專(zhuān)利名稱(chēng)：晶粒的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶粒的封裝方法，特別是一種晶粒的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參考圖1A至圖1C，其表示了現(xiàn)有晶粒的制造方法示意圖。首先，請(qǐng)參考圖1A，提供晶圓11，晶圓11中界定復(fù)數(shù)個(gè)晶粒111(如虛線(xiàn)所示)，晶圓11具有第一表面112。請(qǐng)參考圖1B，接著，形成復(fù)數(shù)個(gè)凸塊12在晶圓11的第一表面112上，其中凸塊12的較佳材料為金。請(qǐng)參考圖1C，接著，切割晶圓11，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒111。
現(xiàn)有技術(shù)的晶粒封裝方法是在整片晶圓11上形成凸塊12，再切割晶圓11為晶粒111。若要在單一晶粒上植凸塊，將會(huì)很困難并且耗費(fèi)大量的時(shí)間。因此，現(xiàn)有技術(shù)的晶粒封裝方法將無(wú)法滿(mǎn)足單一晶粒上植凸塊的需求。
因此，有必要提供一種創(chuàng)新且具有進(jìn)步性的晶粒封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶粒的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以使單顆晶粒容易植上凸塊，進(jìn)而使晶粒應(yīng)用于堆疊式的封裝結(jié)構(gòu)中。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明晶粒的制造方法，包括以下步驟(a)提供平板，平板具有第一表面及第二表面；(b)形成復(fù)數(shù)個(gè)第一晶粒在平板的第一表面上，第一晶粒具有第一表面和第二表面；(c)形成復(fù)數(shù)個(gè)凸塊在第一晶粒的第一表面上；及(d)切割平板，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒組，每一個(gè)晶粒組具有平板單元、第一晶粒及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，第一晶粒位于平板單元的第一表面上。
本發(fā)明具有晶粒組的封裝結(jié)構(gòu)，包括晶粒組及基板。晶粒組包括平板單元、第一晶粒及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊。平板單元具有第一表面及第二表面。第一晶粒設(shè)置在平板單元的第一表面上，第一晶粒具有第一表面及第二表面。凸塊形成于第一晶粒的第一表面上?；寰哂械谝槐砻婕暗诙砻妫Я＝M倒置在基板的第一表面上，以使凸塊直接與基板電性連接。
綜上所述，采用本發(fā)明具有如下的優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明可在單一晶粒上形成凸塊，進(jìn)而應(yīng)用在堆疊式的晶粒封裝結(jié)構(gòu)中，不須再經(jīng)過(guò)復(fù)雜的程序來(lái)完成，可大量節(jié)省植入凸塊的時(shí)程。


圖1A至圖1C表示了現(xiàn)有晶粒的制造方法的示意圖；圖2A至2C表示了本發(fā)明晶粒上植凸塊的方法示意圖；圖2D表示了本發(fā)明具有晶粒組的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；及圖2E表示了本發(fā)明具有晶粒的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)示意圖。
其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下11晶圓111晶粒112第一表面 12凸塊2本發(fā)明的晶粒組20平板201第一表面202第二表面 21晶粒211第一表面 212第二表面22凸塊23平板單元231第一表面3本發(fā)明具有晶粒組的封裝結(jié)構(gòu)30本發(fā)明的晶粒組 31晶粒32凸塊33平板單元34底膠35基板351第一表面4本發(fā)明具有晶粒組的封裝結(jié)構(gòu)40第一晶粒組 41第一晶粒42凸塊43平板單元432第二表面 44底膠
45基板451第一表面46第二晶粒47導(dǎo)線(xiàn)48封膠具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖2A至圖2C，其表示了依照本發(fā)明的晶粒的制造方法的示意圖。請(qǐng)參考圖2A，首先，提供平板20，平板20具有第一表面201及第二表面202，第二表面202是相對(duì)于第一表面201而言，其中在實(shí)施例中，第一表面201是線(xiàn)路面，在其他應(yīng)用上，第二表面202也可以是線(xiàn)路面。接著，形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒21在平板20的第一表面201上，晶粒21具有第一表面211及第二表面212，第二表面212是相對(duì)于第一表面211而言，其中晶粒21以陣列式排列并利用樹(shù)脂貼附在平板20的第一表面201上。
請(qǐng)參考圖2B，形成復(fù)數(shù)個(gè)凸塊22在晶粒21的第一表面211上，其中凸塊22的較佳材料為金。
請(qǐng)參考圖2C，切割平板20以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒組2，每一個(gè)晶粒組2包括平板單元23、晶粒21及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊22。平板單元23具有第一表面231。晶粒21的第二表面212貼附在平板單元23的第一表面231上。凸塊23形成在晶粒21的第一表面211上。
請(qǐng)參考圖2D，其表示了本發(fā)明的具有晶粒組的封裝結(jié)構(gòu)3的示意圖。具有晶粒組的封裝結(jié)構(gòu)3包括基板35、晶粒組30及底膠34?；?5具有第一表面351。晶粒組30與上述圖2C的晶粒組2結(jié)構(gòu)相同，晶粒組30倒置在基板35的第一表面351上，使凸塊32直接與基板35的第一表面351電性連接。底膠34用以使晶粒組30與基板35得到良好的結(jié)合，并保護(hù)凸塊32與基板35的結(jié)合處。
請(qǐng)參考圖2E，其表示了本發(fā)明具有單晶粒組的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)4的示意圖。具有單晶粒組的堆疊式封裝結(jié)構(gòu)4包含第一晶粒組40、基板45、第二晶粒組46及封膠48。第一晶粒組40的結(jié)構(gòu)與上述圖2D的晶粒組3的結(jié)構(gòu)相同。第一晶粒組40包括平板單元43、第一晶粒41及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊42。第一晶粒組40倒置在基板45的第一表面451上，使凸塊42直接與基板45的第一表面451電性連接，并利用底膠44使第一晶粒組40與基板45得到良好的結(jié)合，并保護(hù)凸塊42與基板45的結(jié)合處。
第二晶粒46利用底膠貼置在平板單元43的第二表面432上。第二晶粒組46通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)47與基板45的第一表面451電性連接。封膠48用以封裝第一晶粒組40及第二晶粒組46以及導(dǎo)線(xiàn)47，以形成堆疊式封裝結(jié)構(gòu)4。
因此，利用本發(fā)明的在單晶粒上植凸塊的方法，可以于單晶粒上容易植上凸塊，因此，可以改善現(xiàn)有技術(shù)不易于單晶粒上植凸塊的缺點(diǎn)，并大量減少在單晶粒上植凸塊的時(shí)間。
上述實(shí)施例僅為說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。因此，熟知此技術(shù)的人員可在不違背本發(fā)明精神的基礎(chǔ)上對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改與變化。本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以后述的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有晶粒組的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一晶粒組，包括一平板單元，具有一第一表面及一第二表面；一第一晶粒，設(shè)置在該平板單元的該第一表面上，該第一晶粒具有第一表面及第二表面；復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，形成在該第一晶粒的該第一表面上；及一基板，具有一第一表面及一第二表面，該晶粒組倒置在該基板的第一表面上，以使該凸塊直接與該基板電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該平板單元的該第二表面為一線(xiàn)路面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板的該第一表面為一線(xiàn)路面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該凸塊的材料為金。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一第二晶粒，該第二晶粒設(shè)置在該平板單元的該第二表面上，該第二晶粒與該基板的第一表面電性連接。
6.一種具有晶粒組封裝結(jié)構(gòu)的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟提供一平板，該平板具有一第一表面及一第二表面；形成復(fù)數(shù)個(gè)第一晶粒在該平板的第一表面上，該第一晶粒具有一第一表面及一第二表面；形成復(fù)數(shù)個(gè)凸塊在該第一晶粒的該第一表面上；及切割該平板，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒組，每一個(gè)晶粒組具有一平板單元、一第一晶粒及復(fù)數(shù)個(gè)凸塊，該第一晶粒在該平板單元的一第一表面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述形成復(fù)數(shù)個(gè)第一晶粒在該平板的第一表面上的步驟中該第一晶粒以樹(shù)脂貼附在該平板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟(c)中該凸塊的材料為金。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述切割該平板，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒組的步驟之后還包括將該晶粒組倒置在一基板的一第一表面上，其中該凸塊直接與該基板的該第一表面電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述將該晶粒組倒置在一基板的一第一表面上的步驟之后還包括形成一第二晶粒在該平板單元的一第二表面上，該第二晶粒設(shè)置在該平板單元的該第二表面上，該第二晶粒與該基板的第一表面電性連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶粒的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，本發(fā)明的制造方法包括以下步驟提供平板，平板具有第一表面和第二表面；形成復(fù)數(shù)個(gè)第一晶粒在平板的第一表面上，第一晶粒具有第一表面和第二表面；形成復(fù)數(shù)個(gè)第一凸塊在第一晶粒的第一表面上；及切割平板，以形成復(fù)數(shù)個(gè)晶粒組，每一個(gè)晶粒組具有平板單元、第一晶粒及復(fù)數(shù)個(gè)第一凸塊，第一晶粒位于平板單元的第一表面上。由此，使單顆晶粒能夠容易植上凸塊。
文檔編號(hào)H01L23/48GK101090107SQ20061008283
公開(kāi)日2007年12月19日 申請(qǐng)日期2006年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月13日
發(fā)明者戴惟璋, 李政穎 申請(qǐng)人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司