專(zhuān)利名稱(chēng)：切割晶圓的方法
切割品圓的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān) 一 種半導(dǎo)體封裝制程，特別是有關(guān) 一 種切割晶圓的方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝制程中，是先將晶圓切割成一顆顆的晶粒(die),再將 這些晶粒做成各具功能的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。圖1A至1B顯示現(xiàn)有切割晶圓的 方法。首先，將研磨(grinding)及拋光(polishing)后的晶圓110的背面黏貼于膠 帶120上(見(jiàn)圖1A),并將該膠帶120固定于一個(gè)晶圓架(圖未示)上，再 將該晶圓架固接于分割機(jī)器上，以切刀130切割晶圓110 (見(jiàn)圖1B)。切割 完畢后所得到的晶粒附著在膠帶120上，要進(jìn)行下一道制程時(shí)再行取下。
然而，上述切割晶圓的方法往往會(huì)造成晶粒側(cè)面或背面產(chǎn)生20至30微 米(Hm)不等的崩裂(chipping)，這對(duì)于厚度為10至12mil ( lmil=l/1000寸) 的晶粒而言，十分之一的側(cè)背崩尚在容忍的范圍內(nèi)。但是，在電子產(chǎn)品愈趨 輕、薄的發(fā)展趨勢(shì)下，晶圓的厚度已降至2至3mil，同樣20至30微米的側(cè) 背崩，已占晶粒厚度的三分之一或甚至是二分之一，相比之下，這樣的側(cè)背 崩是無(wú)法接受的。
為解決上述問(wèn)題，日本專(zhuān)利公開(kāi)第63-37612號(hào)揭露以印刷或貼覆環(huán)氧樹(shù) 脂于晶圓背面的方式，以防止晶圓于切割時(shí)崩裂的方法，該方法為將貼覆 有環(huán)氧樹(shù)脂的晶圓進(jìn)行第一次烘烤，接著切割晶圓以得到各個(gè)晶粒，然后再 加熱使晶粒上的環(huán)氧樹(shù)脂再度軟化而具翻性，以使晶粒能藉由該環(huán)氧樹(shù)脂而 能黏合至導(dǎo)線(xiàn)架或基板上。然而，為使晶粒上的環(huán)氧樹(shù)脂具有足夠的黏性而 能貼附于導(dǎo)線(xiàn)架或基板上，在進(jìn)行第一次烘烤時(shí)一定不可將其完全烤干，即 不可使膠到達(dá)全部聚合(C-stage)狀態(tài)，只能使膠到達(dá)半聚合(B-stage)狀 態(tài)。如此，膠層實(shí)際上并未與晶圓的表面接合，進(jìn)行切割時(shí)，仍會(huì)產(chǎn)生晶粒 邊緣崩裂的問(wèn)題。
因此，需要提出一種切割晶圓的方法，以解決晶粒側(cè)崩及背崩等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種切割晶圓的方法，能夠解決晶粒側(cè)崩及背崩 等問(wèn)題。為達(dá)上述目的，本發(fā)明的切割晶圓的方法是在晶圓的背面涂布一層膠材， 再將晶圓烘烤使膠材硬化以形成膠層，最后切割晶圓以形成各個(gè)晶粒。在使該膠材硬化的該步驟后，將該晶圓黏貼于一膠帶上，其中該晶圓是 以該背面與該膠帶相對(duì)，進(jìn)行貼合。該膠材是以烘烤加熱方式造成硬化。該膠材是以紫外光照射方式造成硬化。在該晶圓的背面涂布膠材的步驟包含將該晶圓的主動(dòng)表面固定于轉(zhuǎn)盤(pán) 上；轉(zhuǎn)動(dòng)該轉(zhuǎn)盤(pán)；及將該膠材涂布于該晶圓的背面上，利用轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)所產(chǎn)生 的離心力使該膠材均勻分布于該晶圓的背面上。該膠材是由電絕緣材料所構(gòu)成。該晶圓的切割是以切刀由該晶圓主動(dòng)表面的上方切割。 在烘烤該膠材前，該膠材具有黏性。 在烘烤后該膠層不具黏性。 該膠材為熱固性膠材。根據(jù)本發(fā)明的切割晶圓的方法，在晶圓背面形成的膠層可在切割期間提 供足夠的機(jī)械強(qiáng)度，使切割后所得到的晶粒不會(huì)有側(cè)崩與背崩過(guò)大的問(wèn)題。
圖1A及1B是現(xiàn)有切割晶圓的方法的示意圖。 圖2A至2C為根據(jù)本發(fā)明的切割晶圓方法的步驟。 圖3為根據(jù)本發(fā)明的切割晶圓方法在晶圓背面形成均勻膠層的方法。 圖4A及4B為以現(xiàn)有切割晶圓方法切割后所得到晶粒的側(cè)面放大圖，以 清楚顯示該晶粒的結(jié)構(gòu)。圖4C為以本發(fā)明切割晶圓方法切割后所得到晶粒的側(cè)面放大圖，以清 楚顯示該晶粒的結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施方式圖2A至2C是根據(jù)本發(fā)明的切割晶圓方法的步驟。現(xiàn)請(qǐng)參考圖2A,晶 圓210在研磨及拋光至所需的厚度后，在其背面214涂布一層具黏性的膠材， 再以加熱或紫外光照射等方式，使其硬化以成為不具黏性的膠層240 (見(jiàn)圖 2A)。傘交佳，該月交層是由電絕鄉(xiāng)彖材并?；驘峁绦栽陆徊乃鶚?gòu)成。4妻著，將具有該膠層240的晶圓背面214黏貼于膠帶220上，并將該膠帶220固定于晶圓架 上(圖未示)使晶圓210的主動(dòng)表面212朝上，再將該晶圓架固接于一個(gè)分 割機(jī)器上，以切刀230由該晶圓主動(dòng)表面的上方切割晶圓210,即得到一顆 顆的晶粒250 (見(jiàn)圖2C)。根據(jù)本發(fā)明的切割晶圓的方法，在晶圓背面214形成的膠層240可在切 割期間提供足夠的機(jī)械強(qiáng)度，使切割后所得到的晶粒250不會(huì)有側(cè)崩與背崩 過(guò)大的問(wèn)題。再者，切割后的晶粒250的背面214的膠層240在切割后不須 去除，可直接進(jìn)行晶粒上板的制程。因此，當(dāng)該膠層240由電絕緣的材料所 構(gòu)成時(shí)，可提供晶粒250的絕緣保護(hù)。根據(jù)本發(fā)明的切割晶圓的方法，在晶圓背面214涂布膠材時(shí)，可將該晶 圓210的主動(dòng)表面212固定于轉(zhuǎn)盤(pán)310上(見(jiàn)圖3)，將膠材260由該晶圓背 面214中心的上方注入該晶圓背面214上，利用轉(zhuǎn)盤(pán)310轉(zhuǎn)動(dòng)所產(chǎn)生的離心 力使該膠材260均勻分布于該晶圓210的背面214上，以形成均勻的膠層240。參考圖4A、 4B及4C，其分別顯示以現(xiàn)有切割晶圓方法以及以本發(fā)明的 切割晶圓的方法切割后所得到晶粒的側(cè)面放大圖以清楚顯示現(xiàn)有技術(shù)和本發(fā) 明的方法所形成的晶粒的結(jié)構(gòu)。由圖可知，晶圓直接黏貼于膠帶切割后所得 到的晶粒(見(jiàn)圖4A)，以及晶圓貼附于B-stage的膠層再貼附于膠帶接著再進(jìn) 行切割后所得到的晶粒(見(jiàn)圖4B),均顯示出明顯的側(cè)崩，而以本發(fā)明的切 割晶圓的方法所得到的晶粒(見(jiàn)圖4C)則未有側(cè)崩的情形。
權(quán)利要求
1. 一種切割晶圓的方法，其包舍 提供具有一主動(dòng)表面及一背面的一晶圓； 在該晶圓的該背面涂布一膠材； 使該膠材硬化；及切割該晶圓以形成各個(gè)晶粒。
2. 如權(quán)利要求1所述的切割晶圓的方法，更包含在使該膠材硬化的該 步驟后，將該晶圓翁貼于一膠帶上，其中該晶圓是以該背面與該膠帶相對(duì)， 進(jìn)行貼合。
3. 如權(quán)利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于使該膠材是以 烘烤加熱方式造成硬化。
4. 如權(quán)利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于使該膠材是以 紫外光照射方式造成硬化。
5. 如權(quán)利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于在該晶圓的背 面涂布膠材的步驟包含將該晶圓的主動(dòng)表面固定于轉(zhuǎn)盤(pán)上；轉(zhuǎn)動(dòng)該轉(zhuǎn)盤(pán)； 及將該膠材涂布于該晶圓的背面上，利用轉(zhuǎn)盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)所產(chǎn)生的離心力使該膠 材均勻分布于該晶圓的背面上。
6. 如權(quán)利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于該膠材是由電 絕緣材料所構(gòu)成。
7. 如權(quán)利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于該晶圓的切割 是以切刀由該晶圓主動(dòng)表面的上方切割。
8. 如權(quán)利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于在烘烤該膠材 前，該膠材具有黏性。
9. 如權(quán)利要求6所述的切割晶圓的方法，其特征在于在烘烤后該膠 材不具黏性。
10. 如權(quán)利要求1所述的切割晶圓的方法，其特征在于該膠材為熱固 性膠材。
全文摘要
本發(fā)明提供一種切割晶圓的方法，其在晶圓的背面形成一膠層，可在晶圓切割期間提供足夠的機(jī)械強(qiáng)度，使切割后所得到的晶粒不會(huì)有側(cè)崩與背崩過(guò)大的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101123217SQ20061011102
公開(kāi)日2008年2月13日 申請(qǐng)日期2006年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月9日
發(fā)明者褚福堂, 鐘啟源 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司