專利名稱：涂膜形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體單晶片、玻璃基板等表面應(yīng)用SOG(Spin OnGlass)來形成氧化硅涂膜的方法。
背景技術(shù)：
隨著基板回路的微細化、高集成化、多層化等，為了進行各層間的絕緣和平坦化，應(yīng)用SOG(Spin On Glass)，在基板上形成SiO2被膜的方法被實施。在制造回路時，首先在基板上利用SOG等形成包含SiO2的層間絕緣膜(以下稱為“SOG膜”)，在上面設(shè)有形成圖案的抗蝕劑掩模，通過選擇性地蝕刻和除去抗蝕劑掩模而形成配線溝。然后在這上面堆積屏蔽金屬，在將銅等配線用金屬材料通過電解鍍等方法埋入到所述配線溝中，形成下層配線。然后，利用CMP(化學(xué)研磨)把屏蔽金屬與金屬材料研磨之后，在其上面再次形成SOG膜。接下來采用同樣的方法，借助形成圖案的抗蝕劑掩模來選擇性地蝕刻SOG膜，在這些SOG膜上形成多個導(dǎo)通孔和電纜溝(上層配線用溝)。然后在導(dǎo)通孔和上層配線用的溝壁中堆積屏蔽金屬，通過電解鍍等將銅等配線用金屬材料埋入到導(dǎo)通孔和上層配線用的溝中，從而形成下層配線。
對于形成SOG膜的方法，例如有專利文獻1中所公開的方法。這種方法通過在基板上涂布包含含有三烷氧基硅烷的酸水解產(chǎn)物的有機溶劑溶液的涂布液，干燥，形成涂膜，在氧化性氣氛下對其涂膜表面照射紫外線后，進一步對涂布上述涂布液的操作重復(fù)1次或更多次，形成預(yù)期的膜厚，再將此涂膜在非活性氣氛中、350～500℃的條件下進行加熱處理，從而使之形成膜厚2000或更厚的二氧化硅系被膜。
另外，專利文獻2也公開了同樣的SOG膜的形成方法。這種方法通過在基板上設(shè)置包含具有熔點為500℃或更高的材料的配線層，并且在其上涂布包含含有三烷氧基硅烷的酸水解產(chǎn)物的有機溶劑溶液的涂布液，干燥之后在550～800℃范圍的溫度下煅燒，直至不能觀察到涂膜中的Si-H鍵，從而使之形成高裂紋極限的SiO2被膜。
特開平10-310872號公報[專利文獻2]特開平10-313002號公報發(fā)明內(nèi)容基板上涂布的含有烷氧基硅烷化合物的涂布液含有有機溶劑，并且含有醇和水，所述醇是在加熱處理時，涂膜中的烷氧基硅烷化合物通過水解形成硅烷醇時生成的；所述水是硅烷醇縮合形成SiO2網(wǎng)狀鍵時生成的。所以，如果不進行適當(dāng)?shù)母稍?、煅燒處理，就會成為SOG膜收縮、產(chǎn)生裂紋的原因。另外，在添加了用于改善裂紋極限的玻璃質(zhì)形成材料的情況下，如果在500℃或更高的溫度下進行煅燒，玻璃質(zhì)就會消失。
在上述專利文獻1公開的技術(shù)中，首先只對經(jīng)涂布的涂膜的表面部分照射紫外線，存在于涂膜表面的三烷氧基硅烷的Si-H基團變?yōu)镾i-OH，由此，提高了與隨后形成的涂膜的附著性，以防止產(chǎn)生針孔?？墒窃谶@種技術(shù)中，必需把紫外線照射裝置安裝在旋轉(zhuǎn)涂布機上。
另外，在專利文獻2公開的技術(shù)中，如下工序是必須的在500℃或更高、優(yōu)選550℃～800℃的溫度下煅燒SiO2被膜，把三烷氧基硅烷的Si-H基團變?yōu)镾i-OH。所以，無法添加上述玻璃質(zhì)形成材料，并且當(dāng)配線用材料是鋁等低熔點金屬時，會具有發(fā)生熔融、造成圖案損壞的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種理想的涂膜形成方法，其特征在于在用含有烷氧基硅烷化合物的涂布液在基板上形成SOG膜的時候，正確進行溫度控制，抑制涂膜急劇收縮，通過防止涂布液中的玻璃質(zhì)形成材料消失，來防止SOG膜產(chǎn)生裂紋，并且不使形成回路的金屬材料熔融、發(fā)生形變。
本發(fā)明的涂膜形成方法，其是在被處理物上涂布SOG膜形成用涂布液，經(jīng)過加熱處理工序，在被處理物上形成SOG膜的方法，其構(gòu)成如下將該加熱處理工序分為干燥工序和后續(xù)的煅燒工序，在所述的干燥工序中，設(shè)定至少3個階段的被處理物表面溫度范圍，通過從低溫開始的使溫度階段性上升的方式對所述被處理物進行加熱，在后面的所述煅燒工序中，使被處理物表面溫度進一步上升，在250～500℃的范圍、并且保持±3℃的范圍進行所述被處理物的加熱處理，形成所述SOG膜。
把所述干燥工序中的被處理物表面溫度設(shè)定為3個階段時，優(yōu)選第1階段設(shè)定為50～100℃，第2階段設(shè)定為101～170℃，第3階段設(shè)定為171～350℃。另外，所述干燥工序中的加熱時間在各階段中優(yōu)選設(shè)定在1～3分鐘的范圍。
另一方面，所述煅燒工序中的加熱時間，當(dāng)該煅燒工序是分批式處理時，優(yōu)選設(shè)定在10～60分鐘的范圍。而應(yīng)用枚葉式處理，對所述被處理物逐一煅燒時，可以將煅燒工序中的加熱時間縮短至1～30分鐘的范圍。
根據(jù)本發(fā)明的方法，因為在干燥工序中要在至少3個階段的溫度下進行干燥，所以可以抑制被處理物上的SOG膜急劇收縮。并且，對于煅燒工序而言，由于控制被處理物的表面溫度在很窄的溫度范圍內(nèi)，因而可以防止形成被處理物上的圖案(回路)的金屬材料的變形、熔融，還可以防止用于緩和裂紋極限(クラツク限界)的玻璃質(zhì)形成劑的消失。其結(jié)果可以形成裂紋極限高、品質(zhì)穩(wěn)定的SOG膜。


表示SOG膜的收縮比例(％)與加熱處理溫度相關(guān)關(guān)系的例示圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的方法是把半導(dǎo)體基板、玻璃基板、金屬板、陶瓷基板等作為被處理物，在這些被處理物上利用旋轉(zhuǎn)器法使其形成SOG膜的方法。要在被處理物表面形成SOG膜，把SOG膜形成用涂布液在被處理物上涂布之后，進行加熱處理。作為這樣形成的SOG膜，優(yōu)選介電常數(shù)為3.5或更小。作為形成這種膜的涂布液，可以舉出后述的有機SOG形成用涂布液和無機SOG形成用涂布液。
形成SOG膜要經(jīng)過干燥工序和煅燒工序。對于干燥工序而言，將涂布有上述涂布液的被處理物放入到加熱處理裝置中而進行。被處理物的干燥方法沒有限制，例如可以在熱板上放置多枚被處理物來進行干燥處理。對于本發(fā)明而言，干燥工序要設(shè)定至少3個階段的被處理物表面溫度范圍。例如設(shè)定3個階段時，要準備低溫板、中溫板和高溫板，把涂布了涂布液的被處理物先放到低溫板上。接著，一定時間后向中溫板轉(zhuǎn)移，最后使之在高溫板上干燥，從而結(jié)束工序。
因為上述干燥工序是為了除去有機溶劑等可燃物的，因此優(yōu)選在氮氣氛圍中進行。干燥工序的結(jié)束階段，優(yōu)選氣體氛圍中的氧濃度降至1％或更低。
設(shè)定所述干燥工序中的被處理物表面溫度為3個階段時，優(yōu)選第1階段設(shè)定為50～100℃，第2階段設(shè)定為101～170℃，第3階段設(shè)定為171～350℃。對于各階段的溫度，雖然優(yōu)選變動小，但是也不必那么嚴格，只要是大約4～6℃的變動范圍即可。另外，雖然干燥時間優(yōu)選根據(jù)涂布液中所含溶劑的量進行適當(dāng)調(diào)整，但在第1～第3的各個階段中，可以把1～3分鐘的范圍作為目標來設(shè)定。
上述第1階段是為了除去由烷氧基硅烷水解而生成的甲醇、乙醇等，或者除去涂布液中所含的低沸點溶劑的工序。第2階段是為了完全除去低沸點物質(zhì)，并且除去烷撐二醇二烷基醚等較高沸點的有機溶劑的工序。第3階段是將上述有機溶劑基本完全除去的工序。
圖1是表示SOG膜的收縮比例(％)與加熱處理溫度相關(guān)關(guān)系的例示圖。根據(jù)該圖，顯示出例如在100℃的溫度下加熱處理的話，就會發(fā)生2多百分點的收縮；在200℃的溫度下加熱處理的話，就會發(fā)生約10個百分點的收縮。即可以預(yù)測，如果開始就在約150℃或更高的溫度下加熱處理SOG膜，則膜就容易一下子收縮，形成裂紋等，膜的質(zhì)量下降。所以，依據(jù)本發(fā)明方法，優(yōu)選設(shè)定至少3個階段的被處理物表面溫度范圍。
對于上述干燥工序后續(xù)的煅燒工序而言，進一步使被處理物表面溫度上升，在250～500℃、優(yōu)選在400～450℃的范圍進行煅燒。通過這種煅燒，可以使由烷氧基硅烷水解而產(chǎn)生的硅烷醇幾乎完全縮聚，形成Si-O-Si的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并且可以除去縮合反應(yīng)生成的水。對于這種煅燒工序，把被處理物表面溫度保持基本一定是非常重要的，必需保持在±3℃、優(yōu)選±2℃的范圍。
有必要刻意控制被處理物表面溫度在上述溫度范圍。如果不這樣，在煅燒工序的最后階段中，由于縮合反應(yīng)產(chǎn)生的水分的量減少，因而有如下憂慮被處理物表面溫度加速上升，當(dāng)被處理物表面溫度超過500℃，形成回路的金屬材料會發(fā)生熔融。并且，因為原來SOG膜在抗沖擊方面弱，裂紋極限只有0.2微米左右，在涂布液中添加玻璃質(zhì)形成劑，使裂紋極限上升至1.5微米左右。被處理物表面溫度如果超過500℃，這種玻璃質(zhì)形成劑就會消失，上述裂紋極限下降。
煅燒工序中被處理物的處理方法沒有限制，比如可以與干燥工序相同，在熱板上放置多枚被處理物，進行煅燒處理。采用這種分批式處理時，加熱時間優(yōu)選設(shè)定在10～60分鐘的范圍。在加熱時間不足10分鐘的條件下，煅燒不充分，有時SOG膜的致密性不好；超過60分鐘的加熱時間則會造成時間和能源的浪費。應(yīng)用枚葉型處理，由于對被處理物逐一煅燒，且可以得到高品質(zhì)的SOG膜，因而優(yōu)選，這時加熱時間可以縮短至1～30分鐘。
在本發(fā)明方法可以使用的涂布液中，作為有機SOG形成用涂布液，例如，優(yōu)選碳含量為5～25原子量％的涂布液，進一步優(yōu)選為8～20原子量％。這里的碳含量是指由有機SOG形成用涂布液中含有的烷氧基硅烷化合物的反應(yīng)量而計算出的理論值，是碳原子量相對于總元素合計原子量的比例。如果碳含量不足上述范圍，則有機成分過少，會導(dǎo)致厚膜化困難，并且容易產(chǎn)生裂紋，還會失去SOG膜本來的低介電常數(shù)的優(yōu)點。若碳含量超過上述范圍，會導(dǎo)致與屏蔽金屬層的附著性不夠。
要得到具有上述碳含量的被膜，優(yōu)選使用含有選自用下式(I)表示的烷氧基硅烷化合物中的至少1種，在有機溶劑中、酸催化劑下可以進行水解，發(fā)生縮合反應(yīng)的涂布液。
通式RnSi(OR1)4-n……………………………(I)(式中，R為碳原子數(shù)1～4的烷基、芳香基，R1為碳原子數(shù)1～4的烷基，n為1或2。)作為用通式(I)表示的化合物的具體實例，可以舉出(a)n＝1時，一甲基三甲氧基硅烷、一甲基三乙氧基硅烷、一甲基三丙氧基硅烷、一乙基三甲氧基硅烷、一乙基三乙氧基硅烷、一乙基三丙氧基硅烷、一丙基三甲氧基硅烷、一丙基三乙氧基硅烷等一烷基三烷氧基硅烷類，一苯基三甲氧基硅烷、一苯基三乙氧基硅烷等一苯基三烷氧基硅烷類。還可以舉出(b)n＝2時，二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二丙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、二乙基二丙氧基硅烷、二丙基二甲氧基硅烷、二丙基二乙氧基硅烷、二丙基二丙氧基硅烷等二烷基二烷氧基硅烷類，二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷等二苯基二烷氧基硅烷類，甲基苯基二甲氧基硅烷、乙基苯基二甲氧基硅烷等烷基苯基二烷氧基硅烷類。這些化合物中，作為(a)化合物的一甲基三甲氧基硅烷和一甲基三乙氧基硅烷、作為(b)化合物的二甲基二甲氧基硅烷和二甲基二乙氧基硅烷是適于實用的優(yōu)選化合物。
作為可以與用通式(I)表示的烷氧基硅烷化合物發(fā)生共縮合的其他烷氧基硅烷化合物，可以舉出(c)四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四丙氧基硅烷、四丁氧基硅烷等四烷氧基硅烷類。其中，四甲氧基硅烷和四乙氧基硅烷是適于實用的優(yōu)選化合物。
這些烷氧基硅烷化合物可以使用1種，也可以使用2種或更多種。具體而言，優(yōu)選使(a)和(c)2種化合物組合，使(a)、(b)和(c)3種化合物組合，或者單獨使用化合物(a)。此時反應(yīng)的摩爾比為，在(a)和(c)2種物質(zhì)組合時，相對于(c)四烷氧基硅烷1摩爾，(a)一烷基三烷氧基硅烷為2～6摩爾，優(yōu)選為2～4摩爾，使其在有機溶劑中、酸催化劑下反應(yīng)而得到水解共縮合物，由于含有所得水解共縮合物而成的涂布液與底層的附著性優(yōu)異而優(yōu)選。
另外，使(a)、(b)和(c)3種組合時，相對于(b)二烷基二烷氧基硅烷1摩爾，(c)四烷氧基硅烷為0.5～4摩爾，優(yōu)選為1.0～3.0摩爾，及(a)一烷基三烷氧基硅烷為0.5～4摩爾，優(yōu)選為0.5～3.0摩爾，使其在有機溶劑中、酸催化劑下反應(yīng)而得到水解共縮合物，由于含有所得水解共縮合物而成的涂布液與底層的附著性優(yōu)異而優(yōu)選。
另外，單獨使用(a)一烷基三烷氧基硅烷時，因為容易得到交聯(lián)成階梯(ラダ一)型的水解縮合物，且這種階梯型能夠形成最低介電常數(shù)的SOG膜，所以優(yōu)選。水解產(chǎn)物可以是完全水解產(chǎn)物，也可以是部分水解產(chǎn)物。水解度可以根據(jù)水的添加量進行調(diào)整，只要根據(jù)目的SOG膜的特性適當(dāng)調(diào)整加水量即可，但是一般相對于用上述通式表示的烷氧基硅烷化合物合計1摩爾，優(yōu)選其以1～10倍摩爾、進一步優(yōu)選以1.5～8倍摩爾的比例進行反應(yīng)。不足這個范圍，水解度降低，被膜形成變得困難。如果超過這個范圍，會容易引起膠凝化，保存穩(wěn)定性會變差。
另外，對于酸催化劑，可使用任意一種以往常用的有機酸、無機酸。作為有機酸，可以舉出乙酸、丙酸、丁酸等有機羧酸；作為無機酸，可以舉出鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸等無機酸。對于酸催化劑而言，優(yōu)選加入酸催化劑至涂布液中酸濃度達到1～1000ppm、進一步達到5～500ppm的范圍，或者作為混合酸和水的酸水溶液而加入，使烷氧基硅烷化合物發(fā)生水解。水解反應(yīng)通常要5～100小時左右結(jié)束。在從室溫到不超過80℃的加熱溫度下，向含有烷氧基硅烷化合物的有機溶劑中滴加酸催化劑水溶液，使之反應(yīng)，由此可以在短的反應(yīng)時間內(nèi)使反應(yīng)結(jié)束。這樣，水解的烷氧基硅烷化合物發(fā)生縮合反應(yīng)，其結(jié)果形成具有被膜形成能力。
作為有機溶劑，可以使用以往常用的有機溶劑。作為這樣的物質(zhì)，可以舉出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇之類的一元醇，乙二醇、二乙二醇、丙二醇之類的多元醇類，乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一丙醚、乙二醇一丁醚、丙二醇一甲醚、丙二醇一乙醚、丙二醇一丙醚、丙二醇一丁醚、乙二醇一甲醚乙酸酯、乙二醇一乙醚乙酸酯、丙二醇一甲醚乙酸酯、丙二醇一乙醚乙酸酯之類的多元醇的衍生物類，乙酸、丙酸之類的脂肪酸等。這些有機溶劑可以單獨使用，也可以將2種或更多種組合使用。關(guān)于其使用量，相對于烷氧基硅烷1摩爾，優(yōu)選10～30摩爾倍量的比例。
另一方面，作為無機SOG形成用涂布液，其包括將含有三烷氧基硅烷的酸水解縮合生成物的烷撐二醇二烷基醚作為溶劑的溶液，除去溶劑后的被膜形成成分進行熱重分析，雖然顯示重量增加，但在低介電常數(shù)、耐裂紋性方面優(yōu)異，因而優(yōu)選。上述無機SOG形成用涂布液是這樣得到的把三烷氧基硅烷以SiO2換算，以1～5質(zhì)量％的濃度溶解在烷撐二醇二烷基醚中，在該溶液中加入相對于1摩爾的三烷氧基硅烷為2.5～3.0摩爾的水，在酸催化劑存在的條件下水解縮合后，通過調(diào)整由反應(yīng)混合物中的反應(yīng)而生成的醇含量到15質(zhì)量％或更低而得到。
把三烷氧基硅烷的濃度換算為SiO2，如上所述達到1～5質(zhì)量％時，就可以形成階梯結(jié)構(gòu)的SOG膜。如上所述，通過形成階梯結(jié)構(gòu)，可以形成致密的膜，使介電常數(shù)降低。
作為上述三烷氧基硅烷，例如三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、三丁氧基硅烷、二乙氧基一甲氧基硅烷、一甲氧基二丙氧基硅烷、二丁氧基一甲氧基硅烷、乙氧基甲氧基丙氧基硅烷、一乙氧基二甲氧基硅烷、一乙氧基二丙氧基硅烷、丁氧基乙氧基丙氧基硅烷、二甲氧基一丙氧基硅烷、二乙氧基一丙氧基硅烷、一丁氧基二甲氧基硅烷。這些化合物中適于實用而優(yōu)選的化合物是三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、三丁氧基硅烷，其中，特別優(yōu)選三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷。
下面說溶劑，為了提高保存穩(wěn)定性，使用烷撐二醇二烷基醚是必要的。通過使用這種物質(zhì)，可以抑制以低級醇作為溶劑的以往方法中的三烷氧基硅烷的H-Si基團發(fā)生分解反應(yīng)或中間生成的硅烷醇的羥基置換成烷氧基，也可以防止膠凝化。
作為這種烷撐二醇二烷基醚，可以例舉出乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二丁醚等烷撐二醇的二烷基醚類。其中，優(yōu)選的是乙二醇或丙二醇的二烷基醚，尤其是二甲醚。這些有機溶劑可以單獨使用，也可以將2種或更多種組合使用。關(guān)于其使用量，相對于1摩爾烷氧基硅烷，可以采用10～30摩爾倍量的比例。
用于三烷氧基硅烷進行水解的水，為了提高水解度，相對于1摩爾三烷氧基硅烷，優(yōu)選2.5～3.0摩爾，進一步優(yōu)選2.8～3.0摩爾范圍內(nèi)的量。不足這個范圍，雖然保存穩(wěn)定性提高了，但是水解度降低，水解產(chǎn)物中有機基團含量增多，在形成被膜時會產(chǎn)生氣體；如果添加超過這個范圍，保存穩(wěn)定性就會降低。
即使溶劑中不用醇，而使用選自烷撐二醇二烷基醚中的至少1種，由于烷氧基硅烷的水解必然產(chǎn)生與烷氧基相當(dāng)?shù)拇?，所以必須從反?yīng)體系中除去生成的醇。具體而言，必需把醇在涂布液中的含量降低到15質(zhì)量％或更少，優(yōu)選8質(zhì)量％或更少。如果殘存的醇超過15質(zhì)量％，則H-Si基團就會與生成的醇反應(yīng)，生成RO-Si基團，裂紋極限降低，形成被膜時產(chǎn)生氣體，成為上述問題的原因。
作為除去醇的方法，在真空度30～300mmHg、優(yōu)選50～200mmHg，溫度20～50℃條件下，減壓蒸餾2～6小時的方法是優(yōu)選的。用這種方法得到的涂布液，其特征在于除去溶劑后的被膜形成成分進行熱重分析(TG)時，顯示重量增加，且紅外吸收光譜在3000cm-1沒有峰。
以上對本發(fā)明方法中可以使用的SOG膜形成涂布液的組成進行了詳盡的說明，但是本發(fā)明方法中可以使用的涂布液并不限于此。
依據(jù)本發(fā)明方法，可以得到形成了高品質(zhì)SOG膜的基板，并且與以往的技術(shù)相比，因為在低溫進行煅燒工序，所以可以節(jié)約能源。因此，適用于制造IT領(lǐng)域的半導(dǎo)體元件和液晶元件等。
權(quán)利要求
1.涂膜形成方法，其是在被處理物上涂布SOG膜形成用涂布液，經(jīng)過加熱處理工序在被處理物上形成SOG膜的方法，其特征在于將該加熱處理工序分為干燥工序和后續(xù)的煅燒工序，在所述干燥工序中，設(shè)定至少3個階段的被處理物表面溫度范圍，通過從低溫開始使溫度階段性上升的方式加熱所述被處理物，在接著的煅燒工序中，使被處理物表面溫度進一步上升，在250～500℃的范圍、并且保持±3℃的范圍進行所述被處理物的加熱處理，形成SOG膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的所述涂膜形成方法，其特征在于把所述干燥工序中的被處理物表面溫度范圍設(shè)定為3個階段，第1階段設(shè)定為50～100℃，第2階段設(shè)定為101～170℃，第3階段設(shè)定為171～350℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的涂膜形成方法，其特征在于所述干燥工序中的加熱時間在各階段中設(shè)定在1～3分鐘的范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂膜形成方法，其特征在于所述煅燒工序是分批式處理，設(shè)定其加熱時間在10～60分鐘的范圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂膜形成方法，其特征在于所述煅燒工序，是通過枚葉式處理將所述被處理物逐一煅燒的工序，設(shè)定其加熱時間在10～30分鐘的范圍。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種理想的涂膜形成方法，其特征在于用含有烷氧基硅烷化合物的涂布液在基板上形成SOG膜的時候，正確進行溫度控制，從而抑制涂膜急劇收縮，并通過防止涂布液中的玻璃質(zhì)形成材料的消失，來防止SOG膜產(chǎn)生裂紋，并且不使形成回路的金屬材料熔融、發(fā)生形變。所述涂膜形成方法設(shè)定至少3個階段的被處理物表面溫度范圍，從低溫開始使溫度階段性上升，干燥涂布有SOG膜形成用涂布液的被處理物，接著使被處理物表面溫度升至250～500℃的范圍，保持±3℃的范圍進行上述被處理物的煅燒處理，使SOG膜形成。
文檔編號H01L21/02GK1854337SQ200610076728
公開日2006年11月1日 申請日期2006年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月20日
發(fā)明者中村彰彥 申請人:東京應(yīng)化工業(yè)株式會社