專利名稱：電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及安裝于印刷電路基板或混合式IC(HIC)上的表面安裝型的電子部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
在安裝于個(gè)人電腦或便攜式電話機(jī)等電子設(shè)備的內(nèi)部電路上的線圈部件中，公知有在鐵氧體磁心上纏繞銅線的繞線型、在鐵氧體等磁性體薄板表面形成線圈導(dǎo)體圖形并對(duì)該磁性體薄板進(jìn)行層疊的層疊型、以及使用薄膜形成技術(shù)將絕緣膜和金屬薄膜的線圈導(dǎo)體交替形成的薄膜型。近年來，電子設(shè)備的小型化和高性能化快速發(fā)展，伴隨于此，強(qiáng)烈希望線圈部件的小型化和高性能化。在薄膜型的線圈部件中，通過將線圈導(dǎo)體薄膜化，從而在市場(chǎng)上供給1mm以下的芯片尺寸的線圈部件。
在專利文獻(xiàn)1中，公開了作為薄膜型的線圈部件的共模扼流圈。圖4是在專利文獻(xiàn)1中公開的現(xiàn)有共模扼流圈51的外觀立體圖。在圖4中，為了容易理解，在外部電極61、63、65、67中能夠看到的區(qū)域上描有影線，并且以實(shí)線用透過式表示出被外部電極61、63覆蓋而本來不能看到的內(nèi)部電極端子71、73及其附近的形狀。此外，隱藏線用虛線表示。
如圖4所示，共模扼流圈51在磁性基板53上以薄膜形成技術(shù)依次形成絕緣層57和形成有線圈導(dǎo)體的線圈層(未圖示)，具有經(jīng)由粘結(jié)層59粘合磁性基板55的作為整體的長(zhǎng)方體形狀的外形。在絕緣層57的側(cè)面部露出的內(nèi)部電極端子71、73、75、77分別電連接到外部電極61、63、65、67上。外部電極61、63、65、67的內(nèi)部電極端子71、73、75、77分別露出的側(cè)面部是到達(dá)與該側(cè)面部大致垂直且與絕緣層57的形成面大致平行的磁性基板53、55的上下面部而形成的。
日本國(guó)專利公開特開平8-203737號(hào)公報(bào)共模扼流圈51經(jīng)過以下工序完成薄膜形成工序，使用光學(xué)處理等薄膜形成技術(shù)在晶片狀的磁性基板53上形成絕緣層57以及線圈層；基板接合工序，使用在絕緣層57上形成的粘結(jié)層59粘結(jié)并接合磁性基板55；切斷工序，切斷晶片并將其切斷分離成芯片狀；以及外部電極形成工序，形成外部電極61、63、65、67。這樣，為了制造共模扼流圈51，就需要多個(gè)制造工序，因此制造成本變高，產(chǎn)生了共模扼流圈51高成本化的問題。此外，外部電極61、63、65、67通過例如掩模濺射法形成。但是，使用掩模濺射法來在比1005型(長(zhǎng)邊長(zhǎng)度1.0mm、短邊長(zhǎng)度0.5mm)小的共模扼流圈51上形成如圖4所示形狀的外部電極61、63、65、67時(shí)，由于受到掩模的對(duì)準(zhǔn)精度等的制約，所以較為困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低厚度化(low profile，低背化)以及低成本化的電子部件及其制造方法。
上述目的是通過下述電子部件來達(dá)成的，即，一種包含無源元件的電子部件，其特征在于，具有第1導(dǎo)電層，與上述無源元件電連接；上部絕緣層，形成在上述第1導(dǎo)電層上；以及外部電極，經(jīng)由形成于上述上部絕緣層中的接觸孔與上述第1導(dǎo)電層電連接，在上述上部絕緣層上表面擴(kuò)展形成。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于，具有第1絕緣層，形成在上述第1導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間；以及第2導(dǎo)電層，經(jīng)由形成于上述第1絕緣層中的接觸孔與上述第1導(dǎo)電層電連接，上述外部電極經(jīng)由上述第2導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于，具有第2絕緣層，形成在上述第2導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間；以及第3導(dǎo)電層，經(jīng)由形成于上述第2絕緣層中的接觸孔與上述第2導(dǎo)電層電連接，上述外部電極經(jīng)由上述第2和第3導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于，具有第3絕緣層，形成在上述第3導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間；以及第4導(dǎo)電層，經(jīng)由形成于上述第3絕緣層中的接觸孔與上述第3導(dǎo)電層電連接，上述外部電極經(jīng)由上述第2至第4導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于上述第1至第4導(dǎo)電層用銅、鋁、銀和金的至少任一種材料形成，上述外部電極用銀或者金形成。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于在上述第1導(dǎo)電層的下層形成有下部絕緣層。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于上述下部絕緣層形成在基板上。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于上述第1至第4導(dǎo)電層不在上述第1至第3絕緣層以及上述上部絕緣層的側(cè)面露出。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于上述第1至第4導(dǎo)電層在上述第1至第3絕緣層以及上述上部絕緣層的側(cè)面露出。
上述本發(fā)明的電子部件，其特征在于上述無源元件是共模扼流圈。
此外，上述目的是通過下述電子部件的制造方法來達(dá)成的，即，一種包含有無源元件的電子部件的制造方法，其特征在于在基板上形成第1導(dǎo)電層，在上述第1導(dǎo)電層上形成上部絕緣層，在上述第1導(dǎo)電層上部的上述上部絕緣層中形成接觸孔，形成經(jīng)由上述接觸孔與上述第1導(dǎo)電層電連接并在上述上部絕緣層上表面擴(kuò)展的外部電極。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于在上述第1導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間形成第1絕緣層，在上述第1導(dǎo)電層上部的上述第1絕緣層中形成接觸孔，形成經(jīng)由上述接觸孔與上述第1導(dǎo)電層電連接的第2導(dǎo)電層，使上述外部電極經(jīng)由上述第2導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于在上述第2導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間形成第2絕緣層，在上述第2導(dǎo)電層上部的上述第2絕緣層中形成接觸孔，形成經(jīng)由上述接觸孔與上述第2導(dǎo)電層電連接的第3導(dǎo)電層，使上述外部電極經(jīng)由上述第2和第3導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于在上述第3導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間形成第3絕緣層，在上述第3導(dǎo)電層上部的上述第3絕緣層中形成接觸孔，形成經(jīng)由上述接觸孔與上述第3導(dǎo)電層電連接的第4導(dǎo)電層，使上述外部電極經(jīng)由上述第2至第4導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于將上述第1至第4導(dǎo)電層用銅、鋁、銀和金的至少任一種材料形成，將上述外部電極用銀或者金的材料形成。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于在上述基板與上述第1導(dǎo)電層之間形成下部絕緣層。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于即使切斷上述基板也不會(huì)使上述第1至第4導(dǎo)電層在上述第1至第3絕緣層以及上述上部絕緣層的側(cè)面露出。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于切斷上述基板使上述第1至第4導(dǎo)電層在上述第1至第3絕緣層以及上述上部絕緣層的側(cè)面露出。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于除去上述基板。
上述本發(fā)明的電子部件的制造方法，其特征在于形成共模扼流圈來作為上述無源元件。
根據(jù)本發(fā)明，能夠以低成本制造小型和低厚度的電子部件。


圖1是作為本發(fā)明一實(shí)施方式的電子部件的共模扼流圈1的外觀立體圖。
圖2是用于說明本發(fā)明一實(shí)施方式的電子部件的制造方法的、作為電子部件的共模扼流圈1的分解立體圖。
圖3是作為本發(fā)明一實(shí)施方式的電子部件的共模扼流圈1的變形例的外觀立體圖。
圖4是現(xiàn)有共模扼流圈51的外觀立體圖。
具體實(shí)施例方式
使用圖1至圖3對(duì)本發(fā)明一實(shí)施方式的電子部件及其制造方法進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，作為包含有無源元件的電子部件，以抑制成為平衡傳送方式中電磁干擾原因的共模電流的共模扼流圈為例進(jìn)行說明。圖1是共模扼流圈1的外觀立體圖。
如圖1所示的共模扼流圈1，例如具有將形成在硅基板3上的絕緣層7、線圈層(未圖示)以及外部電極11a、11b、11c、11d用薄膜形成技術(shù)依次形成的作為整體的長(zhǎng)方體形狀的外形。在線圈層上形成有線圈導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體包含在絕緣層7內(nèi)。此外，線圈導(dǎo)體電連接于外部電極11a～11d上。在長(zhǎng)方體外形中，外部電極11a～11d進(jìn)行擴(kuò)展的絕緣層7上表面成為與印刷電路基板(PCB)相面對(duì)并能夠進(jìn)行安裝的安裝面。安裝面例如形成為長(zhǎng)邊長(zhǎng)度為0.6mm、短邊長(zhǎng)度為0.3mm，共模扼流圈1就是所謂的“0603型”的表面安裝型部件。外部電極11a～11d例如形成為沿著安裝面的長(zhǎng)邊其長(zhǎng)度為0.2mm、沿著短邊其長(zhǎng)度為0.1mm的長(zhǎng)方形形狀，并被設(shè)置在安裝面的角部。備外部電極11a～11d是占安裝面的約1/9這樣的比較大的區(qū)域而分別形成的。因此，共模扼流圈1能夠充分確保與PCB之間的電連接以及安裝強(qiáng)度。外部電極11a～11d使用如金(Au)或銀(Ag)來形成，以便即使長(zhǎng)時(shí)間暴露在空氣當(dāng)中也難以被腐蝕。另外，共模扼流圈1的外形的各個(gè)角部或相鄰面的交線部可以實(shí)施倒角處理。
外部電極11a、11b、11c、11d分別電連接到內(nèi)部電極端子21a、21b、21c、21d上。內(nèi)部電極端子21a～21d具有例如以銅(Cu)形成的長(zhǎng)方體形狀。如稍后使用圖2進(jìn)行說明的那樣，內(nèi)部電極端子21a具有導(dǎo)電層(第1導(dǎo)電層)41a、導(dǎo)電層(第2導(dǎo)電層)43a、導(dǎo)電層(第3導(dǎo)電層)45a、以及導(dǎo)電層(第4導(dǎo)電層)47a層疊的4層層疊構(gòu)造。內(nèi)部電極端子21b具有導(dǎo)電層(第1導(dǎo)電層)43b、導(dǎo)電層(第2導(dǎo)電層)45b、以及導(dǎo)電層(第3導(dǎo)電層)47b層疊的3層層疊構(gòu)造。內(nèi)部電極端子21c具有導(dǎo)電層(第1導(dǎo)電層)45c、以及導(dǎo)電層(第2導(dǎo)電層)47c層疊的2層層疊構(gòu)造。內(nèi)部電極端子21d具有僅有導(dǎo)電層(第1導(dǎo)電層)47d的單層構(gòu)造。因此，內(nèi)部電極端子21a的膜厚最厚，內(nèi)部電極端子21b的膜厚第2厚，內(nèi)部電極端子21c的膜厚第3厚，內(nèi)部電極端子21d的膜厚最薄。
對(duì)安裝面從其法線方向進(jìn)行觀察，內(nèi)部電極端子21a～21d形成得比外部電極11a～11d小，并被分別配置在絕緣層7的角部附近。由于內(nèi)部電極端子21a～21d的形成區(qū)域比較小，所以能充分確保形成線圈導(dǎo)體的區(qū)域。由此，例如能夠使線圈導(dǎo)體圈數(shù)增多，能夠?qū)崿F(xiàn)共模扼流圈1的高性能化。此外，由于內(nèi)部電極端子21a～21d不絕緣層7的側(cè)面露出，所以可以不用擔(dān)心腐蝕地對(duì)內(nèi)部電極端子21a～21d以及線圈導(dǎo)體的形成材料使用導(dǎo)電性以及加工性好的Cu或者鋁(Al)等。
如稍后使用圖2進(jìn)行說明的那樣，絕緣層7具有絕緣層(下部絕緣層)7a、絕緣層(第1絕緣層)7b、絕緣層(第2絕緣層)7c、絕緣層(第3絕緣層)7d以及絕緣層(上部絕緣層)7e層疊的層疊構(gòu)造。絕緣層7a～7e是將例如聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂等絕緣性好加工性好的材料、或者為了確保共模扼流圈1的強(qiáng)度將氧化鋁(Al2O3)構(gòu)圖成規(guī)定形狀而形成的。當(dāng)使用硅基板3時(shí)，絕緣層7a也可以是在硅基板3的膜形成面上形成的氧化膜。共模扼流圈1中，也可以代替硅基板3而使用以燒結(jié)鐵氧體或者復(fù)合鐵氧體等磁性材料形成的磁性基板。
如以上說明所述，在本實(shí)施方式的共模扼流圈1中，外部電極11a～11d用薄膜形成工序形成，而不像現(xiàn)有的共模扼流圈51那樣用掩模濺射法來形成。因此，在共模扼流圈1中，由于沒有掩模的對(duì)準(zhǔn)精度等的制約，所以外部電極11a～11d能夠在較小的形成區(qū)域內(nèi)以高精度形成。因此，能夠使共模扼流圈1形成為比1005型更小型。此外，共模扼流圈1由于不具有如現(xiàn)有的共模扼流圈51那樣相對(duì)配置的2塊磁性基板53、55，所以能夠?qū)崿F(xiàn)低厚度化。
接下來，以共模扼流圈1為例使用圖2對(duì)本實(shí)施方式的電子部件的制造方法進(jìn)行說明。雖然共模扼流圈1是在晶片上同時(shí)形成多個(gè)，但是圖2示出的是將1個(gè)共模扼流圈1的元件形成區(qū)域的層疊構(gòu)造分解并從斜側(cè)方向觀察的狀態(tài)。
首先，如圖2所示在硅基板3上涂敷例如聚酰亞胺樹脂形成絕緣層(下部絕緣層)7a。絕緣層7a通過旋涂法、浸漬(dip)法、噴涂(spray)法或者印刷法等形成。稍后說明的各絕緣層與絕緣層7a以同樣的方法形成。此外，也可以不涂敷聚酰亞胺樹脂，而將對(duì)硅基板3表面例如進(jìn)行熱處理而形成的氧化膜作為絕緣層7a。
接下來，通過真空成膜法(蒸鍍、濺射等)或者鍍金法來在整個(gè)面形成未圖示的金屬層(例如Cu層)，通過使用光刻的刻蝕法或加成法(additive)或者圖形鍍金法等將該Cu層構(gòu)圖，形成位于硅基板3的元件形成區(qū)域內(nèi)側(cè)的導(dǎo)電層(第1導(dǎo)電層)41a。同時(shí)，形成連接到導(dǎo)電層41a上的引線29。稍后說明的各Cu層的形成以及構(gòu)圖都使用了與導(dǎo)電層41a相同的方法。另外，金屬層的形成材料不限于Cu，也可以是Au或者Ag。
接下來，在整個(gè)面上涂敷聚酰亞胺樹脂并進(jìn)行構(gòu)圖，形成具有使導(dǎo)電層41a上表面露出的接觸孔42a和使不連接在導(dǎo)電層41a一側(cè)的引線29的端部露出的接觸孔31的絕緣層(第1絕緣層)7b。
接下來，在整個(gè)面上形成Cu層(未圖示)，在絕緣層7b上形成構(gòu)圖為螺旋狀的線圈導(dǎo)體33。同時(shí)在導(dǎo)電層41a上形成與導(dǎo)電層41a電連接的導(dǎo)電層(第2導(dǎo)電層)43a。進(jìn)而同時(shí)，在絕緣層7b上形成硅基板3的元件形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)的、夾著線圈導(dǎo)體33與導(dǎo)電層43a相對(duì)配置的導(dǎo)電層(第1導(dǎo)電層)43b。線圈導(dǎo)體33的一端子與在接觸孔31露出的引線29連接，另一端子形成為連接到導(dǎo)電層43b上。這樣，經(jīng)由線圈導(dǎo)體33導(dǎo)電層41a、43a以及導(dǎo)電層43b電連接。
接下來，在整個(gè)面上涂敷聚酰亞胺樹脂并進(jìn)行構(gòu)圖，形成具有使導(dǎo)電層43a、43b上表面分別露出的接觸孔44a、44b的絕緣層(第2絕緣層)7c。接下來，在整個(gè)面上形成Cu層(未圖示)，在絕緣層7c上形成構(gòu)圖為螺旋狀的線圈導(dǎo)體35。同時(shí)在導(dǎo)電層43a上形成與導(dǎo)電層43a電連接的導(dǎo)電層(第3導(dǎo)電層)45a，在導(dǎo)電層43b上形成與導(dǎo)電層43b電連接的導(dǎo)電層(第2導(dǎo)電層)45b。進(jìn)而同時(shí)，在絕緣層7c上形成硅基板3的元件形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)的、沿著元件形成區(qū)域的長(zhǎng)邊方向(圖的左右方向)與導(dǎo)電層45b相對(duì)配置的導(dǎo)電層(第1導(dǎo)電層)45c。導(dǎo)電層45c形成為連接到線圈導(dǎo)體35的一端子上。
接下來，在整個(gè)面上涂敷聚酰亞胺樹脂并進(jìn)行構(gòu)圖，形成具有使導(dǎo)電層45a、45b、45c上表面分別露出的接觸孔46a、46b、46c和使線圈導(dǎo)體35的另一端子露出的接觸孔37的絕緣層(第3絕緣層)7d。
接下來，在整個(gè)面上形成Cu層(未圖示)并進(jìn)行構(gòu)圖，在導(dǎo)電層45a上形成與導(dǎo)電層45a電連接的導(dǎo)電層(第4導(dǎo)電層)47a，在導(dǎo)電層45b上形成與導(dǎo)電層45b電連接的導(dǎo)電層(第3導(dǎo)電層)47b，在導(dǎo)電層45c上形成與導(dǎo)電層45c電連接的導(dǎo)電層(第2導(dǎo)電層)47c。同時(shí)，在絕緣層7d上形成硅基板3的元件形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)的、夾著線圈導(dǎo)體35與導(dǎo)電層47c相對(duì)配置的導(dǎo)電層(第1導(dǎo)電層)47d。進(jìn)而同時(shí)，在絕緣層7d上形成將導(dǎo)電層47d和在接觸孔37露出的線圈導(dǎo)體35的另一端子電連接的引線39。由此，通過線圈導(dǎo)體35以及引線39使導(dǎo)電層45c、47c和導(dǎo)電層47d電連接。
接下來，在整個(gè)面上涂敷聚酰亞胺樹脂并進(jìn)行構(gòu)圖，形成具有使導(dǎo)電層47a、47b、47c、47d上部分別露出的接觸孔48a、48b、48c、48d的絕緣層(上部絕緣層)7e。接下來，在整個(gè)面上形成Au層(未圖示)并進(jìn)行構(gòu)圖，形成與導(dǎo)電層47a～47d分別電連接并在絕緣層7e上擴(kuò)展的外部電極11a～11d。由此，外部電極11a經(jīng)由導(dǎo)電層43a、45a、47a與導(dǎo)電層41a電連接，外部電極11b經(jīng)由導(dǎo)電層45b、47b與導(dǎo)電層43b電連接，外部電極11c經(jīng)由導(dǎo)電層47c與導(dǎo)電層45c電連接，外部電極11d與導(dǎo)電層47d電連接。此外，形成了層疊導(dǎo)電層41a、43a、45a、47a的內(nèi)部電極端子21a；層疊導(dǎo)電層43b、45b、47b的內(nèi)部電極端子21b；層疊導(dǎo)電層45c、47c的內(nèi)部電極端子21c；以及由導(dǎo)電層47d單層構(gòu)成的內(nèi)部電極端子21d。
接下來，沿規(guī)定的切斷線切斷晶片，按每個(gè)元件形成區(qū)域?qū)⒕闲纬傻亩鄠€(gè)線圈元件分離成芯片狀。由于內(nèi)部電極端子21a～21d在元件形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)形成，所以不在作為絕緣層7的切斷面的側(cè)面露出。接下來，進(jìn)行角部的倒角，完成共模扼流圈1。
如以上說明所述，根據(jù)本實(shí)施方式，由于在形成線圈導(dǎo)體33、35、內(nèi)部電極端子21a～21d以及絕緣層7的薄膜形成工序中同時(shí)形成外部電極11a～11d，所以與現(xiàn)有的共模扼流圈51相比較，共模扼流圈1的制造工序能夠簡(jiǎn)化。由此，由于能夠降低制造成本，所以能夠?qū)崿F(xiàn)共模扼流圈1的低成本化。
接下來，使用圖3對(duì)本實(shí)施方式的變形例的共模扼流圈1進(jìn)行說明。圖3表示的是本變形例的共模扼流圈1的外觀立體圖。如圖3所示，本變形例的共模扼流圈1具有內(nèi)部電極端子22a、22b、22c、22d也在絕緣層7的側(cè)面露出的特征。本變形例的共模扼流圈1的內(nèi)部電極端子22a～22d都具有與圖1所示的共模扼流圈1的內(nèi)部電極端子21a相同的4層構(gòu)造。
由于內(nèi)部電極端子22a～22d形成的大小與外部電極11a～11d大致相同，所以分別在絕緣層7一側(cè)面的約1/3的比較大的區(qū)域露出。內(nèi)部電極端子22a～22d的露出部能夠與外部電極11a～11d一起用作將共模扼流圈1安裝在PCB上時(shí)的焊錫區(qū)域。因此，本變形例的共模扼流圈1能夠比圖1中所示的共模扼流圈1更提高安裝強(qiáng)度。此外，在本變形例的共模扼流圈1中，通過以Au或者Ag形成內(nèi)部電極端子22a～22d，能夠防止露出部分的腐蝕。
由于本變形例的共模扼流圈1的制造方法除了以下幾個(gè)方面以外，均與如圖2所示的共模扼流圈1的制造方法相同，故省略說明。其不同之處在于內(nèi)部電極端子22a～22d形成為與外部電極11a～11d大致相同大小；內(nèi)部電極端子22a～22d是層疊第1至第4導(dǎo)電層的4層構(gòu)造；以及當(dāng)沿規(guī)定的切斷線切斷晶片時(shí)，內(nèi)部電極端子22a～22d在絕緣層7側(cè)面(切斷面)露出。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，可以有各種變形。
雖然上述變形例的共模扼流圈1具有內(nèi)部電極端子22a～22d形成為與外部電極11a～11d大致相同大小并且在絕緣層7的側(cè)面露出的形狀，但本發(fā)明不限于此。例如，可以是各內(nèi)部電極端子像內(nèi)部電極端子21a一樣形成得比外部電極11a～11d小，對(duì)元件形成區(qū)域沿其法線方向看去，絕緣層7的側(cè)面露出的露出面形成為L(zhǎng)字形狀。此時(shí)，由于內(nèi)部電極端子的形成區(qū)域可以比較小，所以與上述實(shí)施方式相同，能夠?qū)崿F(xiàn)共模扼流圈1的高性能化。
此外，各內(nèi)部電極端子可以形成為薄板形狀，使得至少在絕緣層7相對(duì)的側(cè)面露出，使各內(nèi)部電極端子和外部電極11a～11d的剖面形狀為L(zhǎng)字形狀。此時(shí)，也由于內(nèi)部電極端子的形成區(qū)域可以比較小，所以與上述實(shí)施方式相同，能夠?qū)崿F(xiàn)共模扼流圈1的高性能化。
雖然上述實(shí)施方式的共模扼流圈1的制造方法以聚酰亞胺樹脂作為絕緣層7的形成材料為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。例如，作為絕緣層7的形成材料也可以使用Al2O3。通過Al2O3得到的絕緣層7a～7e能夠通過例如濺射法形成。由于Al2O3的機(jī)械強(qiáng)度比較高，所以即使在薄膜形成工序完成以后例如研磨硅基板3將其從絕緣層7去除，共模扼流圈1也能夠確保規(guī)定的強(qiáng)度。由此，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)共模扼流圈1的低厚度化。
由于Al2O3是非磁性材料，所以為了實(shí)現(xiàn)共模扼流圈1的高性能化，最好是在絕緣層7內(nèi)形成貫通線圈導(dǎo)體33、35的閉磁路。該閉磁路能夠用例如去除一部分線圈導(dǎo)體33、35的內(nèi)圓周側(cè)和外圓周側(cè)的絕緣層7而埋入的磁性材料、以及包夾與該磁性材料磁接觸的線圈導(dǎo)體33、35的一對(duì)磁性層來形成。此外，通過利用磁性基板代替硅基板3，可以使用該磁性基板來代替一對(duì)磁性層的一方。
在上述實(shí)施方式中，雖然以共模扼流圈1為例對(duì)電子部件及其制造方法進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限于此。包含無源元件的電子部件可以由例如在下部絕緣層上形成的第1導(dǎo)電層、與該第1導(dǎo)電層電連接的薄膜電阻元件、使該第1導(dǎo)電層上部露出的上部絕緣層、以及與第1導(dǎo)電層電連接并在上部絕緣層上表面擴(kuò)展的外部電極構(gòu)成。由于該電子部件具有薄膜電阻元件，所以只用薄膜形成工序就能夠得到形成有外部電極的小型且低厚度的電阻器。
此外，包含無源元件的電子部件可以由例如使第1導(dǎo)電層上部露出的第1絕緣層、與第1導(dǎo)電層在同一層上形成并與該第1導(dǎo)電層電連接的螺旋狀的線圈導(dǎo)體、經(jīng)由在第1絕緣層露出的第1導(dǎo)電層的露出部與第1導(dǎo)電層電連接的第2導(dǎo)電層、使該第2導(dǎo)電層上部露出的上部絕緣層、以及經(jīng)由第2導(dǎo)電層與第1導(dǎo)電層電連接并在上部絕緣層上表面擴(kuò)展的外部電極構(gòu)成。由于該電子部件具有線圈導(dǎo)體，所以只用薄膜形成工序就能夠得到形成有外部電極的小型且低厚度的電感器。
此外，包含無源元件的電子部件可以由例如使第1導(dǎo)電層上部露出的第1絕緣層、與第1導(dǎo)電層在同一層上形成并與該第1導(dǎo)電層電連接的第1薄膜平板電極、經(jīng)由在第1絕緣層露出的第1導(dǎo)電層的露出部與第1導(dǎo)電層電連接的第2導(dǎo)電層、在第1絕緣層上形成的第2薄膜平板電極、使該第2導(dǎo)電層上部露出的上部絕緣層、以及經(jīng)由第2導(dǎo)電層與第1導(dǎo)電層電連接并在上部絕緣層上表面擴(kuò)展的外部電極構(gòu)成。由于該電子部件通過第1以及第2薄膜平板電極和被兩電極夾住的第1絕緣層形成電容，所以只用薄膜形成工序就能夠得到形成有外部電極的小型且低厚度的電容器。
在上述實(shí)施方式中，雖然以具有4個(gè)外部電極的共模扼流圈1為例進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限于此。例如也適用于具有2個(gè)外部電極的電子部件。進(jìn)而，本發(fā)明也適用于在1個(gè)封裝內(nèi)具有多個(gè)無源元件的陣列型的電子部件。
權(quán)利要求
1.一種包含無源元件的電子部件，其特征在于，具有第1導(dǎo)電層，與上述無源元件電連接；上部絕緣層，形成在上述第1導(dǎo)電層上；以及外部電極，經(jīng)由形成于上述上部絕緣層中的接觸孔與上述第1導(dǎo)電層電連接，在上述上部絕緣層上表面擴(kuò)展形成。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于，具有第1絕緣層，形成在上述第1導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間；以及第2導(dǎo)電層，經(jīng)由形成于上述第1絕緣層中的接觸孔與上述第1導(dǎo)電層電連接，上述外部電極經(jīng)由上述第2導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
3.如權(quán)利要求2所述的電子部件，其特征在于，具有第2絕緣層，形成在上述第2導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間；以及第3導(dǎo)電層，經(jīng)由形成于上述第2絕緣層中的接觸孔與上述第2導(dǎo)電層電連接，上述外部電極經(jīng)由上述第2和第3導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
4.如權(quán)利要求3所述的電子部件，其特征在于，具有第3絕緣層，形成在上述第3導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間；以及第4導(dǎo)電層，經(jīng)由形成于上述第3絕緣層中的接觸孔與上述第3導(dǎo)電層電連接，上述外部電極經(jīng)由上述第2至第4導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
5.如權(quán)利要求4所述的電子部件，其特征在于上述第1至第4導(dǎo)電層用銅、鋁、銀和金的至少任一種材料形成，上述外部電極用銀或者金形成。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于在上述第1導(dǎo)電層的下層形成有下部絕緣層。
7.如權(quán)利要求6所述的電子部件，其特征在于，上述下部絕緣層形成在基板上。
8.如權(quán)利要求4至7的任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于上述第1至第4導(dǎo)電層不在上述第1至第3絕緣層以及上述上部絕緣層的側(cè)面露出。
9.如權(quán)利要求4至7的任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于上述第1至第4導(dǎo)電層在上述第1至第3絕緣層以及上述上部絕緣層的側(cè)面露出。
10.如權(quán)利要求4至9的任一項(xiàng)所述的電子部件，其特征在于上述無源元件是共模扼流圈。
11.一種包含無源元件的電子部件的制造方法，其特征在于在基板上形成第1導(dǎo)電層，在上述第1導(dǎo)電層上形成上部絕緣層，在上述第1導(dǎo)電層上部的上述上部絕緣層中形成接觸孔，形成經(jīng)由上述接觸孔與上述第1導(dǎo)電層電連接并在上述上部絕緣層上表面擴(kuò)展的外部電極。
12.如權(quán)利要求11所述的電子部件的制造方法，其特征在于在上述第1導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間形成第1絕緣層，在上述第1導(dǎo)電層上部的上述第1絕緣層中形成接觸孔，形成經(jīng)由上述接觸孔與上述第1導(dǎo)電層電連接的第2導(dǎo)電層，使上述外部電極經(jīng)由上述第2導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
13.如權(quán)利要求12所述的電子部件的制造方法，其特征在于在上述第2導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間形成第2絕緣層，在上述第2導(dǎo)電層上部的上述第2絕緣層中形成接觸孔，形成經(jīng)由上述接觸孔與上述第2導(dǎo)電層電連接的第3導(dǎo)電層，使上述外部電極經(jīng)由上述第2和第3導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
14.如權(quán)利要求13所述的電子部件的制造方法，其特征在于在上述第3導(dǎo)電層與上述上部絕緣層之間形成第3絕緣層，在上述第3導(dǎo)電層上部的上述第3絕緣層中形成接觸孔，形成經(jīng)由上述接觸孔與上述第3導(dǎo)電層電連接的第4導(dǎo)電層，使上述外部電極經(jīng)由上述第2至第4導(dǎo)電層與上述第1導(dǎo)電層電連接。
15.如權(quán)利要求14所述的電子部件的制造方法，其特征在于將上述第1至第4導(dǎo)電層用銅、鋁、銀和金的至少任一種材料形成，將上述外部電極用銀或者金的材料形成。
16.如權(quán)利要求11至15的任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于在上述基板與上述第1導(dǎo)電層之間形成下部絕緣層。
17.如權(quán)利要求11至16的任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于即使切斷上述基板也不會(huì)使上述第1至第4導(dǎo)電層在上述第1至第3絕緣層以及上述上部絕緣層的側(cè)面露出。
18.如權(quán)利要求11至16的任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于切斷上述基板使上述第1至第4導(dǎo)電層在上述第1至第3絕緣層以及上述上部絕緣層的側(cè)面露出。
19.如權(quán)利要求11至18的任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于除去上述基板。
20.如權(quán)利要求14至19的任一項(xiàng)所述的電子部件的制造方法，其特征在于形成共模扼流圈來作為上述無源元件。
全文摘要
本發(fā)明涉及在印刷電路基板或者混合式IC(HIC)上安裝的表面安裝型的電子部件及其制造方法，其目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)小型化、低厚度化以及低成本化的電子部件及其制造方法。作為電子部件的共模扼流圈(1)具有將絕緣層(7)、形成有線圈導(dǎo)體的線圈層(未圖示)以及電連接在線圈導(dǎo)體上的外部電極(11a、11b、11c、11d)用薄膜形成技術(shù)依次形成在硅基板(3)上的作為整體的長(zhǎng)方體形狀的外形。外部電極(11a、11b、11c、11d)在絕緣層(7)上表面(安裝面)上擴(kuò)展形成。
文檔編號(hào)H01F27/28GK1929050SQ20061011106
公開日2007年3月14日 申請(qǐng)日期2006年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月18日
發(fā)明者奧澤信之, 吉田誠(chéng) 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社