專利名稱：具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路封裝構(gòu)造，特別是涉及一種可以防止在接合 晶片的凸塊時(shí)軟質(zhì)介電層的塌陷，使得點(diǎn)涂膠體能順利充填在電路薄膜與 該晶片之間，而不會(huì)發(fā)生氣泡現(xiàn)象的具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆晶封裝構(gòu)造(Chip-On-Film package)。
技術(shù)背景在以往現(xiàn)有的集成電路封裝構(gòu)造中， 一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造是針對(duì)長(zhǎng) 矩形的顯示器驅(qū)動(dòng)晶片而設(shè)，分別在晶片兩長(zhǎng)側(cè)邊的輸入端與輸出端上均 設(shè)有一金凸塊，并經(jīng)施予壓合與加熱，以接合至一電路薄膜的引腳。當(dāng)晶 片的加熱溫度傳遞至該電路薄膜，常會(huì)導(dǎo)致該電路薄膜受熱塌陷，而導(dǎo)致 變形，使得后續(xù)涂膠困難，優(yōu)良率降低。尤其是在封裝高密度的顯示器驅(qū) 動(dòng)晶片時(shí)，由于晶片的輸出端數(shù)量增多，無法全部在配置在晶片的其中 一長(zhǎng) 側(cè)邊，故部分的晶片輸出端(凸塊)會(huì)配置于晶片的其中兩短側(cè)邊，而會(huì)影 響點(diǎn)涂膠體的流動(dòng)速率。請(qǐng)參閱圖1、圖2所示，是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的截面示意圖 及底面透視圖。 一種現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造100，包含一電路薄膜 110、 一晶片120以及一點(diǎn)涂膠體130。該晶片120具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊121，以 接合至該電路薄膜110。該點(diǎn)涂膠體130是在粘晶之后以點(diǎn)涂方式形成并經(jīng) 毛細(xì)流動(dòng)，以填充在該晶片120與該電路薄膜110之間。該電路薄膜110具 有一軟質(zhì)介電層lll、復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引腳112、復(fù)數(shù)個(gè)短倒引腳113以及一防 焊層114。該防焊層114具有一開孔115，以顯露該些長(zhǎng)倒引腳112的復(fù)數(shù) 個(gè)內(nèi)接合部112A、該些短側(cè)引腳113的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部113A以及該軟質(zhì)介 電層lll對(duì)應(yīng)于該晶片120的中央位置。并且，該晶片120的該些凸塊121 是排列于一主動(dòng)面的四周邊(如圖2所示)，以熱壓合方法接合至該些長(zhǎng)側(cè) 引腳112的內(nèi)接合部112A與該些短側(cè)引腳113的內(nèi)接合部113A。因此，請(qǐng)參閱圖3所示，是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造在晶片接合 時(shí)的截面示意圖。該軟質(zhì)介電層111對(duì)應(yīng)于該晶片120的主動(dòng)面中央下方 處為單層型態(tài)，缺乏足夠的支撐，在該晶片120的接合過程會(huì)受熱導(dǎo)致塌 陷(如圖3所示的塌陷處111A);導(dǎo)致該晶片120的主動(dòng)面中央與該電路薄' 膜110的間隙小于該晶片120的主動(dòng)面周邊與該電路薄膜110的間隙，故該 點(diǎn)涂膠體在后續(xù)點(diǎn)涂過程中會(huì)在不同位置產(chǎn)生不同的流動(dòng)速率，特別
是在該塌陷處111A與該晶片120之間會(huì)產(chǎn)生氣泡131(如圖l所示)，由于該 點(diǎn)涂膠體130的填充不實(shí)，而導(dǎo)致封裝優(yōu)良率降低。原申請(qǐng)人在中國(guó)臺(tái)灣專利公告第505315號(hào)揭示了一種"薄膜覆晶封裝 構(gòu)造"， 一導(dǎo)流條是形成于一軟質(zhì)薄膜的上表面，以導(dǎo)引一底部填充材(即 點(diǎn)涂膠體)的流動(dòng)，為達(dá)到導(dǎo)流效果，該導(dǎo)流條的配置方向是與一晶片的較 長(zhǎng)側(cè)邊為垂直，無法達(dá)到明顯支撐效果，故該軟質(zhì)薄膜仍會(huì)受熱塌陷。由此可見，上述現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存 在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān) 廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā) 展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān) 業(yè)者急欲解決的問題。西此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型的具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆 晶封裝構(gòu)造，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目 標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事 此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積 極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，能 夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研 究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本 發(fā)明。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造存在的缺陷，而 提供一種新型的具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題 是使其可以防止在接合一晶片的凸塊時(shí)軟質(zhì)介電層的塌陷，使得在電路薄 膜與晶片之間維持有可供膠體順利流動(dòng)的 一致間隙。因此在后續(xù)制程中點(diǎn) 膠形成的點(diǎn)涂膠體能夠順利充填在該電路薄膜與該晶片之間，不會(huì)發(fā)生氣 泡，兼具有導(dǎo)熱與電性屏障的功效，非常適于實(shí)用。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新型的具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆晶封 裝構(gòu)造，所要解決的技術(shù)問題是使其中在該覆晶接合區(qū)的不同較長(zhǎng)側(cè)的該 些延長(zhǎng)引腳是為交錯(cuò)排列，而可以避免該些延長(zhǎng)引腳間電性短路及一點(diǎn)涂 膠體流動(dòng)的干擾，從而更加適于實(shí)用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以卞技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù) 本發(fā)明提出的一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其包含 一電路薄膜，其具有一軟 質(zhì)介電層、復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引腳以及復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳； 一晶片，其具有復(fù)數(shù)個(gè) 凸塊，其是接合至該些長(zhǎng)側(cè)引腳與該些短側(cè)引腳；以及一點(diǎn)涂膠體，其是 形成于該電路薄膜與該晶片之間；其中，該電路薄膜定義有一對(duì)應(yīng)于該晶片
且概呈矩形的覆晶接合區(qū)，該些長(zhǎng)側(cè)引腳的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部是排列于該覆 晶接合區(qū)的兩較長(zhǎng)側(cè)，該些短側(cè)引腳的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部是排列于該覆晶接 合區(qū)的兩較短側(cè)，其中在該些長(zhǎng)側(cè)引腳中包含復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)引腳，該些延長(zhǎng) 引腳的延長(zhǎng)部是較長(zhǎng)于相鄰長(zhǎng)側(cè)引腳的內(nèi)接合部且往該覆晶接合區(qū)的中央電層的塌陷，以利于該點(diǎn)涂膠體的充填。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的該些延長(zhǎng)引腳的延長(zhǎng)部的長(zhǎng)度是大于未延長(zhǎng)的該些長(zhǎng)側(cè)引腳的內(nèi)接合部的平均長(zhǎng)度，且不大于該覆晶接合區(qū)的一半寬度。前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其另包含有一防焊層，其形成于該軟質(zhì)介電 層上并局部覆蓋該些長(zhǎng)側(cè)引腳與該些短側(cè)引腳，并且該防焊層是具有一開 孔，其是顯露該些長(zhǎng)側(cè)引腳的該些內(nèi)接合部、該些短側(cè)引腳的該些內(nèi)接合部 及該些延長(zhǎng)引腳的該些內(nèi)接合部。前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的點(diǎn)涂膠體是密封該些凸塊、該 些長(zhǎng)側(cè)引腳的該些內(nèi)接合部、該些短側(cè)引腳的該些內(nèi)接合部及該些延長(zhǎng)引 腳的該些內(nèi)4妻合部。前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中在該覆晶接合區(qū)的不同較長(zhǎng)側(cè)的該些 延長(zhǎng)引腳是為交錯(cuò)排列。前迷的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的該些延長(zhǎng)引腳的該些內(nèi)接合部 是隨著往該覆晶接合區(qū)的中央而漸長(zhǎng)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其包含 一電路薄膜,其具有一軟質(zhì)介 電層以及復(fù)數(shù)個(gè)引腳； 一晶片，其具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，其是接合至該些引腳的 復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部；以及一點(diǎn)涂膠體，其形成于該電路薄膜與該晶片之間；其 中，該電路薄膜定義有一對(duì)應(yīng)于該晶片且概呈矩形的覆晶接合區(qū)，該些引腳 的該些內(nèi)接合部是排列于該覆晶接合區(qū)的周邊，其中在該些引腳中包含至 少一延長(zhǎng)引腳，該延長(zhǎng)引腳的延長(zhǎng)部是較長(zhǎng)于相鄰引腳的內(nèi)接合部且往該 覆晶接合區(qū)的中央延伸，以防ih在接合該些引腳與該些凸塊時(shí)該軟質(zhì)介電 層的塌陷，以利于該點(diǎn)涂膠體的充填。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。 前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的該些延長(zhǎng)引腳的延長(zhǎng)部的長(zhǎng)度 是大于未延長(zhǎng)的該些引腳的內(nèi)接合部的平均長(zhǎng)度，且不大于該覆晶接合區(qū) 的一半寬度。前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其另包含有一防焊層，其形成于該軟質(zhì)介電 層上并局部覆蓋該些引腳，并且該防焊層具有一開孔，其是顯露該些引腳與
該延長(zhǎng)引腳的該些內(nèi)接合部。前述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其中所述的點(diǎn)涂膠體是密封該延長(zhǎng)引腳的 該內(nèi)接合部。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效杲。由以上可知，為了 達(dá)到上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造，主要包含一電路薄 膜、 一晶片及一點(diǎn)涂膠體。該電路薄膜具有一軟質(zhì)介電層、復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引 腳以及復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳。該晶片具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，其是接合至該些長(zhǎng)側(cè)《1腳 與該些短側(cè)引腳。該點(diǎn)涂膠體是形成于該電路薄膜與該晶片之間。其中，該 電路薄膜是定義有一對(duì)應(yīng)于該晶片且概呈矩形的覆晶接合區(qū)，該些長(zhǎng)側(cè)引 腳的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部是排列于該覆晶接合區(qū)的兩較長(zhǎng)側(cè)，該些短側(cè)引腳的 復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部是排列于該覆晶接合區(qū)的兩較短側(cè)，其中在該些長(zhǎng)側(cè)引腳 中是包含復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)引腳，該些延長(zhǎng)引腳的內(nèi)接合部是較長(zhǎng)于相鄰長(zhǎng)側(cè)引 腳的內(nèi)接合部且往該覆晶接合區(qū)的中央延伸，可以防止在接合該些凸塊至 該些長(zhǎng)側(cè)引腳與該些短側(cè)引腳時(shí)該軟質(zhì)介電層的塌陷，以利于該點(diǎn)涂膠體 的充填，不會(huì)發(fā)生氣泡現(xiàn)象。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆晶封裝構(gòu)造至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明在一電路薄膜是定義有一概呈矩形的覆晶接合區(qū)，并具有在 一軟質(zhì)介電層上的復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引腳與復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳，其中在該些長(zhǎng)側(cè)引 腳中包含復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)引腳，該些延長(zhǎng)引腳的內(nèi)接合部是較長(zhǎng)于相鄰長(zhǎng)側(cè)引 腳的內(nèi)接合部且往該覆晶接合區(qū)的中央延伸，可以防止在接合一晶片的凸 塊時(shí)該軟質(zhì)介電層的塌陷，使得在該電路薄膜與該晶片之間維持有可供膠 體順利流動(dòng)的一致間隙。因此，在后續(xù)制程中點(diǎn)膠形成的點(diǎn)涂膠體能夠順 利充填在該電路薄膜與該晶片之間，不會(huì)發(fā)生氣泡，兼具有導(dǎo)熱與電性屏 障的功效，非常適于實(shí)用。2 、本發(fā)明在該覆晶接合區(qū)的不同較長(zhǎng)側(cè)的該些延長(zhǎng)引腳是為交錯(cuò)排 歹'J，而可以避免該些延長(zhǎng)引腳間電性短路及一點(diǎn)涂膠體流動(dòng)的干擾，從而更 加適于實(shí)用。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)一種具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，主要 包含有一電路薄膜、 一凸塊化晶片以及一點(diǎn)涂膠體，該電路薄膜是定義有 一對(duì)應(yīng)于該晶片且概呈矩形的覆晶接合區(qū)并具有一軟性介電層、復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng) 側(cè)？ 1腳及復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳，該些長(zhǎng)側(cè)引腳與短#^ 1腳的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部是 分別排列于該覆晶接合區(qū)的兩較長(zhǎng)側(cè)與兩較短側(cè)，其中在該些長(zhǎng)側(cè)引腳中 是包含復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)引腳，該些延長(zhǎng)引腳的內(nèi)接合部是較長(zhǎng)于相鄰長(zhǎng)側(cè)引腳 的內(nèi)接合部且往該覆晶接合區(qū)的中央延伸，可以防止在接合該晶片的凸塊 時(shí)該軟質(zhì)介電層的塌陷。因此，該點(diǎn)涂膠體能順利充填在該電路薄膜與該
晶片之間，不會(huì)發(fā)生氣泡現(xiàn)象。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不 論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了 好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的薄膜覆晶封裝構(gòu)造具有增進(jìn)的突出功效，從 而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的 新設(shè)計(jì)。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附 圖，詳細(xì)說明如下。


圖l是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的截面示意圖。圖2是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造的底面透視圖。 圖3是現(xiàn)有習(xí)知的薄膜覆晶封裝構(gòu)造在晶片接合時(shí)的截面示意圖。 圖4是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例， 一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造的截面示 意圖。圖5是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，該薄膜覆晶封裝構(gòu)造的底面透視圖。圖6是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，該薄膜覆晶封裝構(gòu)造于晶片接合 時(shí)的截面示意圖。圖7是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例，另一薄膜覆晶封裝構(gòu)造的底面透 視圖。100:薄膜覆晶封裝構(gòu)造110:電路薄膜111:軟質(zhì)介電層111A:塌陷處112:長(zhǎng)側(cè)引腳112A:內(nèi)接合部113:短側(cè)引腳113A:內(nèi)接合部114防焊層115開孔120晶片121凸塊130點(diǎn)涂膠體131氣泡200薄膜覆晶封裝構(gòu)造210電路薄膜210A:覆晶接合區(qū)211軟質(zhì)介電層212長(zhǎng)側(cè)引腳212A:內(nèi)接合部213短側(cè)引腳213A:內(nèi)接合部214延長(zhǎng)引腳214A:延長(zhǎng)部215防焊層216開孔220晶片221凸塊
2 30:點(diǎn)涂膠體310:電路薄膜310A:覆晶接合區(qū)311:長(zhǎng)側(cè)引腳311A:內(nèi)接合部312:短側(cè)引腳312A:內(nèi)接合部313:延長(zhǎng)引腳313A:延長(zhǎng)部具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的具有延長(zhǎng)引腳的薄膜 覆晶封裝構(gòu)造其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。請(qǐng)參閱圖4所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，一種薄膜覆晶封裝 構(gòu)造的截面示意圖。本發(fā)明第一具體實(shí)施例揭示的一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造 200，主要包含一電路薄膜210、一晶片220以及一點(diǎn)涂膠體230。該晶片220 是接合于該電路薄膜210上，該電路薄膜210是定義有一對(duì)應(yīng)于該晶片220 且概呈矩形的覆晶接合區(qū)210A(如圖5所示)。請(qǐng)參閱圖4與圖5所示，圖5是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例該薄膜 覆晶封裝構(gòu)造的底面透視圖。該電路薄膜210,具有一軟質(zhì)介電層211、復(fù) 數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引腳212以及復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳213，其中在該些長(zhǎng)側(cè)引腳212中包 含有復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)引腳214。通常該軟質(zhì)介電層211的材質(zhì)是可為聚酰亞胺 (polyimide, PI),作為該些長(zhǎng)側(cè)引腳212、該些短側(cè)引腳213與該些延長(zhǎng) 引腳214的載膜，以利巻帶式傳輸。而在硬度上，該些延長(zhǎng)引腳214是高 于該軟質(zhì)介電層211,例如銅(Cu)。其中，如圖5所示，該些長(zhǎng)側(cè)引腳212 的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部212A是排列于該覆晶接合區(qū)210A的兩較長(zhǎng)側(cè)，該些短 側(cè)引腳213的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部213A是排列于該覆晶接合區(qū)210A的兩較短 側(cè)，該些延長(zhǎng)引腳214的復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)部214A是較長(zhǎng)于相鄰長(zhǎng)側(cè)引腳212的 內(nèi)接合部212A且往該覆晶接合區(qū)210A的中央延伸(如圖5所示)。通常該 些延長(zhǎng)引腳214的延長(zhǎng)部214A的長(zhǎng)度是大于未延長(zhǎng)的長(zhǎng)側(cè)引腳212的內(nèi)接 合部212A的平均長(zhǎng)度，且不大于該覆晶接合區(qū)210A的一半寬度，即不超 過該覆晶接合區(qū)210A(晶片220)的一中心線，可以避免與另一長(zhǎng)側(cè)的長(zhǎng)側(cè) 引腳212發(fā)生電性短路，又可以增進(jìn)該點(diǎn)涂膠體230在中央的流動(dòng)擴(kuò)散，防 止膠體回包產(chǎn)生氣泡。較佳地，再如圖5所示，位于該覆晶接合區(qū)210A的 不同較長(zhǎng)側(cè)的該些延長(zhǎng)引腳214是為交錯(cuò)排列，能夠避免該些延長(zhǎng)引腳2M 間電性短路及該點(diǎn)涂膠體230流動(dòng)的干擾。在本實(shí)施例沖，該電路薄膜21G是另包含有一防焊層215,例如液態(tài)感 光性焊罩層(liquid ph()toimagable solder mask, LPI)、 感光性覆蓋層 (photoimagable cover layer, PIC)、或可為一般非感光性介電材質(zhì)的非
導(dǎo)電油墨或覆蓋層(cover layer)。該防焊層215是形成于該軟質(zhì)介電層211 上并局部覆蓋該些長(zhǎng)側(cè)引腳212與該些短側(cè)引腳213,并且該防焊層215是 具有一開孔216，其是顯露該些長(zhǎng)側(cè)引腳212的該些內(nèi)接合部212A、該些 短側(cè)引腳213的該些內(nèi)接合部213A以及該些延長(zhǎng)引腳214的該些延長(zhǎng)部 214A。該晶片220是具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊221,其是設(shè)于該晶片220的一主動(dòng)面的 周邊。該些凸塊221是接合至該些長(zhǎng)側(cè)引腳212的該些內(nèi)接合部212A、該 些短側(cè)引腳213的該些內(nèi)接合部213A及該些延長(zhǎng)引腳214的該些延長(zhǎng)部 214A。該點(diǎn)涂膠體230是形成于該電路薄膜210與該晶片220之間。通常 該點(diǎn)涂膠體230是為一底部填充膠，在點(diǎn)涂時(shí)具有良好流動(dòng)性，藉由毛細(xì) 作用填滿于該電路薄膜210與該晶片220之間。在本實(shí)施例中，該點(diǎn)涂膠 體230是密封該些凸塊221、該些長(zhǎng)側(cè)引腳212的該些內(nèi)接合部212A、該 些短側(cè)引腳213的該些內(nèi)接合部213A與該些延長(zhǎng)引腳214的該些延長(zhǎng)部 214A。在該晶片220接合至該電路薄膜210的過程，會(huì)施加壓合力與加熱該 晶片220與該電路薄膜210,使該些凸塊221鍵合至該些長(zhǎng)側(cè)引腳212的該 些內(nèi)接合部212A、該些短側(cè)引腳213的該些內(nèi)接合部213A與該些延長(zhǎng)引腳 214的該些延長(zhǎng)部214A。請(qǐng)參閱圖6所示，是依據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例，該薄膜覆晶封裝構(gòu) 造于晶片接合時(shí)的截面示意圖。該些延長(zhǎng)引腳214的該些延長(zhǎng)部214A(圖中 未示出)會(huì)支撐住受熱的該軟質(zhì)介電層211，不使其過度塌陷。故在該些凸 塊221接合之后，該軟質(zhì)介電層21與該晶片220之間能保持一致的間隙， 在后續(xù)的點(diǎn)膠步驟中，該點(diǎn)涂膠體230能充填在該晶片220與該電路薄膜 210之間，不會(huì)發(fā)生氣泡。請(qǐng)參閱圖7所示，是依據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例另一薄膜覆晶封裝 構(gòu)造的底面透視圖。在第二具體實(shí)施例中，揭示了另一種薄膜覆晶封裝構(gòu) 造，主要包含一電路薄膜、 一晶片以及一點(diǎn)涂膠體，其中晶片與點(diǎn)涂膠體可 與第一具體實(shí)施例相同，故此不再繪示及贅述。如圖7所示，該電路薄膜 310亦定義有一概呈矩形的覆晶接合區(qū)310A,并具有在一軟質(zhì)介電層上的 復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引腳311、復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳312及復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)引腳313，該些長(zhǎng) 側(cè)引腳311的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部311A與該些延長(zhǎng)引腳313的復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)部 313A是交錯(cuò)排列于該覆晶接合區(qū)310A的兩較長(zhǎng)側(cè)，該些短側(cè)引腳312的復(fù) 數(shù)個(gè)內(nèi)接合部312A是排列于該覆晶接合區(qū)310A的兩較短側(cè)，該些延長(zhǎng)引 腳313的該些延長(zhǎng)部313A是較長(zhǎng)于相鄰長(zhǎng)側(cè)引腳311的內(nèi)接合部311A且 往該覆晶接合區(qū)310A的中央延伸，可以防止晶片接合時(shí)該軟質(zhì)介電層受熱 塌陷，而影響了點(diǎn)涂膠體的充填。在本實(shí)施例中，該些延長(zhǎng)引腳313的該
些延長(zhǎng)部313A是隨著往該覆晶接合區(qū)310A的中央而漸長(zhǎng)，可以增強(qiáng)該電 路薄膜310對(duì)應(yīng)于該晶片的中央位置的防塌陷強(qiáng)度。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例 所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其包含一電路薄膜，其具有一軟質(zhì)介電層、復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引腳以及復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳；一晶片，其具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，其是接合至該些長(zhǎng)側(cè)引腳與該些短側(cè)引腳；以及一點(diǎn)涂膠體，其是形成于該電路薄膜與該晶片之間；其中，該電路薄膜定義有一對(duì)應(yīng)于該晶片且概呈矩形的覆晶接合區(qū)，該些長(zhǎng)側(cè)引腳的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部是排列于該覆晶接合區(qū)的兩較長(zhǎng)側(cè)，該些短側(cè)引腳的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部是排列于該覆晶接合區(qū)的兩較短側(cè)，其中在該些長(zhǎng)側(cè)引腳中包含復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)引腳，該些延長(zhǎng)引腳的延長(zhǎng)部是較長(zhǎng)于相鄰長(zhǎng)側(cè)引腳的內(nèi)接合部且往該覆晶接合區(qū)的中央延伸，以防止在接合該些凸塊至該些長(zhǎng)側(cè)引腳與該些短側(cè)引腳時(shí)該軟質(zhì)介電層的塌陷，以利于該點(diǎn)涂膠體的充填。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的平均長(zhǎng)度，且不大于該覆晶接合區(qū)的一半寬度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其另包含有 一防焊層，其形成于該軟質(zhì)介電層上并局部覆蓋該些長(zhǎng)側(cè)引腳與該些短側(cè) 引腳，并且該防焊層是具有一開孔，其是顯露該些長(zhǎng)側(cè)引腳的該些內(nèi)接合 部、該些短側(cè)引腳的該些內(nèi)接合部及該些延長(zhǎng)引腳的該些內(nèi)接合部。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其中所 述的點(diǎn)涂膠體是密封該些凸塊、該些長(zhǎng)側(cè)引腳的該些內(nèi)接合部、該些短側(cè) 引腳的該些內(nèi)接合部及該些延長(zhǎng)引腳的該些內(nèi)接合部。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其中在該覆 晶接合區(qū)的不同較長(zhǎng)側(cè)的該些延長(zhǎng)§ I腳是為交錯(cuò)排列。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 該些延長(zhǎng)引腳的該些內(nèi)接合部是隨著往該覆晶接合區(qū)的中央而漸長(zhǎng)。
7、 一種薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其包含: 一電路薄膜,其具有一軟質(zhì)介電層以及復(fù)數(shù)個(gè)引腳；一晶片，其具有復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，其是接合至該些引腳的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部；以及一點(diǎn)涂膠體,其形成于該電萚薄膜與該晶片之間； 其中，該電路薄膜定義有一對(duì)應(yīng)于該晶片且概呈矩形的覆晶接合區(qū)，該 些引腳的該些內(nèi)接合部是排列于該覆晶接合區(qū)的周邊，其中在該些引腳中包含至少一延長(zhǎng)引腳，該延長(zhǎng)引腳的延長(zhǎng)部是較長(zhǎng)于相鄰引腳的內(nèi)接合部 且往該覆晶接合區(qū)的中央延伸，以防止在接合該些引腳與該些凸塊時(shí)該軟 質(zhì)介電層的塌陷，以利于該點(diǎn)涂膠體的充填。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 該些延長(zhǎng)引腳的延長(zhǎng)部的長(zhǎng)度是大于未延長(zhǎng)的該些引腳的內(nèi)接合部的平均 長(zhǎng)度，且不大于該覆晶接合區(qū)的一半寬度。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其另包含有 一防焊層，其形成于該軟質(zhì)介電層上并局部覆蓋該些引腳，并且該防焊層 具有一開孔，其是顯露該些引腳與該延長(zhǎng)引腳的該些內(nèi)接合部。
10、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，其特征在于其中所述的 點(diǎn)涂膠體是密封該延長(zhǎng)引腳的該內(nèi)接合部。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種具有延長(zhǎng)引腳的薄膜覆晶封裝構(gòu)造，主要包含有一電路薄膜、一凸塊化晶片以及一點(diǎn)涂膠體，該電路薄膜是定義有一對(duì)應(yīng)于該晶片且概呈矩形的覆晶接合區(qū)并具有一軟性介電層、復(fù)數(shù)個(gè)長(zhǎng)側(cè)引腳及復(fù)數(shù)個(gè)短側(cè)引腳，該些長(zhǎng)側(cè)引腳與短側(cè)引腳的復(fù)數(shù)個(gè)內(nèi)接合部是分別排列于該覆晶接合區(qū)的兩較長(zhǎng)側(cè)與兩較短側(cè)，其中在該些長(zhǎng)側(cè)引腳中是包含復(fù)數(shù)個(gè)延長(zhǎng)引腳，該些延長(zhǎng)引腳的內(nèi)接合部是較長(zhǎng)于相鄰長(zhǎng)側(cè)引腳的內(nèi)接合部且往該覆晶接合區(qū)的中央延伸，以防止在接合該晶片的凸塊時(shí)該軟質(zhì)介電層的塌陷。因此，該點(diǎn)涂膠體能順利充填在該電路薄膜與該晶片之間，不會(huì)發(fā)生氣泡。
文檔編號(hào)H01L23/28GK101118896SQ20061009918
公開日2008年2月6日 申請(qǐng)日期2006年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月2日
發(fā)明者楊郁廷 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司;百慕達(dá)南茂科技股份有限公司