專利名稱：具有由壓紋結(jié)構形成的存儲有源區(qū)的有機存儲器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明一般而言涉及一種具有由壓紋結(jié)構形成的存儲有源區(qū)的有機存儲器，且更具體而言涉及一種其中形成了存儲有源區(qū)的有機存儲器，因此降低轉(zhuǎn)換時間分布，導致器件可靠性增加。
背景技術：
隨著信息和通訊產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，對于各種存儲器的需求增加了。特別是便攜終端、智能卡、數(shù)碼照相機、游戲、MP3播放器等所需的存儲器要求非易失特性。人們主要使用的是非易失存儲器，例如基于硅材料的閃存。
然而，因為常規(guī)閃存具有有限的記錄/擦除次數(shù)和慢的記錄時間，因此存在缺點。此外，增加集成度的制造成本高，并且芯片制造技術難，這使得它們不能進一步微型化。因此，人們進行了全面的嘗試以發(fā)展實現(xiàn)超高速、高容量、低價格和超小尺寸的下一代非易失存儲器，來克服常規(guī)的硅閃存的物理限制。
在這點上，根據(jù)半導體中構成單位單元的材料的類型，下一代存儲器分類為鐵電隨機存取存儲器(RAM)、磁RAM、相變RAM、納米管RAM、全息存儲器、有機存儲器等。
在這些存儲器中，有機存儲器使用電阻的雙穩(wěn)態(tài)實現(xiàn)了存儲能力，該雙穩(wěn)態(tài)是由向設置在上下電極之間的有機材料施加電壓而導致的。圖1是示出根據(jù)常規(guī)技術的有機存儲器的示意性截面圖。如圖1所示，這樣的常規(guī)有機存儲器通過在襯底100上于第一電極300和第二電極500之間包括有機存儲層400而形成的。
有機存儲器的存儲操作通過在至少兩個電阻狀態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)換而實現(xiàn)。圖2是示出常規(guī)的有機存儲器的轉(zhuǎn)換時間關于電壓的圖。從圖2顯然的是，在一致的電壓脈沖施加到用于轉(zhuǎn)換的存儲器時，在從電壓施加后的預定時間延遲之后才發(fā)生器件的實際響應，而不是在施加電壓后立即發(fā)生。由于對于高速器件的需求在近年來逐漸增加，存儲器的轉(zhuǎn)換速度也變快了，達到40納秒(ns)或以下。然而，轉(zhuǎn)換延遲時間相對慢，例如從幾個微秒(μs)到幾十微秒，因此存在問題。
與通常在無菌環(huán)境中制造的常規(guī)的硅基存儲器不同，有機存儲器可以通過相對低價的工藝制造，例如溶液工藝。由于有機存儲器可以在不能期望清潔的工作環(huán)境中制造，有機存儲器可能易于暴露于例如灰塵的沾染物。因此，如圖1所示，灰塵或缺陷50可以在襯底100和第一電極300之間產(chǎn)生。如果這樣，有機存儲器的有機存儲層400的厚度可能變得不均勻。有機存儲器的有機存儲層400可以制備為20到100納米的厚度，且100nm或更小的細小灰塵可能顯著地不利影響器件性能。
由于灰塵或缺陷50導致的厚度降低和相對薄的一部分有機存儲層400需要施加高電流或電場，所以在有機存儲層400出現(xiàn)灰塵或產(chǎn)生缺陷50的部分，電流或電場的轉(zhuǎn)換可能越來越多地發(fā)生。此外，由于灰塵或缺陷的不規(guī)則產(chǎn)生、存儲器制造中缺陷率不期望的增加、和引起轉(zhuǎn)換精度和精細制造存儲器的正確率降低的問題，具有灰塵或缺陷的存儲器具有不均勻或非常寬的轉(zhuǎn)換延遲時間分布。如果存儲器具有過寬的轉(zhuǎn)換延遲時間分布，存儲器不能發(fā)揮功能或不能應用為存儲器。
當在存儲器的制造工藝中發(fā)生微小灰塵或缺陷的時，這樣的缺陷的產(chǎn)生頻率與有源區(qū)的面積成比例?？梢杂蓭變|單元構成的存儲器以通過降低單位單元的尺寸而降低單元的總面積為目標，且在成本和工藝方面則可能導致額外的困難。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例提供了提高精度和轉(zhuǎn)換正確率的有機存儲器。
根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施例提供了制造有機存儲器的方法，能夠降低存儲器的缺陷率并減少其有效面積。
根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施例提供了一種有機存儲器，包括襯底；第一電極，形成在該襯底上；有機存儲層，形成在該第一電極上；第二電極，形成在該有機存儲層上；和壓紋結(jié)構，設置于部分該有機存儲層，以形成存儲有源區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施例提供了形成有機存儲器的方法，該方法包括在襯底上沉積第一電極；在該第一電極上形成有機存儲層；在該有機存儲層上形成第二電極；和在部分該有機存儲層上設置壓紋結(jié)構以形成存儲有源區(qū)。


圖1是示出根據(jù)常規(guī)技術的有機存儲器的截面圖；圖2是示出常規(guī)有機存儲器的轉(zhuǎn)換延遲的圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的示范性實施例的截面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例的截面圖；圖5到7是示出可通過光刻形成的存儲有源區(qū)的示范性實施例的透視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例的截面圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例的截面圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例的截面圖；圖11是示出在根據(jù)本發(fā)明的示范性方法中制造的器件的截面圖的SEM圖像；圖12A和12B是示出在其操作之前和之后圖11的器件的有源區(qū)的光學顯微圖；且圖13是示出在重復圖11的器件和對比例的轉(zhuǎn)換100個周期時測量的轉(zhuǎn)換時間的圖。
具體實施例方式
下面參考附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示范性實施例。然而，本發(fā)明可以實施為許多不同形式，且不應理解為局限于此處提出的示范性實施例。而是，提供這些實施例使得本公開充分和完全，并將向本領域的技術人員充分傳達本發(fā)明的范疇。在附圖中，為了清楚而夸大了層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
可以理解當元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀睍r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谄渌驅(qū)由匣蛘呶挥谥虚g元件或?qū)由?。相反，當元件被稱為“直接”在其他元件或?qū)印吧稀睍r，則沒有中間元件或?qū)哟嬖?。通篇相似的標號指示相似的元件。這里所用的術語“和/或”包括相關列舉項目的一個或更多的任何和所有組合。
可以理解雖然術語第一、第二和第三等可以于此用來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分應不受這些術語限制。這些術語只用于區(qū)分一個元件、部件、區(qū)域、層或部分與其他元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，以下討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導。
在這里為了描述的方便，可以使用空間相對術語，諸如“下”、“上”等，來描述一個元件或特征和其他(諸)元件或(諸)特征如圖中所示的關系?？梢岳斫饪臻g相對術語旨在包含除了在圖中所繪的方向之外的裝置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其他元件或特征的“下面”的元件則應取向在所述其他元件或特征的“上面”。因此，示范性術語“下面”可以包含下和上兩個方向。裝置也可以有其它取向(旋轉(zhuǎn)90度或其它取向)且相應地解釋這里所使用的空間相對描述語。
這里所使用的術語是只為了描述特別的實施例的目的，而不旨在限制本發(fā)明。如這里所用，單數(shù)形式“一”“該”也旨在包括復數(shù)形式，除非內(nèi)容清楚地指示另外的意思。還應理解，本說明書中使用的術語“包括”指定了存在所述的部件、整體、步驟、操作、元件和/或構件，但不排除存在或增加一個或多個其他部件、整體、步驟、操作、元件、構件和/或其組。
參考剖面圖示在這里描述了本發(fā)明的實施例，該圖示是本發(fā)明的理想實施例(和中間結(jié)構)的示意圖。因此，可以預期由于例如制造技術和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實施例不應解釋為限于這里所示的特別的區(qū)域形狀，而是包括由于例如由制造引起的形狀的偏離。
例如，被示為矩形的注入?yún)^(qū)可以通常具有倒圓或曲線的特征和/或在其邊緣具有注入濃度的梯度而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。相似地，通過注入形成的埋入?yún)^(qū)可以在埋入?yún)^(qū)和通過其產(chǎn)生注入的表面之間的區(qū)域中產(chǎn)生一些注入。因此，圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的且它們的形狀不旨在示出裝置的區(qū)域的實際形狀且不旨在限制本發(fā)明的范圍。
除非另有限定，否則這里使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員通常理解的意思。還應理解，例如那些在通常使用的詞典中定義的術語應該被解釋為具有與相關技術環(huán)境中一致的意思，且不應理解為過度理想或過度正式的意思，除非清楚地如此限定。
下面，將參考附圖給出本發(fā)明的詳細描述。
圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的示范性實施例的截面圖。如圖3所示，存儲器被構建來使得大致粒子形式的壓紋結(jié)構200不連續(xù)分布在襯底100上。壓紋結(jié)構200可以被認為“不連續(xù)”的，因為粒子可以以變化的間距沿襯底100彼此分開。第一電極300、有機存儲層400和第二電極500連續(xù)形成在這樣的襯底100上。
設置于部分有機存儲層400以形成存儲有源區(qū)的壓紋結(jié)構200可以由導電材料或絕緣材料制成。在制造存儲器的方法的一個示范性實施例中，壓紋結(jié)構200可以通過混合具有約10nm到約500nm范圍直徑的有機或無機粒子與粘結(jié)劑聚合物(binder polymer)和溶劑來獲得混合物而形成。粒子可以呈基本圓形或球形?；旌衔锢缤ㄟ^旋涂工藝施加到襯底100，以在襯底100表面形成并分布壓紋結(jié)構200。襯底100涂覆有第一電極300。第一電極300也可以形成在設置于襯底100表面上的壓紋結(jié)構200上或上方。有機存儲層400形成在第一電極300上。有機存儲層400可以通過例如旋涂的溶液工藝形成。第二電極500形成在有機存儲層400上。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例的截面圖。該存儲器被構建為使得壓紋結(jié)構200形成在設置于襯底100上的附加層600上。壓紋結(jié)構200基本形成為相應 形成在襯底100上的附加層600的形狀或輪廓。壓紋結(jié)構200可以設置在有機絕緣層400下面以形成存儲有源區(qū)。
有機絕緣層400和第二電極500可以基本為平坦形，但部分有機絕緣層400和第二電極500可以在相應于壓紋結(jié)構200的區(qū)域中扭曲，在該區(qū)域中壓紋結(jié)構200從襯底100向上突出。在相應于壓紋結(jié)構的區(qū)域中有機絕緣層400的厚度可以減小。被扭曲的部分有機絕緣層400和第二電極500的形狀或尺寸可以基本相應于圖3和4所示的壓紋結(jié)構200的形狀和尺寸。壓紋結(jié)構200有效設置在部分有機絕緣層400上以形成存儲有源區(qū)。
在制造存儲器的一個示范性實施例中，壓紋結(jié)構200可以形成在附加層600上，該附加層是通過使用干涉光照射到聚合物或單體上的表面浮雕格柵形成的。聚合物或單體可以包括偶氮苯(azobenzene)族、光刻、嵌段共聚物蝕刻(block copolymer etching)、電子束平版印刷、或包括上述至少一種的組合。
在附加層600中包括偶氮苯聚合物的另一示范性實施例中，聚合物垂直于光的偏振方向排列。聚合物根據(jù)光的強度移動，引起聚合物厚度改變。利用此現(xiàn)象，制備由這樣的偶氮苯聚合物構成的附加層600，將其暴露于光束干涉圖案、旋轉(zhuǎn)到90°，然后暴露于光束干涉圖案。
形成在附加層600上的壓紋結(jié)構200可以具有圖5所示的基本均勻的點陣列?？梢詫⑵淇醋骶鶆螯c陣列，因為在壓紋結(jié)構200的分布中壓紋結(jié)構200的尺寸和輪廓基本類似(或均勻)。在另一示范性實施例中，在襯底100上分布的壓紋結(jié)構200的間隔或間距可以改變或是隨機的，如圖5所示，或者可以是基本均勻的。
在制造存儲器的方法的另一示范性實施例中，附加層600可以通過光刻工藝形成。光致抗蝕劑施加到襯底上，烘烤，使用掩模曝光，然后顯影，以形成具有期望形狀的壓紋結(jié)構。根據(jù)用于曝光的掩模的形狀，壓紋結(jié)構可以具有圖5所示的均勻的點陣列。在另一示范性實施例中，壓紋結(jié)構可以具有圖6所示的大致線形或者圖7所示的大致格柵形的交叉存儲單元區(qū)。最終形成線形或格柵形的存儲有源區(qū)。
在制造存儲器的方法的另一示范性實施例中，附加層600可以通過嵌段共聚物蝕刻形成。將具有不同蝕刻選擇性的單元的共聚物形式存在的聚合物施加到襯底，將它的部分通過等離子體蝕刻除去，因此形成點結(jié)構。在一個示范性實施例中，聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯的共聚物施加到襯底以形成附加層，隨后對該附加層使用UV蝕刻、等離子體和有機溶劑以除去聚甲基丙烯酸甲酯，因此形成壓紋結(jié)構，在該結(jié)構中聚苯乙烯單元設置成圖5所示的均勻點形式。
在如此形成的附加層600和壓紋結(jié)構200之后，第一電極300、有機存儲層400和第二電極500依次形成，因此制造存儲器。
在示范性實施例中，據(jù)測量通過壓紋結(jié)構200形成的存儲有源區(qū)優(yōu)選在基本垂直于第一電極300的方向形成為從第一電極300約10nm到約500nm的高度或厚度。高度可以被看作是從存儲有源區(qū)上的最高點到第一電極300的相應上表面。有利地，由于工藝中引入的微小灰塵和缺陷而導致的負面影響被減少或有效消除。
圖8是根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例。存儲器以使得壓紋結(jié)構200與襯底100一體形成的方式構建，從而壓紋結(jié)構200可以實際成為襯底100的部分，與獨立“設置”在襯底100上的不同。第一電極300、有機存儲層400和第二電極500依次形成在襯底100上。
第二電極500可以是大致平坦形狀，但部分的第二電極500可以在相應于壓紋結(jié)構200的區(qū)域中扭曲，在該區(qū)域中壓紋結(jié)構200從襯底100向上突出。
在示范性實施例中，襯底100可以包括有機或無機材料。襯底材料可以包括玻璃或硅。為了在襯底上形成壓紋結(jié)構，可以采用光刻、電子束平版印刷等工藝。壓紋結(jié)構形狀的示范性實施例包括但不限于均勻點陣列、線性陣列、或格柵陣列，如圖5到7所示。在另一示范性實施例中，可以由與襯底100一體形成的壓紋結(jié)構200形成的存儲有源區(qū)優(yōu)選從第一電極300形成約10nm到約500nm高度，以有利地消除由于工藝中引入的微小灰塵和缺陷所導致的負面效應。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的另一實施例。該存儲器以這樣的方式形成，使得第一電極300形成在襯底100上，壓紋結(jié)構200與第一電極300一體形成，隨后形成有機存儲層400，然后形成第二電極500。第二電極500可以是大致平坦形狀，但部分第二電極500可以在相應于壓紋結(jié)構200的區(qū)域中被扭曲，在該區(qū)域在壓紋結(jié)構200從襯底100向上突出。
存儲有源區(qū)通過在襯底100上形成第一電極300然后在第一電極300上一體形成壓紋結(jié)構200而實現(xiàn)。
為了形成壓紋結(jié)構，可以采用光刻、電子束平版印刷或類似工藝。壓紋結(jié)構形狀的示范性實施例包括但不限于均勻的點陣列、線性陣列或格柵陣列，如圖5到7所示。在另一示范性實施例中，存儲有源區(qū)優(yōu)選從襯底100形成約10nm到約500nm高度，以有利地消除由于工藝中引入的微小灰塵和缺陷所導致的負面效應。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例的截面圖。該存儲器以這樣的方式構建，使得第一電極300和有機存儲層400依次形成在襯底100上。有機存儲層400的上表面被處理以形成壓紋結(jié)構200從而保證存儲有源區(qū)。第二結(jié)構(電極)500形成在處理過的有機存儲層400的上表面上，并基本對應于由處理過的有機存儲層定義的輪廓。在可選的實施例中，有機存儲層可以在下表面被處理。本質(zhì)上，壓紋結(jié)構200可以設置或提供在有機絕緣層400中以形成存儲有源區(qū)。
為了形成壓紋結(jié)構，可以采用光刻、電子束平版印刷等工藝。在另一示范性實施例中，存儲有源區(qū)優(yōu)選從第二電極500的上表面形成約10nm到約500nm高度(或深度)，以有利地消除由于工藝中引入的微小灰塵和缺陷所導致的負面效應。
在本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例中，可以使用由玻璃或硅形成的有機或無機襯底特別是柔性襯底。
在根據(jù)本發(fā)明形成有機存儲器件的方法的一個示范性實施例中，有機存儲層由介電有機材料或半導體有機材料形成，且有機存儲器的有機存儲層的組分可以隨著存儲器類型的變換而改變。
在本發(fā)明的有機存儲器的另一示范性實施例中，第一電極和第二電極由從包括金屬、金屬合金、金屬氮化物、金屬氧化物、金屬硫化物、碳、導電聚合物和有機導體的組中選擇的至少一種導電材料形成。
在根據(jù)本發(fā)明形成有機存儲器的另一示范性實施例中，可以以這樣的方式制造有機存儲器，通過在有機材料中形成金屬絲和從其除去該金屬絲來引起電阻的變化。這樣的存儲器具有MPM(金屬-聚合物-金屬)結(jié)構。在此存儲器中，由固體電解質(zhì)中原子的移動(擴散)引起電極的氧化-還原反應，且因此金屬絲被形成或除去以產(chǎn)生轉(zhuǎn)換。
根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施例包括用于通過在有機材料中包括金屬納米粒子以俘獲電子從而引起電阻變化的存儲器、用于通過在導電聚合物中包括離子鹽從而根據(jù)離子分布來引起電阻變化的存儲器、以及使用電阻隨氧化-還原反應變化的有機材料的存儲器。
使用氧化-還原反應的本發(fā)明的存儲器的一個示范性實施例可以通過附加這樣的材料到導電聚合物(單體)，利用根據(jù)被電信號氧化或還原的材料狀態(tài)(俘獲的電子態(tài)或解俘獲(detrap)的電子態(tài))來改變導電聚合物的電阻的性質(zhì)。在另一示范性實施例中，在包括納米粒子的存儲器的情況，當具有5nm或以下直徑的金屬粒子分散在絕緣聚合物中時，電荷被俘獲或解俘獲到金屬粒子，因此引起導電性變化。
在包括離子鹽的存儲器的一個示范性實施例中，包括導電聚合物和例如NaCl或CsCl的離子鹽的中間層插入在上下電極之間。這樣，例如NaCl的離子鹽被電勢分解，導致導電聚合物的導電性增加。有利地，當導電聚合物附近出現(xiàn)相對大量的離子時，導電性可以提高。此外，當離子基本分配到存儲器兩側(cè)或朝向上下電極中的每個時，通過施加高電壓，導電性降低。有利地，使得用作存儲器的存儲器的容量增加。在另一示范性實施例中，根據(jù)本發(fā)明的存儲器可以包括包含電極之間的有機層的結(jié)構。
參考下面的示例和對比例描述了制造本發(fā)明的存儲器的方法的示范性實施例，這些實施例是為了解釋本發(fā)明而不是限制本發(fā)明而提出的。
示例具有0.3μm直徑的聚苯乙烯珠和聚磺酸苯乙烯(poly(sulfonate styrene))與水混合，然后通過旋涂工藝施加到用丙酮超聲波清洗過的晶片上，以形成壓紋結(jié)構。接著，作為第一電極，鋁通過熱蒸發(fā)工藝沉積到80nm厚度。P3HT(聚-3-己基噻吩)通過旋涂工藝施加到鋁電極然后在65℃烘烤10分鐘以形成40-50nm厚的有機存儲層。作為第二電極的銅通過熱蒸發(fā)工藝在有機存儲層上沉積到80nm厚度從而制造本發(fā)明的測試器件。圖11示出了如此制造的測試器件的截面圖的SEM圖像。
比較示例按照與上述示例相同的方式制造了測試器件，除了未進行通過溶液涂覆來施加聚苯乙烯珠來形成壓紋結(jié)構的步驟。
圖12A和12B在轉(zhuǎn)換之前和之后存儲單元的照片，示出構成壓紋結(jié)構的聚苯乙烯珠的分布狀態(tài)。如從圖12A和12B中可看出的，在形成測試存儲器的壓紋層的聚苯乙烯珠(以箭頭標記)的位置形成了絲并除去該絲，因此在上電極中觀察到了針孔。
圖13是示出當重復示例和對比例的每個的存儲器的轉(zhuǎn)換100個周期時測量的延遲時間的圖。如從圖13可以看出的，沒有壓紋結(jié)構的對比例的存儲器具有非常寬的延遲時間分布。相反，可以確定本發(fā)明的存儲器顯著降低了延遲時間的分布。
根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例提供了具有由壓紋結(jié)構形成的存儲有源區(qū)的有機存儲器。在制造根據(jù)本發(fā)明的存儲器的方法的一個示范性實施例中，有機存儲器包括通過旋涂形成的有機層。由形成有機層的旋涂中引起的灰塵和缺陷導致的轉(zhuǎn)換延遲時間的分布和長度可以顯著降低。有利地，存儲器的操作可靠性提高。在示范性實施例中，本發(fā)明的存儲結(jié)構例如包括通過旋涂形成的有機層可以應用于使用金屬絲的有機存儲器、使用氧化-還原反應的有機存儲器或使用金屬離子鹽的有機存儲器，只要其適合此處所述的目的即可。
雖然已經(jīng)為了說明的目的公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領域的技術人員應該理解，可以進行各種改進、增加和替換，而不脫離由權利要求所限定的本發(fā)明的范疇和精神。
權利要求
1.一種有機存儲器，包括襯底；第一電極，形成在所述襯底上；有機存儲層，形成在所述第一電極上；第二電極，形成在所述有機存儲層上；和壓紋結(jié)構，設置于所述有機存儲層的部分，以形成存儲有源區(qū)。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述壓紋結(jié)構包括分布在所述襯底與第一電極之間具有基本均勻尺寸的有機或無機粒子。
3.根據(jù)權利要求2所述的有機存儲器，其中所述粒子具有約10nm到約500nm的直徑。
4.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述壓紋結(jié)構形成在設置于所述襯底與第一電極之間的附加層上。
5.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述壓紋結(jié)構形成為大致點形。
6.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述壓紋結(jié)構形成為大致線形。
7.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述壓紋結(jié)構形成為大致格柵形。
8.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述存儲有源區(qū)從所述第一電極的上表面形成為約10nm到約500nm高。
9.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述壓紋結(jié)構與所述襯底一體形成。
10.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述壓紋結(jié)構與所述第一電極一體形成。
11.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其中所述壓紋結(jié)構與所述有機存儲層一體形成。
12.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其為金屬復絲存儲器。
13.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其為通過在有機材料中包括金屬納米粒子而俘獲電子從而引起電阻變化的存儲器。
14.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其為通過在導電聚合物中包括離子鹽的離子分布而引起電阻變化的存儲器。
15.根據(jù)權利要求1所述的有機存儲器，其為使用電阻隨氧化-還原反應而變化的有機材料的存儲器。
16.一種有機存儲器的形成方法，所述方法包括在襯底上沉積第一電極；在所述第一電極上形成有機存儲層；在所述有機存儲層上形成第二電極；和在部分所述有機存儲層上設置壓紋結(jié)構以形成存儲有源區(qū)。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述壓紋結(jié)構呈大致點形。
18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中設置壓紋結(jié)構包括使用干涉光照射到具有偶氮苯族的聚合物或單體上的表面浮雕格柵。
19.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中設置壓紋結(jié)構包括光刻或電子束平版印刷。
20.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中設置壓紋結(jié)構包括嵌段共聚物蝕刻。
21.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述壓紋呈大致線形。
22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中設置壓紋結(jié)構包括光刻或電子束平版印刷。
23.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述壓紋結(jié)構呈大致格柵形。
24.根據(jù)權利要求23所述的方法，其中設置壓紋結(jié)構包括光刻或電子束平版印刷。
25.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中設置壓紋結(jié)構包括與所述襯底一體形成壓紋結(jié)構。
26.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中設置壓紋結(jié)構包括與所述第一電極一體形成壓紋結(jié)構。
27.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中設置壓紋結(jié)構包括與所述有機存儲層一體形成壓紋結(jié)構。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有由壓紋結(jié)構形成的存儲有源區(qū)的有機存儲器，包括襯底；第一電極，形成在所述襯底上；有機存儲層，形成在所述第一電極上；第二電極，形成在所述有機存儲層上；和壓紋結(jié)構，設置于所述有機存儲層，以形成存儲有源區(qū)。
文檔編號H01L21/82GK1933172SQ20061010595
公開日2007年3月21日 申請日期2006年7月19日 優(yōu)先權日2005年9月16日
發(fā)明者周原提, 李光熙, 李相均, 崔太林 申請人:三星電子株式會社