專利名稱：薄膜晶體管陣列面板和包括該陣列面板的液晶顯示器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列面板和包括該薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器。
背景技術：
液晶顯示器(LCD)是廣泛使用的平板顯示器。LCD包括兩個面板，所述兩個面板包括場發(fā)生電極，液晶(LC)層置于所述兩個面板之間。
LCD通過向場發(fā)生電極施加電壓從而在LC層中產生電場來顯示圖像。所述電場確定LC層中的LC分子的取向，從而調節(jié)入射光的偏振。
LCD可在各個面板上包括場發(fā)生電極。在各個面板上包括場發(fā)生電極的一種類型的LCD包括在一個面板上以矩陣排列的多個像素電極和在另一面板上的公共電極。公共電極覆蓋面板的整個表面。通過向各個像素電極施加單獨的電壓來實現LCD的圖像顯示。
公共電極、像素電極和LC層形成液晶電容器，每個像素包括液晶電容器和連接到液晶電容器的開關元件。
當前，LCD的驅動速度正被增加以提高運動畫面的圖像質量，但是當速度被顯著增加時，難以對液晶電容器充分地充電。因此，在液晶電容器接收它的數據電壓之前，在先數據電壓被預充在液晶電容器中。
然而，因為每個像素的預充電容的量的改變取決于在先數據電壓，所以預充產生陰影(shadow)現象。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括多個像素，包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管以及連接到第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的像素電極；第一柵極線，傳輸第一柵極信號并連接到第一薄膜晶體管；第二柵極線，傳輸第二柵極信號并連接到第二薄膜晶體管；數據線，傳輸數據信號并連接到第一薄膜晶體管；其中，第二薄膜晶體管接收統(tǒng)一的電壓并根據第二柵極信號將所述統(tǒng)一的電壓傳輸到像素電極。
第二薄膜晶體管可比第一薄膜晶體管更快地導通。
所述液晶顯示器還可包括面對像素電極的公共電極和形成于公共電極和像素電極之間的液晶層。
所述統(tǒng)一的電壓是供給到公共電極的電壓。
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列面板，該薄膜晶體管陣列面板包括柵極線，形成在絕緣基底上；數據線，與柵極線交叉；屏蔽電極，形成在數據線上；第一薄膜晶體管，連接到柵極線和數據線；第二薄膜晶體管，連接到柵極線和屏蔽電極；像素電極，連接到第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；鈍化層，形成在屏蔽電極與數據線之間以及像素電極與數據線之間。
屏蔽電極可具有沿數據線延伸的開口。
第一薄膜晶體管可包括第一柵電極，連接到柵極線；第一半導體，與第一柵電極疊置；第一源電極，連接到數據線并與第一半導體疊置；第一漏電極，與第一半導體疊置并連接到像素電極。
第二薄膜晶體管可包括第二柵電極，連接到柵極線；第二半導體，與第二柵電極疊置；第二源電極，連接到屏蔽電極并與第二半導體疊置；第二漏電極，與第二半導體疊置并連接到像素電極。
屏蔽電極可包括向第二半導體延伸的突出，其中，第二源電極連接到所述突出。
屏蔽電極可具有將鄰近的屏蔽電極彼此連接的連接處，并且屏蔽電極至少與柵極線疊置。
第二源電極可設置在柵極線上，并且在柵極線上與所述連接處連接。
通過參照附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本發(fā)明將變得更加清楚，附圖中圖1是根據本發(fā)明實施例的顯示裝置的框圖；圖2是作為根據本發(fā)明實施例的顯示裝置的示例的LCD的像素的等效電路圖；圖3是用于根據本發(fā)明實施例的LCD的下面板的布局圖；圖4是沿線IV-IV截取的包括圖3中示出的下面板的LCD的剖視圖；
圖5是用于根據本發(fā)明另一實施例的LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；圖6是沿線VI-VI截取的在圖5中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖；圖7是用于根據本發(fā)明另一實施例的LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；圖8是沿線VIII-VIII’-VIII”截取的在圖7中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖；圖9是用于根據本發(fā)明另一實施例的LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；圖10是沿線X-X’-X”截取的在圖9中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖；圖11是用于根據本發(fā)明另一實施例的LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；圖12是沿線XII-XII截取的在圖11中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
具體實施例方式
下面，將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的方式實施，而不應理解為限于這里提出的實施例。
在附圖中，為了清晰起見，夸大了層、膜和區(qū)域的厚度。相同的標號始終表示相同的元件。應該理解，當元件(諸如層、膜、區(qū)域或基底)被稱為在另一元件“上”時，該元件可直接在另一元件上，或者也可能存在中間元件。相反，當元件被稱為“直接”在另一元件“上”時，沒有中間元件存在。
參照圖1和圖2，將詳細描述根據本發(fā)明實施例的液晶顯示器。
圖1是根據本發(fā)明實施例的顯示裝置的框圖，圖2是作為根據本發(fā)明實施例的顯示裝置的示例的LCD的像素的等效電路圖。
參照圖1，根據本實施例的顯示裝置包括液晶面板組件300、連接到液晶面板組件300的柵極驅動器400和數據驅動器500、連接到數據驅動器500的灰度電壓發(fā)生器800和控制上述元件的信號控制器600。
參照圖1，液晶面板組件300包括多條顯示信號線G1-Gn和D1-Dm以及連接到多條顯示信號線G1-Gn和D1-Dm的多個像素PX。像素PX基本排列成矩陣。
在圖2中示出的結構視圖中，液晶面板組件300包括下面板100、上面板200以及置于下面板100和上面板200之間的LC層3。
顯示信號線G1-Gn和D1-Dm包括傳輸柵極信號(也稱為“掃描信號”)的多條柵極線G1-Gn和傳輸數據信號的多條數據線D1-Dm。柵極線G1-Gn基本上在行方向上延伸且基本上彼此平行，而數據線D1-Dm基本上在列方向上延伸且基本上彼此平行。
參照圖2，由液晶顯示器的第“i”柵極線和第“j”數據線限定的各個像素PX包括主開關元件Q1和次開關元件Q2以及LC(液晶)電容器CLC。顯示信號線Gi和Dj設置在下面板100上。如果必要，可添加存儲電容器(未示出)。
各個主開關元件Q1和次開關元件Q2(諸如TFT)設置在下面板100上，并且主開關元件Q1具有三個接線端控制接線端，連接到柵極線Gi；輸入接線端，連接到數據線Dj；輸出接線端，連接到LC電容器CLC。次開關元件Q2具有三個接線端控制接線端，連接到前一柵極線Gi-1；輸入接線端，連接到共電壓Vcom；輸出接線端，連接到LC電容器CLC。
LC電容器CLC包括設置在下面板100上的像素電極191和設置在上面板200上的公共電極270，像素電極191和公共電極270作為兩個電容器接線端。置于兩個電極191、270之間的LC層3用作LC電容器CLC的電介質。像素電極191連接到主開關元件Q1和次開關元件Q2。公共電極270被供給共電壓Vcom并且覆蓋上面板200的整個表面。在其它實施例中，公共電極270可設置在下面板100上，電極191和電極270都可被設置成條狀或帶狀。
對于彩色顯示器，每個像素PX唯一地代表三原色之一(即，空分)，或者每個像素PX依次順序地代表所有的三原色(即，時分)，使得三原色的空間或時間之和被識別為預期的顏色。圖2示出空分型彩色顯示器的示例，其中各像素在上面板200的面對像素電極191的區(qū)域中設置有代表原色之一(例如，紅色、綠色或藍色)的濾色器230?？蛇x擇地，濾色器230可設置在下面板100上的像素電極191上或設置在下面板100上的像素電極191的下方。
用于使光偏振的一對偏振器(未示出)附在面板組件300的面板100和面板200的外表面上。
LCD還可包括至少一個用于補償LC層3的延遲的延遲膜(未示出)。
返回參照圖1，灰度電壓發(fā)生器800產生兩組與像素PX的透射率相關的多個灰度電壓。一組中的灰度電壓相對于共電壓Vcom具有正極性，而另一組中的灰度電壓相對于共電壓Vcom具有負極性。
柵極驅動器400連接到液晶面板組件300的柵極線G1-Gn，并且將來自外部裝置的柵導通電壓Von和柵截止電壓Voff合成，以產生應用于柵極線G1-Gn的柵極信號。柵極驅動器400可安裝在液晶面板組件300上，并且可包括多個IC(集成電路)芯片。柵極驅動器400的每個IC芯片分別連接到柵極線G1-Gn，并且包括多個薄膜晶體管。
數據驅動器500連接到液晶面板組件300的數據線D1-Dm，并向數據線D1-Dm施加從灰度電壓中選擇的數據電壓，所述灰度電壓由灰度電壓發(fā)生器800供給。數據驅動器500也可安裝在面板組件300上，且也可包括多個IC芯片。
驅動器400、500的IC芯片可安裝在柔性印刷電路(FPC)膜上作為TCP(帶載封裝)，并且附于液晶面板組件300?？蛇x擇地，驅動器400、500可與顯示信號線G1-Gn和D1-Dm以及TFT開關元件Q1和Q2一起集成到液晶面板組件300中。
驅動器400、500的IC芯片或者柔性印刷電路(FPC)膜位于液晶面板組件300的外圍區(qū)域。
信號控制器600產生用于控制驅動器400、500的控制信號，并為驅動器400、500提供相應的控制信號。
現在，將詳細描述LCD的操作。
信號控制器600被外部圖形控制器(未示出)供給圖像信號R、G和B以及用于控制圖像信號R、G和B的顯示的輸入控制信號，輸入控制信號諸如豎直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、主時鐘信號MCLK和數據使能信號DE。在基于輸入控制信號產生柵極控制信號CONT1和數據控制信號CONT2并且將圖像信號R、G和B處理成適于面板組件300的操作之后，信號處理器600為柵極驅動器400提供柵極控制信號CONT1并且為數據驅動器500提供處理了的圖像數據DAT和數據控制信號CONT2。
柵極控制信號CONT1包括用于指示柵極驅動器400開始掃描的掃描起始信號STV和用于控制柵導通電壓Von的輸出時間的至少一個時鐘信號。
數據控制信號CONT2包括用于通知數據驅動器500一組像素的圖像數據DAT的數據傳輸開始的水平同步起始信號STH、用于指示數據驅動器500向數據線D1-Dm施加數據電壓的加載信號LOAD、數據時鐘信號HCLK。數據控制信號CONT2還可包括用于使數據電壓(相對于共電壓Vcom)的極性反轉的反轉信號RVS。
數據驅動器500從信號控制器600接收像素行的圖像數據DAT包，并響應來自信號控制器600的數據控制信號CONT2將圖像數據DAT轉換成從灰度電壓中選擇的模擬數據電壓，所述灰度電壓從灰度電壓發(fā)生器800供給。
響應來自信號控制器600的柵極控制信號CONT1，柵極驅動器400向柵極線G1-Gn施加柵導通電壓Von。每條柵極線G1-Gn連接到相應像素行的主開關元件Q1和下一像素行的次開關元件Q2，因而同時導通連接到其的所述主開關元件Q1和所述次開關元件Q2。因此，施加到數據線D1-Dm的數據電壓通過主開關元件Q1供給到一行像素，同時作為預充電壓的共電壓通過次開關元件Q2供給到下一行像素。
數據電壓和共電壓Vcom之差表示為LC電容器CLC兩端的電壓，該電壓稱為像素電壓。LC電容器CLC中的LC分子具有取決于像素電壓的幅度的取向，分子取向決定穿過LC層3的光的偏振。偏振器將光偏振轉換成光透射率。
在一水平周期(1H)之后，通過次開關元件Q2施加有共電壓的行像素通過主開關元件Q1接收相應的數據電壓。
通過以所述水平周期(該水平周期以1H表示，并且等于水平同步信號Hsync和數據使能信號DE的一個周期)為單位重復這個過程，在一幀期間所有的柵極線G1-Gn被順次地供有柵導通電壓Von，從而將數據電壓施加到所有像素。當一幀結束之后下一幀開始時，控制施加到數據驅動器500的反轉控制信號RVS，以使數據電壓的極性反轉(這稱為“幀反轉”)。也可這樣控制反轉控制信號RVS，以使一幀中在數據線中流動的數據電壓的極性反轉(例如，線反轉和點反轉)，或者在一數據包中的數據電壓的極性反轉(例如，列反轉和點反轉)。
如上所述，作為預充電壓的共電壓以相同的電壓供給所有像素，因此所有像素的充電率可一致。
現在將參照圖3和圖4以及圖1和圖2來詳細描述根據本發(fā)明的一個實施例的LCD的液晶面板組件。
圖3是根據本發(fā)明實施例的在圖1和圖2中示出的液晶面板組件的下面板的布局圖，圖4是沿線IV-IV截取的包括圖3中的下面板的液晶面板組件的剖視圖。
現在將詳細描述公共電極面板200。
稱為用于防止光泄漏的黑矩陣的擋光構件220形成在由材料諸如透明玻璃或塑料制成的絕緣基底210上。擋光構件220可以是由鉻制成的單層，或者是由鉻和鉻氮化物制成的雙層，并且可以由包括黑色素的有機材料制成。
多個濾色器230也形成在基底210上，并且它們基本上設置在由擋光構件220包圍的區(qū)域中。濾色器230可基本上沿縱向方向延伸，并且相鄰的濾色器230的邊緣可彼此疊置。
公共電極270形成在濾色器230上。公共電極270優(yōu)選地由透明導電材料(諸如ITO和IZO)制成。
為了防止濾色器230暴露或者為了提供平坦的表面，可在濾色器230和公共電極270之間添加覆蓋層(未示出)。
現在將詳細描述TFT陣列面板100。
多條柵極線121形成在絕緣基底110上。柵極線121用來傳輸柵極信號，并且柵極線121基本上在橫向方向上延伸且彼此分開。每條柵極線121包括多個突出部分和端部129，多個突出部分形成分別向下突出和向上突出的多個第一柵電極124a和多個第二柵電極124b，端部129具有用來與另一層或外部器件接觸的大的面積。當柵極驅動電路(未示出)集成在基底110上使得柵極線121直接與柵極驅動電路接觸時，可不設置端部129。
柵極線121優(yōu)選地由含Al金屬諸如Al和Al合金、含Ag金屬諸如Ag和Ag合金、含Cu金屬諸如Cu和Cu合金、含Mo金屬諸如Mo和Mo合金、Cr、Ta或Ti制成。然而，柵極線121可具有包括雙導電膜(未示出)的多層結構，所述雙導電膜具有不同的物理特性。所述雙膜之一優(yōu)選地由包括用于減小信號延遲或電壓降的含Al金屬、含Ag金屬和含Cu金屬的低阻金屬制成。另一膜優(yōu)選地由材料諸如含Mo金屬、Cr、Ta或Ti制成，這些材料具有良好的物理特性、化學特性以及與其它材料諸如氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)的電接觸特性。所述雙膜組合的典型示例為下Cr膜和上Al(合金)膜以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。然而，柵極線121可由各種金屬或導體制成。
此外，柵極線121的側面相對于基底110的表面傾斜，并且其傾斜角度范圍為大約30度至大約80度。
優(yōu)選地由硅氮化物(SiNx)制成的柵極絕緣層140形成在柵極線121上。
優(yōu)選地由氫化非晶硅(簡寫為“a-Si”)或多晶硅制成的多個半導體帶151和多個半導體島154b形成在柵極絕緣層140上。每個半導體帶151基本上在縱向方向上延伸，并且周期性彎曲。每個半導體帶151具有朝第一柵電極124a分支出來的多個突出部分154a。每個半導體島154b設置在第二柵電極124b上。
優(yōu)選地由硅化物或以N型雜質重摻雜的n+氫化a-Si制成的多個歐姆接觸帶161和歐姆接觸島163b、165a、165b形成在半導體帶151和半導體島154b上。每個歐姆接觸帶161具有多個突出部分163a，突出部分163a和歐姆接觸島165a成對地位于半導體帶151的突出部分154a上。歐姆接觸島163b和歐姆接觸島165b成對地位于半導體島154b上。
半導體151、154b和歐姆接觸161、163b、165a、165b的側面相對于基底110的表面傾斜，并且其傾斜角度優(yōu)選地在大約30度至大約80度的范圍內。
多條數據線171、多個第二源電極173b以及多個彼此分開的第一漏電極175a和第二漏電極175b形成在歐姆接觸161、163b、165a、165b和柵極絕緣層140上。
用于傳輸數據電壓的數據線171基本上在縱向方向上延伸且與柵極線121交叉。每條數據線171具有端部179和第一源電極173a，端部179具有用來與另一層或外部器件接觸的大的面積。每個第一源電極173a延伸至第一柵電極124a，并且以“U”形圍繞第一漏電極175a。
第二源電極173b與數據線171分開，并且至少與第二柵電極124b部分疊置。
每個第一漏電極175a與數據線171分開，每個第二漏電極175b與第二源電極173b分開，并且第一漏電極175a與第一源電極173a關于第一柵電極124a相對地設置，第二漏電極175b與第二源電極173b關于第二柵電極124b相對地設置。第一漏電極175a包括具有用來與另一層接觸的大的區(qū)域的一端部和被第一源電極173a圍繞的另一端部。
每組第一柵電極124a、第一源電極173a、第一漏電極175a與半導體帶151的突出部分154a一起形成TFT Q1，TFT Q1具有形成在設置在第一源電極173a和第一漏電極175a之間的半導體突出部分154a中的溝道。每組第二柵電極124b、第二源電極173b、第二漏電極175b與第二半導體島154b一起形成TFT Q2，TFT Q2具有形成在設置在第二源電極173b和第二漏電極175b之間的第二半導體島154b中的溝道。
數據線171、第二源電極173b和漏電極175a、175b優(yōu)選地由難熔金屬諸如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金制成。然而，它們可具有包括難熔金屬膜(未示出)和低阻膜(未示出)的多層結構。所述多層結構的典型示例為包括下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜的雙層結構以及下Mo(合金)膜、中Al(合金)膜和上Mo(合金)膜的三層結構。然而，數據導體171、175可由各種金屬或導體制成。
與柵極線121相似，數據線171、第二源電極173和漏電極175a、175b具有傾斜的側面，并且其傾斜角度范圍為大約30度至大約80度。
歐姆接觸161、163b、165a、165b僅置于下埋半導體151、154b與在其上的上覆數據線171、第二源電極173b和上覆漏電極175a、175b之間，減小它們之間的接觸電阻。雖然半導體帶151在大多數地方比數據線171窄，但是如上所述半導體帶151的寬度在柵極線121附近變大，以使表面的輪廓平滑，從而防止數據線171斷開。半導體154a、154b分別包括多個未覆蓋有數據線171、第一漏電極175a、第二漏電極175b的暴露部分，諸如分別位于第一源電極173a和第一漏電極175a之間以及第二源電極173b和第二漏電極175b之間的部分。
鈍化層180形成在數據線171、第二源電極173b、漏電極175a和175b以及半導體151、154b的未覆蓋有數據線171、第二源電極173b、漏電極175a和175b的暴露部分上。鈍化層180優(yōu)選地由具有良好的平坦化特性的光敏有機材料、低介電絕緣材料(諸如由等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F)、或者無機材料(諸如硅氮化物和硅氧化物)制成。鈍化層180可具有包括下無機膜和上有機膜的雙層結構，以防止半導體151、154b的溝道部分直接接觸有機材料。
鈍化層180具有分別暴露數據線171的端部179、第二源電極173b、漏電極175a、175b的多個接觸孔182、183、185a、185b。鈍化層180和柵極絕緣層140具有暴露柵極線121的端部129的多個接觸孔181。
優(yōu)選地由透明導電材料諸如ITO或IZO制成的多個像素電極191、多個接觸輔助件81和82、多個屏蔽電極88形成在鈍化層180上。對于反射型LCD，像素電極191可由不透明的反射材料諸如Ag或Al制成。
像素電極191通過接觸孔185a物理且電連接到第一漏電極175a，通過接觸孔185b物理且電連接到第二漏電極175b，使得像素電極191從第一漏電極175a和第二漏電極175b接收數據電壓/共電壓。
被供給有數據電壓的像素電極191與公共電極270協(xié)作產生電場，所述電場使設置在像素電極191和公共電極270之間的LC層3的液晶分子重新取向。
像素電極191和公共電極270形成稱為“液晶電容器”的電容器，所述電容器在主TFT Q1截止后存儲所施加的電壓。為了提高電壓存儲能力，可設置稱為“存儲電容器”的額外電容器，所述電容器與液晶電容器并聯(lián)連接。
屏蔽電極88被供給共電壓，并且屏蔽電極88包括沿數據線171延伸的縱向部分和沿柵極線121延伸以連接相鄰的縱向部分的橫向部分。縱向部分完全覆蓋數據線171，而各橫向部分位于柵極線121的邊界內，并且縱向部分包括通過接觸孔183連接到第二源電極173b的多個突出部分。
屏蔽電極88阻擋數據線171和像素電極191之間以及數據線171和公共電極270之間的電磁干擾，以減小像素電極190的電壓失真和由數據線171攜載的數據電壓的信號延遲。
此外，由于像素電極191需要與屏蔽電極88分隔開以防止像素電極191和屏蔽電極88之間短路，所以像素電極191離數據線171更遠，這樣減小了像素電極191和數據線171之間的寄生電容。
此外，由于LC層3的介電常數大于鈍化層180的介電常數，所以與數據線171和公共電極270之間沒用屏蔽電極88相比減小了數據線171和屏蔽電極88之間的寄生電容。
此外，由于像素電極191和屏蔽電極88制作在同一層上，所以像素電極191和屏蔽電極88之間的距離可保持均勻，因此像素電極191和屏蔽電極88之間的寄生電容可一致。
接觸輔助件81通過接觸孔181連接到柵極線121的暴露的端部129，接觸輔助件82通過接觸孔182連接到數據線171的暴露的端部179。接觸輔助件81保護暴露的端部129，并且補充暴露的端部129和外部器件之間的附著力，接觸輔助件82保護暴露的端部179，并且補充暴露的端部179和外部器件之間的附著力。
圖5是用于根據本發(fā)明另一實施例的LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖，圖6是沿線VI-VI截取的在圖5中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
參照圖5和圖6，根據該實施例的面板100的分層的結構與圖3和圖4中示出的面板100的分層的結構幾乎相同。
包括多個柵電極124a、124b和多個端部129的多條柵極線121形成在基底110上，柵極絕緣層140、包括多個突出部分154a的多個半導體帶151和多個半導體島154b、包括多個突出部分163a的多個歐姆接觸帶161以及多個歐姆接觸島163b和165a和165b順次形成在其上。包括多個第一源電極173a的多條數據線171、多個第二源電極173b、多個第一漏電極175a、多個第二漏電極175b形成在歐姆接觸161、163b、165a和165b上，并且鈍化層180形成在其上。多個接觸孔181、182、183、185a、185b設置在鈍化層180和柵極絕緣層140中。多個像素電極191、多個屏蔽電極88、多個接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。
不同于圖3和圖4中示出的LCD，在該實施例中，屏蔽電極88包括設置在屏蔽電極88的縱向部分且延伸至數據線171的多個開口89。
在該實施例中，數據線171和屏蔽電極88之間的寄生電容可由于屏蔽電極88的開口89而減小，從而可減小施加到數據線171的信號的延遲。
圖7是用于根據本發(fā)明另一實施例的LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖，圖8是沿線VIII-VIII’-VIII”截取的在圖7中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
參照圖7和圖8，根據該實施例的面板100的分層的結構與圖3和圖4中示出的面板100的分層的結構幾乎相同。
包括多個柵電極124a、124b和多個端部129的多條柵極線121形成在基底110上，柵極絕緣層140、包括多個突出部分154a的多個半導體帶151和多個半導體島154b、包括多個突出部分163a的多個歐姆接觸帶161以及多個歐姆接觸島163b和165a和165b順次形成在其上。包括多個第一源電極173a的多條數據線171、多個第二源電極173b、多個第一漏電極175a、多個第二漏電極175b形成在歐姆接觸161、163b、165a和165b上，并且鈍化層180形成在其上。多個接觸孔181、182、183、185a、185b設置在鈍化層180和柵極絕緣層140中。多個像素電極191、多個屏蔽電極88、多個接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。
不同于圖3和圖4中示出的LCD，在該實施例中，第二源電極173b與柵極線121和屏蔽電極88的橫向部分疊置，并且接觸孔183設置在屏蔽電極88的橫向部分的下方。因此，可使像素的開口率最大化。
圖9是用于根據本發(fā)明另一實施例的LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖，圖10是沿線X-X’-X”截取的在圖9中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
參照圖9和圖10，根據該實施例的面板100的分層的結構與圖7和圖8中示出的面板100的分層的結構幾乎相同。
包括多個柵電極124a、124b和多個端部129的多條柵極線121形成在基底110上，柵極絕緣層140、包括多個突出部分154a的多個半導體帶151和多個半導體島154b、包括多個突出部分163a的多個歐姆接觸帶161以及多個歐姆接觸島163b和165a和165b順次形成在其上。包括多個第一源電極173a的多條數據線171、多個第二源電極173b、多個第一漏電極175a、多個第二漏電極175b形成在歐姆接觸161、163b、165a和165b上，并且鈍化層180形成在其上。多個接觸孔181、182、183、185a、185b設置在鈍化層180和柵極絕緣層140中。多個像素電極191、多個屏蔽電極88、多個接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。
不同于圖7和圖8中示出的LCD，在該實施例中，屏蔽電極88包括設置在屏蔽電極88的縱向部分且與數據線171疊置的多個開口89。
在該實施例中，數據線171和屏蔽電極88之間的寄生電容也會由于屏蔽電極88的開口89而減小，從而可減小施加到數據線171的信號的延遲。
圖11是用于根據本發(fā)明另一實施例的LCD的薄膜晶體管陣列面板的布局圖，圖12是沿線XII-XII截取的在圖11中示出的薄膜晶體管陣列面板的剖視圖。
參照圖11和圖12，根據該實施例的面板100的分層的結構與圖3和圖4中示出的面板100的分層的結構幾乎相同。
包括多個柵電極124a、124b和多個端部129的多條柵極線121形成在基底110上，柵極絕緣層140、包括多個突出部分154a的多個半導體帶151和多個半導體島154b、包括多個突出部分163a的多個歐姆接觸帶161以及多個歐姆接觸島163b和165a和165b順次形成在其上。包括多個第一源電極173a的多條數據線171、多個第二源電極173b、多個第一漏電極175a、多個第二漏電極175b形成在歐姆接觸161、163b、165a和165b上，并且鈍化層180形成在其上。多個接觸孔181、182、183、185a、185b設置在鈍化層180和柵極絕緣層140中。多個像素電極191、多個屏蔽電極88、多個接觸輔助件81和82形成在鈍化層180上。
不同于圖3和圖4中示出的LCD，半導體帶151的平面形狀與數據線171、漏電極175a和175b以及下埋的歐姆接觸161、165a和165b的平面形狀幾乎相同。然而，半導體帶151的突出部分154a和半導體島154b包括一些未覆蓋有數據線171以及漏電極175a和175b的暴露部分，諸如位于源電極173a和漏電極175a之間以及源電極173b和漏電極175b之間的部分。
根據一個實施例的TFT陣列面板的制造方法利用一個光刻工藝同時形成數據線171、第二源電極173b、漏電極175a和175b、半導體151和154b、歐姆接觸161、163b、165a和165b。
用于光刻工藝的光阻圖案具有取決于位置的厚度，具體地講，所述光阻圖案具有第一部分和厚度減小的第二部分。第一部分位于將被數據線171、第二源電極173b及漏電極175a和175b占用的線區(qū)，第二部分位于TFT Q1和TFT Q2的溝道區(qū)。
光阻的取決于位置的厚度可通過多種技術獲得，例如，通過在曝光掩模上設置半透明區(qū)域和透明區(qū)域以及擋光不透明區(qū)域。半透明區(qū)域可具有縫隙圖案、格子圖案或者可以是具有中間透射率或中間厚度的薄膜。當使用縫隙圖案時，縫隙的寬度或縫隙之間的距離優(yōu)選地小于光刻所使用的曝光機的分辨率。另一示例是使用可回流的光阻。詳細地，一旦通過使用只有透明區(qū)域和不透明區(qū)域的普通曝光掩模來形成由可回流的材料制成的光阻圖案，則所述光阻圖案有賴于回流工藝來流到沒有光阻的區(qū)域上，從而形成薄部分。
結果，通過省略光刻步驟而簡化了制造工藝。
在圖1至圖10中示出的LCD的許多上述特征可適用于圖11和圖12中示出的LCD。
如上所述，對于預充操作，通過使用屏蔽電極將作為預充電壓的共電壓以相同電壓供給到所有像素，因此，顯示裝置的特性可一致且穩(wěn)定。
雖然已經參照優(yōu)選實施例詳細描述了本發(fā)明，但是本領域技術人員應該明白，在不脫離如權利要求所述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對本發(fā)明作出各種修改和替換。
權利要求
1.一種液晶顯示器，包括多個像素，包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管以及連接到所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管的像素電極；第一柵極線，傳輸第一柵極信號并連接到所述第一薄膜晶體管；第二柵極線，傳輸第二柵極信號并連接到所述第二薄膜晶體管；數據線，傳輸數據信號并連接到所述第一薄膜晶體管；其中，所述第二薄膜晶體管接收統(tǒng)一的電壓并根據所述第二柵極信號將所述統(tǒng)一的電壓傳輸到所述像素電極。
2.如權利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第二薄膜晶體管比所述第一薄膜晶體管更快地導通。
3.如權利要求1所述的液晶顯示器，還包括公共電極，面對所述像素電極；液晶層，形成于所述公共電極和所述像素電極之間。
4.如權利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述統(tǒng)一的電壓是供給到所述公共電極的電壓。
5.一種薄膜晶體管陣列面板，包括柵極線，形成在絕緣基底上；數據線，與所述柵極線交叉；屏蔽電極，形成在所述數據線上；第一薄膜晶體管，連接到所述柵極線和所述數據線；第二薄膜晶體管，連接到所述柵極線和所述屏蔽電極；像素電極，連接到所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管；鈍化層，形成在所述屏蔽電極和所述像素電極的下方，并且形成在所述數據線的上方。
6.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極具有沿所述數據線延伸的開口。
7.如權利要求5所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第一薄膜晶體管包括第一柵電極，連接到所述柵極線；第一半導體，與所述第一柵電極疊置；第一源電極，連接到所述數據線并與所述第一半導體疊置；第一漏電極，與所述第一半導體疊置并連接到所述像素電極。
8.如權利要求7所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第二薄膜晶體管包括第二柵電極，連接到所述柵極線；第二半導體，與所述第二柵電極疊置；第二源電極，連接到所述屏蔽電極并與所述第二半導體疊置；第二漏電極，與所述第二半導體疊置并連接到所述像素電極。
9.如權利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極包括向所述第二半導體延伸的突出，其中，所述第二源電極連接到所述突出。
10.如權利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述屏蔽電極具有將鄰近的屏蔽電極彼此連接的連接處，并且所述屏蔽電極至少與所述柵極線疊置。
11.如權利要求10所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述第二源電極設置在所述柵極線上，并且在所述柵極線上與所述連接處連接。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括多個像素，包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管以及連接到第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的像素電極；第一柵極線，傳輸第一柵極信號并連接到第一薄膜晶體管；第二柵極線，傳輸第二柵極信號并連接到第二薄膜晶體管；數據線，傳輸數據信號并連接到第一薄膜晶體管。第二薄膜晶體管接收統(tǒng)一的電壓并根據第二柵極信號將所述統(tǒng)一的電壓傳輸到像素電極。
文檔編號H01L27/00GK1858640SQ20061007656
公開日2006年11月8日 申請日期2006年4月30日 優(yōu)先權日2005年5月4日
發(fā)明者李白云 申請人:三星電子株式會社