專利名稱：薄膜晶體管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用于液晶顯示器或使用有機(jī)EL的顯示器件的薄膜晶體管及其制造方法。
背景技術(shù)：
適用于液晶顯示器或使用有機(jī)EL的顯示器件的薄膜晶體管(TFTThin Film Transistor)，具備在島狀形成的半導(dǎo)體層上形成柵絕緣膜、在柵絕緣膜上形成柵電極的結(jié)構(gòu)。
這里，在半導(dǎo)體層的臺階差部分柵絕緣膜的覆蓋性(臺階差被覆性)差，柵絕緣膜的截面形狀形成為帽舌狀。
并且，若在柵絕緣膜上想要通過干蝕刻法形成柵電極，則成膜到帽舌下部分的柵電極不會被蝕刻而作為殘渣而殘留。從而，引起相鄰的布線之間的短路。
另外，若用濕蝕刻法形成柵電極，則會發(fā)生在半導(dǎo)體層的臺階差部分蝕刻液蔓延到柵電極的背面?zhèn)?，柵電極蝕刻從表面?zhèn)扰c背面?zhèn)冗M(jìn)行，發(fā)生柵電極斷線的不良情況。
于是，在專利文獻(xiàn)1所述的發(fā)明中，將半導(dǎo)體層形成為從底部向頂部使寬度變窄地錐狀。這樣，提高了柵絕緣膜的覆蓋性，并減少了在其頂部形成的柵電極的殘渣或斷線的不良場合。
另外，在專利文獻(xiàn)2所述的發(fā)明中，將半導(dǎo)體層錐狀形成，并對其錐部分注入Ar等。
并且，在專利文獻(xiàn)3所述的發(fā)明中，將半導(dǎo)體層錐狀形成，并對其錐部分注入Ar等。然后，再形成氧化膜。
另外，在專利文獻(xiàn)4所述的發(fā)明中，將半導(dǎo)體層錐狀形成，并對其錐部分注入與溝道相同的導(dǎo)電型的雜質(zhì)，按溝道中包含的雜質(zhì)的2～5倍的量注入。
專利文獻(xiàn)1日本特開2004-64060號公報專利文獻(xiàn)2日本特開2000-77665號公報專利文獻(xiàn)3日本特開2000-332254號公報專利文獻(xiàn)4日本特開2003-258262號公報發(fā)明內(nèi)容但是，在專利文獻(xiàn)1所述的薄膜晶體管中，半導(dǎo)體層以錐狀形成較薄的部分用較低的柵極電壓形成溝道，并成為導(dǎo)通狀態(tài)。即，半導(dǎo)體層的形成較薄的部分比溝道主要形成區(qū)域先成為導(dǎo)通狀態(tài)。
因此，在表示所謂亞閾(Subthreshold)特性(Ig-Vg特性)的線上容易發(fā)生駝峰。結(jié)果，閾值電壓(Vth)的控制變得困難，這成為使電氣特性不穩(wěn)定的原因。
另外，在半導(dǎo)體層的錐部容易發(fā)生源極/漏極間的泄漏，使TFT的電氣特性劣化。
并且，在專利文獻(xiàn)3所述的發(fā)明中，為使半導(dǎo)體層的錐部氧化，半導(dǎo)體層的體積膨脹到原來2倍左右。因此，在半導(dǎo)體層的側(cè)壁部發(fā)生新的臺階差，在形成柵電極時引起不良情況。
另外，在專利文獻(xiàn)2、4所述的發(fā)明中，為將半導(dǎo)體層錐狀加工，一邊使抗蝕劑后退一邊進(jìn)行蝕刻。因此，難以進(jìn)行半導(dǎo)體層頂部的寬度(溝道寬度)的尺寸控制。
于是，本發(fā)明的目的在于提供這樣一種薄膜晶體管，在其島狀半導(dǎo)體層的臺階差部分不發(fā)生因柵絕緣膜的臺階差被覆性惡化而產(chǎn)生的柵電極的斷線的問題，且具備良好的電氣特性。
本發(fā)明第一方面的薄膜晶體管，具備在絕緣性基板上以島狀形成的半導(dǎo)體層、在上述半導(dǎo)體層上形成的柵絕緣膜及在上述柵絕緣膜上形成的柵電極，其特征在于還具備沿著上述半導(dǎo)體層的側(cè)壁形成的絕緣膜，上述絕緣膜的截面形狀傾斜地形成，使得從底部向頂部離上述半導(dǎo)體層的側(cè)壁的寬度變窄。
本發(fā)明第二方面的薄膜晶體管，具備在絕緣性基板上以島狀形成的半導(dǎo)體層、在上述半導(dǎo)體層上形成的柵絕緣膜及在上述柵絕緣膜上形成的柵電極，其特征在于還具備絕緣膜，該絕緣膜形成為可埋入上述半導(dǎo)體層的側(cè)壁部因臺階差而產(chǎn)生的上述柵絕緣膜的溝部。
依據(jù)本發(fā)明的第一方面的薄膜晶體管，沿著半導(dǎo)體層的側(cè)壁形成絕緣膜。并且，絕緣膜傾斜地形成，使得從底部向頂部離上述半導(dǎo)體層側(cè)壁的寬度變窄。由于不會因絕緣膜在半導(dǎo)體層的側(cè)壁形成臺階差，因此可將柵絕緣膜以良好的被覆性在半導(dǎo)體層上形成。結(jié)果，不存在柵電極的斷線或殘渣的問題，可形成電氣特性良好的薄膜晶體管。
依據(jù)本發(fā)明的第二方面的薄膜晶體管，由于還具備可埋入因半導(dǎo)體層的側(cè)壁部臺階差產(chǎn)生的柵絕緣膜的溝部地形成的絕緣膜，柵絕緣膜的頂部平滑地形成。結(jié)果，在柵絕緣膜上不出現(xiàn)斷線地形成柵電極。另外，無需將半導(dǎo)體層形成為錐狀，以均勻的膜厚形成。由于半導(dǎo)體層上沒有膜厚較薄的部分，可獲得不發(fā)生駝峰而電氣特性良好的薄膜晶體管。


圖1是表示實(shí)施例1的薄膜晶體管的要部結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖2是表示實(shí)施例1的薄膜晶體管的要部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖3是表示實(shí)施例1的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖4是實(shí)施例1的薄膜晶體管的電氣特性示圖。
圖5是表示實(shí)施例2的薄膜晶體管的要部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
圖6是表示實(shí)施例3的薄膜晶體管的要部結(jié)構(gòu)的剖視圖。
(符號說明)
1 絕緣性基板，2 半導(dǎo)體層，2a 溝道區(qū)，2b 源漏區(qū)，3、7 絕緣膜，4 柵絕緣膜，5 柵電極，6 保護(hù)膜，9 層間絕緣膜，10 接觸孔，11 信號布線。
具體實(shí)施例方式
實(shí)施例1<A.結(jié)構(gòu)>
圖1是表示本實(shí)施例的薄膜晶體管的要部結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是表示本實(shí)施例的薄膜晶體管的要部結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖3是表示本實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖2對應(yīng)于圖1的A-A線剖視圖，圖3對應(yīng)于圖1的B-B線剖視圖。
在玻璃基板等的絕緣性基板1上，形成由溝道區(qū)2a和含有磷或硼等雜質(zhì)的源漏區(qū)2b構(gòu)成的島狀的半導(dǎo)體層2。而且，半導(dǎo)體層2的側(cè)壁相對絕緣性基板1大致垂直地形成。半導(dǎo)體層2采用非晶硅或多晶硅作材料。島狀的半導(dǎo)體層2的平面形狀在本實(shí)施例中為便于說明而采用簡單的四邊形，但實(shí)際上可根據(jù)設(shè)計因素而采用各種形狀。
在半導(dǎo)體層2的側(cè)壁，例如由SOG(Spin-on-Glass)膜構(gòu)成的絕緣膜3以錐狀形成。即，絕緣膜3的截面形狀從底部向頂部離半導(dǎo)體層2側(cè)壁的寬度變窄地傾斜形成。
這里，由絕緣膜3的傾斜面與絕緣性基板1所成角度θ最好在10度以上45度以下。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)可確認(rèn)通過將絕緣膜3按該范圍角度形成，在絕緣膜3上形成的柵絕緣膜4的被覆性特別好。
另外，絕緣膜3從上面觀看可包圍半導(dǎo)體層2地沿著半導(dǎo)體層2的側(cè)壁形成(圖1)。
將半導(dǎo)體層2及絕緣膜3覆蓋的方式形成柵絕緣膜4。在柵絕緣膜4上形成柵電極5，以與溝道區(qū)2a大致重疊。將絕緣膜3與柵電極5覆蓋的方式形成層間絕緣膜9。在柵絕緣膜4與層間絕緣膜9設(shè)有接觸孔10，在層間絕緣膜9上形成的信號布線11經(jīng)由接觸孔10與源漏區(qū)2b連接。
<B.制造方法>
接著，就本實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法進(jìn)行說明。首先，在絕緣性基板1的整個面形成半導(dǎo)體膜(未圖示)。
接著，通過蝕刻半導(dǎo)體膜，形成島狀的半導(dǎo)體層2。此時，通過將蝕刻條件最優(yōu)化，將半導(dǎo)體層2的側(cè)壁加工成相對絕緣性基板1接近垂直的狀態(tài)。
接著，在絕緣性基板1上旋涂SOG膜。若在旋涂后進(jìn)行熱處理，則在導(dǎo)體層2的側(cè)壁按錐狀形成絕緣膜3。
接著，用CVD法、濺鍍法等，在絕緣性基板1上形成柵絕緣膜4。
此時，在半導(dǎo)體層2的側(cè)壁形成絕緣膜3，因此不會形成臺階差，且可將絕緣膜4被覆性良好地沉積在半導(dǎo)體層2上。
接著，在柵絕緣膜4上形成金屬膜(未圖示)，通過干蝕刻或濕蝕刻，將金屬膜蝕刻，形成柵電極5。然后，利用離子注入或離子摻雜等方法，將磷或硼等的雜質(zhì)導(dǎo)入半導(dǎo)體層2，且通過進(jìn)行熱處理等的活性化處理，形成源漏區(qū)2b。在導(dǎo)入雜質(zhì)時，柵電極5成為掩模，因此在柵電極5正下部的半導(dǎo)體層2上形成溝道區(qū)2a。也有在源漏區(qū)2b與溝道區(qū)2a之間形成與源漏區(qū)2b相同的導(dǎo)電型的濃度較淡的雜質(zhì)區(qū)的情況。這里，島狀的半導(dǎo)體層2的側(cè)壁即圖案端部的截面加工成相對絕緣性基板1大致垂直的形狀，因此由圖2可知，在溝道區(qū)2a上的半導(dǎo)體層2的膜厚均勻。
然后，根據(jù)通常的工序，覆蓋柵電極5地例如用CVD法等形成層間絕緣膜9后，在層間絕緣膜9與柵絕緣膜3上形成用以與源漏區(qū)2b連接的接觸孔10后，成膜金屬膜(未圖示)，然后，通過進(jìn)行圖案化，形成與源漏區(qū)2b連接的信號布線11，由此完成薄膜晶體管。也可以形成具備與該薄膜晶體管的柵電極連接的掃描信號線和與該薄膜晶體管的信號布線11連接的圖像信號線正交并連接到各像素的圖像顯示部的顯示器件。而且，在圖像顯示用的驅(qū)動電路上，也可采用該薄膜晶體管。
<C.效果>
圖2示出從柵電極5經(jīng)由柵絕緣膜4施加到半導(dǎo)體層2的電場的一部分。在施加到半導(dǎo)體層2的電場中，將來自垂直方向的電場表示為E1，將來自斜方向的電場表示為E2。
如圖2所示，本實(shí)施例的薄膜晶體管形成有絕緣膜3。因此，電場E2經(jīng)由絕緣膜3加到半導(dǎo)體層2。結(jié)果，可減弱對半導(dǎo)體層2的端部的來自斜方向的電場E2的影響。
另外，本實(shí)施例1的薄膜晶體管形成有絕緣膜3，因此柵絕緣膜4可在半導(dǎo)體層2及絕緣膜3上以均勻的膜厚形成。結(jié)果，可減弱經(jīng)由柵絕緣膜4加到半導(dǎo)體層2端部的電場E2的影響。
當(dāng)沒有絕緣層3的場合，電場E2僅通過柵絕緣膜4，施加到半導(dǎo)體層2，因此電場E2對半導(dǎo)體層2的端部的影響增大。
而且，柵絕緣膜4的臺階差被覆性差，所以，當(dāng)沒有絕緣層3時半導(dǎo)體層2的側(cè)壁形成得較薄。因此，對半導(dǎo)體層2的端部的電場E2的影響更大。
如以上說明，當(dāng)沒有絕緣膜3的場合，加到半導(dǎo)體層2的端部的電場E2可能會惡化薄膜晶體管的電氣特性。
本實(shí)施例的薄膜晶體管形成有絕緣膜3，從而可使薄膜晶體管的電氣特性穩(wěn)定。
還有，作為絕緣膜3采用SOG膜時，由于SOG膜容易達(dá)成低電容率化，可進(jìn)一步降低半導(dǎo)體層2端部上的電場E2的影響。
圖4是本實(shí)施例的薄膜晶體管的電氣特性示圖。圖4示出漏極電流Id(縱軸)對柵極電壓Vg(橫軸)的特性曲線。
這里，線A是將半導(dǎo)體層2錐狀形成的薄膜晶體管的電氣特性示圖。即，為半導(dǎo)體層2的寬度從底部向頂部逐漸變窄地形成時的薄膜晶體管的電氣特性的示圖。
然后，線B是本實(shí)施例的薄膜晶體管的電氣特性示圖。
如圖4所示，將半導(dǎo)體層錐狀形成時，由于半導(dǎo)體層2具有膜厚較薄的部分，在表示薄膜晶體管的電氣特性的線上產(chǎn)生駝峰(參照線A)。
另一方面，本實(shí)施例的薄膜晶體管無需將半導(dǎo)體層2錐狀形成，因此半導(dǎo)體層2的膜厚均勻地形成。因此，在表示薄膜晶體管的電氣特性的線上能夠減輕駝峰(參照線B)。結(jié)果，可抑制閾值電壓Vth的偏差。
另外，本實(shí)施例的薄膜晶體管中，在半導(dǎo)體層2的側(cè)壁形成絕緣膜3。因此，可在半導(dǎo)體層2的臺階差部分覆蓋性(臺階差被覆性)良好地形成柵絕緣膜4。結(jié)果，不必?fù)?dān)心柵絕緣膜4上形成的柵電極5斷線。
還有，本實(shí)施例的薄膜晶體管作為絕緣膜3形成SOG膜，但不必一定是SOG膜，也可為TEOS膜、CVD膜等。
但是，用SOG膜時，通過在旋涂后進(jìn)行熱處理來容易沿著半導(dǎo)體層2側(cè)壁形成所要形狀的絕緣膜。
另外，本實(shí)施例1的薄膜晶體管在絕緣性基板1上直接形成半導(dǎo)體層2，但可在絕緣性基板1上形成氮化硅膜、氧化硅膜等保護(hù)膜，并在該保護(hù)膜上形成半導(dǎo)體層2。
玻璃基板中包含堿離子。因此，作為絕緣性基板1采用玻璃基板時，在薄膜晶體管的制造工序中或者薄膜晶體管的工作過程中，堿離子移動，可能被捕獲到半導(dǎo)體層中。結(jié)果，可能使薄膜晶體管的電氣特性不穩(wěn)定。
通過在玻璃基板上形成保護(hù)膜，防止堿離子移動，可將薄膜晶體管的電氣特性穩(wěn)定化。
實(shí)施例2<A.結(jié)構(gòu)>
圖5是表示本實(shí)施例的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的剖視圖。本實(shí)施例的薄膜晶體管還形成由氧化膜構(gòu)成的保護(hù)膜6，以覆蓋與半導(dǎo)體層2的絕緣性基板1相面對的面以外的面。
其它的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，對于相同的結(jié)構(gòu)采用相同的符號，并省略重復(fù)的說明。
<B.制造方法>
以下，就本實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法進(jìn)行說明。
首先，在絕緣性基板1的整個面形成半導(dǎo)體膜。然后，通過蝕刻半導(dǎo)體膜，形成島狀的半導(dǎo)體層2。
此時，通過將蝕刻條件最優(yōu)化，將半導(dǎo)體層2的側(cè)壁形成為相對絕緣性基板1接近垂直的狀態(tài)。
接著，利用過氧化氫溶液對基板表面進(jìn)行氧化處理或者在氧等離子體氣氛中曝露基板等，形成比柵絕緣膜4充分薄的由氧化膜構(gòu)成的保護(hù)膜6。
然后，用旋涂法成膜SOG膜。通過在旋涂后進(jìn)行熱處理，沿著半導(dǎo)體層2的側(cè)壁錐狀地形成由SOG膜構(gòu)成的絕緣膜3。
接著，用CVD法等形成柵絕緣膜4，以覆蓋半導(dǎo)體層2及絕緣膜3。
以后的制造方法與實(shí)施例1相同，省略其詳細(xì)說明。
<C.效果>
本實(shí)施例的薄膜晶體管具有與實(shí)施例1的薄膜晶體管相同的效果，此外，半導(dǎo)體層2被保護(hù)膜6所覆蓋，因此在形成柵絕緣膜4或柵電極5時，可保護(hù)半導(dǎo)體層2的表面不受外部氣氛影響。
實(shí)施例3<A.結(jié)構(gòu)>
圖6是表示本實(shí)施例的薄膜晶體管的要部結(jié)構(gòu)的剖視圖。本實(shí)施例的薄膜晶體管在島狀的半導(dǎo)體層2上形成柵絕緣膜4。
而且，在柵絕緣膜4上形成由SOG膜構(gòu)成的絕緣膜7。絕緣膜7以埋入柵絕緣膜4的溝部的方式形成。然后，在柵絕緣膜4與絕緣膜7上形成柵電極5。
其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1相同，對于相同的結(jié)構(gòu)采用相同的符號，并省略重復(fù)的說明。
<B.制造方法>
以下，就本實(shí)施例的薄膜晶體管的制造方法進(jìn)行說明。首先，在絕緣性基板1的整個面形成半導(dǎo)體膜。
接著，通過蝕刻半導(dǎo)體膜，形成島狀的半導(dǎo)體層2。此時，通過將蝕刻條件最優(yōu)化，將半導(dǎo)體層2的側(cè)壁加工成相對絕緣性基板1接近垂直的狀態(tài)。
接著，在絕緣性基板1上，用CVD法等形成柵絕緣膜4。
此時，半導(dǎo)體層2的側(cè)壁部的臺階差上的柵絕緣膜4的覆蓋性差，柵絕緣膜4在半導(dǎo)體層2的側(cè)壁部設(shè)有將柵絕緣膜4作成帽舌狀的形狀的溝部8。
接著，在柵絕緣膜4上旋涂SOG膜。將SOG膜旋涂后，進(jìn)行熱處理，從而以埋入溝部8的方式形成絕緣膜7。
接著，在柵絕緣膜4上成膜金屬膜(未圖示)，用干蝕刻法或濕蝕刻法來蝕刻金屬膜，形成柵電極5。然后，通過離子注入或離子摻雜等方法，將磷或硼等的雜質(zhì)導(dǎo)入半導(dǎo)體層2，通過進(jìn)行熱處理等的活性化處理，形成源漏區(qū)2b。在導(dǎo)入雜質(zhì)時，柵電極5成為掩模，因此柵電極5正下部的半導(dǎo)體層2上形成溝道區(qū)2a。也有在源漏區(qū)2b與溝道區(qū)2a之間形成與源漏區(qū)2b相同導(dǎo)電型的濃度較淡的雜質(zhì)區(qū)的情況。這里，島狀的半導(dǎo)體層2的側(cè)壁即圖案端部的截面加工成相對絕緣性基板1大致垂直的形狀，由圖6可知，溝道區(qū)2a上的半導(dǎo)體層2的膜厚均勻。
接著，根據(jù)通常的工藝，覆蓋柵電極5地例如用CVD法等形成層間絕緣膜9后，在層間絕緣膜9與柵絕緣膜3中形成用以與源漏區(qū)2b連接的接觸孔10后，形成金屬膜(未圖示)，然后，通過圖案化來形成與源漏區(qū)2b連接的信號布線11，由此完成薄膜晶體管。可形成具備與該薄膜晶體管的柵電極連接的掃描信號線和與該薄膜晶體管的信號布線11連接的圖像信號線正交并與各像素連接的圖像顯示部的顯示器件。并且，圖像顯示用的驅(qū)動電路中也可采用該薄膜晶體管。
<C.效果>
本實(shí)施例的薄膜晶體管中，柵絕緣膜4的溝部埋入絕緣膜7。因此，柵絕緣膜4的頂部平滑地形成。結(jié)果，可在柵絕緣膜4上不會斷線地形成柵電極5。另外，無需將半導(dǎo)體層2錐狀形成，而以均勻的膜厚形成。由于在半導(dǎo)體層2上沒有膜厚較薄的部分，可獲得由不產(chǎn)生駝峰的曲線表示良好的電氣特性的薄膜晶體管。
還有，絕緣膜7可為SOG膜以外的膜，若采用SOG膜，則可通過旋涂后進(jìn)行熱處理來容易地將柵絕緣膜4的溝部8填埋。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，具備在絕緣性基板上以島狀形成的半導(dǎo)體層；在上述半導(dǎo)體層上形成的柵絕緣膜；以及在上述柵絕緣膜上形成的柵電極，其特征在于還具備沿著上述半導(dǎo)體層的側(cè)壁形成的絕緣膜，上述絕緣膜的截面形狀傾斜地形成，使得從底部向頂部離上述半導(dǎo)體層的側(cè)壁的寬度變窄。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于上述絕緣膜的傾斜面與上述絕緣性基板所成角度在10度以上45度以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于還具備以將與上述半導(dǎo)體層的上述絕緣性基板相面對的面以外的面覆蓋的方式形成的保護(hù)膜。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于上述絕緣膜為SOG膜。
5.一種薄膜晶體管，具備在絕緣性基板上以島狀形成的半導(dǎo)體層；在上述半導(dǎo)體層上形成的柵絕緣膜；以及在上述柵絕緣膜上形成的柵電極，其特征在于還具備絕緣膜，該絕緣膜形成為可埋入上述半導(dǎo)體層的側(cè)壁部因臺階差而產(chǎn)生的上述柵絕緣膜的溝部。
6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于上述絕緣膜為SOG膜。
7.一種權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在地包括如下工序(a)在絕緣性基板上以島狀形成半導(dǎo)體層；(b)在上述絕緣性基板旋涂上述絕緣膜，從而在半導(dǎo)體層的側(cè)壁傾斜地形成上述絕緣膜，使得從底部向頂部離上述半導(dǎo)體層的側(cè)壁的寬度變窄。
8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于上述工序(b)包括使上述絕緣膜的傾斜面與上述絕緣性基板所成角度在10度以上45度以下地形成上述絕緣膜的工序。
9.如權(quán)利要求7或8所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于還具備在上述工序(a)之后的工序(c)在與上述半導(dǎo)體層的上述絕緣性基板相面對的面以外的面上形成保護(hù)膜。
10.如權(quán)利要求7或8所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于上述工序(b)包含通過在上述絕緣性基板上旋涂SOG膜來形成上述絕緣膜的工序。
11.一種權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于包括如下工序(a)在絕緣性基板上以島狀形成半導(dǎo)體層；(b)覆蓋上述半導(dǎo)體層地形成柵絕緣膜；以及(c)通過在上述柵絕緣膜上旋涂上述絕緣膜，以埋入上述半導(dǎo)體層的側(cè)壁部因臺階差而產(chǎn)生的上述柵絕緣膜的溝部的方式形成上述絕緣膜。
12.如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于上述工序(c)包含通過在上述絕緣性基板上旋涂SOG膜來形成上述絕緣膜的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種這樣的薄膜晶體管，在其島狀半導(dǎo)體層的側(cè)壁部不發(fā)生因柵絕緣膜的臺階差被覆性差而產(chǎn)生的柵電極的斷線的問題，且具備良好的電氣特性。在絕緣性基板(1)的主面形成島狀的半導(dǎo)體層(2)。半導(dǎo)體層(2)的側(cè)面相對絕緣性基板(1)大致垂直地形成。沿著半導(dǎo)體層(2)的側(cè)壁形成絕緣膜(3)。并且絕緣膜(3)的截面形狀傾斜地形成，使得從底部向頂部離半導(dǎo)體層(2)的側(cè)壁的寬度變窄。通過絕緣膜(3)，可在半導(dǎo)體層(2)上被覆性良好地形成柵絕緣膜，因此不必?fù)?dān)心柵電極(5)上發(fā)生斷線。另外，溝道區(qū)(2a)上半導(dǎo)體層(2)的膜厚均勻，可得到穩(wěn)定的晶體管特性。
文檔編號H01L21/336GK1913177SQ20061011103
公開日2007年2月14日 申請日期2006年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月10日
發(fā)明者伊藤康悅, 竹口徹 申請人:三菱電機(jī)株式會社