專利名稱：顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種透射反射型顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
最近，諸如液晶顯示(LCD)裝置、等離子體顯示板(PDP)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)、電泳指示顯示器(electro phoretic indication display)等的顯示裝置取代陰極射線管(CRT)得到了開發(fā)。
液晶顯示器包括其上形成了薄膜晶體管的薄膜晶體管基板、其上形成了濾色器的濾色器基板和具有插置在所述薄膜晶體管基板和濾色器基板之間的液晶層的液晶屏板。由于液晶屏板為非發(fā)光元件，因此，可以在薄膜晶體管基板的背面上安裝用于發(fā)光的背光單元。根據(jù)液晶層的排列狀態(tài)調(diào)整從背光單元發(fā)出的光的透射量，由此在液晶屏板上形成圖像。
可以根據(jù)所采用的光源的類型將液晶顯示器劃分為透射型、反射型和透射反射型。透射型液晶顯示器利用背光單元使光穿過液晶屏板，由此形成圖像而不管外界環(huán)境如何。在反射型液晶顯示器中，在像素電極的整個表面上形成反射層，反射型液晶顯示器能夠通過利用反射層反射自然光而限制消耗總功耗的70％的背光單元的使用，由此降低功耗。
透射反射型透射型液晶顯示器具有透射型液晶顯示器和反射型液晶顯示器的所有優(yōu)點。透射反射型液晶顯示器能夠?qū)崿F(xiàn)高圖像質(zhì)量，并且尺寸小、重量輕、功耗低。特別地，由于透射反射型液晶顯示器能夠既利用自然光又利用背光單元，根據(jù)使用環(huán)境確保適當(dāng)亮度，而不管外部光強(qiáng)如何變化，因此，其使用戶能夠在直射陽光下觀看靜止和移動圖像以及字符信息。
在制造透射反射型液晶顯示器的薄膜晶體管基板時，向母基板物質(zhì)的整個表面涂覆有機(jī)鈍化層，在形成于將要被用作薄膜晶體管基板的絕緣基板上的有機(jī)鈍化層的表面內(nèi)利用狹縫掩模(slit mask)形成凹凸圖案。利用所述凹凸圖案引發(fā)所述反射層的漫反射和光散射。
一種用于形成凹凸圖案的方法包括半曝光(half exposure)方法和平面化法。在半曝光方法中，必須執(zhí)行兩次或更多光刻工藝以形成凹凸圖案、接觸孔等，因此需要的制造時間長、制造成本高。具體而言，利用狹縫掩模的方法不能引發(fā)適當(dāng)?shù)穆瓷浜蜕⑸?，因為凹凸圖案的成品率和反射效率低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個方面是提供一種顯示裝置的制造方法，所述方法能夠提高凹凸圖案的成品率和反射效率，并簡化制造工藝。
在接下來的說明中，將闡述本發(fā)明的其他特征，其中一部分可以從文字說明中顯而易見，或者可以從對本發(fā)明的實踐中習(xí)知。
本發(fā)明的上述和/或其他方面可以通過提供一種顯示裝置的制造方法而實現(xiàn)，所述方法包括制備絕緣基板；形成在所述絕緣基板上沿橫向延伸的柵極線路和與所述柵極線路交叉并與所述柵極線路絕緣以界定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線路；在所述柵極線路和所述數(shù)據(jù)線路的相交處形成薄膜晶體管；在所述薄膜晶體管上形成有機(jī)鈍化層；放置具有對應(yīng)于所述有機(jī)鈍化層上的所述像素區(qū)域的凹凸圖案的模具，按壓所述模具，從而在所述有機(jī)鈍化層的表面上形成所述凹凸圖案；以及在所述有機(jī)鈍化層上形成像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述方法還包括去除所述模具，并去除未形成凹凸圖案的所述有機(jī)鈍化層。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，通過利用掩模的曝光工藝實施所述有機(jī)鈍化層的去除，所述掩模具有對應(yīng)于所述像素區(qū)域的開口。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述方法還包括在所述像素電極的至少一個部分上形成反射層。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述有機(jī)鈍化層為高粘性有機(jī)層。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，由母基板物質(zhì)制造多個絕緣基板，所述母基板物質(zhì)被劃分為用作絕緣基板的基板部分和對應(yīng)于所述絕緣基板之間的區(qū)域的外圍部分，并且所述模具還包括朝所述母基板物質(zhì)突出的鈍化層去除部分，所述鈍化層去除部分位于對應(yīng)于每一外圍部分的模具區(qū)域上。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述有機(jī)鈍化層為低粘度有機(jī)層。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述模具由透射紫外線的透明材料構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述模具由聚二甲基硅氧烷(PDMS)構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述方法還包括在按壓所述模具的同時使所述有機(jī)鈍化層硬化。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，在按壓所述模具時，所述鈍化層去除部分以其末端接觸所述絕緣基板。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述方法還包括在去除所述模具之后，去除殘留在所述外圍區(qū)域上的有機(jī)鈍化層。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述方法還包括去除所述模具，在所述有機(jī)鈍化層的整個表面上形成感光層，之后去除未形成凹凸圖案的所述感光層。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，通過利用掩模的曝光工藝實施所述感光層的去除，所述掩模具有對應(yīng)于所述像素區(qū)域的開口。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述方法還包括去除未形成感光層的所述有機(jī)鈍化層。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，所述方法還包括去除在所述凹凸圖案上形成的所述感光層。
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例，其中，所述顯示裝置至少包括液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管、平板顯示器和電泳指示顯示器之一。
應(yīng)當(dāng)理解，上述一般說明和下述詳細(xì)說明都是示范性和說明性的，其目的在于進(jìn)一步解釋權(quán)利要求所界定的發(fā)明。


通過下文結(jié)合附圖對示范性實施例的描述，本發(fā)明的上述和/或其他方面和優(yōu)點將變得顯而易見并且更容易理解，其中圖1是說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的母基板物質(zhì)的平面圖；圖2為圖1所示的區(qū)域‘A’的布局；圖3是沿圖2的虛線III-III切割的截面圖；圖4A到圖4E是沿圖1中的IV-IV線切割得到的截面圖，用于解釋薄膜晶體管基板的制造工藝；圖5A、5B和5C是用于說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的薄膜晶體管基板的制造工藝的截面圖；以及圖6A到圖6E是用于說明根據(jù)本發(fā)明第三實施例的薄膜晶體管基板的制造工藝的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的實施例，在附圖中示出了所述實施例的實例，其中，始終以類似的附圖標(biāo)記表示類似的元件。在下文中將對實施例進(jìn)行描述，從而通過參考附圖解釋本發(fā)明。
在下文中，將參考附圖對本發(fā)明進(jìn)行更為充分的描述。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)稱一層在另一層或基板“上”時，它可能直接在另一層或基板上，或者也可能存在中間層。
圖1是說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的母基板物質(zhì)的平面圖，圖2為圖1所示的區(qū)域‘A’的布局，圖3是沿圖2的虛線III-III切割的截面圖。
參考圖1、2和3，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶屏板1包括薄膜晶體管基板(第一基板)100、濾色器基板(第二基板)200和位于所述第一基板100和所述第二基板200之間的液晶層300。
首先，將在下文中描述薄膜晶體管基板100。
如圖1所示，通過薄膜晶體管基板制造工藝由大母基板物質(zhì)10制造多個第一基板100。在下述曝光和顯影過程中將去除形成于絕緣基板110之間的區(qū)域(下文稱為外圍區(qū)域)上的有機(jī)鈍化層。
圖2是圖1所示的區(qū)域“A”的放大圖。參考圖2和3，在所述第一絕緣基板110上形成柵極線路121、122和123。每一柵極線路121、122和123可以由單個金屬層或多個金屬層形成。柵極線路121、122和123包括沿橫向延伸的柵極線121、連接至柵極線121的柵電極122和連接至柵極驅(qū)動器(未示出)以接收驅(qū)動信號的柵極焊盤123。
由氮化硅SiNx等構(gòu)成的柵極絕緣膜130覆蓋位于第一絕緣基板110之上的柵極線路121、122和123。
在位于柵電極122之上的柵極絕緣膜130上形成由諸如非晶硅等的半導(dǎo)體構(gòu)成的半導(dǎo)體層140。在半導(dǎo)體層140上形成由諸如n+氫化非晶硅等的材料構(gòu)成的電阻接觸層150，在所述材料中摻有高濃度的硅化物或n型雜質(zhì)。在源電極162和漏電極163之間的溝道區(qū)上不存在電阻接觸層150。
在電阻接觸層150和柵極絕緣膜130上形成數(shù)據(jù)線路161、162和163。每一數(shù)據(jù)線路161、162和163也可以由金屬構(gòu)成的單層或多層形成。數(shù)據(jù)線路161、162和163包括沿垂直方向延伸并與柵極線121交叉以形成像素的數(shù)據(jù)線161、從數(shù)據(jù)線161延伸并覆蓋電阻接觸層150的源電極162和與所述源電極162隔開并覆蓋電阻接觸層150的漏電極163，漏電極163與源電極162相對。
在數(shù)據(jù)線路161、162和163上，以及半導(dǎo)體層140的暴露表面上形成有機(jī)鈍化層170。在有機(jī)鈍化層170上形成凹凸圖案175、用于暴露漏電極163的漏極接觸孔171以及連接至柵極驅(qū)動器(未示出)和數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示出)從而將驅(qū)動信號施加到柵極線121和數(shù)據(jù)線161上的柵極焊盤接觸孔172和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔173。形成于有機(jī)鈍化層170的表面內(nèi)的凹凸圖案175用于引發(fā)光散射，由此提高反射率。為了確保薄膜晶體管T的可靠性，可以在有機(jī)鈍化層170和薄膜晶體管T之間額外形成諸如氮化硅的無機(jī)絕緣膜。這里，有機(jī)鈍化層170可以是能夠保持預(yù)定形狀的高粘性有機(jī)層。
像素電極180形成于其內(nèi)形成了凹凸圖案175的有機(jī)鈍化層170的上表面。像素電極180由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。像素電極180通過漏極接觸孔171電連接到漏電極163。之后，在柵極焊盤接觸孔172和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔173上形成輔助接觸構(gòu)件181和182。輔助接觸構(gòu)件181和182通常由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。按照在保護(hù)膜170的表面內(nèi)形成的凹凸圖案175，在像素電極180的表面內(nèi)形成凹凸圖案。
接著，在像素電極180上形成反射層190。將由柵極線121和數(shù)據(jù)線161界定的像素區(qū)域劃分為透射區(qū)域和反射區(qū)域，在透射區(qū)域上不形成反射層190，在反射區(qū)域上形成反射層190。在未形成反射層190的透射區(qū)域上，透射由背光單元(未示出)發(fā)射的光，并使其照射到液晶屏板1之外。在形成了反射層190的反射區(qū)域內(nèi)，反射從外部入射的光并使其再次照射到液晶屏板1之外。反射層190主要由鋁或銀構(gòu)成。或者反射層190可以由鋁和鉬的雙層形成。如上所述，在像素電極180上形成反射層190。或者，可以在像素電極180上而不是漏極接觸孔171上形成反射層190，以接收來自像素電極180的信號。之后，按照在像素電極180的表面內(nèi)形成的凹凸圖案，在反射層190的表面內(nèi)形成凹凸圖案。
在下文中，將對濾色器基板200進(jìn)行描述。
在第二絕緣基板210上形成黑矩陣220。通常采用黑矩陣220將紅色、綠色和藍(lán)色濾色器相互隔開，并防止光直接照射到位于第一基板100上的薄膜晶體管T上。黑矩陣220通常由含有黑色素的感光有機(jī)材料構(gòu)成。所述黑色素可以是碳黑或氧化鈦等。
之后，采用下述方式排列濾色器230(每一種均用230表示)在黑矩陣220之間重復(fù)形成紅色、綠色和藍(lán)色濾色器。每一濾色器230起著向背光單元(未示出)發(fā)出的并穿過液晶層300的光分配顏色的作用。濾色器230通常由感光有機(jī)材料形成。
接著，在濾色器230上和不存在濾色器230的黑矩陣220的暴露表面上形成涂覆層240。涂覆層240起著保護(hù)濾色器230作用，同時使濾色器230平面化，涂覆層240主要由丙烯酸環(huán)氧樹脂材料形成。
之后，在涂覆層240的整個表面上形成公共電極250。公共電極由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。公共電極250和薄膜晶體管基板100的像素電極180將電壓直接施加到液晶層300上。
之后，將液晶層300注入到薄膜晶體管基板100和濾色器基板200之間，通過密封膠(未示出)耦合兩基板100和200，從而完成了液晶屏板1的制作。
在下文中，將對根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示器的制造方法予以說明。具體而言，描述了一種薄膜晶體管基板的制造方法。圖4A到圖4E是沿圖1的IV-IV線切割得到的截面圖，用于解釋在第一基板100的有機(jī)鈍化層170內(nèi)形成凹凸圖案175的過程。
首先，如圖2和圖3所示，在第一絕緣基板110上涂覆柵極線路材料之后，利用掩模通過光刻工藝進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成包括柵極線121、柵電極122、柵極焊盤123等的柵極線路。之后，依次涂覆柵極絕緣膜130、半導(dǎo)體層140和電阻接觸層150。
此后，通過在半導(dǎo)體層140和電阻接觸層150上實施光刻工藝，在柵電極122之上的柵極絕緣膜130上形成所得的半導(dǎo)體層140。這里，電阻接觸層150形成于半導(dǎo)體層140上。
之后，在涂覆了數(shù)據(jù)線路材料之后，利用掩模通過光刻工藝進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成包括與柵極線121相交的數(shù)據(jù)線161、連接至數(shù)據(jù)線161并覆蓋柵電極122的源電極162和與源電極162相對的漏電極163的數(shù)據(jù)線路。接著，對電阻接觸層150的暴露表面蝕刻，從而將電阻接觸層150劃分為以柵電極122為中心的兩個部分，并暴露一部分半導(dǎo)體層140。在這一過程中，幾乎去除了電阻接觸層150，并部分蝕刻了半導(dǎo)體層140。接著，為了使半導(dǎo)體層140的暴露表面穩(wěn)定，優(yōu)選實施采用氧等離子體的蝕刻。
之后，利用旋涂法或狹縫涂敷法等形成有機(jī)鈍化層170。這時，為了確保薄膜晶體管T的可靠性，可以在有機(jī)鈍化層170和薄膜晶體管T之間額外形成諸如氮化硅的無機(jī)絕緣層。這里，有機(jī)鈍化層170可以是能夠保持預(yù)定形狀的高粘性有機(jī)層。
如圖4A所示，對齊模具400并將其放在有機(jī)鈍化層170上，在模具400中，在與像素區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域上形成凹凸圖案410。之后，如圖4B所示，通過向有機(jī)鈍化層170壓模具400，在有機(jī)鈍化層170的表面內(nèi)形成凹凸圖案175。
此后，如圖4C所示，去除模具400。由于有機(jī)鈍化層170為高粘性有機(jī)層，因此，在去除模具400后，保持了凹凸圖案175的形狀。這時，如果向模具400的表面涂覆了脫模劑，能夠容易地去除模具400。
在去除模具400之后，如圖4D所示，對準(zhǔn)并放置具有暴露凹凸圖案175的開口的掩模500，并實施照射紫外線的曝光過程。之后，如圖4E所示，實施顯影過程以去除未形成凹凸圖案175的有機(jī)鈍化層170，即對應(yīng)外圍區(qū)域的有機(jī)鈍化層170。通過顯影過程，在去除外圍的有機(jī)鈍化層170的同時，還可以形成漏極接觸孔171、柵極焊盤接觸孔172和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔173。
同時，在本實施例中，采用在未暴露于紫外線下時被去除的感光有機(jī)材料形成具有凹凸圖案175的有機(jī)鈍化層170。但是，有可能采用在暴露于紫外線下時被去除的感光有機(jī)材料形成具有凹凸圖案175的有機(jī)鈍化層170。在這種情況下，掩模500必須具有對應(yīng)于將被去除的有機(jī)鈍化層區(qū)域170的開口510。
照此，如果按照圖3所示制備了具有凹凸圖案175的有機(jī)鈍化層170，那么向有機(jī)鈍化層170涂覆ITO或IZO，并執(zhí)行光刻工藝，由此形成通過漏極接觸孔171連接至漏電極163的像素電極180。像素電極180具有由位于下部的凹凸圖案175導(dǎo)致的凹凸圖案。之后，分別形成輔助接觸構(gòu)件181和182，輔助接觸構(gòu)件181和182分別通過柵極焊盤接觸孔172和數(shù)據(jù)焊盤接觸孔173連接至柵極焊盤123和數(shù)據(jù)焊盤164。
在形成像素電極180之后，在像素電極180上形成反射材料，并進(jìn)行構(gòu)圖，從而在像素電極180的至少一個部分內(nèi)形成反射層190。反射層190可以由銀、鉻、銀-鉻合金或鋁和鉬的雙層構(gòu)成。在除透射區(qū)域之外的區(qū)域(反射區(qū)域)內(nèi)形成反射層190。出于上述凹凸圖案175的原因，反射層190也具有凹凸圖案。反射層190通過像素電極180接收電信號，并將接收到的信號施加至位于反射層190上的液晶層300。
此后，形成配向膜(未示出)，由此制備根據(jù)本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管基板100。
之后，在第二絕緣基板210上，通過公知方法形成黑矩陣220、濾色器230、涂覆層240、公共電極250和配向膜，由此完成第二基板200。最后，通過耦合第一基板100和第二基板200，并向其間注入液晶，完成液晶屏板1。
根據(jù)上述方法，由于在不采用狹縫掩模的情況下僅采用模具400形成了凹凸圖案175，因此，與半曝光法和平面化方法相比，能夠省略一次光刻工藝。
同時，由于采用狹縫掩模形成的凹凸圖案175的成品率和反射效率低，因此，采用狹縫掩模形成凹凸圖案175的方法不能引發(fā)(induce)適當(dāng)?shù)墓馍⑸?。過度的散射使成像變黑，因為，其使濾色器基板200和偏轉(zhuǎn)板(deflectionplate)吸收了大量的光，不足的散射引起視角問題，因為光集中在了特定方向上。此外，由于液晶屏板1具有帶有不同折射率的多層結(jié)構(gòu)，如果以大于臨界角的角度反射光，就會產(chǎn)生不能將光從液晶屏板1發(fā)射至空氣空間的問題。
但是，在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，由于采用精細(xì)制造的模具400形成凹凸圖案175，提高了凹凸圖案175的成品率和反射效率，因此，能夠誘導(dǎo)適當(dāng)?shù)穆瓷浜蜕⑸洌⒑喕圃旃に嚒?br> 在下文中，將參考圖5A、5B和5C描述本發(fā)明第二實施例，其中，將省略對與第一實施例中相同的工藝的描述，并將對能夠與第一實施例形成對比的特征內(nèi)容予以描述。
圖5A到圖5C是用于解釋在第一基板100的有機(jī)鈍化層170內(nèi)形成凹凸圖案175的方法示意圖。
參考圖1，由大母基板物質(zhì)10制造多個用作薄膜晶體管基板100的絕緣基板110。將母基板物質(zhì)10劃分為用作絕緣基板110的基板區(qū)域和對應(yīng)于絕緣基板110之間的區(qū)域的外圍區(qū)域。
如圖5A所示，在第一絕緣基板110上形成有機(jī)鈍化層170。這里，有機(jī)鈍化層170是小分子有機(jī)層，與第一實施例中不同，通過紫外線或熱處理使其變硬。在第二實施例中，模具400具有對應(yīng)于像素區(qū)域或基板區(qū)域的凹凸圖案410和去除對應(yīng)于絕緣基板100之間的區(qū)域或外圍區(qū)域的保護(hù)膜去除部分420。保護(hù)膜去除部分420朝有機(jī)鈍化層170突出。如圖5B所示，優(yōu)選形成具有預(yù)定高度的保護(hù)膜去除部分420，使得在壓上模具400之后，其與絕緣襯底110接觸。這里，為了使有機(jī)鈍化層170變硬，同時如實保持凹凸圖案175的形狀，模具400優(yōu)選由能夠透射紫外線的透明材料構(gòu)成。用于形成模具400的透明材料可以是聚二甲基硅氧烷(PDMS)。在這種情況下，未利用掩模(圖4D中的500)。
之后，如圖5B所示，通過按壓模具400，利用保護(hù)膜去除部分420去除位于絕緣基板110之間的區(qū)域，即外圍區(qū)域內(nèi)的有機(jī)鈍化層170，利用凹凸圖案410形成凹凸圖案175。接著，在利用模具400形成凹凸圖案175的狀態(tài)下照射紫外線，并進(jìn)行硬化處理。之后，如圖5C所示，去除模具400，由此完成最終的高質(zhì)量凹凸圖案175。
盡管在附圖中未示出，但是，未利用保護(hù)膜去除部分420去除的有機(jī)鈍化層170可能仍殘留在絕緣基板110上。在這種情況下，能夠通過單獨的灰化工藝去除殘留的有機(jī)鈍化層170。
因此，在根據(jù)本發(fā)明的制造方法中，由于采用精細(xì)制造的模具400形成凹凸圖案175，并在形成凹凸圖案175的狀態(tài)下進(jìn)行硬化處理，提高了凹凸圖案175的成品率和反射效率，并能夠誘發(fā)適當(dāng)?shù)穆瓷浜蜕⑸?。此外，由于利用模?00形成凹凸圖案175，因此，與利用狹縫掩模的常規(guī)方法相比，能夠簡化制造工藝。特別地，由于能夠省略曝光和顯影過程，能夠進(jìn)一步簡化制造方法，并降低制造成本。
在下文中，將參考圖6A到圖6E描述本發(fā)明第三實施例，其中，將省略對與第一實施例中相同的工藝的描述，并將對能夠與第一實施例形成對比的特征內(nèi)容予以描述。
圖6A到圖6E是用于解釋在第一基板100的有機(jī)鈍化層170內(nèi)形成凹凸圖案175的方法示意圖。
如圖6A所示，利用根據(jù)第一實施例的方法，在位于第一絕緣基板110上的有機(jī)鈍化層170的表面內(nèi)形成凹凸圖案175。在有機(jī)鈍化層170為低粘度有機(jī)層的情況下，能夠通過模壓和硬化形成凹凸圖案175。
此后，如圖6B所示，可以在具有凹凸圖案175的有機(jī)鈍化層170的整個表面上形成感光層600。之后，如圖6C所示，利用掩模(未示出)實施曝光和顯影過程，由此去除位于沒有凹凸圖案175的外圍區(qū)域上的感光層600。
接著，如圖6D所示，利用形成于凹凸圖案175上的作為屏障的感光層600去除沒有凹凸圖案175的外圍區(qū)域的有機(jī)鈍化層170?？梢酝ㄟ^蝕刻去除外圍區(qū)域的有機(jī)鈍化層170。
最后，如圖6E所示，通過去除凹凸圖案175上的感光層600，形成高質(zhì)量的凹凸圖案175?？梢酝ㄟ^灰化或剝離去除凹凸圖案175上的感光層600。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，有可能提高凹凸圖案的成品率和反射效率，并簡化透射反射型液晶顯示器的制造方法。
本發(fā)明不限于文字說明和圖示的實施例，在權(quán)利要求范圍內(nèi)可能存在對來自不同實施例的細(xì)節(jié)的多種修改和組合。本發(fā)明尤其可以應(yīng)用于下述的至少一個領(lǐng)域內(nèi)有機(jī)發(fā)光二極管、平板顯示器和電泳指示顯示器。
雖然已經(jīng)展示和描述了本發(fā)明的示范性實施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將要理解的是，可以在這些實施例中做出變化，而不背離本發(fā)明總構(gòu)思的原理和精神，本發(fā)明的范圍在權(quán)利要求及其等價要件中加以界定。
本申請要求于2005年7月19日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請No.2005-006456的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此引入以做參考。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置的制造方法，包括制備絕緣基板；形成在所述絕緣基板上沿橫向延伸的柵極線路和與所述柵極線路交叉并與所述柵極線路絕緣以界定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線路；在所述柵極線路和所述數(shù)據(jù)線路的相交處形成薄膜晶體管；在所述薄膜晶體管上形成有機(jī)鈍化層；放置具有對應(yīng)于所述有機(jī)鈍化層上的所述像素區(qū)域的凹凸圖案的模具，按壓所述模具，從而在所述有機(jī)鈍化層的表面上形成凹凸圖案；以及在所述有機(jī)鈍化層上形成像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括去除所述模具，并去除未形成所述凹凸圖案的所述有機(jī)鈍化層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，通過利用掩模的曝光工藝實施所述有機(jī)鈍化層的去除，所述掩模具有對應(yīng)于所述像素區(qū)域的開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述像素電極的至少一個部分上形成反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述有機(jī)鈍化層為高粘性有機(jī)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，由母基板物質(zhì)制造多個絕緣基板，所述母基板物質(zhì)被劃分為用作絕緣基板的基板部分和對應(yīng)于所述絕緣基板之間的區(qū)域的外圍部分，并且所述模具還包括朝所述母基板物質(zhì)突出的鈍化層去除部分，所述鈍化層去除部分位于對應(yīng)于每一外圍部分的模具區(qū)域上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述有機(jī)鈍化層為低粘度有機(jī)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述模具由透射紫外線的透明材料構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述模具由聚二甲基硅氧烷構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在按壓所述模具的同時使所述有機(jī)鈍化層硬化。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在按壓所述模具時，所述鈍化層去除部分以其末端接觸所述絕緣基板。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在去除所述模具之后，去除殘留在所述外圍區(qū)域上的有機(jī)鈍化層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括去除所述模具，在所述有機(jī)鈍化層的整個表面上形成感光層，之后去除未形成所述凹凸圖案的所述感光層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，通過利用掩模的曝光工藝實施所述感光層的去除，并且所述掩模具有對應(yīng)于所述像素區(qū)域的開口。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括去除未形成所述感光層的所述有機(jī)鈍化層。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括去除在所述凹凸圖案上形成的所述感光層。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述顯示裝置至少包括液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管、平板顯示器和電泳指示顯示器之一。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器的制造方法，包括制備絕緣基板；形成在所述絕緣基板上沿橫向延伸的柵極線路和與所述柵極線路交叉并與所述柵極線路絕緣以界定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線路；在所述柵極線路和所述數(shù)據(jù)線路的相交處形成薄膜晶體管；在所述薄膜晶體管上形成有機(jī)鈍化層；放置具有對應(yīng)于所述有機(jī)鈍化層上的所述像素區(qū)域的凹凸圖案的模具，按壓所述模具，從而在所述有機(jī)鈍化層的表面上形成所述凹凸圖案；以及在所述有機(jī)鈍化層上形成像素電極。因此，本發(fā)明提供了一種液晶顯示器的制造方法，所述方法能夠提高凹凸圖案的成品率和反射效率，并簡化制造工藝。
文檔編號H01L21/00GK1900782SQ20061010596
公開日2007年1月24日 申請日期2006年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月19日
發(fā)明者張在爀, 洪雯杓, 盧南錫, 樸大真 申請人:三星電子株式會社