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何與全部組合。
應(yīng)當(dāng)理解，雖然這里可能使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述多種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被視為受限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將某一元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他區(qū)域、層或部分區(qū)分開。這樣一來，在不背離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，以下所討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
為了便于描述，這里可能使用諸如“下”、“上”等空間相對(duì)術(shù)語來描述如圖所示的一個(gè)元件或特征與其他元件或特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，空間相對(duì)術(shù)語意在包括除圖示方向之外的在使用中或在工作中的器件的不同方向。例如，如果將圖中的器件反轉(zhuǎn)，那么相對(duì)于其他元件或特征被描述為“下”的元件將相對(duì)于其他元件或特征指向“上”。這樣一來，示范性術(shù)語“下”可以包括之上和之下兩種方向。器件可以采取其他取向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其他方向)，并對(duì)這里所用的空間關(guān)系描述語進(jìn)行相應(yīng)的解釋。
這里所用的術(shù)語僅僅是為了描述特定的實(shí)施例，并不意在限制本發(fā)明。如這里所用的，單數(shù)形式“一”和“該”意在同時(shí)包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另行明確指出。還要理解的是，本說明書中所用的術(shù)語“包括”指明所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、組件和/或其組合的存在或增加。
這里參考截面圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述截面圖為本發(fā)明的理想化實(shí)施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖。照此，可以預(yù)見到由于例如制造技術(shù)和/或容限會(huì)引起圖示形狀的變化。這樣一來，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為受限于這里圖示的特定的區(qū)域形狀，而是包括因(例如)制造而產(chǎn)生的形狀變化。
例如，圖示為矩形的注入?yún)^(qū)通常具有圓形的或彎曲的功能部件和/或在其邊緣處具有注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)具有二元變化。類似地，通過注入形成的掩埋層可能導(dǎo)致在所述掩埋層和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域內(nèi)存在一些注入。這樣一來，圖示的區(qū)域從本質(zhì)上講是示意性的，它們的形狀不意在展示器件區(qū)域的實(shí)際形狀，且不意在限制本發(fā)明的范圍。
除非另行定義，這里所用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的同樣含義。還要理解的是，諸如在通用詞典中所定義的那些術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為有著與其在相關(guān)技術(shù)和本公開的上下文中的含義相一致的含義，除非這里明確加以定義，否則不應(yīng)被解釋為理想化的或過度形式的意義。
以下將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
在描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例之前，現(xiàn)在，將參考圖2描述驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊和顯示屏板的焊盤之間的ACF的導(dǎo)電顆粒的剩余比可能相對(duì)較低的原因。
圖2是說明形成于常規(guī)驅(qū)動(dòng)芯片上的多個(gè)凸塊和基板之間的接觸部分的照片。
參考圖2，可以看出凸塊4之間的空隙6內(nèi)ACF導(dǎo)電顆粒8的剩余比高于位于封裝在基板2上的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊4之下的區(qū)域的剩余比。在基板2上涂覆ACF，之后使其對(duì)準(zhǔn)、對(duì)其加熱并將其按壓到基板2上，這時(shí)作用在位于封裝在基板2上的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊4之下的ACF樹脂上的壓力大于作用在凸塊4之間的空隙6內(nèi)的壓力。由于封裝在基板2上的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊4之下和凸塊4之間的空隙6內(nèi)兩處之間存在壓力差，因此，ACF樹脂從封裝在基板2上的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊4之下向凸塊4之間的空隙6流動(dòng)。ACF導(dǎo)電顆粒8朝向或者隨著ACF樹脂的流動(dòng)而移動(dòng)。因此，降低了封裝在基板2上的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊4之下的導(dǎo)電顆粒8的剩余比。最終匯集在凸塊4之間的空隙6內(nèi)的導(dǎo)電顆粒8變得越來越大。因此，空隙6內(nèi)的導(dǎo)電顆粒8的聚集可能引起凸塊4之間的電短路?？煽啃钥赡苡捎诜庋b在基板2上的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊4之下的導(dǎo)電顆粒8的剩余比的降低而下降。
在根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例中，可以通過在制造過程中，降低封裝在基板上的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊之下和凸塊之間的空隙內(nèi)兩處之間的壓力差，即本質(zhì)上減少ACF導(dǎo)電顆粒的流動(dòng)，來提高存在于封裝在基板上的驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊之下的導(dǎo)電顆粒的剩余比。
以下將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明。
圖3是部分示出了根據(jù)本發(fā)明在其內(nèi)封裝了驅(qū)動(dòng)芯片60的顯示屏板40的示范性實(shí)施例的截面圖。圖4和圖5分別是示出了在其上形成了圖3所示的驅(qū)動(dòng)芯片60內(nèi)的凸塊54的下表面的示范性實(shí)施例的平面圖和照片。
參考圖3，驅(qū)動(dòng)芯片60通過ACF 45電連接到形成于顯示屏板40的基板30上的電極焊盤36上，并且通過ACF 45附著于基板30。
顯示屏板40包括形成于下基板30上并連接至圖像顯示部分的信號(hào)線(未示出)的電極焊盤36。
電極焊盤36包括從圖像顯示部分的信號(hào)線延伸出來的下電極焊盤32和通過穿透絕緣層38的接觸孔連接至下電極焊盤32的上電極焊盤34。在示范性實(shí)施例中，下電極焊盤32可以由不透明金屬連同圖像顯示部分的信號(hào)線一同形成。上電極焊盤34可以由透明導(dǎo)電材料形成，用于保護(hù)下電極焊盤32。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，由透明導(dǎo)電材料形成的上電極焊盤34可以和用于透射圖像顯示部分中的子像素單元(未示出)所發(fā)出的光的像素電極(未示出)一起被構(gòu)圖。
驅(qū)動(dòng)芯片60包括連接至形成于硅晶片50上的驅(qū)動(dòng)電路的芯片焊盤52、形成于硅晶片50上的保護(hù)層56和凸塊54。保護(hù)層56包括暴露芯片焊盤52的接觸孔。凸塊54通過保護(hù)層56的接觸孔連接至芯片焊盤52，凸塊54起著端子的作用。驅(qū)動(dòng)芯片60還可以包括圍繞凸塊54的有機(jī)絕緣層58。在示范性實(shí)施例中，有機(jī)絕緣層58所具有的沿基本垂直于硅晶片50的方向測量的厚度可以小于凸塊54的厚度。在另一示范性實(shí)施例中，有機(jī)絕緣層58的下邊緣可以不延伸至凸塊的下邊緣，其可以位于保護(hù)層56的表面和凸塊54的下邊緣之間。
在示范性實(shí)施例中，芯片焊盤52可以包括，但不限于，諸如鋁(Al)的金屬。凸塊54可以包括，但不限于，諸如金(Au)的金屬。在其他示范性實(shí)施例中，可以在芯片焊盤52和凸塊54之間形成用于保護(hù)芯片焊盤52的屏障層(barrier layer)53。屏障層53可以包括，但不限于，金屬。
保護(hù)層56形成于其上形成了芯片焊盤52的硅晶片50上，其保護(hù)形成了驅(qū)動(dòng)電路之處的硅晶片50。保護(hù)層56包括暴露芯片焊盤52的接觸孔。在示范性實(shí)施例中，保護(hù)層56可以包括，但不限于，諸如SiNx的絕緣材料。
屏障層53和凸塊54連接到通過保護(hù)層56的接觸孔暴露的芯片焊盤52。
在其上形成了凸塊54的保護(hù)層56上形成有機(jī)絕緣層58，以保護(hù)包含在驅(qū)動(dòng)芯片60內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電路。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，有機(jī)絕緣層58可能包括，但不限于，聚酰亞胺系列(series)。如圖4和圖5所示，有機(jī)絕緣層58延伸至其中形成了凸塊54的驅(qū)動(dòng)芯片60的外圍區(qū)域，并且包括暴露凸塊54的開放孔(open hole)55。還可以將這一外圍區(qū)域稱為“端子區(qū)域”。
在示范性實(shí)施例中，有機(jī)絕緣層58的高度或厚度可以小于凸塊54的高度或厚度。在將驅(qū)動(dòng)芯片60封裝在基板30上時(shí)，降低了驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54之下和凸塊54之間的空隙內(nèi)兩處之間的壓力差。有利地，可以防止ACF導(dǎo)電顆粒42從驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54之下流到凸塊54之間的空隙內(nèi)。如圖4和圖5所示，形成于有機(jī)絕緣層58上的開放孔55具有比凸塊54寬的截面積，從而徹底、充分地暴露凸塊54。將開放孔55的邊緣與凸塊54隔開，形成縫隙，從而充分確?？梢杂脕砼cACF導(dǎo)電顆粒42接觸的凸塊54的截面積。在備選實(shí)施例中，開放孔55可以具有基本類似于或基本等于凸塊54的截面積，從而使有機(jī)絕緣層58可以與凸塊54的側(cè)面接觸。
再次參考圖3，通過ACF 45將驅(qū)動(dòng)芯片60封裝到顯示屏板40的基板30上。ACF 45可以包括包含導(dǎo)電顆粒45的ACF樹脂44。在其上形成了電極焊盤36的基板30的焊盤區(qū)域上涂覆ACF 45，并對(duì)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)芯片60，對(duì)其加熱并按壓，從而將驅(qū)動(dòng)芯片60封裝到顯示屏板40的基板30上。由于厚度小于凸塊54的有機(jī)絕緣層58占據(jù)了凸塊54之間的空隙，因而可以降低驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54之下和凸塊之間的空隙內(nèi)(或者有機(jī)絕緣層58之下)兩處之間的壓力差。與壓力差的下降相稱的是，導(dǎo)電顆粒42的流動(dòng)與ACF樹脂44的流動(dòng)一同減少，因而可以減少從驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54之下流到凸塊54的空隙內(nèi)的導(dǎo)電顆粒42的數(shù)量。有利地，由于提高了，或?qū)嵸|(zhì)上增大了凸塊54之下的導(dǎo)電顆粒42的剩余比，因而可以降低驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54和顯示屏板40的電極焊盤36之間的連接電阻。
在示范性實(shí)施例中，如果有機(jī)絕緣層58的高度大于等于凸塊54的高度，從而使得有機(jī)絕緣層58的下邊緣與凸塊54的下邊緣基本位于同一水平面上，那么，降低了凸塊54和電極焊盤36之間的導(dǎo)電顆粒42的變動(dòng)速率(modification rate)，連接電阻可能增大。有機(jī)絕緣層58從保護(hù)層56或硅晶片50向下延伸。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，優(yōu)選形成延伸至位于凸塊54的下邊緣之上的位置的，或者所包括的厚度比凸塊54的小的有機(jī)絕緣材料58。
圖6A到圖6D是示出了根據(jù)本發(fā)明的圖3所示的驅(qū)動(dòng)芯片60的制造方法的示范性實(shí)施例的截面圖。
參考圖6A，連同驅(qū)動(dòng)電路的電極(未示出)一起，在硅晶片50上形成芯片焊盤52。在示范性實(shí)施例中，可以通過在硅晶片50上淀積諸如Al的金屬層，并通過光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)所述金屬層構(gòu)圖，而連同驅(qū)動(dòng)電路的電極一起形成芯片焊盤52。
參考圖6B，在其上形成了驅(qū)動(dòng)電路和芯片焊盤52的硅晶片50上形成保護(hù)層56，通過穿透保護(hù)層56形成暴露芯片焊盤52的接觸孔51。在示范性實(shí)施例中，可以通過在其上形成了驅(qū)動(dòng)電路和芯片焊盤52的硅晶片上淀積諸如SiNx的無機(jī)絕緣材料，并采用光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)所述無機(jī)絕緣材料構(gòu)圖而形成具有接觸孔51的保護(hù)層56。
參考圖6C，形成屏障金屬層53和凸塊54。凸塊54通過芯片焊盤52的部分連接至芯片焊盤52，所述的芯片焊盤52的部分通過保護(hù)層56的接觸孔51暴露。在示范性實(shí)施例中，可以通過在保護(hù)層56上淀積諸如Au/Ni/Ti的屏障金屬層和諸如Au的凸塊金屬，并采用光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)這些金屬層構(gòu)圖而形成屏障金屬層53和凸塊54。
參考圖6D，在保護(hù)層56上形成用于保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路并暴露凸塊54的有機(jī)絕緣層58。在示范性實(shí)施例中，，可以通過在其上形成了凸塊54的保護(hù)層56上形成聚酰亞胺系列的感光有機(jī)絕緣層，并通過光刻工藝對(duì)所述有機(jī)絕緣層進(jìn)行曝光和顯影而形成有機(jī)絕緣層58。
在一個(gè)示范性實(shí)施例中，通過在其上形成了電極焊盤36的基板30上涂覆ACF 45，并在所述ACF 45上對(duì)準(zhǔn)、加熱并按壓驅(qū)動(dòng)芯片60來封裝通過圖6A到圖6D的工藝完成的驅(qū)動(dòng)芯片60。ACF 45可以包括ACF樹脂44和導(dǎo)電顆粒42。有利地，通過存在于凸塊54之間的空隙內(nèi)的有機(jī)絕緣層58減少ACF樹脂44和導(dǎo)電顆粒42在驅(qū)動(dòng)芯片60的區(qū)域內(nèi)的流動(dòng)，由此提高并改善對(duì)應(yīng)于電極焊盤的凸塊54之下的導(dǎo)電顆粒42的剩余比。在另一示范性實(shí)施例中，有機(jī)絕緣層58可以優(yōu)選包括比凸塊54更小的高度或厚度。
圖7是部分示出了根據(jù)本發(fā)明在其內(nèi)封裝了驅(qū)動(dòng)芯片60的顯示屏板40的另一示范性實(shí)施例的截面圖，圖8是示出了圖7所示的顯示屏板40的焊盤區(qū)域的平面圖。
參考圖7，除了在電極焊盤36之間的空隙內(nèi)，而不是在驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54之間的空隙內(nèi)，形成有機(jī)絕緣層62之外，其內(nèi)封裝了驅(qū)動(dòng)芯片60的顯示屏板40具有與圖3所示的相同的構(gòu)造。因此，將省略對(duì)重復(fù)元件的詳細(xì)說明。
驅(qū)動(dòng)芯片60包括連接至形成于硅晶片50上的驅(qū)動(dòng)電路(未示出)的芯片焊盤52、形成于硅晶片50上并且具有暴露芯片焊盤52的接觸孔的保護(hù)層56以及通過保護(hù)層56的接觸孔連接至芯片焊盤52并且起著端子作用的凸塊54。在示范性實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)芯片60還可以包括在除了形成凸塊54的端子區(qū)域以外的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的保護(hù)層56上形成的有機(jī)絕緣層(未示出)，以保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域。還可以將形成了凸塊54的端子區(qū)域視為驅(qū)動(dòng)芯片60的“外圍區(qū)域”。在其他示范性實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)芯片60還可以包括形成于芯片焊盤52和凸塊54之間的屏障金屬層53。
在顯示屏板40的下基板30上形成電極焊盤36。電極焊盤包括從圖像顯示部分的信號(hào)線(未示出)延伸出來的下電極焊盤32和通過穿透絕緣層38的接觸孔連接至下電極焊盤32的上電極焊盤34。顯示屏板40包括沿基本垂直于基板30的方向形成的高度或厚度大于電極焊盤36的有機(jī)絕緣層62，以隔離電極焊盤36。有機(jī)絕緣層62從絕緣層38或基板30向上延伸，并與電極焊盤36和凸塊54間隔一定距離設(shè)置有機(jī)絕緣層62?？梢栽谂c凸塊54的下邊緣基本相同的平面上設(shè)置有機(jī)絕緣層62的上邊緣。
在下基板30的絕緣層38上形成有機(jī)絕緣層62。如圖8所示，在有機(jī)絕緣層62上形成與電極焊盤36隔開的開放孔63，以隔離電極焊盤36。形成這一有機(jī)絕緣層62，使之具有比電極焊盤36大的高度。在示范性實(shí)施例中，如果通過ACF 45封裝驅(qū)動(dòng)芯片60，那么可以形成從硅晶片50向下延伸并且高度小于驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54的有機(jī)絕緣層62。有利地，當(dāng)在包括從基板30向上延伸到大于電極焊盤36的高度的有機(jī)絕緣層62的基板30上封裝驅(qū)動(dòng)芯片60時(shí)，降低了驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54之下和凸塊54之間的空隙內(nèi)兩處之間的壓力差，防止了ACF導(dǎo)電顆粒42從驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54之下流到凸塊54之間的空隙內(nèi)。
在示范性實(shí)施例中，如圖8所示，圍繞電極焊盤36的開放孔63可以具有比電極焊盤36更寬的截面積。換言之，將開放孔63的邊緣與電極焊盤36的邊緣隔開，實(shí)質(zhì)上在電極焊盤36和有機(jī)絕緣層62之間形成了縫隙，從而充分確保能夠與ACF導(dǎo)電顆粒42接觸的電極焊盤36和凸塊54的足夠大尺寸的截面積。在備選實(shí)施例中，開放孔63可以具有與電極焊盤36基本類似或?qū)嶋H相同的截面積，使得有機(jī)絕緣層62可以與電極焊盤36的側(cè)面接觸。
在示范性實(shí)施例中，可以通過在基板30的焊盤區(qū)域上涂覆ACF 45，并對(duì)準(zhǔn)、加熱和按壓驅(qū)動(dòng)芯片60而在顯示屏板40的基板30上封裝具有這樣的構(gòu)造的驅(qū)動(dòng)芯片60。ACF 45可以包括含有導(dǎo)電顆粒42的ACF樹脂44。由于有機(jī)絕緣層62設(shè)置于凸塊54之間，并且包括小于凸塊54的高度，因此，降低了凸塊54之下和凸塊54之間的空隙內(nèi)兩處之間，即凸塊54之下和從焊盤30突出的有機(jī)絕緣層62之上兩處之間的壓力差。導(dǎo)電顆粒42連同ACF樹脂44的流動(dòng)降低了，由此減少了從凸塊54之下流到凸塊54之間的空隙內(nèi)的導(dǎo)電顆粒42的數(shù)量。有利地，增大了凸塊54之下的導(dǎo)電顆粒42的剩余比，并且可以降低驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54和顯示屏板40的電極焊盤36之間的連接電阻。
圖9A到圖9D是示出了根據(jù)本發(fā)明的圖7所示的顯示屏板40的制造方法的示范性實(shí)施例的截面圖。
參考圖9A，在基板30上連同圖像顯示部分的信號(hào)線(未示出)一起形成下電極焊盤32。在示范性實(shí)施例中，可以通過在基板30上淀積Al或Mo系列的金屬層，并采用光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)所述金屬層構(gòu)圖，而連同圖像顯示部分的信號(hào)線一起形成下電極焊盤32。
參考圖9B，在其上連同圖像顯示部分的信號(hào)線一起形成了下電極焊盤32的基板30上形成絕緣層38。在絕緣層38內(nèi)形成暴露下電極焊盤32的接觸孔61。在示范性實(shí)施例中，可以通過在其上形成了信號(hào)線和下電極焊盤32的基板30上淀積諸如SiNx的無機(jī)絕緣材料，并采用光刻工藝和蝕刻工藝對(duì)所述無機(jī)絕緣材料構(gòu)圖，而形成具有接觸孔61的絕緣層38。
參考圖9C，在絕緣層38上形成具有暴露下電極焊盤32的開放孔63的有機(jī)絕緣層62。在示范性實(shí)施例中，可以通過在絕緣層38上淀積聚酰亞胺系列的感光有機(jī)絕緣材料，并通過光刻工藝對(duì)所述有機(jī)絕緣材料進(jìn)行曝光和顯影而形成有機(jī)絕緣層62。
參考圖9D，形成上電極焊盤34，其連接至通過有機(jī)絕緣層62的開放孔63暴露的下電極焊盤32。在示范性實(shí)施例中，通過在有機(jī)絕緣層62上淀積透明導(dǎo)電材料，并采用光刻工藝和刻蝕過程對(duì)所述透明導(dǎo)電材料構(gòu)圖而形成上電極焊盤34。在其他示范性實(shí)施例中，可以連同由圖像顯示部分中的子像素單元(未示出)形成的像素電極(未示出)一起形成上電極焊盤34。
在一個(gè)示范性實(shí)施例中，在通過圖9A到圖9D所示的工藝完成的基板30的焊盤區(qū)域上涂覆ACF 45，并通過在ACF 45上對(duì)準(zhǔn)、加熱并按壓驅(qū)動(dòng)芯片60封裝驅(qū)動(dòng)芯片60。在有機(jī)絕緣層62存在于凸塊54之間的空隙內(nèi)的區(qū)域中，ACF樹脂44和導(dǎo)電顆粒42的流動(dòng)降低了，其中，有機(jī)絕緣層62包括比凸塊54低的高度。有利地，提高了凸塊54之下的導(dǎo)電顆粒42的剩余比。
圖10是部分示出了根據(jù)本發(fā)明在其內(nèi)封裝了驅(qū)動(dòng)芯片60的顯示屏板40的另一示范性實(shí)施例的截面圖。
其中封裝了驅(qū)動(dòng)芯片60的顯示屏板40具有與圖3所示的相同的元件，除了在電極焊盤36之間的空隙內(nèi)額外形成了第二有機(jī)絕緣層62之外。因此，將省略對(duì)重復(fù)元件的詳細(xì)說明。
驅(qū)動(dòng)芯片60包括連接至形成于硅晶片50上的驅(qū)動(dòng)電路(未示出)的芯片焊盤52、形成于硅晶片50上并且具有暴露芯片焊盤52的接觸孔的保護(hù)層56以及通過保護(hù)層56的接觸孔連接至芯片焊盤52并且起著端子作用的凸塊54。第一有機(jī)絕緣層58形成于保護(hù)層56上，并圍繞凸塊54。有機(jī)絕緣層58包括比凸塊54低的高度。如圖4、圖5和圖10所示，第一有機(jī)絕緣層58延伸至形成了凸塊54的端子區(qū)域，并且包括暴露凸塊54的開放孔55，所述端子區(qū)域又稱為驅(qū)動(dòng)芯片60的外圍區(qū)域。如圖4和圖5所示，開放孔55形成于第一有機(jī)絕緣層58內(nèi)，并具有比凸塊54寬的截面積，從而充分確保能夠與ACF導(dǎo)電顆粒42接觸的凸塊54的截面積。在備選示范性實(shí)施例中，開放孔55可以具有基本類似于或基本等于凸塊54的截面積，從而使有機(jī)絕緣層58與凸塊54的側(cè)面接觸。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，通過參考圖6A到圖6D描述的制造方法完成具有這樣的構(gòu)造的驅(qū)動(dòng)芯片60。
在顯示屏板40的下基板30上形成電極焊盤36。電極焊盤36包括從圖像顯示部分的信號(hào)線(未示出)延伸出來的下電極焊盤32和通過穿透絕緣層38的接觸孔連接至下電極焊盤32的上電極焊盤34。顯示屏板40包括形成于基板30上，并且圍繞電極焊盤36的第二有機(jī)絕緣層62。自絕緣層38延伸的第二有機(jī)絕緣層62包括比電極焊盤36大的高度。
在下基板30的絕緣層38上形成有第二機(jī)絕緣層62。如圖8所示，在第二有機(jī)絕緣層62上形成開放孔63，其圍繞電極焊盤36，開放孔63的邊緣與電極焊盤36通過縫隙隔開。有機(jī)絕緣層62自絕緣層38延伸，并且在高度上高于電極焊盤36。在通過ACF 45封裝驅(qū)動(dòng)芯片60時(shí)，有機(jī)絕緣層62延伸至比驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54低的高度。使第二有機(jī)絕緣層62與第一有機(jī)絕緣層56間隔預(yù)定距離或間隔。如圖8所示，第二有機(jī)絕緣層62的開放孔63具有比電極焊盤36更寬的截面積，從而充分確保接觸ACF導(dǎo)電顆粒42的電極焊盤36和凸塊54的截面積。在備選示范性實(shí)施例中，第二有機(jī)絕緣層62的開放孔63可以具有與電極焊盤36基本相同的截面積，使得第二有機(jī)絕緣層62可以與電極焊盤36的側(cè)面接觸。在一個(gè)示范性實(shí)施例中，可以通過參考圖9A到圖9D描述的制造方法完成具有這樣的構(gòu)造的顯示屏板。
在示范性實(shí)施例中，第一有機(jī)絕緣層58和第二有機(jī)絕緣層62可以包括分別沿基本平行于硅晶片50和基板30的方向測量的基本相同的寬度。第一有機(jī)絕緣層58和第二有機(jī)絕緣層62可以基本上分別位于成對(duì)的凸塊54和成對(duì)的電極焊盤36的中央，或者可以靠近一對(duì)凸塊54和/或一對(duì)電極焊盤36中的一個(gè)設(shè)置。第一有機(jī)絕緣層58和第二有機(jī)絕緣層62可以處于相互對(duì)應(yīng)的位置，使得它們的寬度基本一致，或者使得它們的寬度相對(duì)于彼此偏移(offset)。
在一個(gè)示范性實(shí)施例中，通過在其上形成了電極焊盤36的基板30的焊盤區(qū)域上涂覆ACF 45，并對(duì)準(zhǔn)、加熱并按壓驅(qū)動(dòng)芯片60而在顯示屏板40的基板30上封裝驅(qū)動(dòng)芯片60。由于在凸塊54之間的空隙內(nèi)存在厚度小于凸塊54的第一有機(jī)絕緣層58，在電極焊盤36之間的空隙內(nèi)存在與第一有機(jī)絕緣層58以規(guī)則間隔隔開的第二有機(jī)絕緣層62，因此降低了凸塊54之下和凸塊54之間的空隙內(nèi)兩處之間的壓力差。也就是說，可以降低凸塊54之下與第一和第二有機(jī)絕緣層58和62之間的空隙內(nèi)兩處之間的壓力差。導(dǎo)電顆粒42連同ACF樹脂44的流動(dòng)降低了，可以減少從凸塊54之下移動(dòng)到凸塊54之間的空隙內(nèi)的導(dǎo)電顆粒42的數(shù)量。有利地，提高或增大了凸塊54之下的導(dǎo)電顆粒42的剩余比，因而可以降低驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54和顯示屏板40的電極焊盤36之間的連接電阻。
在示范性實(shí)施例中，可以將向其內(nèi)封裝了根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)芯片的顯示屏板應(yīng)用于諸如LCD和OLED的平板顯示器。現(xiàn)在，將參考圖11描述應(yīng)用了本發(fā)明的示范性實(shí)施例的LCD的示范性實(shí)施例。
圖11示意性地示出了一LCD屏板，其采用的顯示屏板中封裝了根據(jù)本發(fā)明的驅(qū)動(dòng)芯片的示范性實(shí)施例。
圖11所示的LCD屏板包括下基板30和上基板70，二者之間插置有液晶。上基板70使下基板30的外圍區(qū)域暴露出來。也可以將所述外圍區(qū)域視為其上形成了柵極驅(qū)動(dòng)芯片80和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片90的下基板30的電路區(qū)域。
下基板30的顯示區(qū)域包括沿彼此橫陳(transverse to each other)的方向彼此相交，以形成大體的矩陣形排列的柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL、連接在柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的交接處的薄膜晶體管TFT以及連接至薄膜晶體管TFT的子像素單元的像素電極。像素電極可以與形成于上基板70中的公共電極交疊，在其間插入液晶，以形成液晶單元(cell)。也可以將所述液晶單元稱為液晶電容器Clc。薄膜晶體管TFT響應(yīng)來自柵極線GL的柵極信號(hào)為像素電極提供來自數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號(hào)。依賴提供至像素電極的數(shù)據(jù)信號(hào)和提供至公共電極的公共電壓Vcom之間的差值驅(qū)動(dòng)具有介電各向異性的液晶，并控制透光度。
在示范性實(shí)施例中，可以通過針對(duì)本發(fā)明的示范性實(shí)施例所述的COG方法在下基板30的外圍區(qū)域上封裝用于驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線GL的柵極驅(qū)動(dòng)芯片80和用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片90。
在其他示范性實(shí)施例中，通過ACF在下基板30上封裝柵極驅(qū)動(dòng)芯片80，并將柵極驅(qū)動(dòng)芯片80連接到自柵極線GL延伸的柵極焊盤上。通過ACF在下基板30上封裝數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片90，并將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片90連接至自數(shù)據(jù)線DL延伸的數(shù)據(jù)焊盤上?？梢栽跂艠O驅(qū)動(dòng)芯片和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片80和90的凸塊之間的空隙內(nèi)形成第一有機(jī)絕緣層。可以在下基板30的柵極焊盤之間的空隙內(nèi)以及下基板30的數(shù)據(jù)焊盤之間的空隙內(nèi)形成第二有機(jī)絕緣層。在備選示范性實(shí)施例中，在柵極和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片80和90的凸塊之間的空隙內(nèi)形成第一有機(jī)絕緣層，在下基板30的柵極焊盤之間的空隙內(nèi)以及下基板30的數(shù)據(jù)焊盤之間的空隙內(nèi)形成第二有機(jī)絕緣層。當(dāng)在下基板30上封裝柵極和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片80和90時(shí)，減少了導(dǎo)電顆粒連同ACF樹脂的流動(dòng)?？梢詼p少從凸塊54之下流到凸塊54之間的空隙內(nèi)的導(dǎo)電顆粒42的數(shù)量。有利地，增大了凸塊54之下的導(dǎo)電顆粒42的剩余比，并且可以降低驅(qū)動(dòng)芯片60的凸塊54和顯示屏板40的電極焊盤36之間的連接電阻。
在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片及其制造方法的示范性實(shí)施例中，當(dāng)在顯示屏板內(nèi)封裝半導(dǎo)體芯片時(shí)，通過在凸塊之間的空隙內(nèi)提供有機(jī)絕緣層減少了ACF的流動(dòng)，由此提高了存在于凸塊和焊盤之間的導(dǎo)電顆粒的剩余比。
在根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片及其制造方法的示范性實(shí)施例中，當(dāng)在顯示屏板內(nèi)封裝半導(dǎo)體芯片時(shí)，通過在焊盤之間的空隙內(nèi)提供有機(jī)絕緣層減少了ACF的流動(dòng)，由此提高了存在于凸塊和焊盤之間的導(dǎo)電顆粒的剩余比。
根據(jù)本發(fā)明的在其內(nèi)封裝了半導(dǎo)體芯片的顯示屏板及其制造方法的另一示范性實(shí)施例包括位于驅(qū)動(dòng)芯片的凸塊之間的空隙內(nèi)的第一有機(jī)絕緣層和位于顯示屏板的焊盤之間的空隙內(nèi)的第二有機(jī)絕緣層。有利地，當(dāng)在包括這一構(gòu)造的顯示屏板內(nèi)封裝半導(dǎo)體芯片時(shí)，降低了ACF的流動(dòng)，可以提高存在于凸塊和焊盤之間的導(dǎo)電顆粒的剩余比。
在根據(jù)本發(fā)明的其內(nèi)封裝了半導(dǎo)體芯片的顯示屏板及其制造方法的另一示范性實(shí)施例中，可以通過提高ACF導(dǎo)電顆粒的剩余比確保半導(dǎo)體芯片和顯示屏板之間的連接的可靠性，并且可以通過減少包含在ACF內(nèi)的導(dǎo)電顆粒的數(shù)量有利地降低ACF原材料的價(jià)格。
在根據(jù)本發(fā)明的其內(nèi)封裝了半導(dǎo)體芯片的顯示屏板及其制造方法的另一示范性實(shí)施例中，通過提高ACF導(dǎo)電顆粒的剩余比，可以降低適于高分辨率的凸塊的面積和間距，還降低了成本。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了圖示和描述，但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不背離權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中做出各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。
本申請(qǐng)要求于2005年8月24日提交的韓國專利申請(qǐng)No.2005-0077657的優(yōu)先權(quán)以及所有權(quán)益，在此將其全文引入以供參考。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片，包括多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊；以及設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路上的有機(jī)絕緣層，其中，所述有機(jī)絕緣層自所述基板的延伸小于所述多個(gè)凸塊，使得所述多個(gè)凸塊的下邊緣比所述有機(jī)絕緣層的下邊緣突出得更遠(yuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述有機(jī)絕緣層包括圍繞所述多個(gè)凸塊的各個(gè)凸塊的開放孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其中，所述開放孔的截面積大于所述凸塊的截面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，還包括連接于所述驅(qū)動(dòng)電路和所述凸塊之間的芯片焊盤；以及形成于所述驅(qū)動(dòng)電路和所述有機(jī)絕緣層之間的保護(hù)層，所述保護(hù)層暴露所述芯片焊盤的部分。
5.一種制造半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法包括形成多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊；以及在所述驅(qū)動(dòng)電路上形成有機(jī)絕緣層，其中，所述有機(jī)絕緣層自所述基板的延伸小于所述多個(gè)凸塊，使得所述多個(gè)凸塊比所述有機(jī)絕緣層突出得更遠(yuǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，形成所述有機(jī)絕緣層包括在所述有機(jī)絕緣層內(nèi)形成開放孔，所述開放孔圍繞所述多個(gè)凸塊的各個(gè)凸塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述開放孔的截面積大于所述凸塊的截面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括形成連接于所述驅(qū)動(dòng)電路和所述多個(gè)凸塊之間的芯片焊盤；以及在所述驅(qū)動(dòng)電路上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層暴露所述芯片焊盤的部分。
9.一種通過各向異性導(dǎo)電膜封裝有半導(dǎo)體芯片的顯示屏板，包括形成于基板上的電極焊盤，其通過所述各向異性導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電顆粒連接至形成于所述半導(dǎo)體芯片上的凸塊；以及形成于所述基板上的第一絕緣層，其具有隔離所述電極焊盤的開放孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示屏板，其中，所述第一絕緣層為有機(jī)絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示屏板，其中，所述電極焊盤包括連接至形成于所述基板上的信號(hào)線的下電極焊盤；以及通過形成于所述下電極焊盤上的第二絕緣層的接觸孔而連接至所述下電極焊盤的上電極焊盤。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示屏板，其中，所述開放孔的截面積大于所述電極焊盤的截面積。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示屏板，其中，所述第一絕緣層自所述基板延伸得比所述電極焊盤遠(yuǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示屏板，其中，所述第一絕緣層延伸至比所述凸塊低的高度。
15.一種制造其內(nèi)封裝有半導(dǎo)體芯片的顯示屏板的方法，所述方法包括在基板上形成連接至信號(hào)線的電極焊盤；在所述基板上形成第一絕緣層，所述第一絕緣層包括隔離位于所述基板上的電極焊盤的開放孔；以及通過各向異性導(dǎo)電膜在所述基板上封裝所述半導(dǎo)體芯片，從而通過包含在所述各向異性導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電顆粒將所述半導(dǎo)體芯片的凸塊連接至所述電極焊盤。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述電極焊盤的形成包括形成連接至所述信號(hào)線的第一電極焊盤；形成包括暴露所述第一電極焊盤的接觸孔的第二絕緣層；以及形成通過所述接觸孔連接至所述第一電極焊盤的第二電極焊盤。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述開放孔的截面積大于所述電極焊盤的截面積。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第一絕緣層自所述基板突出得比所述電極焊盤遠(yuǎn)。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第一絕緣層延伸至比所述凸塊低的高度。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在形成所述第一絕緣層之后形成所述第二電極焊盤。
21.一種顯示屏板，包括半導(dǎo)體芯片，包括多個(gè)連接至集成在第一基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊；以及設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路上的第一絕緣層，其中，所述第一絕緣層自所述第一基板的延伸小于所述多個(gè)凸塊；第二基板，其包括連接至形成于所述第二基板上的信號(hào)線的電極焊盤；以及各向異性導(dǎo)電膜，其將所述半導(dǎo)體芯片附著到所述第二基板上，并且包括將所述半導(dǎo)體芯片的凸塊連接至所述電極焊盤的導(dǎo)電顆粒。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示屏板，還包括形成于所述第二基板上的第二絕緣層，所述第二絕緣層包括隔離所述電極焊盤的開放孔。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示屏板，其中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層為有機(jī)絕緣層。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示屏板，其中，所述電極焊盤包括連接至形成于所述第二基板上的所述信號(hào)線的下電極焊盤；以及通過形成于所述下電極焊盤上的第三絕緣層的接觸孔連接至所述下電極焊盤的上電極焊盤。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示屏板，其中，形成于所述第二絕緣層上的所述開放孔的截面積大于所述電極焊盤的截面積。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示屏板，其中，所述第二絕緣層自所述第二基板延伸得比所述電極焊盤遠(yuǎn)。
27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示屏板，其中，當(dāng)在所述第二基板上封裝所述半導(dǎo)體芯片時(shí)，所述第一和第二絕緣層以預(yù)定間隔相互隔開。
28.一種制造顯示屏板的方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體芯片，制造所述半導(dǎo)體芯片的方法包括形成多個(gè)連接至集成在第一基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊；以及在所述驅(qū)動(dòng)電路上形成第一絕緣層，其中，所述第一絕緣層自所述第一基板的延伸小于所述多個(gè)凸塊；提供包括暴露的電極焊盤的所述顯示屏板；以及通過包括導(dǎo)電顆粒的各向異性導(dǎo)電膜封裝所述半導(dǎo)體芯片和所述顯示屏板。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的方法，其中，提供所述顯示屏板還包括形成第二絕緣層，所述第二絕緣層具有位于所述第二基板上，隔離所述電極焊盤的開放孔。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，形成所述電極焊盤的方法包括在所述第二基板上形成連接至所述信號(hào)線的下電極焊盤；形成具有暴露所述下電極焊盤的接觸孔的第三絕緣層；以及形成通過所述接觸孔連接至所述下電極焊盤的上電極焊盤。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述開放孔的截面積大于所述電極焊盤的截面積。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述第二絕緣層自所述第二基板突出得比所述電極焊盤遠(yuǎn)。
33.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，當(dāng)在所述基板上封裝所述半導(dǎo)體芯片時(shí)，所述第一和第二絕緣層以預(yù)定距離彼此隔開。
34.一種半導(dǎo)體芯片，包括多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊；以及有機(jī)絕緣層，其形成厚度小于所述多個(gè)凸塊，所述有機(jī)絕緣層形成于凸塊對(duì)之間。
35.一種制造半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法包括形成多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊；以及形成厚度小于所述多個(gè)凸塊的有機(jī)絕緣層，所述有機(jī)絕緣層形成于凸塊對(duì)之間。
36.一種顯示屏板，包括半導(dǎo)體芯片，其包括多個(gè)連接至集成在第一基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和所形成的厚度小于所述多個(gè)凸塊的第一絕緣層，所述第一絕緣層形成于凸塊對(duì)之間；第二基板，其包括連接至形成于其上的信號(hào)線的電極焊盤；以及各向異性導(dǎo)電膜，其將所述半導(dǎo)體芯片附著到所述第二基板上，并且包括將所述半導(dǎo)體芯片的凸塊連接至所述電極焊盤的導(dǎo)電顆粒。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的顯示屏板，還包括形成于所述第二基板上的，具有隔離所述電極焊盤的開放孔的第二絕緣層。
38.一種制造顯示屏板的方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體芯片，所述半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)連接至集成在第一基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和所形成的厚度小于所述多個(gè)凸塊的第一有機(jī)絕緣層，所述第一有機(jī)絕緣層形成于凸塊對(duì)之間；提供包括暴露的電極焊盤的所述顯示屏板；以及通過包括導(dǎo)電顆粒的各向異性導(dǎo)電膜在所述顯示屏板內(nèi)封裝所述半導(dǎo)體芯片。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中，提供所述顯示屏板還包括形成第二有機(jī)絕緣層，所述第二有機(jī)絕緣層具有隔離所述電極焊盤的開放孔。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其中，提供所述顯示屏板還包括在電極焊盤對(duì)之間形成第二有機(jī)絕緣層。
全文摘要
一種半導(dǎo)體芯片及其制造方法，所述半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)連接至集成在半導(dǎo)體基板上的驅(qū)動(dòng)電路的凸塊和設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)電路上的有機(jī)絕緣層。所述有機(jī)絕緣層自所述半導(dǎo)體基板的延伸小于所述多個(gè)凸塊，使得所述多個(gè)凸塊的下邊緣比所述有機(jī)絕緣層伸出得更遠(yuǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/48GK1921095SQ200610121558
公開日2007年2月28日 申請(qǐng)日期2006年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月24日
發(fā)明者趙源九, 姜鎬民 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社